JP2003251552A - 加工方法、光学素子及び金型の製造方法、光学素子及び光学装置 - Google Patents

加工方法、光学素子及び金型の製造方法、光学素子及び光学装置

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JP2003251552A
JP2003251552A JP2002051992A JP2002051992A JP2003251552A JP 2003251552 A JP2003251552 A JP 2003251552A JP 2002051992 A JP2002051992 A JP 2002051992A JP 2002051992 A JP2002051992 A JP 2002051992A JP 2003251552 A JP2003251552 A JP 2003251552A
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optical element
shape
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optical
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JP2002051992A
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English (en)
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Kazuaki Aoto
和明 青砥
Hideo Takino
日出雄 瀧野
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Nikon Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 目的の面形状が対称性のない自由曲面であっ
ても、加工誤差を小さくする。 【解決手段】 被加工物である石英ブロックの加工領域
を目的の自由曲面形状に近づくよう加工する研削工程
(ステップ1,2)及び研磨工程(ステップ4)と、以
上の工程(ステップ1,2,4)で加工された加工領域
に修正加工を施す修正工程(ステップ5)と、この修正
工程の前に、加工領域を除く領域にアライメントマーク
を加工するマーキング工程(ステップ3)と、を実行す
る。修正工程(ステップ5)では、アライメントマーク
を基準にして、加工領域の形状を測定し(ステップ
6)、この測定結果に基づいて修正加工を施す(ステッ
プ8)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、回転対称性のない
自由曲面の加工に好適な加工方法、この方法を用いた光
学素子及び金型の製造方法、光学素子及びこの光学素子
を備えた光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に、多くの光学素子の光学面は球
面である。一般的に、この球面を得るためには、図14
に示すように、まず、被加工物1Bを研削加工等で加工
し、概略形状創成する。その後、球面8の極値となる位
置、言い換えると、最も高い位置を基準点9として、形
状創成後の形状を測定して、加工誤差を求め、この加工
誤差が無くなるよう、形状創成後の被加工物に修正加工
を施している。
【0003】一方、光学面が対称性のない自由曲面であ
る場合、研削加工等で形状創成後、測定の基準点を定め
ることが困難であるため、修正加工を施することが難し
い。
【0004】ここで、光学素子の光学面とその一断面と
の交線、言い換えると、光学素子の断面の輪郭線につい
て考える。任意の複数の断面輪郭線に極値が存在し、且
つ複数の断面輪郭線の各極値が一致する曲面、例えば、
図14に示すようなものは、極値を特定し易いため、前
述したように、この極値を基準にしては曲面形状を測定
することができる。一方、これを満たさない曲面(以
下、自由曲面とする)は、極値を特定することが困難で
あるため、曲面形状を測定することが難しい。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来技
術では、光学面が対称性のない自由曲面である場合、測
定の基準点を定めることが難しく、高精度の自由曲面を
得ることが極めて困難であるという問題点がある。
【0006】本発明は、このような従来の問題点に着目
し、仮に、目的の面形状が自由曲面であっても、加工誤
差が極めて小さい面形状を得ることができる加工方法を
提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、被加工物の所望領域に目的の曲面形状を形成する加
工方法は、前記被加工物の前記所望領域を有する面と同
一面上にアライメントマークを形成するマーキング工程
と、前記アライメントマークを基準にして、前記所望領
域に前記面形状を形成する、ことを特徴とするものであ
る。
【0008】ここで、前記加工方法では、更に、前記被
加工物の前記所望領域を前記面形状に近づける前加工工
程と、前記アライメントマークを基準にして前記所望領
域の面形状を測定する測定工程とを有し、前記加工工程
では、前記測定工程の測定結果を基に前記所望領域を加
工する、ことが好ましい。このような加工方法を行うこ
とで、ラフな形状創成は前加工工程で行い、最も形状精
度に大きく寄与する加工工程では、アライメントマーク
に基づいて加工するので、短時間で形状精度の高い曲面
を得ることができる。なお、前記マーキング工程、前記
測定工程及び前記加工工程は、前記前加工工程を経た後
に行ってもよい。
【0009】また、前記マーキング工程では、前記所望
領域と同じ面内に2つのアライメントマークを形成する
ことが好ましい。この場合、2つのアライメントマーク
を結んだ線分を測定方向を定める基準線とし、2つのア
ライメントマークのうちの一方のアライメントマークを
位置を特定するための基準点とする。そして、基準線の
方向を、目的の面形状を表した設計データに設定されて
いる特定の方向と一致させて、基準点を基準にして形状
測定し、この測定結果と設計データとを比較すれば、高
精度な形状誤差を得ることができる。
【0010】また、前記目的を達成するための光学素子
の製造方法は、以上の加工方法を含み、前記被加工物
は、光学素子の形成材料で、前記目的の曲面形状に形成
された面は、該光学素子の光学面である、ことを特徴と
するものである。
【0011】また、前記目的を達成するための金型の製
造方法は、以上の加工方法を含み、前記被加工物は、金
型の形成材料である、ことを特徴とするものである。
【0012】また、前記目的を達成するための加工方法
で製造された光学素子は、光学面は、回転対称性がない
曲面であり、前記光学面を除く領域の一部に、表面上に
特徴点を有する凹部又は凸部が形成されている、ことを
特徴とするものである。
【0013】ここで、前記凹部又は前記凸部の表面が軸
対称性又は回転対称性を有する滑らかの連続曲面で形成
され、前記特徴点は該曲面の極値を成す点である、こと
が好ましい。また、以上の前記凹部又は前記凸部は、前
記光学面を除く領域に複数形成されている、ことが好ま
しい。
【0014】また、以上の光学素子を備えた光学装置
は、前記光学素子を収納する収納部材と、該収納部材の
中で該光学素子を支持する支持部材と、を備え、前記支
持部材は、前記光学素子の前記凸部又は凹部に係合する
係合部を有する、ことを特徴とするものである。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る各種実施形態
について、図面を用いて説明する。
【0016】まず、図1〜図7を用いて、本発明に係る
光学素子の製造方法の第一実施形態について説明する。
【0017】本実施形態では、被加工物である石英ブロ
ックから光学素子を製造する。
【0018】図2に示すように、本実施形態の石英ブロ
ック1は、300mm×60mm×100mmの直方体
形状を成している。なお、ここでは、以下の説明の都合
上、寸法300mmの方向をX方向、寸法60mmの方
向をY方向、寸法100mmの方向をZ方向としてい
る。
【0019】光学素子の有効光学面は、この石英ブロッ
ク1のXY平面上の140mm×50mmの範囲内に形
成される。また、この有効光学面は、図3に示すよう
に、回転対称性のない自由曲面で、以下の式で示される
面形状を成している。なお、以下の式で、X及びYの単
位はmmで、Zの単位はμmである。
【0020】Z=[{(Y−70)2/2000}−
1]×X2/25
【0021】この自由曲面は、図14に示すような曲
面、つまり、任意の複数の断面の輪郭線に極値が存在
し、且つ複数の断面輪郭線の各極値が一致する曲面では
ない。具体的に、この自由曲面は、X=0を通るYZ断
面での輪郭線には、極値が存在しない面である。したが
って、加工領域中に、形状測定の基準となる点は定める
ことは困難である。
【0022】以下、図1に示すフローチャートに従っ
て、光学素子の製造方法について説明する。
【0023】まず、図2に示す石英ブロック1を研削し
て、光学素子の概略形状を得る(ステップ1,2)。こ
の研削では、図4に示す研削機10を用いる。この研削
機10は、石英ブロック1が載せられるワークテーブル
11と、このワークテーブル11をXYZ方向に高精度
に移動させる駆動ステージ12と、砥石15a,15b
が搭載される砥石ヘッド13と、駆動ステージ12及び
砥石ヘッド13の動作を制御する制御装置14と、を備
えている。
【0024】駆動ステージ12は、XYZのそれぞれの
方向に延設されているリニアガイドと、各リニアガイド
の可動部を移動させるためのサーボモータ等で構成され
る駆動手段と、を備えている。この駆動ステージ12
は、XYZのそれぞれの方向に、10nmの位置決め精
度でワークテーブル11を移動させることができる。砥
石ヘッド13は、砥石15a,15bが取付けられるス
ピンドルと、このスピンドルを回転させる回転駆動手段
と、を備えている。この砥石ヘッド13は、砥石15
a,15bを2000rpmで回転させることができる。
【0025】研削工程は、第一研削工程(ステップ1)
と第二研削工程(ステップ2)に分かれている。第一研
削工程(ステップ1)では、円盤形状を成し、直径がφ
100mmで♯400のレジンボンド砥石15aを用い
て、研削機10により石英ブロック1を研削する。制御
装置14のメモリには、前述した自由曲面を示す式が記
憶されている。この制御装置14は、メモリに記憶され
たデータに基づき駆動ステージ12及び砥石ヘッド13
を駆動制御する。すると、砥石ヘッド13に固定された
レジンボンド砥石15aにより、石英ブロック1の予め
定めた加工領域が研削され、この加工領域に、光学面と
なる自由曲面の概略形状が創成される。この第一研削工
程の最終段階では、加工領域の形状精度は1μmPV
(Peak toValley)で、加工領域での表面粗さは0.2
μmRMS(Root Mean Square)であった。なお、表
面粗さ測定の際には、200μmを基準長さとした。
【0026】第二研削工程(ステップ2)では、円盤形
状を成し、直径がφ100mmで♯1500のレジンボ
ンド砥石15bを用いて、研削機10により石英ブロッ
ク1を更に研削する。なお、この砥石15bは、砥石回
転軸を含む断面での砥石外周部の曲率半径が1mmであ
る。この第二研削工程でも、第一研削工程と同様に、砥
石ヘッド13に固定されたレジンボンド砥石15bによ
り、図5に示すように、第一研削工程で研削された加工
領域3がさらに研削される。この第二研削工程の最終段
階では、加工領域3の形状精度は0.1μmPVで、加
工領域3での表面粗さは0.01μmRMSであった。
なお、図5において、(a)は第二研削工程終了時の石
英ブロック1aの平面図を示し、(b)は平面図中のb
断面図を示し、(c)は平面図中のc断面を示してい
る。
【0027】第二研削工程(ステップ2)が終了する
と、マーキング工程(ステップ3)を行う。このマーキ
ング工程では、図5に示すように、研削が終了した石英
ブロック1aの加工領域と同一面上で且つ加工領域3以
外の領域にアライメントマーク4を形成する。このマー
キング工程では、第二研削工程で用いた砥石15bをそ
のまま用いる。ここでは、加工領域3内の有効光学面領
域2の−X側の端の位置をX=0、加工領域内の有効光
学面領域2のY方向の中心位置Y=0に設定し、図2に
示すように、X方向とY方向を定める。そして、石英ブ
ロック1の(X,Y)=(−75,0)の位置に砥石1
5bの中心が来るように研削機10を制御する。その
後、砥石15bの外周面が石英ブロック1aのXY平面
に接している位置から−Z方向に45μm砥石15bを
ワークテーブル11に対して相対移動させて、石英ブロ
ック1aのXY平面上の一部を研削で凹ませる。この凹
みがアライメントマーク4となる。このアライメントマ
ーク4は、X方向に関しては、砥石直径がφ100mm
で、凹みの最深部の深さが45μmなので、5mmの幅
になり、Y方向に関しては、砥石外周部の曲率半径が1
mmで、凹みの最深部の深さが45μmなので、0.6
mmの幅になる。また、このアライメントマーク4を形
成する凹面は、XY平面上の(X,Y)=(−75,
0)の点を通るX方向に平行な線、及びこの点を通るY
方向に平行な線に対して対称な形状である。
【0028】マーキング工程(ステップ3)が終了する
と、加工領域3の表面粗さを向上させるため、研磨機で
加工領域3を研磨する。図6に示すように、この研磨機
20は、研削済みの石英ブロック1aが載せられるワー
クテーブル21と、このワークテーブル21をY方向に
移動させつつX方向に往復移動させる駆動ステージ22
と、研磨ポリシャ25が取付けられる研磨ヘッド23
と、駆動ステージ22及び研磨ヘッド23の動作を制御
する制御装置24と、を備えている。
【0029】駆動ステージ22は、XYのそれぞれの方
向に延設されているリニアガイドと、各リニアガイドの
可動部を移動させるためのサーボモータ等で構成される
駆動手段と、を備えている。また、研磨ヘッド23は、
これに取付けられる研磨ポリシャ25を回転駆動させる
回転駆動手段と、この研磨ポリシャ25に−Z方向の荷
重をかける荷重付加手段と、を備えている。
【0030】この実施形態では、研磨機20に取付ける
研磨ポリシャ25としては、金属板にピッチを貼り付け
たもので、外径がφ5mmのものを用いる。
【0031】研磨工程(ステップ4)は、以下のように
行われる。まず、研削済みの石英ブロック1aをワーク
テーブル21にセットし、研磨ポリシャ25を加工領域
3に位置させる。次に、この研磨ポリシャ25に荷重を
加えて、石英ブロック1aに接触させて、この研磨ポリ
シャ25を回転させる。続いて、ワークテーブル21を
Y方向に移動させつつX方向に往復移動させる。その上
で、このワークテーブル21の移動中、研磨剤を間欠的
に加工領域3に供給する。なお、研磨剤としては、ここ
では酸化セリウムを用いる。すると、研磨ポリシャ25
には、−Z方向に一定荷重がかかっているため、加工領
域3を相対移動する過程で、加工領域3が研磨される。
この研磨工程で、加工領域3が鏡面になるまで研磨す
る。この研磨後の加工領域3での表面粗さは0.5nm
RMS(基準測定長200μm)で、第二研削工程後の
表面粗さよりも向上したが、加工領域の形状精度は10
μmPVで、第二研削工程後の形状精度よりも悪化し
た。
【0032】研磨工程(ステップ4)が終了すると、研
磨された加工領域3の形状誤差をできる限り小さくする
ため、加工領域3の形状を修正する。この修正工程(ス
テップ5)では、まず、研磨された加工領域3内の面形
状を接触式の三次元形状測定器で測定する(ステップ
6)。
【0033】面形状測定(ステップ6)では、まず、図
5に示すように、アライメントマーク4中の最深部の位
置(X,Y)=(−75,0)、言い換えると、アライ
メントマーク4を形成する表曲面中の極値を成す位置を
探し、この位置を基準点5とする。続いて、この基準点
5を三次元座標の原点として、加工領域3内の測定形状
データ(xi,yi,zi)を得る。この測定形状デー
タが得られると、測定形状データ(xi,yi,zi)
から、設計形状データ(xi,yi,zdi)を引い
て、形状誤差(xi,yi,zei(=zi−zd
i))を得る。つまり、誤差量は、XY平面上の各位置
(xi,yi)毎の高さ誤差zeiで表す。次に、XY
平面上の各位置(xi,yi)における高さ誤差zei
が許容誤差の範囲内であるか否かを判断する(ステップ
7)。仮に、加工領域3内のいずれかの位置での高さ誤
差zeiが許容誤差を超える場合には、この位置の形状
を修正加工する(ステップ8)。
【0034】修正加工(ステップ8)では、図7に示す
イオンビーム加工機30を用いる。このイオンビーム加
工機30は、研磨済みの石英ブロック1bが載せられる
ワークテーブル31と、このワークテーブル31をXY
Z方向に高精度に移動させる駆動ステージ32と、これ
らを覆う加工チャンバ33と、加工チャンバ33内を真
空吸引する真空ポンプ34と、イオン発生源35と、イ
オン発生源35内のイオンを加速させて加工チャンバ3
3内へ導く平行平板電極36と、この平行平板電極36
に電圧をかけるイオン加速電源37と、駆動ステージ3
2等の動作を制御する制御装置38と、イオン発生源3
5内にマイクロ波を印加するマイクロ波電源(図示され
ていない)と、を備えている。駆動ステージ32は、X
YZのそれぞれの方向に延設されているリニアガイド
と、各リニアガイドの可動部を移動させるためのサーボ
モータ等で構成される駆動手段と、を備えている。真空
ポンプ34は、加工チャンバ33に接続されており、加
工チャンバ33内を10-6torr程度まで減圧できる。ま
た、イオン発生源35には、加工ガスが溜められている
ガスボンベ39が接続されている。平行平板電極36に
は、イオン発生源35内のイオンを加工チャンバ33へ
引き出すためのイオン引出し孔が一つあけられている。
【0035】まず、加工チャンバ33内のワークテーブ
ル31上に、研磨済みの石英ブロック1bをセットした
後、真空ポンプ34を駆動して、加工チャンバ33内を
減圧する。次に、イオン発生源35の電磁石35aで、
イオン発生源35内に磁場を発生させ、そこに、マイク
ロ波電源(図示されていない)で発生した2.45GH
zのマイクロ波を印加する。この状態で、加工ガスボン
ベ39からの加工ガスであるArガスを供給すると、こ
のArガスがプラズマ化し、アルゴンイオンが発生す
る。続いて、平行平板電極36に、数十eV〜数keV
程度の電圧を印加すると、イオン発生源35内のECR
(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ中のアル
ゴンイオンが加工チャンバ33内へイオンビームとして
引き出される。このイオンビームは、ワークテーブル3
1上の石英ブロック1bの所定箇所にイオンビームが照
射される。イオンビームの照射の際には、加工領域3内
で誤差量が許容範囲を超えている箇所に、イオンビーム
が照射されるよう、ワークテーブル31を移動させる。
加工量は、イオンビームの照射時間に比例して増加する
ので、誤差量が多い箇所には長時間イオンビームを照射
し、誤差量が少ない箇所には短時間イオンビームを照射
する。
【0036】以上のように、修正加工(ステップ8)を
行った後、再び、ステップ6に戻り、以下、形状誤差が
許容誤差範囲内になるまで、ステップ6,7,8を繰り
返す。この修正工程(ステップ5)での加工結果を評価
すると、加工領域での形状精度は0.1μmPVで、加
工領域3での表面粗さは0.5nmRMSで、形状精度
及び表面粗さ共に極めて精度の高い値を得ることができ
た。なお、表面粗さの値は、ここでは、10μm×10
μmの領域を原子間力顕微鏡で測定して取得した。
【0037】ところで、以上の修正加工(ステップ8)
で使用したイオンビーム加工機30は、平行平板電極3
6に一つのイオンビーム引出し孔を開けたものである
が、引き出されるイオンビームの直径が修正加工に適当
なサイズになる場合には、複数個あけたものを用いても
よい。また、平行平板電極36は、ここでは2枚の電極
板を用いたが、3枚の電極板を用い、それぞれの電極に
極性の異なる電圧を印加して、イオンを効率よく引き出
すようにしてもよい。また、本実施形態では、ECRプ
ラズマを発生させたが、加工に必要なイオンをプラズマ
から供給できればよいので、プラズマの発生には、VH
F(Very High Frequency)波はRF(Radio Frequ
ency)波を用いてもよいし、DC放電等を用いてもよ
い。また、本実施形態では、加工ガスとしてArガスを
用いたが、この代わりに、He,Kr,Xe,N2等の
不活性ガスを用いてもよい。これらの不活性ガスでは、
物理スパッタによるエッチングが行われるが、これらの
不活性ガスの代わりに、フッ素系ガスや塩素系ガス等の
反応性ガスを用いることも可能である。この場合、被加
工物材料を適当に選択することにより、物理スパッタに
加え、化学反応を併用させることができ、加工速度を大
幅に上昇させることも可能である。
【0038】以上のように、修正工程(ステップ5)が
終了すると、光学面に光学薄膜である反射膜を蒸着等す
る(ステップ9)。こうして、反射鏡である光学素子が
完成する。なお、ここでは、反射鏡としての光学素子を
製造するために、反射膜を光学面に形成したが、透過型
の光学素子を製造する場合には、反射膜の代わりに、反
射防止膜を形成することになる。
【0039】以上のように、本実施形態では、研磨工程
(ステップ4)後の加工領域の面形状をアライメントマ
ーク4を基準にして測定しているので、加工領域の形状
がたとえ自由曲面であっても正確に形状測定を行うこと
ができる。このため、この形状測定の結果に基づいて、
的確に修正加工を行うことができるので、高精度の自由
曲面を得ることができる。なお、以上の実施形態の自由
曲面は、X=0を通るYZ面を基準として対称で且つY
=70を通るZX面を基準として対称であるが、本発明
は、これに限定されるものではなく、以上のような軸対
称性がなく且つ回転対称性のない曲面の形成に、以上の
方法を適用してもよい。
【0040】次に、図8〜図10を用いて、本発明に係
る光学素子の製造方法の第二実施形態について説明す
る。
【0041】本実施形態では、被加工物である黄銅ブロ
ックから光学素子を製造する。黄銅ブロックの形状及び
サイズ、黄銅ブロックから形成する光学素子の光学面の
面形状は、いずれも第一実施形態と同じである。
【0042】図8のフローチャートに示すように、ここ
では、まず、黄銅ブロックを切削して、光学素子の概略
形状を得る(ステップ11)。この切削工程(ステップ
11)では、図9に示す切削機40を用いる。この切削
機40は、黄銅ブロック1Aが載せられるワークテーブ
ル41と、このワークテーブル41をXYZ方向に高精
度に移動させる駆動ステージ42と、刃物であるボール
エンドミル45が取付けられる切削ヘッド43と、駆動
ステージ42及び切削ヘッド43の動作を制御する制御
装置44と、を備えている。
【0043】駆動ステージ42は、XYZのそれぞれの
方向に延設されているリニアガイドと、各リニアガイド
の可動部を移動させるためのサーボモータ等で構成され
る駆動手段と、を備えている。この駆動ステージ42
は、XYZのそれぞれの方向に、10nmの位置決め精
度でワークテーブル41を移動させることができる。切
削ヘッド43は、ボールエンドミル45が取付けられる
スピンドルと、このスピンドルを回転させる回転駆動手
段と、を備えており、刃物45を30000rpmで回転さ
せることができる。
【0044】切削工程(ステップ11)では、直径がφ
1mmのボールエンドミル45を用いて、以下のように
行われる。制御装置44のメモリには、前述した自由曲
面を示す式が記憶されている。この制御装置44は、メ
モリに記憶されたデータに基づき駆動ステージ42を動
作させつつ、切削ヘッド43を駆動させる。この結果、
切削ヘッド43に固定されたボールエンドミル45によ
り、黄銅ブロック1Aの加工領域が切削され、光学面と
なる自由曲面の概略形状が創成される。この切削工程で
の結果を評価したところ、加工領域の形状精度は0.1
μmPVで、加工領域での表面粗さは0.01μmRM
S(基準測定長200μm)であった。
【0045】次に、この切削機40を用いて、図10に
示すように、黄銅ブロック1Aの加工領域3以外の領域
にアライメントマーク4aを形成する。このマーキング
工程(ステップ12)では、切削工程で用いたボールエ
ンドミル45をそのまま用いて、アライメントマーク4
aを形成する。ここでは、図10に示すように、加工領
域3内の有効光学面領域2の−X側の端の位置をX=
0、加工領域内の有効光学面領域2のY方向の中心位置
Y=0に設定し、同図に示すようにX方向とY方向とを
定める。そして、黄銅ブロック1Aの(X,Y)=(−
75,0)の位置にボールエンドミル45の中心が来る
ように切削機40を制御する。その後、ボールエンドミ
ル45の外周面が黄銅ブロック1AのXY平面に接して
いる位置から−Z方向に1mmボールエンドミル45を
ワークテーブル41に対して相対移動させて、黄銅ブロ
ック1Aの一部を切削して凹ませる。この凹みがアライ
メントマーク4aとなる。このアライメントマーク4a
は、直径がφ1mmで、凹みの最深部の深さが1mmに
なる。また、このアライメントマーク4aを形成する凹
面は、XY平面上の(X,Y)=(−75,0)の点に
対して、回転対称な形状である。
【0046】マーキング工程(ステップ12)が終了する
と、第一実施形態と同様に、加工領域の表面粗さを向上
させるため、研磨工程(ステップ4)を行い、その後、
修正工程(ステップ5)、反射膜の形成工程(ステップ
6)を順次行う。
【0047】この実施形態において、修正工程(ステッ
プ5)での加工結果を評価すると、第一実施形態と同様
に、加工領域での形状精度は0.1μmPVで、加工領
域3での表面粗さは0.5nmRMS(基準測定長20
0μm)で、形状精度及び表面粗さ共に極めて精度の高
い値を得ることができた。
【0048】次に、図11を用いて、本発明に係る光学
素子の製造方法の第三実施形態について説明する。
【0049】本実施形態では、第一実施形態と同様に、
被加工物である石英ブロックから光学素子を製造する。
石英ブロックの形状及びサイズ、石英ブロックから形成
する光学素子の光学面の面形状は、いずれも第一実施形
態と同じである。
【0050】図11のフローチャートに示すように、本
実施形態では、まず、光学素子の形状創成をするため
に、第一実施形態と同じく、第一研削工程(ステップ
1)、第二研削工程(ステップ2)を行う。続いて、第
一実施形態のようにマーキング工程(ステップ3)を行
わずに、研磨工程(ステップ4)を行い、その後、修正
工程(ステップ5a)を行う。
【0051】この修正工程(ステップ5a)では、ま
ず、研磨された加工領域内の面形状を接触式の三次元形
状測定器で一次形状測定する(ステップ6a)。この一
次形状測定(ステップ6a)では、加工領域内の測定形
状データ(xi,yi,zi)を得て、この測定形状デ
ータ(xi,yi,zi)から、設計形状データ(x
i,yi,zdi)を引いて、形状誤差(xi,yi,
zei(=zi−zdi))を得る。なお、この段階で
の形状誤差量は、アライメントマークが形成されていな
い状態での測定結果であるため、この形状誤差量の精度
はあまり高くない。
【0052】以上の一次形状測定(ステップ6a)が終
了すると、この測定結果に基づいて、第一実施形態の修
正加工(ステップ8)と同様に、イオンビーム加工機を
用いて、加工領域に対して一次修正加工を施す(ステッ
プ8a)。
【0053】一次修正加工(ステップ8a)が終了する
と、イオンビーム加工機のワークテーブルから石英ブロ
ックを取外さずに、このイオンビーム加工機で、アライ
メントマークを加工する。このマーキング工程(ステッ
プ3a)では、以上の実施形態と同様に、アライメント
マークを形成する。また、このアライメントマークを形
成する凹面は、第二実施形態と同様に、回転対称な形状
である。
【0054】マーキング工程(ステップ3a)が終了す
ると、以下は、第一実施形態と同様に、アライメントマ
ークを基準点として、精度の高い二次形状測定を行う
(ステップ6)。そして、誤差量が許容範囲ないかの判
断し(ステップ7)、二次測定結果に基づく二次修正加
工後の誤差量が許容範囲内に収まるまで、二次形状測定
(ステップ6)及び二次修正加工(ステップ8)を繰り
返して行う。
【0055】以上の修正工程(ステップ5a)が終了す
ると、光学面に反射膜又は反射防止膜を形成する(ステ
ップ9)。
【0056】以上のように、アライメントマークの加工
は、修正工程中に行ってもよく、要は、最終的な測定
(ステップ6)及び修正加工(ステップ8)の前に、ア
ライメントマークを加工していればよい。
【0057】なお、以上の各実施形態では、いずれも、
イオンビーム加工で修正加工を行っているが、本発明
は、これに限定されるものではなく、例えば、プラズマ
CVM(Chemical Vaporization Machining)や、ス
モールツール研磨で修正加工を行ってもよい。
【0058】また、第一及び第三実施形態では、被加工
物として石英ガラスを用いたが、この代わりに、多成分
系のガラスや、WCやSiC等のセラミックスを用いて
もよい。また、第二実施形態では、被加工物として黄銅
を用いたが、この代わりに、無酸素銅や鋼材でもよく、
さらに、金属に無電解ニッケルメッキを施し、この無電
解ニッケルメッキ面に対して、以上の各工程での処理を
施してもよい。また、第一、第二及び第三実施形態の被
加工物として単結晶シリコンを用いてもよい。
【0059】また、以上の実施形態では、いずれも1つ
のアライメントマークを設けたが、2つのアライメント
マークを設けるようにしてもよい。例えば、図12に示
すように、加工領域3を挟むように、2つのアライメン
トマーク4b,4cを設ける。この場合、2つのアライ
メントマーク4b,4cを結んだ線分を測定方向を定め
る基準線とし、この基準線を仮にX軸6として、2つの
アライメントマーク4b,4cのうちの一方のアライメ
ントマーク4bを距離測定のための基準点とし、この基
準点を通りX軸6に垂直な軸をY軸7とする。このよう
に、定義すると、測定座標系が固定されるので、より再
現性の高い形状測定を行うことができる。なお、以上の
実施形態のように、アライメントマークを1つだけ設け
た場合には、例えば、加工領域中のいずれかの点とアラ
イメントマークとを結んだ線分を基準線することで、測
定座標系を設定するとよい。
【0060】また、以上の実施形態は、いずれも、光学
素子を直接的に形成するものであるが、プラスチック射
出成法やガラスモールド法で、光学素子やそのレプリカ
を成形する場合には、以上の実施形態で説明した加工方
法で、金型の内面を加工することも可能である。この場
合、金型の内面は、成形する光学素子等の光学面の反転
形状にすることは言うまでもない。また、金型を製造す
るにあたり、光学素子の光学面と同じ面形状が形成され
ている金型母型を以上の実施形態で説明した加工方法で
形成し、この金型母型に電解ニッケルクロムメッキ又は
無電解ニッケルクロムメッキ等のメッキを施して、この
メッキ品を金型として用いてもよい。このように、以上
の方法で金型母型を作ることで、簡単に且つ多くの金型
を製造することができる。なお、金型母型を導電性の金
属で形成した場合には、この金型母型に電解メッキを施
して、このメッキ品を金型とすればよいが、ガラス等の
非導電材で形成した場合には、この金型母型に無電解ニ
ッケルクロムメッキを薄く施してから、この無電解メッ
キ層に対して電解メッキを施して、金型母型の厚みを確
保するようにするとよい。
【0061】また、以上の実施形態で製造した光学素子
で光学装置を組み立てる場合には、光学面の加工工程で
形成したアライメントマークを光学素子の位置決め用の
穴として利用することができる。例えば、図13に示す
ように、光学装置の鏡筒等の収納部材55内に、支持部
材56を設ける。この支持部材56には、突起状の係合
部57を予め形成しておく。これに以上の製造方法で製
造した光学素子50を取付ける際、アライメントマーク
54の凹みに、支持部材56の係合部57を嵌め込むこ
とで、光学素子50を極めて正確に位置決めすることが
できる。
【0062】また、以上の実施形態でのアライメントマ
ークは、いずれも、凹んでいるものであるが、アライメ
ントマークを形成する回りを研削等して、凸状に形成し
てもよい。但し、凸状に形成することは、凹状に形成す
ることよりも面倒であるため、基本的に、アライメント
マークは凹状に形成することが好ましい。
【0063】また、以上の実施形態では、回転対称性が
ない自由曲面を形成したが、本発明は、これに限定され
るものではない。
【0064】
【発明の効果】本発明によれば、被加工物の所望領域を
目的の曲面形状に加工する過程で、該所望領域を除く領
域にアライメントマークを加工し、このアライメントマ
ークを基準にして所望領域の形状を測定して、この測定
結果に基づいて修正加工を施しているので、目的の曲面
形状が自由曲面であっても、形状誤差を正確に測定する
ことができ、この結果、加工誤差を極めて小さくするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第一実施形態における光学素子の
製造過程を示すフローチャートである。
【図2】本発明に係る第一実施形態における被加工物の
斜視図である。
【図3】本発明に係る第一実施形態における光学素子の
有効光学面の形状を示す説明図である。
【図4】本発明に係る第一実施形態における研削機の正
面図である。
【図5】本発明に係る第一実施形態における製造過程で
の被加工物を示す図であって、(a)は被加工物の平面
図、(b)は(a)におけるb断面図、(c)は(a)
におけるc断面図である。
【図6】本発明に係る第一実施形態における研磨機の正
面図である。
【図7】本発明に係る第一実施形態におけるイオンビー
ム加工機の要部切欠き正面図である。
【図8】本発明に係る第二実施形態における光学素子の
製造過程を示すフローチャートである。
【図9】本発明に係る第二実施形態における切削機の正
面図である。
【図10】本発明に係る第二実施形態における製造過程
での被加工物を示す図であって、(a)は被加工物の平
面図、(b)は(a)におけるb断面図である。
【図11】本発明に係る第三実施形態における光学素子
の製造過程を示すフローチャートである。
【図12】本発明に係る一実施形態における光学素子の
平面図である。
【図13】本発明に係る一実施形態における光学装置の
断面図である。
【図14】光学面が球面である光学素子の斜視図であ
る。
【符号の説明】
1,1a,1b…石英ブロック、1A…黄銅ブロック、
2…有効光学面領域、3…加工領域、4,4a,4b,
4c,54…アライメントマーク、5,5a…基準点、
10…研削機、20…研磨機、30…イオンビーム加工
機、40…切削機、50…光学素子、55…収納部材、
56…支持部材、57…係合部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C029 AA04 3C034 AA07 AA13 BB93 CA02 CA05 3C049 AC02 BA07 CA03 CB01 4F202 AH73 CA30 CB01 CD18 CD21

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被加工物の所望領域に目的の曲面形状を形
    成する加工方法において、 前記被加工物の前記所望領域を有する面と同一面上にア
    ライメントマークを形成するマーキング工程と、 前記アライメントマークを基準にして、前記所望領域に
    前記面形状を形成する、 ことを特徴とする加工方法。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の加工方法において、 更に、前記被加工物の前記所望領域を、前記面形状に近
    づける前加工工程と、前記アライメントマークを基準に
    して、前記所望領域の面形状を測定する測定工程とを有
    し、 前記加工工程では、前記測定工程の測定結果を基に前記
    所望領域を加工する、 ことを特徴とする加工方法。
  3. 【請求項3】請求項2に記載の加工方法において、 前記マーキング工程、前記測定工程及び前記加工工程
    は、前記前加工工程を経た後に行う、 ことを特徴とする加工方法。
  4. 【請求項4】請求項1から3のいずれか一項に記載の加
    工方法において、 前記マーキング工程では、2つのアライメントマークを
    形成する、 ことを特徴とする加工方法。
  5. 【請求項5】請求項2及び3のいずれか一項に記載の加
    工方法において、 前記マーキング工程では、2つのアライメントマークを
    形成し、 前記測定工程で、前記被加工物の前記所望領域の面形状
    を測定する際、2つの前記アライメントマークを結んだ
    線分を測定方向を定める基準線とし、2つの該アライメ
    ントマークのうちの一方のアライメントマークを距離測
    定のための基準点とする、 ことを特徴とする加工方法。
  6. 【請求項6】請求項1から5のいずれか一項に記載の加
    工方法において、 前記曲面形状は、回転対称性がない面形状である、 ことを特徴とする加工方法。
  7. 【請求項7】請求項1から6のいずれか一項に記載の加
    工方法において、 前記曲面形状は、該曲面を分断する任意の複数の仮想断
    面と該曲面とが交わっている任意の複数の輪郭線のう
    ち、同一位置に極値の存在しない輪郭線を有する面形状
    である、 ことを特徴とする加工方法。
  8. 【請求項8】請求項1から7のいずれか一項に記載の加
    工方法を含み、 前記被加工物は、光学素子の形成材料で、前記曲面形状
    に形成された面は、該光学素子の光学面である、 ことを特徴とする光学素子の製造方法。
  9. 【請求項9】請求項1から7のいずれか一項に記載の加
    工方法を含み、 前記被加工物は、成形用金型の形成材料である、 ことを特徴とする金型の製造方法。
  10. 【請求項10】光学面が形成されている光学素子におい
    て、 前記光学面は、回転対称性がない曲面であり、 前記光学面を除く領域の一部に、表面上に特徴点を有す
    る凹部又は凸部が形成されている、 ことを特徴とする光学素子。
  11. 【請求項11】請求項10に記載の光学素子において、 前記凹部又は前記凸部の表面が軸対称性又は回転対称性
    を有する曲面で形成され、前記特徴点は該曲面の極値を
    成す点である、 ことを特徴とする光学素子。
  12. 【請求項12】請求項10及び11のいずれか一項に記
    載の光学素子において、 前記凹部又は凸部は、前記光学面を除く領域に複数形成
    されている、 ことを特徴とする光学素子。
  13. 【請求項13】請求項10から12のいずれか一項に記
    載の光学素子と、 前記光学素子を収納する収納部材と、 前記収納部材の中で、前記光学素子を支持する支持部材
    と、 を備え、 前記支持部材は、前記光学素子の前記凸部又は凹部に係
    合する係合部を有する、 ことを特徴とする光学装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005199454A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 微細金型及びその製造方法
KR100624029B1 (ko) 2004-11-03 2006-09-15 (주)알티에스 액정패널의 가공장치 및 방법
JP2009050929A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Ricoh Co Ltd 光学素子の成形金型、成形金型の加工方法、光学素子、光学装置、光走査装置、画像表示装置、光ピックアップ装置
JP2011117766A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Canon Inc 干渉計測方法
KR101139071B1 (ko) * 2004-03-31 2012-04-30 코니카 미놀타 옵토 인코포레이티드 광학 소자 성형용 금형의 제조 방법
JP2012156552A (ja) * 2006-02-17 2012-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器
JP2013215825A (ja) * 2012-04-06 2013-10-24 Amada Co Ltd ワーク搬送システム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005199454A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 微細金型及びその製造方法
KR101139071B1 (ko) * 2004-03-31 2012-04-30 코니카 미놀타 옵토 인코포레이티드 광학 소자 성형용 금형의 제조 방법
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JP2009050929A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Ricoh Co Ltd 光学素子の成形金型、成形金型の加工方法、光学素子、光学装置、光走査装置、画像表示装置、光ピックアップ装置
JP2011117766A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Canon Inc 干渉計測方法
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