JP5019371B2 - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材 - Google Patents

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本発明は、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材、特にFeやSiの含有量が多い低廉なアルミニウム箔材であって、交流エッチング処理により均一かつ多数のピットが形成されて、高い静電容量が得られる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材に関する。
電子部品の小型化に伴い、当該部品に使用されている電解コンデンサ用アルミニウム箔についても、エッチング処理後の表面積の拡大による静電容量の向上が要望されている。電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチングは、通常、塩素イオンを含む溶液中で、電気化学的または化学的な処理を施すことにより行われ、エッチピットと呼ばれる多数の孔を形成して、エッチング面の表面積を拡大させる。
エッチング処理されたエッチド箔は、例えばホウ酸やアジピン酸アンモニウム水溶液中で化成、すなわち陽極酸化することにより、誘電体の酸化皮膜がコンデンサの使用電圧に応じて形成される。コンデンサの静電容量は、C=εS/d(C:静電容量、ε:化成皮膜の誘電率、S:表面積、d:化成皮膜の厚さ)で与えられる。
従来、交流エッチング処理される電解コンデンサ用アルミニウム箔の静電容量を高めるために、Fe系金属間化合物の種類やサイズ、あるいは存在比率を特定する試みが行われており、例えば、アルミニウム箔中のAl−Fe系金属間化合物のうち、AlFe/AlFeの比率を0.5以下に規制する手法(特許文献1参照)や、アルミニウム箔中の金属間化合物の長径を0.1μm未満のもの、0.1〜1.0μmのもの、1.0μmを超えるものに分類し、箔全体のFe含有量に対するそれぞれの大きさの金属間化合物のFe含有量の比率を規定する手法が提案されている(特許文献2参照)。
しかしながら、上記のように、金属間化合物、AlFe、AlFeの存在比率や大きさ、あるいは箔全体のFe含有量に対する金属間化合物のFe含有量の比率を規定しただけでは高い静電容量を得るには必ずしも十分ではなく、交流による電解エッチング時、箔表面や内部での溶解により静電容量が低下する場合があるという問題がある。
特開2006−144122号公報 特開2004−149835号公報
本発明は、交流エッチング処理される電解コンデンサ用アルミニウム箔の静電容量を高めるための上記従来の問題を解消するためになされたものであり、その目的は、交流による電解エッチング時、表面や内部における過剰溶解を生じることなく、エッチピットの形成がアルミニウム内部まで均一かつ深く進行して、高い静電容量が得られる電解コンデンサ用アルミニウム箔を提供することにある。
上記の目的を達成するための請求項1による電解コンデンサ用アルミニウム箔は、Fe:30〜450ppm、Si:30〜300ppmを含有し、Al純度99.90%以上の組成を有し、交流エッチング処理される電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材であって、該箔材中に存在する金属間化合物のうち、熱フェノール法により得られる溶解残渣のX線回折パターンにおけるα-AlFeSiの強度I(α-AlFeSi)とAlFeの強度I(AlFe)の比率、I(α-AlFeSi)/I(AlFe)が0.15〜0.60であることを特徴とする。
請求項2による電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材は、請求項1において、金属間化合物として存在するFe量が、前記箔材のFe含有量の50%以上であることを特徴とする。
本発明によれば、交流による電解エッチング時、表面や内部における過剰溶解を生じることなく、エッチピットの形成がアルミニウム内部まで均一かつ深く進行して、高い静電容量が得られる電解コンデンサ用アルミニウム箔が提供される。
本発明による電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材は、Fe:30〜450ppm、Si:30〜300ppmを含有し、Al純度99.90%以上の組成を有し、交流エッチング処理されるアルミニウム箔材であって、該箔材中に存在する金属間化合物のうち、熱フェノール法により得られる溶解残渣のX線回折パターンにおけるα-AlFeSiの強度I(α-AlFeSi)とAlFeの強度I(AlFe)の比率、I(α-AlFeSi)/I(AlFe)が0.15〜0.60であることを特徴とする。
交流エッチング処理において、ピットは箔中の金属間化合物を起点として発生する。発明者らは、交流エッチング処理において、エッチング挙動に及ぼす金属間化合物の存在状態の影響を調査した結果、α-AlFeSiとAlFeの存在比率が静電容量に大きく影響することを見出し、この知見に基づいてさらに検討を行った結果として本発明に至ったものである。
AlFeは、ピットサイズよりも比較的微細であるため、交流エッチング処理時のピット開始点ならびにピット内部におけるカソード皮膜の欠陥部を形成するのに最も有効な作用を有する。α-AlFeSiは球状を呈し、交流エッチング処理で生じるピットのサイズよりも大きいためピットの回り込みを生じ、箔表層では表面の欠落部、内部ではエッチング層の空洞部を形成し、静電容量の低下を招く。一方、固溶したSiはマトリックスの過剰溶解を引き起こし、エッチング層のピットの合体により静電容量を低下させる。
通常材よりSiを多く含む本発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材においては、エッチング時の過剰溶解を防止するために、Siの一部をα-AlFeSiとするとともに、α-AlFeSiやAlFeの生成を適性に制御し、FeやSiの含有量が多い低廉なアルミニウム箔材であっても、交流エッチングにより均一かつ多数のピットを形成し、高い静電容量を得ることができる。
本発明によるアルミニウム箔材は、Fe:30〜450ppm、Si:30〜300ppmを含有する。Fe含有量およびSi含有量が30ppm未満では、従来から使用されている電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材と同じく高純度となるため、コスト高となる。さらに好ましいFe含有量およびSi含有量は50ppm以上である。
Fe含有量およびSi含有量がそれぞれ450ppmおよび300ppmを超えると、本発明のような組織制御を行っても、高い静電容量が得られなくなる。さらに好ましいFe含有量およびSi含有量の上限はそれぞれ400ppmおよび250ppmである。Al純度は99.90%以上が好ましく、純度が99.90%未満では不純物が多く、高い静電容量が得られない。さらに好ましいAl純度は99.97%以上である。
Si、Fe以外の元素としては、Cuを0.005%以下、Mn、Mg、Crをそれぞれ0.001%以下、Zn、Ti、Ga、Vをそれぞれ0.005%以下、その他不可避不純物をそれぞれ0.001%以下の範囲で含有しても、本発明の効果に影響することはない。
本発明において、熱フェノール法(熱フェノール溶解法)により得られる溶解残渣のX線回折パターンにおけるα−AlFeSi の強度はd=0.2038nm、θ=44.5deg、AlFeの強度はd=0.2095nm、θ=43.14degに相当するピーク強度から求める。
α-AlFeSiの強度I(α-AlFeSi)とAlFeの強度I(AlFe)の比率、I(α-AlFeSi)/I(AlFe)は0.15〜0.60であり、I(α-AlFeSi)/I(AlFe)が0.60を超えると、前記のように、交流エッチング処理時、エッチング層に表面の欠落と内部の空洞が生じ、過剰溶解に起因して静電容量の低下が生じる。I(α-AlFeSi)/I(AlFe)が0.15未満では、固溶したSiがマトリックスの過剰溶解を引き起こし、エッチング層のピットの合体により、静電容量が低下する。
高い静電容量を得るために、金属間化合物として存在するFe量は、アルミニウム箔材のFe含有量の50%以上であることが好ましい。より好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上である。金属間化合物として存在するFe量がアルミニウム箔材中のFe含有量の50%未満では、固溶したFeに起因してエッチング層の溶解が生じ易くなり、高い静電容量が得難くなる。
以下、本発明のアルミニウム箔材の製造方法について説明する。なお、この製造方法は一実施形態を示すものであり、この製造方法に限定されない。
半連続鋳造により例えば厚さ500mm鋳塊を造塊する。この場合、α−AlFeSiが鋳塊中に適度に晶出するように、鋳塊凝固時の冷却速度を3〜20℃/秒、より好ましくは3〜10℃/秒とする徐冷を行う。冷却速度が速すぎるとα−AlFeSi晶出物が過度に微細化して、エッチング時に欠落し静電容量低下の原因になる。再固溶し易くなるという問題もある。
鋳塊については、α−AlFeSiが再固溶しないよう、均質化処理を行うことなく、または高温での均質化処理を行わず、開始温度450〜550℃で熱間圧延を行う。ついで例えば圧延率98%で冷間圧延を行い、厚さ100μmの箔材とする。得られた箔材については、組成、製造条件に応じて、280〜350℃の温度範囲で5〜12hの最終焼鈍を施し、強度とAlFe量を調整する。
以下、本発明の実施例を比較例と対比して説明し、本発明の効果を実証する。なお、これらの実施例は、本発明の一実施態様を示すものであり、本発明はこれらに限定されない。
実施例、比較例
表1に示す組成を有するアルミニウムの溶湯を連続鋳造により造塊し、得られた鋳塊を、表2に示す条件で均質化処理、熱間圧延および冷間圧延、または均質化処理を行うことなく熱間圧延および冷間圧延して、厚さ90μmの箔とし、一部については、窒素ガス雰囲気中、表2に示す条件で最終焼鈍処理した。
得られたアルミニウム箔材(試験材)について、下記の方法で、アルミニウム箔材中に存在する金属間化合物のうち、熱フェノール法により得られる溶解残渣のX線回折パターンにおけるα-AlFeSiの強度I(α-AlFeSi)とAlFeの強度I(AlFe)の比率、I(α-AlFeSi)/I(AlFe)を測定し、下記の方法で、交流電解エッチング処理を行った後、アジピン酸アンモニウム水溶液中で20Vに化成後に、LCRを用いて、120Hzの直列等価回路で静電容量を測定した。結果を表3に示す。なお、表1、表3において、本発明の条件を外れたものには下線を付した。
I(α-AlFeSi)/I(AlFe)の測定:熱フェノール法、すなわち、沸騰させたフェノール100mlに、試験材を1〜5gの範囲で完全に溶解させ、フェノール固化防止のため、ベンジルアルコールを50ml添加する。さらに、全体で200mlとなるようにベンジルアルコールを加え、約85℃まで冷却してから孔径0.2μmのメンブランフィルターを用いて吸引ろ過する。得られた残渣をX線回折測定すると同時に、フィルター残渣を塩酸に溶解し、Fe析出量を原子吸光法で定量する。なお、原子吸光法に代えてICP発光分光分析を行ってもよい。
交流電解エッチング処理:塩酸1.5mol/dm、リン酸0.09mol/dm、硝酸0.07mol/dmの混合溶液を用い、液温32℃、25Hz正弦波交流により、電流密度200mA/cmで450s間電解処理を行う。
Figure 0005019371
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表3にみられるように、本発明に従う試験材1〜15は、試験材1の静電容量を100%とした場合、いずれも98%以上の優れた静電容量をそなえている。
これに対して、表3に示すように、試験材16、17は、鋳塊造塊時の冷却速度が大きいため、α−AlFeSi晶出物が過度に微細化しエッチング時に欠落することに起因して、静電容量の低下が生じた。試験材18、19は、鋳塊造塊時の冷却速度が小さいため、α-AlFeSiの晶出が適度に行われず、α-AlFeSiの強度I(α-AlFeSi)とAlFeの強度I(AlFe)の比率、I(α-AlFeSi)/I(AlFe)が小さくなり、固溶したSiがマトリックスの過剰溶解を引き起こし、エッチング層のピットの合体に起因して静電容量が低下した。試験材20は、Fe、Siの含有量が多く、Al純度が低いため、金属間化合物量が多くなり過ぎ、I(α-AlFeSi)/I(AlFe)の比率のみの規制ではエッチング時の溶解減量を制御することができず、静電容量が劣っていた。

Claims (2)

  1. Fe:30〜450ppm(質量ppm、以下同じ)、Si:30〜300ppmを含有し、Al純度99.90%(質量%、以下同じ)以上の組成を有し、交流エッチング処理される電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材であって、該箔材中に存在する金属間化合物のうち、熱フェノール法により得られる溶解残渣のX線回折パターンにおけるα-AlFeSiの強度I(α-AlFeSi)とAlFeの強度I(AlFe)の比率、I(α-AlFeSi)/I(AlFe)が0.15〜0.60であることを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材。
  2. 金属間化合物として存在するFe量が、前記箔材のFe含有量の50%以上であることを特徴とする請求項1記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔材。
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