JP2006041443A - プラズマプロセス装置および電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 プラズマによるダメージを低減し、かつガスの分解や解離を促進させることにより、高品質な電子デバイスを製造できるプラズマプロセス装置および該プラズマプロセス装置を用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室１と、処理室１の内部にガスを導入するガス導入口７と、処理室１の内部に設けられ被処理基板４にプラズマ処理を施すプラズマ発生部とを備える。プラズマ発生部は、被処理基板４に対し同じ側に、はしご状あるいは格子状のアノード電極３と、複数のガス導入口７を有するカソード電極２と、カソード電極２とアノード電極３との間に誘電体６とを有し、カソード電極２、誘電体６およびアノード電極３が、被処理基板４の処理面４ａに垂直方向に配置される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、第１電極と第２電極の間でプラズマを発生させてプラズマ処理を行うプラズマ発生部を備えるプラズマプロセス装置および該プラズマプロセス装置を用いた電子デバイスの製造方法に関する。

プラズマを用いて半導体膜等を成膜するプラズマ励起化学気相成長（Chemical Vapor Deposition, ＣＶＤ）法は、その簡便性や操作性に優れるので、集積回路、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、太陽電池などのさまざまな電子デバイスを製造するのに用いられている。

プラズマＣＶＤ法を用いる装置（以下、「プラズマＣＶＤ装置」という）の形態としては、図２１に示すものが一般的である。図２１は、従来の平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の断面図である。以下、図２１を参照しながらプラズマＣＶＤ装置について説明する。

図２１に示すように、プラズマＣＶＤ装置は、真空容器である処理室１０１と、その中にお互いに電気的に絶縁され、対向する位置に平行に設置された２枚の導体板からなる電極１０２、１０３と、高周波電源１０８と、ガス供給部１０９と、ガス排出部１１０と、配線１１１と、整合器１１３とを有する。

処理室１０１を真空に引いた後、一方の電極１０２に設けられた多数のガス穴から材料ガスを導入してある圧力に保ち、電極１０２と電極１０３の間に周波数が例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を印加して電極１０２と電極１０３間にプラズマを発生させ、材料ガスを分解、解離させる。そして他方の電極１０３上に載置されたシリコンやガラスなどからなる被処理基板１０４の上に、半導体膜や絶縁膜などを成膜する。

このようなプラズマＣＶＤ装置は、さまざまな産業で作成される電子デバイスに対して広く利用されている。例えば、アクティブ駆動型の液晶ディスプレイの製造工程では、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と呼ばれるスイッチング素子が作成される。ＴＦＴでは、アモルファスシリコン膜などの半導体膜や窒化シリコン膜等のゲート酸化膜が重要な役割を果たしている。また、有機エレクトロルミネッセンス素子を作成するためには、有機薄膜を成膜した後、表面を保護する保護膜として、高品質な透明絶縁膜を成膜する技術が不可欠である。また、太陽電池を作成するためには太陽電池層を成膜した後、表面を保護する保護膜として、高品質な透明絶縁膜を成膜する技術が不可欠である。このように作製された電子デバイスは広く使用されている。

また、上記のようなプラズマＣＶＤ装置以外では、材料ガスをエッチングガスに変更してプラズマＣＶＤ装置と同様にプラズマを発生させて膜のエッチングを行うドライエッチング装置や、レジストの除去を行うアッシング装置もプラズマプロセス装置として知られている。たとえば、特開平１１−１４４８９２号公報、特開平１−２７９７６１号公報、Applied Physics Letters, volume 65, pages 2229-2231(1994)などにプラズマプロセス装置の一例が記載されている。
特開平１１−１４４８９２号公報 特開平１−２７９７６１号公報 Applied Physics Letters, volume 65, pages 2229-2231(1994)

しかし、上記のような平行平板型のプラズマＣＶＤ装置は、基板面がアノード電極とカソード電極間の電界中に配置されるので、成膜中に基板面にプラズマダメージを与える場合がある。そのため、成膜された膜の特性が良好でない場合があった。また、放電最適条件に影響するアノード電極とカソード電極間の距離と、成膜最適条件に影響する電極と基板間の距離とが異なる場合があるが、これらを独立に制御できないため放電最適条件と成膜最適条件の双方を満足できる条件が得られない場合もあった。

それに対し、特許文献１に開示されたプラズマプロセス装置では、ガラス基板に対向する放電電極が複数の電極から構成されており、それぞれの電極には互いに極性の異なる高周波電圧が印加され、基板面に水平な方向の電界によりプラズマが生じる。より詳しくは、材料ガスが電極と電極の間から放出され、放出された材料ガスが水平方向の電界によりプラズマとなり、ガラス基板の基板面と平行な方向に拡散する。それにより、ガラス基板上に所望の膜を成膜することができる。この方法によれば、ガラス基板にプラズマダメージを与えることなく、高品質の成膜が可能となる。しかしながら、材料ガスの解離効率が低いため、成膜速度を高めることができなかった。

材料ガスの解離を促進する技術については、例えば特許文献２に開示されている。特許文献２に開示されたプラズマプロセス装置では、カソード電極に凹状の空間が設けられており、ホローカソード効果によりプラズマ密度が高められる。これにより、材料ガスの解離が促進され通常の平行平板型の装置と比較して成膜速度を速くすることができる。

しかし、この装置では平行平板型の装置と同様、基板面がアノード電極とカソード電極間の電界中に配置されるため成膜中にプラズマダメージを与える場合があり、膜特性が低下するなど平行平板型の装置と同様の課題があった。

上記のプラズマダメージは、３００℃以上程度の温度での加熱による熱エネルギーを被処理基板に与えることにより修復することができる。しかし、被処理基板の成膜温度を２００℃程度、あるいはそれ以下にしたい場合には良好な膜質を維持することが困難であった。

たとえば、有機エレクトロルミネッセンス素子においては、大気中の水蒸気や酸素の侵入を防止するために、透明な絶縁性保護膜を素子の外層に設ける必要があるが、素子内の有機膜の特性が１００℃以上のプロセス温度において大幅に劣化するので、それより低温の条件で保護膜を成膜する必要がある。しかし、このような条件で成膜された薄膜では、これまでデバイス用として十分な保護膜特性が得られていなかった。

また、例えば、Applied Physics Letters, volume 65, pages 2229-2231には、保護膜として窒化シリコン膜を１００℃にて成膜した場合、大気中の水蒸気が膜中に侵入し、シリコンと酸素の結合を生じてしまうことが報告されている。このように低温では品質の悪い保護膜しか実現できていないので、大気との隔離のためにキャップ用のガラス基板を窒素雰囲気で封着しているのが現状である。

上記の他に、窒化シリコン膜を保護膜として使用するデバイスとしては、多結晶シリコン太陽電池や化合物半導体デバイスがあり、これらのデバイスについても上記に挙げた場合と同様の品質上の課題がある。

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、プラズマによるダメージを低減し、かつガスの分解や解離を促進させることにより、高品質な電子デバイスを製造できるプラズマプロセス装置および該プラズマプロセス装置を用いた電子デバイスの製造方法を提供することにある。

本発明のプラズマプロセス装置は、被処理基板が内部に配置される処理室と、処理室の内部にガスを導入するガス導入口と、処理室の内部に設けられ被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ発生部とを備える。そして、１つの局面では、プラズマ発生部が、被処理基板に対し同じ側に、はしご状あるいは格子状の第１電極と、複数のガス導入口を有する第２電極と、第１と第２電極間に誘電体とを有し、第１電極、誘電体および第２電極が、被処理基板の処理面に垂直方向に配置される。

本発明のプラズマプロセス装置は、他の局面では、上記のような処理室、ガス導入口およびプラズマ発生部を備え、プラズマ発生部は、被処理基板に対し同じ側に、複数の棒状導電部材と該棒状導電部材の両端部をそれぞれ接続するとともに保持する１組の導電性の保持部材とを含む第１電極と、複数のガス導入口を有する第２電極と、第１と第２電極間に誘電体とを有する。そして、第１電極、誘電体および第２電極は、被処理基板の処理面に垂直方向に配置され、保持部材を介して第１電極を処理室の内部に固定する。

本発明のプラズマプロセス装置は、さらに他の局面では、上記のような処理室、ガス導入口およびプラズマ発生部を備え、プラズマ発生部は、被処理基板に対し同じ側に、貫通孔を有する導電部材と該導電部材の両端部を保持する１組の導電性の保持部材とを含む第１電極と、複数のガス導入口を有する第２電極と、貫通孔に沿って延在するように第１と第２電極間に設けられた誘電体とを有する。そして、第１電極、誘電体および第２電極は、被処理基板の処理面に垂直方向に配置され、保持部材を介して第１電極を処理室の内部に固定する。

本発明のプラズマプロセス装置は、さらに他の局面では、上記のような処理室、ガス導入口およびプラズマ発生部を備え、プラズマ発生部は、被処理基板に対し同じ側に、第１方向に延びる第１部分と該第１方向と交差する第２方向に延びる第２部分とを有する導電部材と該導電部材の両端部を保持する１組の導電性の保持部材とを含む第１電極と、複数のガス導入口を有する第２電極と、第１と第２電極間に誘電体とを有する。そして、第１電極、誘電体および第２電極は被処理基板の処理面に垂直方向に配置され、保持部材を介して第１電極を処理室の内部に固定する。

上記保持部材は、第１電極の端部を受入れる凹部を有する一体の部材で構成してもよいが、複数の部材で構成してもよい。たとえば、第１電極の端部を受入れる凹部を有するベース部材と、該凹部に第１電極の端部を受入れた状態で第１電極をベース部材に固定する固定部材とを含むものであってもよい。

上記誘電体は、好ましくは、第２電極により支持される。第２電極が、ガス導入口が設けられる板状導電部材と、該板状導電部材に固定され誘電体の側壁上に延びる側壁導電部材とを有する場合には、側壁導電部材により誘電体を支持するようにしてもよい。誘電体は、被処理基板の処理面に垂直方向に第２電極と係合する係合部を有していてもよい。この場合、たとえば第２電極に、誘電体の係合部を受入れる凹部を設ければよい。

本発明の電子デバイスの製造方法は、上述のプラズマプロセス装置を用いて、被処理基板の温度を１００℃以上２００℃以下の温度に保持した状態で絶縁膜を形成することを特徴とする。

本発明のプラズマプロセス装置によれば、被処理基板の温度が低温であっても、処理面のプラズマダメージを抑制しつつ、プラズマによるガスの分解や解離を促進することができるため高品質な電子デバイスを製造することができる。

本発明の電子デバイスの製造方法によれば、本発明のプラズマプロセス装置を用いるので、被処理基板の温度が２００℃以下程度と低温であっても、高品質な絶縁膜を備えた電子デバイスを製造することができる。

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。しかし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。

（実施の形態１）
図１から図８を参照しながら、本発明の実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置（プラズマプロセス装置）の構造を説明する。ここでは装置の処理室に置かれる被処理基板の処理面をx-y面とし、被処理基板の処理面の法線方向をｚ軸方向とする。図１は本実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を模式的に示すｘ−ｚ面断面図、図２は本実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を模式的に示すy-z面断面図、図３は本実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置の電極と基板ホルダ部分の斜視図、図４は図３に示すアノード電極部を詳細に示した斜視図、図５は図１に示す電極部分を拡大した拡大図である。

まず、本実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置の構成について、図１および図２を用いて説明する。

図１および図２に示すように、本実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置は、被処理基板４が内部に収容される処理室１と、被処理基板４が載置される基板ホルダ５と、該処理室１内に材料ガスを導入するガス導入口７と、処理室１内に設けられたプラズマ発生部と、高周波電源８と、ガス供給部９と、ガス排出部１０と、整合器１３とを有する。

処理室１は導電性の壁部２７で囲まれており、該処理室１内に、上記のプラズマ発生部と、被処理基板４を保持する基板ホルダ５とが設けられる。プラズマ発生部は、実際にプラズマが発生する部分およびその近傍を含む部分であり、第１電極であるアノード電極（陽極）３と、複数のガス導入口７を有する第２電極であるカソード電極(陰極)２と、これらの間に誘電体６と、ガス滞留部１２とを備える。

アノード電極３、カソード電極２および誘電体６は、被処理基板４の処理面４ａと対向するように被処理基板４に対し同じ側に配置され、処理面４ａに対し垂直方向に配置されている。

カソード電極２は、アルミニウムなどの導電性材料からなり、図１および図３に示すように、例えば２５０ｍｍ×２５０ｍｍ×７ｍｍの板状導電部材２ａと、誘電体６の側壁上に延在し概略直角３角形の断面形状を有する複数の側壁導電部材２ｂとを有する。板状導電部材２ａには、その厚さ方向（ｚ軸方向）に貫通する複数のガス導入口７が設けられている。一例として、ガス導入口７の穴径は０．５ｍｍ、ガス導入口７のｘ軸方向のピッチは２５ｍｍ、ｙ軸方向のピッチは３ｍｍである。ガス導入口７は、ｙ軸方向にライン状に配置され、ライン間隔は２５ｍｍであり、x軸方向に９ライン分形成されている。

本実施の形態１では、側壁導電部材２ｂとして３角柱状の部材を例示しているが、側壁導電部材２ｂをこれ以外の形状の導電部材で構成してもよい。ただし、側壁導電部材２ｂにおいてガス導入口７側に位置する表面には、傾斜面を設けることが好ましい。それにより、該傾斜面に沿ってガスを流すことができ、誘電体６と板状導電部材２ａとの接触部近傍でガスが滞留するのを回避することができる。典型的には、側壁導電部材２ｂは、ｘ−ｙ面に対して傾斜角６０度の傾斜面を有するが、この傾斜角は４５度から８０度程度が望ましい。

なお、図５に示すように、本実施の形態１では側壁導電部材２ｂの先端部は典型的には尖っているが、図８に示すように側壁導電部材２ｂの先端部に曲面部２ｂ１を設け、側壁導電部材２ｂに丸みを持たせるようにしてもよい。

板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｂ間の接触面には、各部材が相互に面接触可能となるような加工が施されている。それにより、板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｂとを、電気的に接続することができ、これらを一体の電極として機能させることができる。

板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｂにおいて、少なくともプラズマに曝される面（典型的には被処理基板４の処理面４ａに対向した面）には、プラズマやガスで各部材の表面がエッチングされたり、腐食等しないようにアルマイト処理を施すことが好ましい。

カソード電極２を含む電極部の拡大図を図５に示す。この図５では、図１に示しているガス導入口７は省略している。図５に示すように、板状導電部材２ａに貫通孔を設け、該貫通孔にボルト１４を装着する。このボルト１４により側壁導電部材２ｂを板状導電部材２ａに固定する。なお、図示していないが、カソード電極２と電気的につながっている処理室１の外面側には温水配管が接続されており、カソード電極２を所定の温度（例えば８０℃）に保温し、電極側に成膜がされにくいようにしている。

上記のカソード電極２の板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｂに囲まれる領域に、図１および図５に示すように、概略棒状の誘電体６が配置される。より詳しくは、誘電体６の上面が板状導電部材２ａの表面と接し、誘電体６の側面が側壁導電部材２ｂで挟持されるように、側壁導電部材２ｂ間の凹部２２内に誘電体６を設置する。

誘電体６は、例えば、ＮＦ_３などのクリーニング用ガスによるプラズマによりエッチングされないアルミナなどの材料からなり、２００ｍｍ×１０ｍｍ×５ｍｍ程度の大きさを有する。該誘電体６は、概略４角形の断面形状を有し、複数（本実施の形態では９本）設けられる。この誘電体６は、図３に示すように、カソード電極２においてｙ軸方向にライン状に設けられたガス導入口７に平行に配置される。

アノード電極３は、アルミニウムなどの導電性材料からなり、図１〜図３に示すように誘電体６の下側に配置される。図１〜図３の例では、アノード電極３の主たる電極部によって誘電体６を支持している。誘電体６上に位置するアノード電極３の主たる電極部は、典型的には、被処理基板４側から見た誘電体６の形状と同様の形状を有する。

図４にアノード電極３の一構成例を詳細に示す。図４の例では、アノード電極３は、略はしご状の形状を有する。より詳しくは、アノード電極３は、例えば２７０ｍｍ×４ｍｍ×５ｍｍの断面が概略４角形である複数の棒状導電部材（主たる電極部）３ａと、該棒状導電部材３ａの端部を接続するとともに保持する保持部材（接続部材：連結部材）とを有する。

棒状導電部材３ａは、図３に示すように、誘電体６とほぼ同じ間隔をあけてy軸方向に平行に配置される。図４に示すように、複数の棒状導電部材３ａの長手方向の両端が、１組の保持部材によりそれぞれ接続されるとともに保持される。このとき、棒状導電部材３ａと各保持部材との接触面において、これらを電気的に確実に接続する必要があるため、該接触面にはアルマイト処理は施さず、また接触面には互いに面接触可能となるような加工が施される。

保持部材は、一体の部材で構成されてもよいが、図４に示すように複数の部材を組み合わせて構成してもよい。保持部材を複数の部材で構成する場合、棒状導電部材３ａの長手方向の端部を挟持するように導電性材料からなる複数の板状部材を配設することが考えられる。図４の例では、保持部材は、導電性材料からなる１組の板状のベース部材３ｂ、３ｃと、導電性材料からなる１組の板状の固定部材３ｄ、３ｅとで構成されている。

ベース部材３ｂの表面には、図４に示すように、棒状導電部材３ａの端部を受入れる凹部２５を形成する。この凹部２５は、ベース部材３ｂの幅方向両側面に達しており、棒状導電部材３ａの厚みと同等以上の深さを有する。そして、棒状導電部材３ａの長手方向の両端部がベース部材３ｂ，３ｃの外側の側面から突出しないように凹部２５内に棒状導電部材３ａの長手方向の両端部を受入れる。この状態で、図４に示すように、ボルト１４などの締結部材を用いて、固定部材３ｄ、３ｅをベース部材３ｂ、３ｃにそれぞれ固定する。それにより、固定部材３ｄ、３ｅとベース部材３ｂ、３ｃとで棒状導電部材３ａの長手方向の両端部を挟持することができ、固定部材３ｄ、３ｅとベース部材３ｂ、３ｃとで構成される１組の保持部材により、複数の棒状導電部材３ａを電気的に接続するとともに保持することができる。

アノード電極３の断面形状は、４角形に限定されるものではなく、誘電体の形状等により変化させても良い。たとえば、図６に示すようにアノード電極３の表面に面取り部３ｆを設けてもよく、図７に示すようにアノード電極３の表面に曲面部３ｇを設けてもよい。このようにアノード電極３の表面に面取り部３ｆや曲面部３ｇを設けることにより、アノード電極３のコーナ部での意図しない電界集中を抑制することができるとともに、隣り合うアノード電極３間の間隔をアノード電極３の先端側（被処理基板４側）で広くすることができ、被処理基板４に向かうプラズマやガスの流路抵抗を低減することもできる。

なお、棒状導電部材３ａと保持部材において、少なくともプラズマに曝される部分には、棒状導電部材３ａや保持部材がプラズマやガスでエッチングされたり、腐食等しないようにアルマイト処理を施すことが好ましい。

また、図２に示すように、ベース部材３ｂ、３ｃは、棒状導電部材３ａが接続される側と反対側（外側）で、処理室１の導電性の壁部２７電気的に接続される。該壁部２７は、典型的には金属製（例えば、ステンレス）であり、接地電位に保持される。したがって、アノード電極３は接地電位となる。また、ベース部材３ｂ、３ｃを含む保持部材は、図２に示すように、壁部２７によって支持・固定されている。よって、保持部材を介して、アノード電極３を容易かつ安定して処理室１の内部に固定することができる。

また、図１および図２に示すように、アノード電極３とカソード電極２間で不要な放電が起こらないように、アノード電極３とカソード電極２間にアルミナ等の誘電体１５が設けられている。そして、この電極構成の場合、アノード電極３は、誘電体６のみならず誘電体１５をも支持する機能を有している。

図１および図２に示すように、被処理基板４は基板ホルダ５上に載置される。基板ホルダ５の被処理基板４側の面と反対側の面には、被処理基板４を加熱（例えば、被処理基板が２００℃程度になるように加熱）するためのヒーター（図示せず）が設けられている。

処理室１の外部には、上記の高周波電源８、整合器１３、ガス供給部９およびガス排出部１０が設けられる。高周波電源８は、配線１１、整合器１３を介してカソード電極２に電気的に接続され、ＧＮＤ側の電極をアノード電極３と電気的に接続しカソード電極２とアノード電極３の間に所定の電力を供給する。整合器１３はカソード電極２と電気的に接続されている。ガス供給部９は、材料ガスを処理室１内に供給する。ガス排出部１０は、処理室１内のガスを排出する。

上記のような構成のプラズマＣＶＤ装置内に被処理基板４を設置した後、ガス供給部９からガス滞留部１２に材料ガスを供給し、ガス滞留部１２において材料ガスを一旦滞留させる。その後、ガス導入口７を介して処理室１内に材料ガスを導入し、高周波電源８によりカソード電極２とアノード電極３の間に電力を投入する。それにより、カソード電極２とアノード電極３の間に電界を発生させる。

このとき、カソード電極２の概略直角３角形の断面を持つ側壁導電部材２ｂの鋭角部側と、アノード電極３において誘電体６と接する部分の距離（アノード・カソード電極間距離）は約５ｍｍ程度と短いため、両電極間に高電界を発生させることができる。したがって、低パワーでも放電させることができる。このようにカソード電極２とアノード電極３の間で放電させることにより、処理室１内でプラズマを生成することができる。なお、アノード電極・カソード電極間距離は１ｍｍから３０ｍｍ程度でも良く、放電時に使用するガスの圧力やガス種によって適宜選択される。

本実施の形態１の電極構成では、平行平板型のＣＶＤ装置と異なり、カソード電極２とアノード電極３間の距離は固定されているため、電極・基板間距離を変化させてもプラズマの状態はほとんど変化しない。したがって、カソード電極２とアノード電極３間の圧力等の放電条件と電極・基板間距離をほぼ独立に変化させることができる。

また、本実施の形態１の構成では基板ホルダ５はアノード電極３と同電位の接地電位としているが、例えば基板ホルダ５に上記と異なる基板バイアス用の高周波電源や直流電源を接続してプラズマを制御し、成膜条件を制御することも可能である。

次に、図１を参照しながら、本実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を用いて被処理基板４上に薄膜を形成する方法を説明する。

まず、処理室１内の基板ホルダ５とカソード電極２をそれぞれ所定の温度に保持しておく。たとえば、基板ホルダ５を２００℃、カソード電極２を８０℃にしておく。そして、基板ホルダ５上に被処理基板４を載置する。本実施の形態１では、被処理基板４として厚さが０．７ｍｍ、１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板を用い、このガラス基板をアノード電極３の基板側の表面から２５ｍｍの位置に配置する。

次に、処理室１内を排気して真空とする。被処理基板４は所定の時間後には基板ホルダ５とほぼ同じ温度に保持される。そして、ガス導入口７から処理室１内に材料ガスを所定量導入する。本実施の形態１では、材料ガスとしてＳｉＨ_４、Ｎ_２，ＮＨ_３，Ｈ_２を用いる。その後、材料ガスを排気して処理室１内を所定の圧力、例えば２００Ｐａに設定する。

次に、アノード電極３とカソード電極２との間に、例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電源８から所定の電力（例えば３００Ｗ程度の電力）を印加する。それにより、プラズマを発生させ、被処理基板４の処理面４ａ上に成膜を行う。設定した膜厚になるまで電力を印加し続けた後、両電極間への電力の印加を停止する。その後、基板ホルダ５から被処理基板４を取り外し、処理室１の外部へ取り出す。それにより、表面上に薄膜が形成された基板が得られる。該基板を用いて、周知の手法で各種電子デバイスを製造する。

図２０に、上記の薄膜形成手法を適用可能な有機エレクトロルミネッセンス素子の構造例を模式的に示す。

図２０に示すように、有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板３０上に順次形成された陽極３１、有機正孔輸送層３２、有機発光層３３、陰極３４、透明電極３５および透明絶縁膜（保護膜）３６を有する。この有機エレクトロルミネッセンス素子において最外層に形成される透明絶縁膜３６を、前述の手法で形成可能である。

なお、陽極３１はアルミニウムで構成することができ、有機正孔輸送層３２はジアミン誘導体で構成することができ、有機発光層３３は８−キノリノールアルミニウム錯体で構成することができ、陰極３４はカルシウムで構成することができ、透明電極３５は酸化インジウム錫で構成することができ、いずれも蒸着法などの手法で形成可能である。

上記のように本実施の形態１によるプラズマＣＶＤ装置では、被処理基板４を保持する基板ホルダ５と対向する位置であって同じ側にアノード電極３とカソード電極２が設けられており、これらの電極間に高電界がかかることでプラズマが発生し、被処理基板４に成膜が行われる。したがって、被処理基板４の処理面４ａではプラズマ密度は十分低く、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置に比べ、薄膜がプラズマによりダメージを受けることが防止される。このため基板温度が２００℃程度の低温の場合でも、絶縁性の良い窒化シリコン膜（絶縁膜）を成膜することができた。また、基板温度が１００℃以上２００℃未満程度の低温の場合でも、絶縁耐圧が４ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁性の良好な絶縁膜を成膜することができる。また、特許文献１のようにアノード電極とカソード電極の配置が、被処理基板４の処理面４ａに水平な方向でなく、処理面４ａに対し垂直な方向にアノード電極とカソード電極が配置されているため、解離効率が高く、成膜速度を高めることができた。

上述の例では、アノード電極３が主たる電極部（プラズマ発生に実質的に寄与する部分）として同一方向に延びる複数の棒状導電部材３ａを有し、アノード電極３が全体としてはしご状の形状を有する場合について説明したが、単数または複数の貫通孔を設けた導電部材や、複数の方向に延在する部分を有する導電部材を、アノード電極３の主たる電極部として採用することもできる。

このように貫通孔を有する導電部材や、複数の方向に延在する部分を有する導電部材をアノード電極３の主たる電極部として使用することにより、一方向に延びる複数の棒状導電部材３ａを使用した場合よりも放電箇所を増加することができる。それにより、さらに成膜速度を高めることが可能となる。その上、アノード電極３自体の剛性を向上することもできる。

図１８と図１９に、アノード電極３の主たる電極部の他の形状例を示す。図１８に示すように、アノード電極３の主たる電極部を格子状とすることが考えられる。この場合、該アノード電極３によって支持される誘電体６の形状も同様の格子状としておく。それにより、図３等に示す場合と同様の効果を期待できる。

図１８と図１９に示す例では、アノード電極３は、主たる電極部として、複数の貫通孔２６を有する格子状部材３ｈを有する。該格子状部材３ｈは、互いに直交する方向に延在する部分を有する。このとき、誘電体６は、格子状部材３ｈと同様の格子状の形状を有し、貫通孔２６に沿って延在する。側壁導電部材２ｂは、貫通孔２６を囲むように環状の形状を有する。また、図１９に示すように、格子状部材３ｈの両端に図４の場合と同様の保持部材を配設し、該保持部材を介してアノード電極３を処理室１の内部に固定する。これ以外の構成については、図３および図４に示す場合と同様である。

上記のようにアノード電極３の主たる電極部として格子状部材３ｈを使用することにより、アノード電極３の主たる電極部全体に亘って貫通孔２６の周囲で放電させることができるので、プラズマを効率的かつ均一に発生させることができる。

なお、本実施の形態１では、被処理基板４としてガラス基板を用いたが、扱える被処理基板４の種類としては、ガラス基板に限定されるものではない。また、本実施の形態の装置によれば、プラスチック基板等に窒化シリコン膜やアモルファスシリコン膜を成膜し、ＴＦＴデバイスの作製を行うことも可能となる。

さらに、本実施の形態１では、使用する高周波電源８の周波数として１３．５６ＭＨｚを用いたが、高周波電源８の周波数はこれに限定されるものではない。例えば、２７．１２ＭＨｚ、５４．２４ＭＨｚ等の高周波電源も使用可能であり、また逆に３００ｋＨｚや２ＭＨｚなどの低周波領域の電源も使用可能である。

また、本実施の形態１ではプラズマＣＶＤ装置について適用した例を示しているが、これに限るものではなく、プラズマエッチング装置やアッシング装置などにも本実施の形態１の思想を適用可能である。下記の各実施の形態についても同様である。

（実施の形態２）
次に、図９と図１０を用いて本発明の実施の形態２について説明する。図９は、図５に対応する図であり、本実施の形態２のプラズマＣＶＤ装置における電極部分の拡大図である。図１０は、図９のＸ−Ｘ線断面図である。

本実施の形態２のプラズマＣＶＤ装置と、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置とでは、カソード電極２の形状とボルト１４による締結手法が異なっている。それ以外の構成は、実施の形態１と基本的に同様である。

本実施の形態２では、板状導電部材２ａの表面に凹部（溝部）１７を形成し、該凹部１７内に側壁導電部材２ｃを組み込んでいる。側壁導電部材２ｃは、ボルト１４を介して板状導電部材２ａに固定される。該側壁導電部材２ｃは、アルミニウムなどの導電性材料からなり、２つのパーツで構成される。側壁導電部材２ｃの各パーツは、図９に示す、概略５角形の断面を有する部分と、概略Ｌ形の断面を有する部分とを備える。

凹部１７は、２００ｍｍ×１１ｍｍの大きさを有し、凹部１７の深さは３ｍｍ程度である。そして、複数の凹部１７がｙ軸方向のライン状のガス導入口７間に平行にｘ軸方向に１０ライン設けられている。該凹部１７の底面には、ボルト１４を通すための貫通孔が複数設けられている。

他方、側壁導電部材２ｃ側にも、ボルト１４を受入れるねじ穴を設ける。そして、板状導電部材２ａにおいて凹部１７が設けられた側の表面とは反対側の表面から、ボルト１４を板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｃとに螺着し、それにより、ボルト１４を介して板状導電部材２ａに側壁導電部材２ｃを固定することができる。

図１０に示すように、側壁導電部材２ｃの各パーツは、ｙ軸方向に交互に現れる、概略５角形断面形状の部分と、概略Ｌ形断面形状の部分とを有しており、一方のパーツの概略５角形断面形状の部分と、他方のパーツの概略Ｌ形断面形状の部分とがＸ方向に隣接するように各パーツが配置されている。つまり、側壁導電部材２ｃは、概略５角形断面形状の部分と、概略Ｌ形断面形状の部分とが、千鳥状に配置された形状を有している。そして、概略Ｌ形の断面を有する部分にねじ穴１６が設けられている。

なお、側壁導電部材２ｃが電極として機能するために、側壁導電部材２ｃと板状導電部材２ａ間の接触面は、ボルト１４で締結することで側壁導電部材２ｃと板状導電部材２ａとが面接触して電気的に接続されるように加工されている。

上記の構成にすることにより、実施の形態１に比べて板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｃの締結部の面積を広くとることができる。それにより、ボルト１４の径を大きくすることができ、電極全体のボルト数を少なくすることができる。その結果、電極の組み立てを容易にすることができる。

（実施の形態３）
次に、図１１を用いて本発明の実施の形態３について説明する。図１１は、図５に対応する図であり、本実施の形態３のプラズマＣＶＤ装置における電極部分の拡大図である。

本実施の形態３のプラズマＣＶＤ装置では、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置と比較して、カソード電極２と誘電体６の形状が異なっている。それ以外の構成は、実施の形態１と基本的に同様である。

図１１に示すように、本実施の形態３では、カソード電極２は、アルミニウムなどの導電性材料からなる概略直角３角形の側壁導電部材２ｄを有する。側壁導電部材２ｄは、内側に凹部１９を有する。図１１の例では、側壁導電部材２ｄの直角部に概略四角形の切欠き部を設けることで凹部１９を形成している。

他方、誘電体６は、長手方向の一端に張出部（係合部）１８を有しており、誘電体６のｘ−ｚ断面形状は概略逆Ｔ字形となっている。この誘電体６の張出部１８を側壁導電部材２ｄの凹部１９内に受入れる。それにより、誘電体６の一部を板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｄとで挟持するとともに、被処理基板４の処理面４ａに垂直な方向に、誘電体６の張出部１８と側壁導電部材２ｄとを係合させることができる。つまり、板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｄとで誘電体６を保持するとともに、側壁導電部材２ｄによって誘電体６を支持することができる。つまり、カソード電極（第２電極）２によって誘電体６を支持および／または保持することができる。

板状導電部材２ａには、実施の形態１と同様に複数のガス導入口７がライン状に形成されており、これらのライン状のガス導入口７に平行に側壁導電部材２ｄを締結するための貫通孔が複数個設けられる。この貫通孔に、板状導電部材２ａにおいて被処理基板４と反対側に位置する面からボルト１４を螺着する。このとき、各側壁導電部材２ｄにはボルト１４を受入れるねじ穴が設けられているので、該ねじ穴と上記の貫通孔とにボルト１４を螺着することにより、各側壁導電部材２ｄを板状導電部材２ａに固定することができる。

前述した実施の形態１、２では電極面積が大きくなると誘電体６もそれとともに大きくなるが、誘電体６の荷重を棒状のアノード電極部で支えるか、あるいは誘電体６の端部のみをアノード電極３の保持部材で支える必要がある。そのため、特に棒状のアノード電極３を採用した場合に、アノード電極３が歪んだり、誘電体６が割れたりする場合が考えられる。

しかし、本実施の形態３のような構成にすることにより、アノード電極３には誘電体６の荷重がかからないため、アノード電極３が歪んだり、誘電体６が割れるのを抑制することができる。実際には、被処理基板４が２０００ｍｍ×２０００ｍｍのような大面積基板である場合でも、本実施の形態の構成を採用することで、プラズマＣＶＤ装置の電極を構成することが可能となった。

（実施の形態４）
次に、図１２を用いて本発明の実施の形態４について説明する。図１２は、図５に対応する図であり、本実施の形態４のプラズマＣＶＤ装置における電極部分の拡大図である。

本実施の形態４のプラズマＣＶＤ装置では、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置と比較して、カソード電極２と誘電体６の形状が主に異なっている。それ以外の構成は、実施の形態１と基本的に同様である。

図１２に示すように、本実施の形態４におけるカソード電極２は、アルミニウムなどの導電性材料からなり、図９に示す場合と基本的に同様の形状を有する。具体的には、カソード電極２は、複数の凹部１７を有する板状導電部材２ａと、ｘ−ｚ断面において概略５角形の断面を有する部分と、概略Ｌ形の断面を有する部分とを備えた側壁導電部材２ｃとを含む。

そして、本実施の形態４では、カソード電極２を構成する各パーツの内側の表面で規定される凹部２２の底部に、板状導電部材２ａにおいて側壁導電部材２ｃが設置される側の表面と平行な方向に延びる凹部１９を設けている。つまり、凹部２２の底部に、外方に延在する凹部１９を更に設けている。該凹部１９は、側壁導電部材２ｃの内側の直角部に概略四角形の切欠き部を設けることで形成可能である。

他方、誘電体６には、図１１に示す場合と同様の張出部（係合部）１８を設けており、該張出部１８を凹部１９内に挿入する。この状態で、被処理基板４の処理面４ａと反対側からボルト１４で板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｃとを締結する。それにより、断面が逆Ｔ字形に加工された誘電体６を、図１２のように側壁導電部材２ｃの各パーツで挟持することができ、カソード電極２により誘電体６を支持することができる。

このように構成することにより、アノード電極３に誘電体６の荷重がかからないため、実施の形態３の場合と同様に、被処理基板４が２０００ｍｍ×２０００ｍｍのような大面積基板である場合でも、プラズマＣＶＤ装置の電極を構成することが可能となった。

また、実施の形態３の場合と比較して板状導電部材２ａと側壁導電部材２ｃとの締結部の面積を広くとることができ、ボルト１４の径も大きくすることができる。そのため、電極全体のボルト数を少なくすることができ、電極の組み立てを容易にすることもできる。

（実施の形態５）
次に、図１３〜図１５を用いて本発明の実施の形態５について説明する。図１３は、図５に対応する図であり、本実施の形態５のプラズマＣＶＤ装置における電極部分の拡大図である。図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線断面図である。

本実施の形態５のプラズマＣＶＤ装置の場合も、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置と比較して、カソード電極２と誘電体６の形状が異なっている。それ以外の構成は、実施の形態１と同様である。

本実施の形態５では、カソード電極２は、アルミニウムなどの導電性材料からなり、複数の板状導電部材を備えている。図１３の例では、カソード電極２は、１組の板状導電部材２ａ，２ｆを備えている。板状導電部材２ａのサイズは、例えば２５０ｍｍ×２５０ｍｍ×４ｍｍであり、板状導電部材２ｆの外形は２５０ｍｍ×２５０ｍｍであり、板状導電部材２ｆの厚みは板状導電部材２ａの厚み以下でよい。板状導電部材２ｆは、貫通孔２８と、片側面に突出し貫通孔２８を取囲む筒状部２０とを有し、貫通孔２８内に誘電体６を受入れる。カソード電極２は、全体としては、図１１に示す実施の形態３のカソード電極２とほぼ同様の断面構造を有する。

板状導電部材２ａには、図１４に示すように、その厚さ方向（被処理基板４の処理面４ａに垂直な方向）に貫通する穴径０．５ｍｍの複数のガス導入口７がピッチ３ｍｍでｙ軸方向にライン状に配置される。該ガス導入口７は、ライン間隔２５ｍｍでｘ軸方向に９ライン形成される。このライン間に、ボルト１４を装着するための貫通孔１６を千鳥状に複数設ける。

図１３に示すように、板状導電部材２ａの被処理基板４側に複数の逆Ｔ字形の誘電体６を配置する。誘電体６は、実施の形態４の場合と同様に張出部１８を有する。板状導電部材２ａの表面には、該張出部１８を受入れる凹部１７を設ける。この凹部１７内に張出部１８を嵌め込んだ状態で板状導電部材２ａと板状導電部材２ｆとを重ね合わせ、板状導電部材２ａと板状導電部材２ｆとで誘電体６の張出部１８を挟み込む。このとき、板状導電部材２ａ，２ｆには、板状導電部材２ａを貫通して板状導電部材２ｆに達するねじ穴が設けられており、板状導電部材２ａにおける被処理基板４側と反対側の面からＭ４のボルト１４を上記のねじ穴に螺着する。それにより、ボルト１４で板状導電部材２ｆと板状導電部材２ａとを固定することができる。

また、板状導電部材２ｆには、穴径が１ｍｍの複数のガス導入口７がｙ軸方向にピッチ３ｍｍで板状導電部材２ａのガス導入口７に対応して配置されている。このとき、板状導電部材２ａと板状導電部材２ｆの一方に設けるガス導入口７のサイズを他方に設けるガス導入口７のサイズと異ならせているのは、２つの部材を組み合わせたときに一方の部材に設けたガス導入口７が他方の部材で塞がれないようにするためである。本実施の形態５では、公差を考慮して、板状導電部材２ｆのガス導入口７の穴径を１ｍｍとし、板状導電部材２ａのガス導入口７の穴径よりも大きくしている。

本実施の形態５の場合も、カソード電極２により誘電体６を支持することができるので、実施の形態３，４の場合と同様に被処理基板４が大面積基板である場合でも、プラズマＣＶＤ装置の電極を構成することが可能となる。

また、本実施の形態５では、実施の形態３、４に比べ、更に板状導電部材２ａと板状導電部材２ｆとの締結部の面積を広くとることができるので、ボルト１４の径を大きくすることができる。それにより、電極全体のボルト数を少なくすることができ、電極の組み立てを容易にすることができる。

図１５に、本実施の形態５の変形例を示す。図１５に示すように、板状導電部材２ｆ側に誘電体６の張出部１８を受入れる凹部２１を設けてもよい。この場合も、誘電体６の張出部１８と、板状導電部材２ｆとを係合させることができ、誘電体６を板状導電部材２ｆで支持することができる。

（実施の形態６）
次に、図１６と図１７とを用いて本発明の実施の形態６について説明する。図１６は、図５に対応する図であり、本実施の形態６のプラズマＣＶＤ装置における電極部分の拡大図である。

本実施の形態６のプラズマＣＶＤ装置の場合、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置と比較して、カソード電極２と誘電体６の形状が異なっていることに加え、ボルトなどの締結部材を用いることなくカソード電極２で誘電体６を支持している。それ以外の構成は、実施の形態１と基本的に同様である。

本実施の形態６では、カソード電極２を一体の部材で構成している。図１６の例では、カソード電極２は、主として１つの板状導電部材で構成される。この板状導電部材は、被処理基板４側を向く表面から突出する筒状部２０を有する。筒状部２０は、誘電体６を受入れる凹部２２を規定する。そして、凹部２２の底部に、横方行に延在する凹部２３を更に設ける。つまり、筒状部２０内にいわゆる蟻溝状の凹部を形成する。また、カソード電極２の板状部分には、その厚さ方向（被処理基板４の処理面４ａに垂直な方向）に貫通する穴径０．５ｍｍの複数のガス導入口７がピッチ３ｍｍでｙ軸方向にライン状に配置される。該ガス導入口７は、ライン間隔２５ｍｍでｘ軸方向に９ライン形成される。

誘電体６は、一端に張出部１８を有しており、該張出部１８を上記の凹部２３内に挿入する。それにより、誘電体６の張出部１８をカソード電極２と係合させることができ、プラズマに曝される側に誘電体６を支持可能な部分を有するカソード電極２を、１つの部材で構成することができる。その結果、プラズマＣＶＤ装置において組立が容易な電極を構成することができる。

図１６の例では、カソード電極２に凹部２２を設け、該凹部２２内に誘電体６を装着したが、図１７に示すように、カソード電極２に貫通孔２４を設け、貫通孔２４内に誘電体６を装着してもよい。このとき、誘電体６の張出部１８を、筒状部２０を設けた側と反対側のカソード電極２の表面と係合させる。この場合も、カソード電極２によって誘電体６を支持することができ、被処理基板４が大面積基板である場合でも、プラズマＣＶＤ装置の電極を構成することが可能となる。

以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、上述の各実施の形態の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。

また、今回開示した実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変形が含まれる。

本発明は、第１と第２電極間でプラズマを発生させるプラズマ発生部を備えたプラズマプロセス装置および該プラズマプロセス装置を用いた電子デバイスの製造方法に有効に適用され得る。

本発明の実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を模式的に示すx-z面断面図である。 実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を模式的に示すy-z面断面図である。 実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置における電極と基板ホルダ部分の斜視図である。 実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置におけるアノード電極部の斜視図である。 実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置において電極部を拡大したx-z面断面図である。 実施の形態１の電極部の変形例を示すx-z面断面図である。 実施の形態１の電極部の他の変形例を示すx-z面断面図である。 実施の形態１の電極部のさらに他の変形例を示すx-z面断面図である。 本発明の実施の形態２のプラズマＣＶＤ装置における電極部を拡大したx-z面断面図である。 図９のＸ−Ｘ線断面図である。 本発明の実施の形態３のプラズマＣＶＤ装置における電極部を拡大したx-z面断面図である。 本発明の実施の形態４のプラズマＣＶＤ装置における電極部を拡大したx-z面断面図である。 本発明の実施の形態５のプラズマＣＶＤ装置における電極部を拡大したx-z面断面である。 図１３におけるＸＩＶ−ＸＩＶ線断面図である。 図１３の電極部の変形例を示すx-z面断面図である。 本発明の実施の形態６のプラズマＣＶＤ装置における電極部を拡大したx-z面断面である。 図１６の電極部の変形例を示すx-z面断面図である。 実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置における電極部の変形例の斜視図である。 実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置におけるアノード電極の変形例の斜視図である。 有機エレクトロルミネッセンス素子の構造例を模式的に示す断面図である。 平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１ 処理室、２ カソード電極、２ａ，２ｆ 板状導電部材、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ 側壁導電部材、３ アノード電極、３ａ 棒状導電部材、３ｂ，３ｃ ベース部材、３ｄ、３ｅ 固定部材、４ 被処理基板、４ａ 処理面、５ 基板ホルダ、６，１５ 誘電体、７ ガス導入口、８ 高周波電源、９ ガス供給部、１０ ガス排出部、１１ 配線、１２ ガス滞留部、１３ 整合器、１４ ボルト、１６，２４，２６，２８ 貫通孔、１７，１９，２１，２２，２３，２５ 凹部、２０筒状部、２７壁部、３０ 基板、３１ 陽極、３２ 有機正孔輸送層、３３ 有機発光層、３４ 陰極、３５ 透明電極、３６ 透明絶縁膜。

Claims (9)

1. 被処理基板が内部に配置される処理室と、
   前記処理室の内部にガスを導入するガス導入口と、
   前記処理室の内部に設けられ、前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ発生部とを備え、
   前記プラズマ発生部は、前記被処理基板に対し同じ側に、はしご状あるいは格子状の第１電極と、複数の前記ガス導入口を有する第２電極と、前記第１と第２電極間に誘電体とを有し、
   前記第１電極、前記誘電体および前記第２電極が、前記被処理基板の処理面に垂直方向に配置されている、プラズマプロセス装置。
2. 被処理基板が内部に配置される処理室と、
   前記処理室の内部にガスを導入するガス導入口と、
   前記処理室の内部に設けられ、前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ発生部とを備え、
   前記プラズマ発生部は、前記被処理基板に対し同じ側に、複数の棒状導電部材と該棒状導電部材の両端部をそれぞれ接続するとともに保持する１組の導電性の保持部材とを含む第１電極と、複数の前記ガス導入口を有する第２電極と、前記第１と第２電極間に誘電体とを有し、
   前記第１電極、前記誘電体および前記第２電極は、前記被処理基板の処理面に垂直方向に配置され、
   前記保持部材を介して前記第１電極を前記処理室の内部に固定した、プラズマプロセス装置。
3. 被処理基板が内部に配置される処理室と、
   前記処理室の内部にガスを導入するガス導入口と、
   前記処理室の内部に設けられ、前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ発生部とを備え、
   前記プラズマ発生部は、前記被処理基板に対し同じ側に、貫通孔を有する導電部材と該導電部材の両端部を保持する１組の導電性の保持部材とを含む第１電極と、複数の前記ガス導入口を有する第２電極と、前記貫通孔に沿って延在するように前記第１と第２電極間に設けられた誘電体とを有し、
   前記第１電極、前記誘電体および前記第２電極は、前記被処理基板の処理面に垂直方向に配置され、
   前記保持部材を介して前記第１電極を前記処理室の内部に固定した、プラズマプロセス装置。
4. 被処理基板が内部に配置される処理室と、
   前記処理室の内部にガスを導入するガス導入口と、
   前記処理室の内部に設けられ、前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ発生部とを備え、
   前記プラズマ発生部は、前記被処理基板に対し同じ側に、第１方向に延びる第１部分と前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２部分とを有する導電部材と該導電部材の両端部を保持する１組の導電性の保持部材とを含む第１電極と、複数の前記ガス導入口を有する第２電極と、前記第１と第２電極間に誘電体とを有し、
   前記第１電極、前記誘電体および前記第２電極は、前記被処理基板の処理面に垂直方向に配置され、
   前記保持部材を介して前記第１電極を前記処理室の内部に固定した、プラズマプロセス装置。
5. 前記保持部材は、前記第１電極の端部を受入れる凹部を有するベース部材と、前記凹部に前記第１電極の端部を受入れた状態で前記第１電極を前記ベース部材に固定する固定部材とを含む、請求項２から請求項４のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
6. 前記誘電体を前記第２電極により支持した、請求項１から請求項５のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
7. 前記第２電極は、前記ガス導入口が設けられる板状導電部材と、該板状導電部材に固定され前記誘電体の側壁上に延びる側壁導電部材とを有し、
   前記側壁導電部材により前記誘電体を支持した、請求項６に記載のプラズマプロセス装置。
8. 前記誘電体は、前記被処理基板の処理面に垂直方向に前記第２電極と係合する係合部を有し、
   前記第２電極は、前記誘電体の前記係合部を受入れる凹部を有する、請求項６または請求項７に記載のプラズマプロセス装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載のプラズマプロセス装置を用いて、被処理基板の温度を１００℃以上２００℃以下の温度に保持した状態で絶縁膜を形成することを特徴とする、電子デバイスの製造方法。

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