JP2005179719A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Fe:5〜100ppm、Si:5〜100ppm、Cu:1〜100ppm、Pb:0.1〜5ppm、希土類元素:0.1〜10ppm、Sn:0.5〜5ppmを含有し、残部が99.9%以上のAlと不可避不純物からなる。好適には、Zn:1〜20ppm、Zr:1〜50ppmを含有し、不可避不純物中のMn、Mg、Cr、Ti、B、V、Gaの総和量を10ppm以下とする。上記組成を有し、最終冷間圧延がされたアルミニウム箔に、最終焼鈍として、200〜400℃で1〜12時間保持した後、500〜600℃で4〜12時間保持する。
【選択図】 なし
Description
また、上記成分に加えて、さらに、質量比でZr:1〜50ppmを含有することができる。
さらに、上記各成分において、不可避不純物中のMn、Mg、Cr、Ti、B、V、Gaの総和量を10ppm以下とすることができる。
Fe、Si:各5〜100ppm
SiおよびFeは、合金表面にAl−Fe−Si系金属間化合物として分散してピットの起点となり、ピット密度を増加させる。ただし、いずれも5ppm未満では上記作用を得るのには不十分であり、一方、100ppmを越えるとピット密度が過度になってピット同士が合体して拡面率が増加しない。このためSi、Feの含有量をそれぞれ5〜100ppmに定める。なお、同様の理由でSiおよびFe含有量の下限をそれぞれ10ppm、上限をSiは50ppm、Feは30ppmとするのが望ましい。
Cuは、アノード皮膜の形成とその上へのカソード皮膜の形成を促進させるために含有させる。ただし、その量が過小であると、アノード皮膜およびカソード皮膜が充分形成されず拡面にほとんど寄与しない無効溶解が進むので1ppm以上含有させる。一方、その量が過剰であると、アノード皮膜およびカソード皮膜が厚くなり過ぎて皮膜欠陥が形成され難くなり、また欠陥部からのピットの形成が阻害されるので、上限を100ppmとする。なお、同様の理由で下限を5ppm、上限を60ppmとするのが望ましい。
Pbは、ピット形成を促進する作用があり、この作用を十分に得るために0.1ppm以上含有させる。但し、5ppmを超えて含有させると、無効溶解を招いて粗面化を阻害する作用が見られるので、Pbの含有量を上記に限定する。なお、上記と同様に理由で、Pbの下限を0.3ppm、上限を2ppmとするのが望ましい。
Sn:0.5〜5ppm
希土類元素とSnとは、共存することによってピットを高密度、均一に分散させる作用があり、特に直流エッチングでその作用が顕著となる。この作用を十分に得るためには、希土類元素で0.1ppm、Snで0.5ppmを含有させることが必要であり、いずれかを欠くと上記作用を得ることができない。一方、これら元素を過剰に含有すると表層の過剰溶解が発生するので、希土類元素で10ppm、Snで5ppmを上限とする。なお、上記と同様の理由で、希土類元素の下限を0.5ppm、上限を3ppmとするのが望ましく、また、Snの下限を1ppm、上限を3ppmとするのが望ましい。
エッチング時にピット形成が効果的になされ、またコンデンサ用電極としたときにコンデンサとして良好な特性を得られるように、アルミニウム箔の純度は99.9%以上が必要である。なお、同様の理由で、純度99.98%以上が望ましい。
Znはカソード皮膜生成時に皮膜欠陥を作る作用があり、エッチングの進行性を高める元素なので所望により含有させることができる。ただし、1ppm未満では上記作用が十分に得られず、20ppmを超えると欠陥量が多すぎて無効溶解が促進してしまうので、所望により含有させる場合の含有量を1〜20ppmに限定する。なお、同様の理由で、下限を3ppm、上限を15ppmとするのが望ましい。
Zrは、前記した希土類元素とSnとの共存による作用を高める効果があり、所望により含有させる。ただし、該効果を十分に得るためには1ppm以上の含有が必要である。一方、Zrを50ppmを超えて含有すると、アルミニウムの再結晶化が遅延し、高い立方晶率が得られなくなるため、Zrを所望により含有させる際の含有量を1〜50ppmに定める、
Mn、Mg、Cr、Ti、B、Vは、粗面化を阻害する無効溶解を増大させる元素であるので、所望によりこれら元素の総和量を10ppm以下に規制して無効溶解を防止する。また、Mn等の総和量は、上記と同様の理由でさらに8ppm以下とするのが望ましい。
500〜600℃×4〜12時間
冷間圧延終了後に、アルミニウム箔に上記条件で最終焼鈍することで、箔中に含まれるSnを表面濃縮させてSnによる前記効果を高めることができる。
Snの濃縮を十分に行うために前段の加熱は200℃以上で保持時間1時間以上にすることが必要である。一方、12時間を超えても効果は飽和するので保持時間は12時間以下とする。また、加熱温度を400℃超にすると、他元素の表面濃縮が進行し、Snが十分に表面濃縮できなくなるため、前段の処理条件を200〜400℃×1〜12時間とする。また、後段の加熱では立方晶を十分に発達させることが目的となるため、500℃以上の加熱が必要となる。600℃を超えると、アルミの溶解が始まり、箔の密着等重大な問題が発生するため、上限は600℃とする。保持時間に関しては、立方晶の成長のために4時間以上必要であり、その効果は12時間超保持しても飽和するため、4〜12時間とする。上記2段の加熱では、前段の加熱後、引き続き昇温させて後段の加熱を行うのが望ましいが、前段の加熱後、冷却過程を経て、後段の加熱を行うことも可能である。
純度99.9%以上で本発明の成分となるように調製された高純度アルミニウム材は、常法により得ることができ、本発明としては特にその製造方法が限定されるものではない。例えば、半連続鋳造によって得たスラブを熱間圧延したものを用いることができるし、その他に連続鋳造により得られる高純度アルミニウム材を対象とするものであってもよい。なお、REMの含有に際してはミッシュメタルを用いることができる。上記熱間圧延または連続鋳造圧延によって例えば数mm厚程度のシート材とする。このシート材に対し冷間圧延を行い、数十μmから100μm程度のアルミニウム合金箔を得る。なお、冷間圧廷途中あるいは冷間圧廷終了後に適宜脱脂を加えてもよく、また冷間圧廷の途中で適宜中間焼鈍を加えても差し支えない。
エッチング処理においては、前記成分の設定によって箔にピットが高密度で形成され、高い粗面化率が得られるとともに、無効溶解が抑制される。この箔を常法により電解コンデンサに電極として組み込むことにより静電容量の高いコンデンサが得られる。
表1に示す組成を有する高純度アルミニウムを溶製し、熱間圧延、冷間圧延を経て110μm厚の高純度アルミニウム箔を製造した。これらのアルミニウム箔に表1に示す条件で最終焼鈍を施した。全ての高純度アルミニウム箔に対し、以下の条件でエッチングを行いアルミニウム箔を粗面化した。
75℃HCl 1M、H2SO4 3M溶液中で200mA/cm2の直流電流を120秒印加後、80℃HCl 2M溶液中で50mA/cm2の直流電流を600秒印加した。
なお、エッチングに際し、エッチング前後のアルミニウム箔の重量を測定し、重量の減少分を溶解減量とした。
(静電容量測定)
上記エッチング箔を1×5cmのサイズに切り出し、80℃ホウ酸80g/l溶液にて300Vの化成を行い、150g/lアジピン酸溶液中にて容量を測定した。
表2から明らかなように、本発明の実施例は、いずれも良好な静電容量を示している。また実施例のうち、Zrを添加したものは、未添加のものに比べて静電容量がより向上することが明らかになった。さらに、冷間圧延後に最終焼鈍を2段で行ったもの(実施例13〜15)は、1段の最終焼鈍を行ったものに比べて静電容量が向上することも明らかになった。
Claims (5)
- 質量比で、Fe:5〜100ppm、Si:5〜100ppm、Cu:1〜100ppm、Pb:0.1〜5ppm、希土類元素:0.1〜10ppm、Sn:0.5〜5ppmを含有し、残部が99.9%以上のAlと不可避不純物からなることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔。
- さらに、質量比でZn:1〜20ppmを含有することを特徴とする請求項1記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔。
- さらに、質量比でZr:1〜50ppmを含有することを特徴とする請求項1又は2記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔。
- 不可避不純物中のMn、Mg、Cr、Ti、B、V、Gaの総和量を10ppm以下とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の組成を有し、最終冷間圧延がされたアルミニウム箔に、最終焼鈍として、200〜400℃で1〜12時間保持した後、500〜600℃で4〜12時間保持することを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法。
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