JPH10310492A - 単結晶引上装置及び引上方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＺ法で製造する単結晶の重量増加に対応し
て、単結晶の絞り部の下方に形成するくびれ部を把持す
るとともに、リメルト可能な単結晶引上装置及び引上方
法を提供する。 【解決手段】 シャフト方式の単結晶製造装置のガイド
シャフト３に支持され、昇降自在かつ垂直面内で同一方
向に揺動可能な２個の把持ロッド１１、１２を設ける。
フォースバー２を釣支する重量センサ１の検出値が所定
値に達したとき、フォースバー２に対して所定の傾斜角
まで揺動させた把持ロッド１１、１２を垂直姿勢に戻
し、単結晶１４のくびれ部１４ａと把持ロッドのアーム
１１ｂ、１２ｂとの間に隙間を保ちつつくびれ部１４ａ
にアーム１１ｂ、１２ｂを挿入させた後、くびれ部１４
ａに掛止して単結晶１４を把持する。把持ロッドの上昇
は、重量センサ１５、１５の検出結果に基づいて独立に
制御する。リメルト時は把持ロッドを揺動させてくびれ
部１４ａから外す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＺ法による半導
体単結晶の製造装置に装着され、特に大重量の半導体単
結晶の引き上げに好適な単結晶引上装置及び引上方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】単結晶シリコンは一般にＣＺ法を用いて
製造されている。ＣＺ法は、半導体単結晶製造装置内に
設置した石英るつぼに多結晶シリコンを充填し、石英る
つぼの周囲に設けたヒータによって原料を加熱溶解した
上、シードホルダに取り付けた種結晶を融液に浸漬し、
シードホルダ及び石英るつぼを互いに同方向または逆方
向に回転しつつシードホルダを引き上げて単結晶シリコ
ンを所定の直径及び長さに成長させる方法である。

【０００３】種結晶には、融液に浸漬したときの熱衝撃
で転位が発生する。この転位を単結晶に伝播させないよ
うにするため、単結晶を直径１〜４ｍｍに成長させた絞
り部を種結晶の下方に形成し、転位を絞り部の表面に逃
がす。そして、無転位化が確認された後、肩部を形成し
て単結晶を所定の直径まで拡大させ、次いで直胴部形成
に移行する。

【０００４】近年、単結晶の長大化に伴ってその重量が
増大し、絞り部の強度が限界に近づいている。この対策
として、絞り工程によって無転位化した後、肩部上端に
絞り部直径より大径のくびれ部を形成し、このくびれ部
で単結晶を把持することにより絞り部の破断を防止し、
あるいは絞り部が破断しても単結晶が落下することを防
止する工夫がなされている。たとえば特公平５−６５４
７７号公報で開示された単結晶成長装置は、単結晶に形
成したくびれ部に開閉可能な３〜４本のクランプアーム
を係合させて前記単結晶を吊り下げる構成としている。
また、特公平７−１０３０００号公報で開示された結晶
引上装置は、単結晶のくびれ部に係合する爪を有し、上
下動することにより開閉する複数の把持レバーと、把持
レバーの開きを防止するリングとを用いて前記単結晶を
吊り下げる構成としている。更に、特公平７−５１５号
公報で開示された結晶引上装置は、上下動可能な把持ホ
ルダの下端に一定の角度で停止する複数の爪を備え、こ
れらの爪を単結晶のくびれ部に係合させて前記単結晶を
吊り下げる構成としている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
公平５−６５４７７号公報で開示された単結晶成長装置
は、単結晶の重量が大きくなるとクランプアームが開く
方向に作動するため、引き上げ中に単結晶が落下する危
険性がある。この点を改良したものとして特公平７−１
０３０００号公報、特公平７−５１５号公報で開示され
ている結晶引上装置は、単結晶を爪で把持する際に単結
晶が振動したり、単結晶に機械的衝撃が加わるため、育
成中の単結晶が多結晶化するという不具合が起こる。ま
た、いったん把持した単結晶はメインチャンバ内で結晶
引上装置から取り外すことが不可能のため、育成中に単
結晶が多結晶化または有転位化してもリメルトすること
ができない。

【０００６】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、ＣＺ法で製造する半導体単結晶の重量増加
に対応して、従来の絞り部以外の単結晶把持手段、具体
的には絞り部の下方に形成するくびれ部を把持すること
ができるとともに、リメルト可能な単結晶引上装置及び
引上方法を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る単結晶引上装置は、ＣＺ法による半導
体単結晶製造装置に装着され、単結晶の肩部上端に形成
したくびれ部を２個以上の把持ロッドで把持して引き上
げる単結晶引上装置であって、前記把持ロッドがガイド
シャフトによって支持され、平行な垂直面内で同一方向
に揺動可能であることを特徴とする。前記構成によれ
ば、単結晶のくびれ部を把持して絞り部の破断を防止す
る把持ロッドがフォースバーによって支持されているの
で、把持ロッドを昇降あるいは揺動させたとき及びくび
れ部を把持したときの振動が小さく、成長中の単結晶に
悪影響を与えない。また、把持ロッドをくびれ部近傍に
下降させる場合は、２個以上の把持ロッドを同一方向に
揺動させてくびれ部から遠ざけるため、把持ロッドが単
結晶に衝突することはない。この状態で所定の位置まで
下降させた後、把持ロッドを垂直姿勢に戻すとくびれ部
を把持することができる。

【０００８】また、本発明に係る単結晶引上装置は、フ
ォースバーに対して２個以上の把持ロッドをそれぞれ独
立に昇降制御可能とし、かつ、フォースバーと把持ロッ
ドとにそれぞれ重量センサを設けたことを特徴とする。
引上軸中心線に対してくびれ部が非対称に形成された場
合、２個以上の把持ロッドにかかる荷重が均等になら
ず、くびれ部を破壊するおそれがあるが、各把持ロッド
の上昇量を重量センサの検出値に基づいて制御すること
により、前記くびれ部の破壊防止が可能となる。また、
フォースバーに設けた重量センサで単結晶重量を検出す
ることにより、把持ロッドによる把持のタイミングを把
握することができ、単結晶の絞り部と把持ロッドとの荷
重配分も各重量センサの検出値に基づいて調整可能であ
る。

【０００９】本発明に係る単結晶引上装置は、把持ロッ
ドの、単結晶のくびれ部と接触する部分に衝撃緩和材を
取り付けたことを特徴とする。把持ロッドに衝撃緩和材
を取り付ければ、把持時の機械的衝撃や振動が容易に緩
和され、単結晶を円滑に引き上げることができる。

【００１０】本発明に係る単結晶引上装置は、把持ロッ
ドの中間に板ばねを介在させたことを特徴とする。板ば
ねにより垂直方向の振動が吸収されるので、特にくびれ
部の形状が非対称の単結晶引き上げに好適である。

【００１１】本発明に係る単結晶引上装置は、把持ロッ
ドの、単結晶のくびれ部と接触する部分が形状記憶合金
からなることを特徴とする。くびれ部の温度が形状記憶
合金の変態点以下となる高さに引き上げられた後、くび
れ部に掛止させて単結晶を把持する。単結晶をリメルト
する場合、把持したまま把持ロッドを下降させると変態
点を超える温度域に入るので、形状記憶合金の屈曲部が
伸びて自動的にくびれ部から離脱する。

【００１２】次に、本発明に係る単結晶引上方法は、フ
ォースバーを釣支する重量センサの検出値が所定値に達
したとき、フォースバーに対して所定の傾斜角まで揺動
させた把持ロッドを所定の位置に下降させた後、垂直姿
勢に戻し、単結晶のくびれ部と前記把持ロッドとの間に
隙間を保ちつつくびれ部に把持ロッドを挿入させ、くび
れ部に掛止して単結晶を把持することを特徴とする。前
記構成によれば、育成中の単結晶重量が所定値に達した
とき把持ロッドで把持するので、把持のタイミングを誤
ることがない。また、把持に当たり、把持ロッドと単結
晶との衝突が回避されるため、把持時に機械的衝撃によ
る単結晶絞り部の破断が起こらない。

【００１３】また、本発明に係る単結晶引上方法は、把
持ロッドで単結晶を把持する際に、把持ロッドに設けた
重量センサの検出結果に基づいて把持ロッドの上昇を制
御することを特徴とする。前記構成によれば、各把持ロ
ッドに設けた重量センサによりそれぞれの荷重を検出
し、把持開始時から引き上げ完了時まで常に重量配分が
均等になるように制御しつつ把持ロッドを上昇させる。
従って、くびれ部の一部に応力が集中せず、安定した状
態で引き上げを行うことができる。また、フォースバー
に設けた重量センサの検出値と各把持ロッドに設けた重
量センサの検出値から絞り部にかかる荷重を算出し、こ
の値を任意に調整することも可能である。

【００１４】

【発明の実施の形態及び実施例】次に、本発明に係る単
結晶引上装置及び引上方法の実施例について図面を参照
して説明する。図１は単結晶引上装置の第１実施例を示
す模式的正面図、図２は把持機構支持板の取り付け構造
を示す断面説明図、図３は図２のＡ−Ａ断面図、図４は
把持機構支持板を揺動させ、把持ロッドを下降させた状
態を示す側面図である。この単結晶引上装置は、シャフ
ト方式の半導体単結晶製造装置に装着される。

【００１５】半導体単結晶製造装置の引上シャフトは、
重量センサ１に釣支されたフォースバー２と、重量セン
サ１を載置し、フォースバー２を取り囲むガイドシャフ
ト３とからなる。ガイドシャフト３は図示しない回転機
構、昇降機構によりフォースバー２とともに回転ならび
に昇降する。また、ガイドシャフト３の下端にはカラー
４が取着され、フォースバー２の揺れを抑制している。

【００１６】ガイドシャフト３には把持機構取付板５が
固着され、把持機構取付板５の下方に把持機構支持板６
が装着されている。把持機構支持板６の中心にはガイド
シャフト３に対して所定の隙間をもつ穴が設けられ、図
２に示すように、ガイドシャフト３に固着された軸受
７、７と、これらの軸受７、７を挟むように把持機構支
持板６の下面に設けられた軸受８、８とに軸９、９を挿
嵌することにより、ガイドシャフト３に対して把持機構
支持板６が揺動可能となっている。また、把持機構取付
板５と把持機構支持板６とは空圧シリンダ１０で連結さ
れている。

【００１７】ガイドシャフト３の両側に配設された２個
の把持ロッド１１、１２は、上部にボールネジのナット
１３と螺合するオネジ１１ａ、１２ａを有し、下端には
単結晶１４のくびれ部１４ａを掛止するアーム１１ｂ、
１２ｂを備えている。そして、オネジ１１ａ、１２ａの
下方には重量センサ１５、１５が取着されている。前記
ナット１３は歯車１６を備え、図３及び図４に示すよう
に、把持機構支持板６に取着されたモータ１７の駆動歯
車１８により回転して２個の把持ロッド１１、１２をそ
れぞれ独立に昇降させる。フォースバー２を釣支する重
量センサ１と、把持ロッド１１、１２にそれぞれ装着し
た重量センサ１５、１５との出力信号は、半導体単結晶
製造装置の外部に設置された制御装置（図示せず）に入
力され、引き上げ中の単結晶重量、把持ロッド１１、１
２にそれぞれ加えられる単結晶重量が算出される。

【００１８】次に、単結晶引上方法について説明する。
半導体単結晶の製造に当たり、フォースバー２の下端に
取着したシードホルダ１９に種結晶２０を取り付け、ナ
ット１３を回転させて把持ロッド１１、１２を最高位置
に上昇させておく。そして、フォースバー２とガイドシ
ャフト３とを下降させ、種結晶２０を融液２１に浸漬し
てなじませた後、フォースバー２とガイドシャフト３と
を回転ならびに上昇させつつ絞り部１４ｂを形成する。
絞り部１４ｂの無転位化が確認されたら引上速度を遅く
して単結晶の直径を増大させ、次に引上速度を速めて単
結晶直径を縮小させ、くびれ部１４ａを形成する。その
後、単結晶１４を所定の直径に拡大する肩部形成工程を
経て直胴形成工程に移行する。

【００１９】肩部形成工程に移行したら空圧シリンダ１
０を引き込み側に駆動し、図４に示すように把持機構支
持板６を所定の角度に傾斜させ、次にナット１３を回転
させて把持ロッド１１、１２を所定の位置に下降させ
る。この位置は、把持ロッド１１、１２を垂直姿勢に戻
したときアーム１１ｂ、１２ｂの上面とくびれ部１４ａ
との間に所定の隙間ができる位置である。

【００２０】把持ロッド１１、１２が所定の位置に下降
したことを確認したら、空圧シリンダ１０を押し出し側
に駆動し、把持機構支持板６を水平姿勢に戻す。この操
作により、把持ロッド１１、１２は垂直姿勢に戻り、ア
ーム１１ｂ、１２ｂは、その上面とくびれ部１４ａとの
間に所定の隙間を保ってくびれ部１４ａに挿入される。
次いで、ナット１３を微小回転させて把持ロッド１１、
１２を僅かに上昇させ、図５に示すようにくびれ部１４
ａにアーム１１ｂ、１２ｂを掛止させる。くびれ部１４
ａの形状が単結晶１４の軸心に対して非対称であって
も、把持ロッド１１、１２に装着した重量センサ１５、
１５の出力信号に基づいて把持ロッド１１、１２の上昇
量を制御することにより、単結晶１４に機械的衝撃や振
動を与えることなくアーム１１ｂ、１２ｂを掛止させる
ことができる。

【００２１】単結晶１４の引き上げ中、把持ロッド１
１、１２に所定の荷重がかかるようにモータ１７を制御
する。この制御は、フォースバー２を釣支する重量セン
サ１及び把持ロッド１１、１２に装着された重量センサ
１５、１５の検出信号に基づいて図示しない制御装置が
行う。

【００２２】図６は、図１に示した把持ロッド１１、１
２のアーム１１ｂ、１２ｂを単結晶１４のくびれ部１４
ａに挿入した後の把持ロッド１１、１２の昇降制御を実
行するフローチャートで、各ステップの左肩に記載した
数字はステップ番号である。まず、ステップ１でモータ
１７（図４参照）を微小回転させ、把持ロッド１１、１
２を上昇側に微動させる。アーム１１ｂ、１２ｂがくび
れ部１４ａに当接すると、その荷重は重量センサ１５、
１５によって検出される。アーム１１ｂに作用する荷重
をＷL 、アーム１２ｂに作用する荷重をＷR とし、ステ
ップ２で重量センサ１５、１５の検出値ＷL 、ＷR を読
み込む。次に、ステップ３でアーム１１ｂ、１２ｂにに
作用する荷重を比較する。ここで、ＷL ＞ＷR ならば把
持ロッド１１の上昇量が把持ロッド１２より大きいこと
を示しているので、ステップ４で把持ロッド１１側のモ
ータを停止し、把持ロッド１１の上昇を止めて、ステッ
プ２に戻る。また、ステップ５でＷL ＜ＷR ならば把持
ロッド１２の上昇量が把持ロッド１１より大きいことを
示しているので、ステップ６で把持ロッド１２側のモー
タを停止し、把持ロッド１２の上昇を止めて、ステップ
２に戻る。その他の場合はＷL ＝ＷR であり、アーム１
１ｂ、１２ｂがくびれ部に均等の荷重で当接したことを
示す。

【００２３】アーム１１ｂ、１２ｂがくびれ部に均等の
荷重で当接したことを確認した後、ステップ７に進み、
把持ロッド１１、１２を等速で上昇させる。そして、ス
テップ８で把持荷重設定値ＷS を読み込む。把持荷重設
定値ＷS は単結晶引き上げ中に把持ロッド１１、１２に
加えられる荷重で、あらかじめ定められた値である。次
に、ステップ９で把持ロッド１１、１２に作用している
荷重ＷL ＋ＷR と把持荷重設定値ＷS とを比較し、ＷL
＋ＷR ＞ＷS ならばステップ１０に進み、把持ロッド１
１、１２を下降側に微動させて実把持荷重を把持荷重設
定値ＷS に近づける。また、ステップ１１でＷL ＋ＷR
＜ＷS ならばステップ１２に進み、把持ロッド１１、１
２を上昇側に微動させて実把持荷重を把持荷重設定値Ｗ
S に近づける。その他の場合はＷL ＋ＷR ＝ＷS であ
り、把持ロッド１１、１２を停止させる。ステップ８以
降の制御は単結晶引き上げ完了まで繰り返し行う。

【００２４】ステップ８以降の制御において、把持荷重
設定値をＷS ／２とし、把持ロッド１１に作用する荷重
ＷL と把持ロッド１２に作用する荷重ＷR とを個別にＷ
S ／２と比較してＷL ＝ＷR ＝ＷS ／２となるように制
御してもよい。

【００２５】このように、単結晶のくびれ部を左右の把
持ロッドで把持するに当たり、各把持ロッドに装着した
重量センサにより荷重が左右均等になるように把持ロッ
ドの上昇量を制御し、把持状態が安定した後、左右の把
持ロッドを同時に上昇させ、把持荷重設定値に到達した
後はこれを維持するように制御するので、くびれ部の形
状が引上軸中心線に対して非対称であってもくびれ部に
偏荷重がかからない。従って、くびれ部を破壊すること
なく、安定した引き上げを行うことができる。

【００２６】単結晶１４の引き上げ中、把持ロッド１
１、１２に単結晶重量を分担させず、絞り部１４ｂのみ
で単結晶１４の重量を支え、把持ロッド１１、１２を絞
り部１４ｂが破断したときの落下防止装置として使用し
てもよい。この場合、把持ロッド１１、１２のアーム１
１ｂ、１２ｂがくびれ部１４ａから離れないよう、モー
タ１７にトルクをかけ続けるか、またはブレーキ付きモ
ータを使用する。

【００２７】直胴形成工程の初期になんらかの理由で有
転位化または多結晶化が起こり、図５に示した単結晶１
４の育成を中止して固化部分をリメルトすることがあ
る。この場合、固化部分を融液２１に浸漬した後、モー
タ１７を駆動してナット１３を回転させ、把持ロッド１
１、１２を僅かに下降させる。アーム１１ｂ、１２ｂが
くびれ部１４ａから離れた後、空圧シリンダ１０を引き
込み側に駆動し、把持機構支持板６を所定の角度に傾斜
させると、単結晶１４は把持ロッド１１、１２から解放
される。その後、把持ロッド１１、１２を上昇させれ
ば、単結晶１４を絞り部１４ｂまでリメルトすることが
できる。そして、再度種結晶２０を融液２１に浸漬して
絞り部１４ｂとくびれ部１４ａとを形成し、前述した手
順でくびれ部１４ａに把持ロッド１１、１２を掛止して
単結晶１４を引き上げる。

【００２８】図７は、単結晶引上装置の第２実施例を示
す把持ロッド下端の説明図である。把持ロッド１１のア
ーム１１ｂには、たとえばボロシリケートガラスからな
る衝撃緩和材２２が取り付けられている。他側の把持ロ
ッドも同じ構造である。衝撃緩和材としてボロシリケー
トガラスを用いる場合、ガラス転位点を超えて適当な粘
弾性を有する温度域（３００℃〜５００℃）にくびれ部
が引き上げられた後、把持するものとする。これによ
り、把持時の機械的衝撃を回避することが容易となる。

【００２９】図８は、単結晶引上装置の第３実施例を示
す模式的正面図である。把持ロッド２３、２４は、重量
センサ１５、１５とアーム２３ｂ、２４ｂとの間で分割
され、分割面にそれぞれ取着した板ばね２５、２６で連
結されている。板ばね２５、２６を用いることにより、
単結晶１４のくびれ部１４ａを把持する際の機械的衝撃
が回避され、単結晶引き上げ時の縦揺れを吸収すること
ができる。

【００３０】単結晶引上装置の第４実施例は、図９に示
すように把持ロッド２７のアームを除去し、掛止金具２
８を取着したものである。この掛止金具２８は形状記憶
合金、たとえばＣｕ−Ｚｎ−Ａｌ合金からなり、変態温
度は３５０℃で、変態温度以下では図９（ａ）に示す形
状となっている。掛止金具以外の構成は第１実施例と同
一である。単結晶のくびれ部の温度が３５０℃以下とな
る高さまで引き上げられた後、前記掛止金具２８でくび
れ部を掛止し、単結晶を把持する。また、単結晶をリメ
ルトする場合は固化部分を融液に浸漬し、フォースバー
及びガイドシャフトを下降させる。掛止金具２８は、融
液に近接して３５０℃を超えると屈曲部が次第に伸びて
最終的には図９（ｂ）に示す形状となるため、その過程
でくびれ部から離脱する。従って、リメルト作業時の把
持アーム離脱が極めて容易となる。

【００３１】図１０は把持ロッド昇降メカニズムを説明
するための駆動部分の断面模式図である。駆動モータ２
９とナット１３は把持機構支持板に固定されている。駆
動モータ２９の回転により駆動歯車１８が回転し、これ
と螺合する歯車１６が回転し、同時に把持ロッド１１
（１２）が昇降する。図１１は図１０のＢ−Ｂ断面図で
ある。図に示したようにナット１３にはキー３２を、把
持ロッド１１（１２）には昇降部全長にキー溝を施し、
互いに噛み合わせる構造により、把持ロッドが自転する
ことなく昇降可能としている。

【００３２】把持ロッドの数が２個より多い例として、
図１２に４個の場合を示す。図１２はシリコン結晶把持
部の直径最小部断面を、融液シリコン側から見て模式的
に示している。把持ロッド３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３
４ｄを図のように等間隔に配置しないことにより、シリ
コン結晶に接触することなく、同一方向（図の矢線方
向）に揺動可能である。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｃ
Ｚ法により引き上げる半導体単結晶の肩部上端に形成す
るくびれ部を、昇降ならびに揺動可能な２個の把持ロッ
ドで把持し、把持ロッドにかかる荷重を検出しつつ単結
晶を引き上げる構成としたので、くびれ部に偏荷重がか
からず、くびれ部が破壊されたり単結晶が落下する危険
性は皆無となる。ワイヤ方式の半導体単結晶製造装置の
場合、くびれ部を把持する装置を装着することによって
単結晶の回転速度域が制約されるが、本発明のようにシ
ャフト方式の製造装置の場合は、単結晶引上装置の装着
によるいかなる制約もない。また、把持部に衝撃緩和材
を用い、あるいは把持ロッドにばねを装着すればより効
果がある。更に、育成中に単結晶が有転位化または多結
晶化し、育成を中止してリメルトする場合、把持ロッド
の取り外しは極めて容易であり、リメルト作業を迅速に
遂行することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】単結晶引上装置の第１実施例を示す模式的正面
図である。

【図２】把持機構支持板の取り付け構造を示す断面説明
図である。

【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。

【図４】把持ロッドを揺動させた状態を示す模式的側面
図である。

【図５】単結晶のくびれ部に把持ロッドを掛止させた状
態を示す模式的正面図である。

【図６】把持ロッドの昇降制御を実行するフローチャー
トである。

【図７】単結晶引上装置の第２実施例を示す把持ロッド
下端の説明図である。

【図８】単結晶引上装置の第３実施例を示す模式的正面
図である。

【図９】単結晶引上装置の第４実施例を示し、把持ロッ
ドの下端に取着する掛止金具の説明図である。

【図１０】把持ロッド昇降メカニズムを説明するための
駆動部分の断面模式図である。

【図１１】図１１は図１０のＢ−Ｂ断面図である。

【図１２】把持ロッドの数が２個より多い例の一例を示
す図である。

【符号の説明】

１、１５…重量センサ、２…フォースバー、３…ガイド
シャフト、５…把持機構取付板、６…把持機構支持板、
１１、１２、２３、２４、２７、３４ａ、３４ｂ、３４
ｃ、３４ｄ…把持ロッド、１１ｂ、１２ｂ、２３ｂ、２
４ｂ…アーム、１４…単結晶、１４ａ…くびれ部、１４
ｂ…絞り部、２２…衝撃緩和材、２５、２６…板ばね、
２９…駆動モータ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 利通 神奈川県平塚市四之宮2612 コマツ電子金 属株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＣＺ法による半導体単結晶製造装置に装
   着され、単結晶の肩部上端に形成したくびれ部を２個以
   上の把持ロッドで把持して引き上げる単結晶引上装置で
   あって、前記把持ロッドがガイドシャフトによって支持
   され、平行な垂直面内で同一方向に揺動可能であること
   を特徴とする単結晶引上装置。
2. 【請求項２】 フォースバーに対して２個以上の把持ロ
   ッドをそれぞれ独立に昇降制御可能とし、かつ、フォー
   スバーと把持ロッドとにそれぞれ重量センサを設けたこ
   とを特徴とする請求項１記載の単結晶引上装置。
3. 【請求項３】 把持ロッドの、単結晶のくびれ部と接触
   する部分に衝撃緩和材を取り付けたことを特徴とする請
   求項１記載の単結晶引上装置。
4. 【請求項４】 把持ロッドの中間に板ばねを介在させた
   ことを特徴とする請求項１記載の単結晶引上装置。
5. 【請求項５】 把持ロッドの、単結晶のくびれ部と接触
   する部分が形状記憶合金からなることを特徴とする請求
   項１記載の単結晶引上装置。
6. 【請求項６】 フォースバーを釣支する重量センサの検
   出値が所定値に達したとき、フォースバーに対して所定
   の傾斜角まで揺動させた把持ロッドを所定の位置に下降
   させた後、垂直姿勢に戻し、単結晶のくびれ部と前記把
   持ロッドとの間に隙間を保ちつつくびれ部に把持ロッド
   を挿入させ、くびれ部に掛止して単結晶を把持すること
   を特徴とする単結晶引上方法。
7. 【請求項７】 把持ロッドで単結晶を把持する際に、把
   持ロッドに設けた重量センサの検出結果に基づいて把持
   ロッドの上昇を制御することを特徴とする単結晶引上方
   法。