JP5018688B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
チャンバ101と、チャンバ101内に配置され、シリコン(Si)を含む下地層が設けられた被処理体100を保持するアノード電極106と、チャンバ内にアノード電極106と対向して配置された筒状のホローカソード電極102と、ホローカソード電極102に水素(H2)、窒素(N)及びシリコン(Si)を含む材料ガスを供給するガス供給管109と、ホローカソード電極102とアノード電極106との間に低周波を印加し、ホローカソード放電によるプラズマPを生成させる電源105とを備え、プラズマPで励起された材料ガスを下地層上に供給してシリコン窒化膜を成膜する。本発明の実施の形態において、「低周波」とは、450kHz以下の交流信号と定義する。
次に、本発明の実施の形態に係る太陽電池の反射防止膜の成膜方法の一例を、図1を用いて説明する。
次に、本発明の実施の形態に係る成膜装置を用いて反射防止膜が形成される太陽電池の一例を説明する。
次に、本発明の実施の形態に係る太陽電池の製造方法について、図3のフローチャートを参照しながら説明する。
12…n型拡散層
13…i型拡散層
14…反射防止膜(シリコン窒化膜)
15a,15b…表面電極
16a,16b…裏面電極
17a,17b,18a,18b…半田層
100…被処理体
101…チャンバ
102…ホローカソード電極
103…開口部
104…凹部
105…電源
106…アノード電極
108…真空排気管
109…ガス供給管
110…中空部
Claims (5)
- チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、シリコンを含む下地層が設けられた被処理体を保持するアノード電極と、
前記チャンバ内に前記アノード電極と対向して配置された筒状のホローカソード電極と、
前記ホローカソード電極に水素、窒素及びシリコンを含む材料ガスを供給するガス供給管と、
前記ホローカソード電極と前記アノード電極との間に低周波を印加し、ホローカソード放電によるプラズマを生成させる電源
とを備え、前記プラズマで励起された前記材料ガスを、前記下地層上に供給してシリコン窒化膜を成膜することを特徴とする成膜装置。 - 前記電源が、50〜450kHzの低周波を前記ホローカソード電極と前記アノード電極との間に印加することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記ホローカソード電極が、
前記材料ガスが供給される筒状の中空部と、
前記アノード電極側に設けられた凹部と、
前記中空部と前記凹部を貫通し、前記材料ガスを前記中空部側から前記凹部側へ放出する開口部
とを備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。 - 前記被処理体が、太陽電池のpn接合を構成するシリコンを含む半導体層が前記下地層として形成された基板であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜装置。
- チャンバ内に配置されたアノード電極に、シリコンを含む下地層が設けられた被処理体を載置するステップと、
前記チャンバ内に前記アノード電極と対向して配置された筒状のホローカソード電極に、水素、窒素及びシリコンを含む材料ガスを供給するステップと、
前記ホローカソード電極と前記アノード電極との間に低周波を印加し、ホローカソード放電によるプラズマを生成させるステップと、
前記プラズマで励起された前記材料ガスを前記下地層上に供給してシリコン窒化膜を成膜するステップ
とを含むことを特徴とする成膜方法。
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