JP5005747B2 - 単結晶を引き上げるための装置 - Google Patents
単結晶を引き上げるための装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5005747B2 JP5005747B2 JP2009211612A JP2009211612A JP5005747B2 JP 5005747 B2 JP5005747 B2 JP 5005747B2 JP 2009211612 A JP2009211612 A JP 2009211612A JP 2009211612 A JP2009211612 A JP 2009211612A JP 5005747 B2 JP5005747 B2 JP 5005747B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cable
- pulling
- support
- single crystal
- auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/24—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using mechanical means, e.g. shaping guides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
Description
引上げケーブルを巻き取るためのケーブルドラムを有する、単結晶を引き上げるための引上げ装置と、
単結晶の重量の上部ネック部分を弛緩させるための支持装置とが設けられており、該支持装置が、開口と掴み捕捉部材とを有する支持リングを有しており、掴み捕捉部材が、互いに向き合っておりかつ軸受の軸線を中心にして回動させられることができるように、支持リングに固定されており、掴み捕捉部材が、待機位置から保持位置への可逆的な回動を行うことができ、保持位置において、掴み捕捉部材は、開口内へ及び拡大した部分の下側へ延びており、
掴み捕捉部材の軸受の軸線の両側において掴み捕捉部材に固定された支持ケーブル及び補助ケーブルを巻き取るためのケーブルドラムが設けられており、
補助ケーブルのケーブル経路を変更するための補助ローラが設けられており、その結果、掴み捕捉部材の回動が生ぜしめられる。
Claims (5)
- 上部ネック部分と下部ネック部分との間の拡大部分を有する単結晶を融液から引き上げるための装置において、該装置に、
単結晶を引き上げるための引上げ装置が設けられており、該引上げ装置が、引上げケーブルを巻き取るためのケーブルドラムを有しており、
単結晶の重量の上部ネック部分を弛緩させるための支持装置が設けられており、該支持装置に、
開口及び掴み捕捉部材を有する支持リングが設けられており、前記掴み捕捉部材が、互いに向き合いかつ軸受の軸線を中心にして回動させられることができるように、支持リングに取り付けられており、掴み捕捉部材が、待機位置から保持位置への可逆的な回動を行うことができ、前記保持位置において、掴み捕捉部材が開口内へ及び拡大部分の下側へ延びており、
掴み捕捉部材の軸受の軸線の両側において掴み捕捉部材に取り付けられた支持ケーブル及び補助ケーブルを巻き取るためのケーブルドラムが設けられており、
補助ケーブルのケーブル経路を変更させるための補助ローラが設けられており、その結果、掴み捕捉部材の回動が生ぜしめられるようになっていることを特徴とする、単結晶を融液から引き上げるための装置。 - 引上げケーブルの軸線を中心にして回転するプラットフォームが設けられており、該プラットフォームに、引上げケーブルを巻き取るためのケーブルドラムと、支持ケーブル及び補助ケーブルを巻き取るためのケーブルドラムと、補助ローラとが取り付けられている、請求項1記載の装置。
- 同じ掴み捕捉部材に取り付けられた支持ケーブル及び補助ケーブルを巻き取るための共通のケーブルドラムが設けられている、請求項1又は2記載の装置。
- 支持ケーブル及び補助ケーブルを巻き取るためのケーブルドラムの共通の駆動装置が設けられている、請求項1から3までのいずれか1項記載の装置。
- 請求項1から4までのいずれか1項記載の装置を使用する、単結晶を引き上げるための方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008047599A DE102008047599B4 (de) | 2008-09-17 | 2008-09-17 | Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls |
DE102008047599.8 | 2008-09-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010077018A JP2010077018A (ja) | 2010-04-08 |
JP5005747B2 true JP5005747B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=41794820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009211612A Active JP5005747B2 (ja) | 2008-09-17 | 2009-09-14 | 単結晶を引き上げるための装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8470093B2 (ja) |
JP (1) | JP5005747B2 (ja) |
KR (1) | KR101130011B1 (ja) |
CN (1) | CN101676440B (ja) |
DE (1) | DE102008047599B4 (ja) |
SG (2) | SG178782A1 (ja) |
TW (1) | TWI404837B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102134739A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-07-27 | 宁夏日晶新能源装备股份有限公司 | 单晶炉自动引晶系统及方法 |
US11255024B2 (en) * | 2019-06-18 | 2022-02-22 | Linton Crystal Technologies Corp. | Seed lifting and rotating system for use in crystal growth |
WO2021031142A1 (zh) | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 眉山博雅新材料有限公司 | 上提拉开放式单晶炉 |
KR102270393B1 (ko) * | 2019-10-22 | 2021-06-30 | 에스케이실트론 주식회사 | 원료 공급 유닛, 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 원료 공급 방법 |
DE102020100331A1 (de) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | Pva Tepla Ag | Kristallunterstützung und Kristallziehanlage mit einer solchen Kristallunterstützung |
US11891721B2 (en) | 2020-12-09 | 2024-02-06 | Linton Kayex Technology Co., Ltd | Spool-balanced seed lift |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0449260B1 (en) * | 1990-03-30 | 1995-08-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Apparatus for producing czochralski-grown single crystals |
JP3402040B2 (ja) | 1995-12-27 | 2003-04-28 | 信越半導体株式会社 | 単結晶保持装置 |
JP3528448B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2004-05-17 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の引上げ方法及び装置 |
KR19980079891A (ko) * | 1997-03-27 | 1998-11-25 | 모리 레이자로 | 단결정 성장장치 및 단결정 성장방법 |
JP4068711B2 (ja) * | 1998-02-02 | 2008-03-26 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶製造装置 |
JP4026694B2 (ja) * | 1998-02-18 | 2007-12-26 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶保持装置 |
JP4052753B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2008-02-27 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | 単結晶成長装置及び単結晶成長方法 |
JP2000281487A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-10 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 |
DE19933771B4 (de) * | 1999-07-19 | 2007-12-06 | Liebherr-Werk Nenzing Gmbh, Nenzing | Kran |
DE19939715B4 (de) * | 1999-08-21 | 2008-07-24 | Crystal Growing Systems Gmbh | Auf einer Ziehwelle einer Kristallziehanlage angeordneter Greifer |
JP4689027B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2011-05-25 | 株式会社Sumco | 半導体単結晶引上装置 |
JP2005029449A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Siltronic Japan Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
JP4662362B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-03-30 | コバレントマテリアル株式会社 | 単結晶引上装置 |
DE102006034433B4 (de) * | 2006-07-26 | 2018-03-22 | Crystal Growing Systems Gmbh | Kristallziehanlage, Unterstützungsvorrichtung und Verfahren zur Her-stellung von schweren Kristallen |
-
2008
- 2008-09-17 DE DE102008047599A patent/DE102008047599B4/de active Active
-
2009
- 2009-08-14 SG SG2012009882A patent/SG178782A1/en unknown
- 2009-08-14 SG SG200905442-0A patent/SG160275A1/en unknown
- 2009-08-20 KR KR1020090077069A patent/KR101130011B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-26 CN CN2009101704557A patent/CN101676440B/zh active Active
- 2009-09-11 TW TW098130679A patent/TWI404837B/zh active
- 2009-09-14 JP JP2009211612A patent/JP5005747B2/ja active Active
- 2009-09-16 US US12/560,656 patent/US8470093B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008047599B4 (de) | 2012-12-20 |
TWI404837B (zh) | 2013-08-11 |
US20100064965A1 (en) | 2010-03-18 |
KR20100032302A (ko) | 2010-03-25 |
CN101676440A (zh) | 2010-03-24 |
SG160275A1 (en) | 2010-04-29 |
TW201012985A (en) | 2010-04-01 |
KR101130011B1 (ko) | 2012-04-12 |
JP2010077018A (ja) | 2010-04-08 |
DE102008047599A1 (de) | 2010-04-08 |
CN101676440B (zh) | 2012-12-19 |
US8470093B2 (en) | 2013-06-25 |
SG178782A1 (en) | 2012-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5005747B2 (ja) | 単結晶を引き上げるための装置 | |
TW567253B (en) | Crystal pulling method and apparatus | |
JP3402012B2 (ja) | 単結晶の成長方法及び装置 | |
JPH07172981A (ja) | 半導体単結晶の製造装置および製造方法 | |
WO2010058980A2 (en) | Single crystal growing apparatus | |
JP4957731B2 (ja) | ルツボハンドリング装置 | |
WO1998010125A1 (fr) | Appareil pour tirage de monocristal | |
JP2990658B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP3400312B2 (ja) | 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法 | |
TW444070B (en) | Apparatus for pulling up single crystals and single crystal clamping device | |
JP2007008773A (ja) | 単結晶引上装置及びその制御方法 | |
JPH10310492A (ja) | 単結晶引上装置及び引上方法 | |
JP4026695B2 (ja) | 単結晶保持装置 | |
JPH1059796A (ja) | 結晶保持装置 | |
TW386114B (en) | Single crystal pulling up apparatus | |
JPH10338598A (ja) | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 | |
JP2990662B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
JPH10259087A (ja) | 単結晶を引き上げる装置のための昇降装置 | |
JP2007197257A (ja) | 単結晶引上装置、及びその制御方法 | |
JPH11314998A (ja) | シリコン単結晶の引き上げ装置およびこれを用いた引き上げ方法 | |
JPH10120487A (ja) | 単結晶引上装置および引上方法 | |
JPH09227282A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
JP2000281484A (ja) | 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法並びに単結晶支持用滑車装置 | |
JPH10139583A (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP3474076B2 (ja) | 単結晶引上げ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101227 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120424 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120523 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5005747 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |