JPH1059796A - 結晶保持装置 - Google Patents
結晶保持装置Info
- Publication number
- JPH1059796A JPH1059796A JP9138744A JP13874497A JPH1059796A JP H1059796 A JPH1059796 A JP H1059796A JP 9138744 A JP9138744 A JP 9138744A JP 13874497 A JP13874497 A JP 13874497A JP H1059796 A JPH1059796 A JP H1059796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- holding
- gripper
- crystals
- pulling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/911—Seed or rod holders
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Developing Agents For Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 チョクラルスキー引上げ法にもとづいて
引上げられる結晶１０３の製法であって、グリッパ装置
１２５ａ，１２５ｂが設けられており、このグリッパ装
置により、引上げプロセス時に半径方向で結晶周面に作
用して摩擦抵抗を上回る圧力により結晶が保持され、こ
れにより、成長する結晶の重量荷重が完全に受け止めら
れる。グリッパ装置は、それぞれ互いに対向して位置す
る少なくとも２つの保持装置１２８ａ、１２８ｂを備え
ており、この保持装置は、結晶の成長中にはまず結晶と
平行に走行し、所望の結晶直径の到達後には、溶融原料
領域内での結晶の成長が妨げられないような仕方で結晶
に装着される。 【効果】 最大に種結晶に負荷される引張応力が許容値
まで軽減されることが保証され、かつ、引き続き成長す
る結晶が公知方法で許容される全重量を上回っても、こ
の結晶が種結晶から剥離することが阻止される。
引上げられる結晶１０３の製法であって、グリッパ装置
１２５ａ，１２５ｂが設けられており、このグリッパ装
置により、引上げプロセス時に半径方向で結晶周面に作
用して摩擦抵抗を上回る圧力により結晶が保持され、こ
れにより、成長する結晶の重量荷重が完全に受け止めら
れる。グリッパ装置は、それぞれ互いに対向して位置す
る少なくとも２つの保持装置１２８ａ、１２８ｂを備え
ており、この保持装置は、結晶の成長中にはまず結晶と
平行に走行し、所望の結晶直径の到達後には、溶融原料
領域内での結晶の成長が妨げられないような仕方で結晶
に装着される。 【効果】 最大に種結晶に負荷される引張応力が許容値
まで軽減されることが保証され、かつ、引き続き成長す
る結晶が公知方法で許容される全重量を上回っても、こ
の結晶が種結晶から剥離することが阻止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチョクラルスキー引
上げ法に基づき種結晶から引上げられる単結晶の製造の
ための装置であって、結晶成長中に単結晶をつかみかつ
保持するための装置が設けられており、グリッパ装置
が、結晶を保持するために、結晶の周方向で互いに間隔
を置いて有利には対を成して対向して配置された少なく
とも２つのグリップアームを備えている形式のものに関
する。
上げ法に基づき種結晶から引上げられる単結晶の製造の
ための装置であって、結晶成長中に単結晶をつかみかつ
保持するための装置が設けられており、グリッパ装置
が、結晶を保持するために、結晶の周方向で互いに間隔
を置いて有利には対を成して対向して配置された少なく
とも２つのグリップアームを備えている形式のものに関
する。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法による単結晶の育成
のための装置は公知である。この種の装置では、育成す
べき結晶は溶融原料内に浸された種結晶から出発して、
溶融原料るつぼの降下又は溶融原料からの種結晶の上向
きの移動により育成される。この種の例えばシリコン溶
融原料から引上げられる単結晶はいわゆるウエハの製作
のための材料を形成する。
のための装置は公知である。この種の装置では、育成す
べき結晶は溶融原料内に浸された種結晶から出発して、
溶融原料るつぼの降下又は溶融原料からの種結晶の上向
きの移動により育成される。この種の例えばシリコン溶
融原料から引上げられる単結晶はいわゆるウエハの製作
のための材料を形成する。
【０００３】公知の装置によれば、育成法の継続的な改
善と、このために使用される装置とにより、結晶重量が
近年では３００ｋｇに及ぶ結晶重量にまで向上してい
る。しかし、チョクラルスキー法にもとづく比較的大直
径の単結晶の製造は極めて困難とされている。困難の主
たる理由は、引上げプロセスの終了時に結晶重量全体
が、該製法により制約される４〜５ｍｍの直径を有する
種結晶によってしか保持されないことにある。しかし、
種結晶からの結晶の剥離及びこれにより生じる結晶引上
装置の破損は回避されなければならない。結晶は最大引
張応力でしか負荷されることができないため、公知の結
晶引上装置では、制限された重量でかつ制約された寸法
の結晶しか製造することができない。
善と、このために使用される装置とにより、結晶重量が
近年では３００ｋｇに及ぶ結晶重量にまで向上してい
る。しかし、チョクラルスキー法にもとづく比較的大直
径の単結晶の製造は極めて困難とされている。困難の主
たる理由は、引上げプロセスの終了時に結晶重量全体
が、該製法により制約される４〜５ｍｍの直径を有する
種結晶によってしか保持されないことにある。しかし、
種結晶からの結晶の剥離及びこれにより生じる結晶引上
装置の破損は回避されなければならない。結晶は最大引
張応力でしか負荷されることができないため、公知の結
晶引上装置では、制限された重量でかつ制約された寸法
の結晶しか製造することができない。
【０００４】付加的な問題点は、引上げプロセス時に、
引上げプロセス中の結晶の回転により種結晶中に切欠応
力が形成され、これが単結晶による最大重力荷重を一層
減少せしめることにある。種結晶からの結晶の剥離が回
避されるような確実な育成プロセスを保証するために、
種結晶に作用する引張応力が許容最大引張応力より明ら
かに低く維持されるように引上げプロセス中のプロセス
パラメータが強制的に選択される。
引上げプロセス中の結晶の回転により種結晶中に切欠応
力が形成され、これが単結晶による最大重力荷重を一層
減少せしめることにある。種結晶からの結晶の剥離が回
避されるような確実な育成プロセスを保証するために、
種結晶に作用する引張応力が許容最大引張応力より明ら
かに低く維持されるように引上げプロセス中のプロセス
パラメータが強制的に選択される。
【０００５】それゆえ、この公知結晶育成装置の欠点
は、制限された全重量ひいては制限された結晶体積を有
する結晶しか製造することができないことにある。この
ような欠点は公知結晶引上装置による製造の経済性を不
利に制約している。
は、制限された全重量ひいては制限された結晶体積を有
する結晶しか製造することができないことにある。この
ような欠点は公知結晶引上装置による製造の経済性を不
利に制約している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題とすると
ころは、種結晶に作用する引張応力により最大に許容さ
れる重量に比して大きな重量若しくは体積を有する結晶
をチョクラルスキー法により製造することのできる装置
を提供することにある。
ころは、種結晶に作用する引張応力により最大に許容さ
れる重量に比して大きな重量若しくは体積を有する結晶
をチョクラルスキー法により製造することのできる装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、結晶体が所定の結晶長さの達成の後に該結晶体の周
面に圧着されるグリッパ装置により支持され、かつ該グ
リッパ装置が引上げ過程中の結晶のさらに増大する重量
荷重を完全に又は部分的に受け止めることにより解決さ
れた。
ば、結晶体が所定の結晶長さの達成の後に該結晶体の周
面に圧着されるグリッパ装置により支持され、かつ該グ
リッパ装置が引上げ過程中の結晶のさらに増大する重量
荷重を完全に又は部分的に受け止めることにより解決さ
れた。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、最大に種結晶に負荷さ
れる引張応力が許容値まで軽減されることが保証され、
かつ、引き続き成長する結晶が公知方法で許容される全
重量を上回っても、この結晶が種結晶から剥離すること
が阻止される。本発明にもとづくこの手段によれば、有
利に３００ｍｍ若しくは４００ｍｍより大きな直径で２
ｍより大きな長さを有する、若しくは３００ｋｇより大
きな重量を有する結晶を製造することができる。それゆ
え、本発明によれば、単結晶の生産時の経済性が明瞭に
向上する。
れる引張応力が許容値まで軽減されることが保証され、
かつ、引き続き成長する結晶が公知方法で許容される全
重量を上回っても、この結晶が種結晶から剥離すること
が阻止される。本発明にもとづくこの手段によれば、有
利に３００ｍｍ若しくは４００ｍｍより大きな直径で２
ｍより大きな長さを有する、若しくは３００ｋｇより大
きな重量を有する結晶を製造することができる。それゆ
え、本発明によれば、単結晶の生産時の経済性が明瞭に
向上する。
【０００９】本発明の別の構成では、引上げプロセス時
に結晶をつかむために、十分な結晶長さの達成の後に半
径方向でのみ結晶体に向けられた圧着力を生ぜしめる保
持装置が設けられている。結晶は育成されたネッキング
の形成の後にほぼコンスタントな直径で全長にわたり育
成される。半径方向で有利には対を成して結晶周囲に装
着される保持装置により、半径方向に向けられた分力が
結晶を結晶の軸方向の引上げ方向からずらすこと、及
び、溶融原料と結晶との間の凝固領域内で作用するプロ
セスパラメータの変化により結晶の成長の妨げが有利に
防止される。さらに、保持装置は単結晶の回転運動に対
して同軸的にかつ同じ向きで回転し、この場合、本発明
にもとづく保持装置及び単結晶は同じ角速度を有してい
る。これにより、保持装置が結晶に装着されている場合
には、溶融原料るつぼに関連した結晶の位置ひいては単
結晶成長に不利に影響するおそれのある接線方向の力若
しくは結晶への回転モーメントが結晶にまったく作用し
ない。
に結晶をつかむために、十分な結晶長さの達成の後に半
径方向でのみ結晶体に向けられた圧着力を生ぜしめる保
持装置が設けられている。結晶は育成されたネッキング
の形成の後にほぼコンスタントな直径で全長にわたり育
成される。半径方向で有利には対を成して結晶周囲に装
着される保持装置により、半径方向に向けられた分力が
結晶を結晶の軸方向の引上げ方向からずらすこと、及
び、溶融原料と結晶との間の凝固領域内で作用するプロ
セスパラメータの変化により結晶の成長の妨げが有利に
防止される。さらに、保持装置は単結晶の回転運動に対
して同軸的にかつ同じ向きで回転し、この場合、本発明
にもとづく保持装置及び単結晶は同じ角速度を有してい
る。これにより、保持装置が結晶に装着されている場合
には、溶融原料るつぼに関連した結晶の位置ひいては単
結晶成長に不利に影響するおそれのある接線方向の力若
しくは結晶への回転モーメントが結晶にまったく作用し
ない。
【００１０】本発明の有利な別の構成が請求項２以下に
記載してある。
記載してある。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に図示された特別有利な種々の
実施例につき本発明を詳しく説明する。
実施例につき本発明を詳しく説明する。
【００１２】図１乃至図６に示す結晶引上装置には、そ
れぞれ異なって形成されたグリッパ装置が設けられてお
り、該グリッパ装置によって結晶２７，３６，５０が軸
６，２５，４０，４５，５４に保持して吊り下げられて
いる。図１に示す結晶保持装置はほぼ２つの持上装置１
５，１６から成っており、該持上装置は２つの持上モー
タ３，１２により互いに無関係に駆動可能である。図１
には示してない溶融原料から引上げられる結晶は、種結
晶７のところで溶融原料から回転モータ２を用いて引上
軸６を回転させながら育成されて上方へ成長する。結晶
（図１には示してない）は、規定された最小長さの達成
の後に保持装置により摩擦係合的(kraftschluessig)に
保持され、この場合、保持装置は引上軸６に対して同軸
的に配置された軸１０を介して回転モータ８により回転
させられる。引上軸６から軸１０に配置された保持装置
への結晶荷重の可能な限り衝撃のない引渡を保証するた
めに、両方の持上装置１５，１６の軸方向の相対速度を
制御装置により又は制御回路により最小に、有利にはゼ
ロに調整することのできる手段が設けられている。結晶
荷重を持上装置１５から、保持装置を軸方向で駆動する
持上装置１６へ引渡した後では、結晶はもっぱら、摩擦
係合的に結晶をつかむ保持装置によって保持される。持
上装置１５，１６はフレーム５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，
５ｅ，５ｆ，５ｇにより空間的に不動に位置決めされて
いる。
れぞれ異なって形成されたグリッパ装置が設けられてお
り、該グリッパ装置によって結晶２７，３６，５０が軸
６，２５，４０，４５，５４に保持して吊り下げられて
いる。図１に示す結晶保持装置はほぼ２つの持上装置１
５，１６から成っており、該持上装置は２つの持上モー
タ３，１２により互いに無関係に駆動可能である。図１
には示してない溶融原料から引上げられる結晶は、種結
晶７のところで溶融原料から回転モータ２を用いて引上
軸６を回転させながら育成されて上方へ成長する。結晶
（図１には示してない）は、規定された最小長さの達成
の後に保持装置により摩擦係合的(kraftschluessig)に
保持され、この場合、保持装置は引上軸６に対して同軸
的に配置された軸１０を介して回転モータ８により回転
させられる。引上軸６から軸１０に配置された保持装置
への結晶荷重の可能な限り衝撃のない引渡を保証するた
めに、両方の持上装置１５，１６の軸方向の相対速度を
制御装置により又は制御回路により最小に、有利にはゼ
ロに調整することのできる手段が設けられている。結晶
荷重を持上装置１５から、保持装置を軸方向で駆動する
持上装置１６へ引渡した後では、結晶はもっぱら、摩擦
係合的に結晶をつかむ保持装置によって保持される。持
上装置１５，１６はフレーム５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，
５ｅ，５ｆ，５ｇにより空間的に不動に位置決めされて
いる。
【００１３】図３に示す実施例では、第１の持上装置１
９が持上モータ２０により駆動されており、該持上装置
により、吊り下げられた結晶２７を備える引上軸３３が
軸方向に移動される。引上軸３３は、連結された回転モ
ータ２８により回転させられる。別の回転モータ２２
が、引上室２１内に配置されてグリップアーム２３ａ，
２３ｂ及び締付ジョー２６ａ，２６ｂを備える保持装置
を引上軸３３の回転方向に対して同じ向きに回転せしめ
るために設けられている。第１の持上装置１９はプラッ
トフォームとしてのフレーム３０ａ，３０ｂ，３０ｃ上
に支えられて、かつ引上げプロセスの開始時点で結晶荷
重を支持している。最小の結晶長さの達成の後には、第
２の持上装置３４が結晶２７の完全に形成されるまで結
晶荷重の支持を受け持つ。
９が持上モータ２０により駆動されており、該持上装置
により、吊り下げられた結晶２７を備える引上軸３３が
軸方向に移動される。引上軸３３は、連結された回転モ
ータ２８により回転させられる。別の回転モータ２２
が、引上室２１内に配置されてグリップアーム２３ａ，
２３ｂ及び締付ジョー２６ａ，２６ｂを備える保持装置
を引上軸３３の回転方向に対して同じ向きに回転せしめ
るために設けられている。第１の持上装置１９はプラッ
トフォームとしてのフレーム３０ａ，３０ｂ，３０ｃ上
に支えられて、かつ引上げプロセスの開始時点で結晶荷
重を支持している。最小の結晶長さの達成の後には、第
２の持上装置３４が結晶２７の完全に形成されるまで結
晶荷重の支持を受け持つ。
【００１４】図４には引上室内に配置された保持装置
が、育成される結晶３６に関連して２つの位置Ｃ，Ｄで
示してある。この保持装置は、結晶周面に対して同軸的
かつ空間的に不動に配置されたランプ３７ａ，３７ｂ・
・を有しており、これらのランプにそれぞれ保持ジョー
３９ａ，３９ｂ・・が滑動可能に支承されている。保持
ジョー３９ａ，３９ｂ・・はそれぞれ、引上軸に配置さ
れた連行体４８ａ，４８ｂの上昇運動により駆動可能な
ばねロッド３５ａ，３５ｂ・・によって一方でランプ３
７ａ，３７ｂ・・のランプ面に、かつ他方で位置Ｃに在
る結晶３６に圧着される。結晶３６は保持ジョー３９
ａ，３９ｂの摩擦係合的な締付けにより、保持装置に関
連して固定的に保持され、この場合、軸方向で上方へ運
動される保持装置が引上軸の機能、即ち結晶３６の一様
な上昇運動を受け持つ。
が、育成される結晶３６に関連して２つの位置Ｃ，Ｄで
示してある。この保持装置は、結晶周面に対して同軸的
かつ空間的に不動に配置されたランプ３７ａ，３７ｂ・
・を有しており、これらのランプにそれぞれ保持ジョー
３９ａ，３９ｂ・・が滑動可能に支承されている。保持
ジョー３９ａ，３９ｂ・・はそれぞれ、引上軸に配置さ
れた連行体４８ａ，４８ｂの上昇運動により駆動可能な
ばねロッド３５ａ，３５ｂ・・によって一方でランプ３
７ａ，３７ｂ・・のランプ面に、かつ他方で位置Ｃに在
る結晶３６に圧着される。結晶３６は保持ジョー３９
ａ，３９ｂの摩擦係合的な締付けにより、保持装置に関
連して固定的に保持され、この場合、軸方向で上方へ運
動される保持装置が引上軸の機能、即ち結晶３６の一様
な上昇運動を受け持つ。
【００１５】図５に示す保持装置は、部分的に示す結晶
３６の２つの相対位置Ｃ，Ｄで示してある。位置Ｄで結
晶３６は最初の引上げ位置を占めて、種結晶に吊り下げ
られており、種結晶は引上軸４５に配置されていて該引
上軸と一緒に同方向に回転する。最小の結晶長さの達成
の後（位置Ｃ、参照）に、結晶３６は結晶の周囲に対し
て周方向に配置された複数の保持ジョー４２ａ，４２ｂ
・・により側方からつかまれる。保持ジョー４２ａ，４
２ｂ・・は一定の半径を備えたコンスタントな曲線経過
(Kurvenverlauf)を有するか、若しくは連続的に変化し
て曲率半径の減少若しくは増大する曲線経過を有してい
る。このように湾曲した保持面を有する保持ジョー４２
ａ，４２ｂ・・は一方では、引上軸４６に結合された支
持アーム４４ａ，４４ｂに懸架されたハンガー４３ａ，
４３ｂに回転可能に保持され、かつ他方では、軸４５に
結合された可動のばねロッド３５ａ，３５ｂ・・に保持
されている。ばねロッド３５ａ，３５ｂ・・は軸４６に
固定的に結合された楔４８ａ，４８ｂによって該楔の軸
方向の上昇に際して該楔との接触に基づき保持位置Ｃへ
もたらされる。これにより、保持ジョー４２ａ，４２ｂ
・・は圧着面を結晶周面に対して摩擦係合的に圧着さ
れ、従って結晶重量全体がハンガー４３ａ，４３ｂ・・
を介して支持アーム４４ａ，４４ｂ・・により保持され
る。
３６の２つの相対位置Ｃ，Ｄで示してある。位置Ｄで結
晶３６は最初の引上げ位置を占めて、種結晶に吊り下げ
られており、種結晶は引上軸４５に配置されていて該引
上軸と一緒に同方向に回転する。最小の結晶長さの達成
の後（位置Ｃ、参照）に、結晶３６は結晶の周囲に対し
て周方向に配置された複数の保持ジョー４２ａ，４２ｂ
・・により側方からつかまれる。保持ジョー４２ａ，４
２ｂ・・は一定の半径を備えたコンスタントな曲線経過
(Kurvenverlauf)を有するか、若しくは連続的に変化し
て曲率半径の減少若しくは増大する曲線経過を有してい
る。このように湾曲した保持面を有する保持ジョー４２
ａ，４２ｂ・・は一方では、引上軸４６に結合された支
持アーム４４ａ，４４ｂに懸架されたハンガー４３ａ，
４３ｂに回転可能に保持され、かつ他方では、軸４５に
結合された可動のばねロッド３５ａ，３５ｂ・・に保持
されている。ばねロッド３５ａ，３５ｂ・・は軸４６に
固定的に結合された楔４８ａ，４８ｂによって該楔の軸
方向の上昇に際して該楔との接触に基づき保持位置Ｃへ
もたらされる。これにより、保持ジョー４２ａ，４２ｂ
・・は圧着面を結晶周面に対して摩擦係合的に圧着さ
れ、従って結晶重量全体がハンガー４３ａ，４３ｂ・・
を介して支持アーム４４ａ，４４ｂ・・により保持され
る。
【００１６】図６に示す保持装置は、引上軸５４に対し
て同軸的に配置された湾曲アーム５２ａ，５２ｂから成
っており、該湾曲アームに回転軸受５６ａ，５６ｂ，を
介してそれぞれ１つの伸縮アーム５５ａ，５５ｂが結合
されている。伸縮アームは端部側で中間リンク５９ａ，
５９ｂを介して懸架部５８ａ，５８ｂに保持されてい
る。懸架部５８ａ，５８ｂは、種結晶５３に吊り下げら
れた結晶５０の引上運動時にそれぞれ１つの連行体５７
ａ，５７ｂにより引上軸に対して平行に上方へ移動させ
られる。これにより、中間リンク５９ａ，５９ｂを介し
て伸縮アーム５５ａ，５５ｂが伸長運動し、従って結晶
周面の近くに配置されて伸縮アーム５５ａ，５５ｂに固
定された締付ジョー５１ａ，５１ｂが、結晶周面に有利
には同軸的に圧着される。結晶５０は連行体５７ａ，５
７ｂが規定量だけ運動した後に締付ジョー５１ａ，５１
ｂ・・により摩擦係合的に保持され、これにより、種結
晶５３が部分的に又は完全に、成長プロセス中に増大す
る結晶荷重から解放される。
て同軸的に配置された湾曲アーム５２ａ，５２ｂから成
っており、該湾曲アームに回転軸受５６ａ，５６ｂ，を
介してそれぞれ１つの伸縮アーム５５ａ，５５ｂが結合
されている。伸縮アームは端部側で中間リンク５９ａ，
５９ｂを介して懸架部５８ａ，５８ｂに保持されてい
る。懸架部５８ａ，５８ｂは、種結晶５３に吊り下げら
れた結晶５０の引上運動時にそれぞれ１つの連行体５７
ａ，５７ｂにより引上軸に対して平行に上方へ移動させ
られる。これにより、中間リンク５９ａ，５９ｂを介し
て伸縮アーム５５ａ，５５ｂが伸長運動し、従って結晶
周面の近くに配置されて伸縮アーム５５ａ，５５ｂに固
定された締付ジョー５１ａ，５１ｂが、結晶周面に有利
には同軸的に圧着される。結晶５０は連行体５７ａ，５
７ｂが規定量だけ運動した後に締付ジョー５１ａ，５１
ｂ・・により摩擦係合的に保持され、これにより、種結
晶５３が部分的に又は完全に、成長プロセス中に増大す
る結晶荷重から解放される。
【００１７】図７乃至図１３に示す結晶引上装置には、
それぞれ異なって形成されたグリッパ装置が設けられて
おり、該グリッパ装置により、種結晶１１５を介して引
上ロープ１１０に吊り下げられた結晶１０３が最低結晶
長さの達成の後に確実に保持される。結晶１０３の保持
のために各実施例ごとにそれぞれ異なるグリッパ装置が
設けられている。このグリッパ装置は結晶１０３の付加
的な保持手段として役立っていて、図７若しくは図８に
示す実施例では第２のドラム１０２ｂによりスルース１
１８内に懸架されており、この場合、２つの巻上装置が
互いに並んで配置されている。両方の巻上装置は、第１
の２つのドラムが１つの軸に備えているという相違点を
除いて互いに同一に構成されている。グリッパの構成に
応じて、結晶荷重はレリーズばね１０９ａ，１０９ｂ；
１２４ａ，１２４ｂ；１３２ａ，１３２ｂ；１５２ａ，
１５２ｂ；１６４ａ，１６４ｂのレリーズ後に引上ロー
プ１１１ａ，１１１ｂにより支持される。制御装置の構
成に応じて結晶荷重は（図面には示されていない）３つ
のロープに懸架されてよく、この場合、ロープの伸長が
考慮される。
それぞれ異なって形成されたグリッパ装置が設けられて
おり、該グリッパ装置により、種結晶１１５を介して引
上ロープ１１０に吊り下げられた結晶１０３が最低結晶
長さの達成の後に確実に保持される。結晶１０３の保持
のために各実施例ごとにそれぞれ異なるグリッパ装置が
設けられている。このグリッパ装置は結晶１０３の付加
的な保持手段として役立っていて、図７若しくは図８に
示す実施例では第２のドラム１０２ｂによりスルース１
１８内に懸架されており、この場合、２つの巻上装置が
互いに並んで配置されている。両方の巻上装置は、第１
の２つのドラムが１つの軸に備えているという相違点を
除いて互いに同一に構成されている。グリッパの構成に
応じて、結晶荷重はレリーズばね１０９ａ，１０９ｂ；
１２４ａ，１２４ｂ；１３２ａ，１３２ｂ；１５２ａ，
１５２ｂ；１６４ａ，１６４ｂのレリーズ後に引上ロー
プ１１１ａ，１１１ｂにより支持される。制御装置の構
成に応じて結晶荷重は（図面には示されていない）３つ
のロープに懸架されてよく、この場合、ロープの伸長が
考慮される。
【００１８】図７及び図８に示す第１の実施例では、結
晶１０３がレリーズばね１０９ａ，１０９ｂに向かって
移動して、該レリーズばねがグリッパの固有重量により
たわめられて、圧着する力により空の状態のグリッパの
安定化を排除せしめる。グリッパは保持ジョー１１７
ａ，１１７ｂに固定された両方のロープ１１６ａ，１１
６ｂを介して保持される。この場合、保持ジョー対１１
７ａ，１１７ｂが回転して結晶１０３に当接する。これ
により、結晶の回転が排除される。結晶１０３と保持ジ
ョー１７ａ，１１７ｂとの間の摩擦係合と、てこ腕比ａ
／ｂとに基づき結晶１０３が保持される。てこ腕比ａ／
ｂの選択に応じて、極めて大きな保持力が生じる。結晶
における点荷重を最小にするために、結晶周囲に複数の
保持ジョーを互いに上下に配置することができる。持上
装置がすべて１つの回転プラットフオーム１１４上に配
置されていて互いに無関係に操作されることがてきるた
め、保持ジョー１１７ａ，１１７ｂによるグリッパの規
定された連結が結晶１０３との衝撃交番作用なしに得ら
れる。
晶１０３がレリーズばね１０９ａ，１０９ｂに向かって
移動して、該レリーズばねがグリッパの固有重量により
たわめられて、圧着する力により空の状態のグリッパの
安定化を排除せしめる。グリッパは保持ジョー１１７
ａ，１１７ｂに固定された両方のロープ１１６ａ，１１
６ｂを介して保持される。この場合、保持ジョー対１１
７ａ，１１７ｂが回転して結晶１０３に当接する。これ
により、結晶の回転が排除される。結晶１０３と保持ジ
ョー１７ａ，１１７ｂとの間の摩擦係合と、てこ腕比ａ
／ｂとに基づき結晶１０３が保持される。てこ腕比ａ／
ｂの選択に応じて、極めて大きな保持力が生じる。結晶
における点荷重を最小にするために、結晶周囲に複数の
保持ジョーを互いに上下に配置することができる。持上
装置がすべて１つの回転プラットフオーム１１４上に配
置されていて互いに無関係に操作されることがてきるた
め、保持ジョー１１７ａ，１１７ｂによるグリッパの規
定された連結が結晶１０３との衝撃交番作用なしに得ら
れる。
【００１９】図９に示す実施例では、保持ジョー１２８
ａ，１２８ｂの圧着力がてこ腕比ｃ／ｄのために調節さ
れる。保持ジョー１２８ａ，１２８ｂは単数又は複数の
対を成して設けられることができ、かつ結晶外周面への
当接の後に、結晶１０３を安定化する面圧迫を生ぜしめ
る。
ａ，１２８ｂの圧着力がてこ腕比ｃ／ｄのために調節さ
れる。保持ジョー１２８ａ，１２８ｂは単数又は複数の
対を成して設けられることができ、かつ結晶外周面への
当接の後に、結晶１０３を安定化する面圧迫を生ぜしめ
る。
【００２０】図１０に示す実施例では、グリッパの操作
機構が図７及び図８に示したものと類似的に構成されて
いる。この場合に第６実施例と異なる点は、保持ジョー
１３６ａ，１３６ｂが結晶外周面に対して斜めに配置さ
れたランプ１３４ａ，１３４ｂを介して案内されている
ことにあり、これにより、保持ジョー１３６ａ，１３６
ｂが結晶１０３に柔らかに当接することが保証される。
機構が図７及び図８に示したものと類似的に構成されて
いる。この場合に第６実施例と異なる点は、保持ジョー
１３６ａ，１３６ｂが結晶外周面に対して斜めに配置さ
れたランプ１３４ａ，１３４ｂを介して案内されている
ことにあり、これにより、保持ジョー１３６ａ，１３６
ｂが結晶１０３に柔らかに当接することが保証される。
【００２１】図１１に示す実施例では、グリッパ１４５
ａ，１４５ｂが図９に示す実施例に類似して形成されて
いる。この場合に前述の保持装置と異なる点は、グリッ
パ１４５ａ，１４５ｂが付加的な２つのバンド（支持バ
ンド）１４４ａ，１４４ｂに固定されており、このバン
ドが回転プラットフオーム１４２に懸架されていること
にある。この場合、バンド１４４ａ，１４４ｂは固定的
に配置されるか、又は付加的に持上駆動装置を備えてい
る。この手段によりオプションとして、軸方向のそのつ
どの結晶位置に無関係にグリッパを操作することができ
る。
ａ，１４５ｂが図９に示す実施例に類似して形成されて
いる。この場合に前述の保持装置と異なる点は、グリッ
パ１４５ａ，１４５ｂが付加的な２つのバンド（支持バ
ンド）１４４ａ，１４４ｂに固定されており、このバン
ドが回転プラットフオーム１４２に懸架されていること
にある。この場合、バンド１４４ａ，１４４ｂは固定的
に配置されるか、又は付加的に持上駆動装置を備えてい
る。この手段によりオプションとして、軸方向のそのつ
どの結晶位置に無関係にグリッパを操作することができ
る。
【００２２】図１２に示す実施例では、グリッパのレリ
ーズが、直接に結晶１０３により行われるのではなく、
ロープに固定されたレリーズディスク１５４を介して行
われる。これにより、レリーズばね１６４ａ，１６４ｂ
との接触による結晶体の機械的な負荷が回避される。
ーズが、直接に結晶１０３により行われるのではなく、
ロープに固定されたレリーズディスク１５４を介して行
われる。これにより、レリーズばね１６４ａ，１６４ｂ
との接触による結晶体の機械的な負荷が回避される。
【００２３】図１３に示す実施例では、グリッパがグリ
ッパの固有重量に基づき線材湾曲ばね１６３ａ，１６３
ｂ内に懸架されている。レリーズばね１６４ａ，１６４
ｂと結晶１０３との接触の後に、線材湾曲ばね１６３
ａ，１６３ｂが引上げられ、これにより、ロープループ
１６２ａ，１６２ｂが開放される。この場合、線材ルー
プは結晶１０３の周りに落下して結晶１０３を摩擦係合
的に固定的に保持する。
ッパの固有重量に基づき線材湾曲ばね１６３ａ，１６３
ｂ内に懸架されている。レリーズばね１６４ａ，１６４
ｂと結晶１０３との接触の後に、線材湾曲ばね１６３
ａ，１６３ｂが引上げられ、これにより、ロープループ
１６２ａ，１６２ｂが開放される。この場合、線材ルー
プは結晶１０３の周りに落下して結晶１０３を摩擦係合
的に固定的に保持する。
【図１】本発明の第１実施例による結晶引上装置の略示
図である。
図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ′に沿った断面図である。
【図３】ａ）は本発明の第２実施例にもとづく結晶保持
装置を備えた結晶引上装置の縦断面図、ｂ）はａ）のＡ
−Ａ′線に沿った断面図である。
装置を備えた結晶引上装置の縦断面図、ｂ）はａ）のＡ
−Ａ′線に沿った断面図である。
【図４】本発明の第３実施例にもとづく結晶保持装置を
備えた結晶引上装置を２つの引上げ位置Ｃ，Ｄで示す概
略図である。
備えた結晶引上装置を２つの引上げ位置Ｃ，Ｄで示す概
略図である。
【図５】本発明の第４実施例にもとづく結晶保持装置を
備えた結晶引上装置を結晶の２つの位置で示す概略図で
ある。
備えた結晶引上装置を結晶の２つの位置で示す概略図で
ある。
【図６】本発明の第５実施例にもとづく結晶保持装置を
備えた結晶引上装置を２つの結晶保持位置で示す概略図
である。
備えた結晶引上装置を２つの結晶保持位置で示す概略図
である。
【図７】本発明の第６実施例にもとづく結晶引上装置の
概略図である。
概略図である。
【図８】図７の結晶引上装置を９０゜異なる方向から見
た概略図である。
た概略図である。
【図９】本発明の第７実施例にもとづく結晶保持装置を
備えた結晶引上装置の概略図である。
備えた結晶引上装置の概略図である。
【図１０】本発明の第８実施例にもとづく結晶保持装置
を備えた結晶引上装置の概略図である。
を備えた結晶引上装置の概略図である。
【図１１】本発明の第９実施例にもとづく結晶保持装置
を備えた結晶引上装置の概略図である。
を備えた結晶引上装置の概略図である。
【図１２】本発明の第１０実施例にもとづく結晶保持装
置を備えた結晶引上装置の概略図である。
置を備えた結晶引上装置の概略図である。
【図１３】本発明のさらに別の実施例の概略側面図であ
る。
る。
１ 結晶引上装置、 ２ 回転モータ、 ３ 持上
モータ、 ４ 冷却媒体供給部、 ５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ フレーム、６ 持上軸、
７ 種結晶、 ８ 回転モータ、 ９ 冷却媒
体供給部、１０ 軸、 １１ スルース、 １２
持上モータ、 １３ 管、１４ ピン、 １５，１
６，１９ 持上装置、 ２０ 持上モータ、２１ 引
上室、 ２２ 回転モータ、 ２３ａ，２３ｂ グ
リップアーム、２４ スルース、 ２４ａ，２４ｂ，
２４ｃ グリッパ装置、 ２５引上軸、 ２６ａ，
２６ｂ，２６ｃ 締付ジョー、 ２７ 結晶、 ２
８回転モータ、 ２９ 磁気的なシール、 ３０
ａ，３０ｂ，３０ｄ フレーム、 ３１ 供給導管、
３２ 軸、 ３３ 引上軸、 ３４ 持上装
置、 ３５ａ，３５ｂ ばねロッド、 ３６ 結
晶、 ３７ａ，３７ｂランプ、 ３８ 種結晶、
３９ａ，３９ｂ 保持ジョー、 ４０ 引上軸、
４１ 種結晶、 ４２ａ，４２ｂ 保持ジョー、
４３ａ，４３ｂ ハンガー、 ４４ａ，４４ｂ 支
持アーム、 ４５ 引上軸、 ４６軸、 ４７
ａ，４７ｂ 連行体、 ４８ａ，４８ｂ 楔、 ５
０ 結晶、 ５１ａ，５１ｂ 締付ジョー、 ５２
ａ，５２ｂ 伸縮アーム、 ５３ 種結晶、 ５４
引上軸、 ５５ａ，５５ｂ 伸縮アーム、 ５６
ａ，５６ｂ 回転軸受、 ５７ａ，５７ｂ 連行体、
５８ａ，５８ｂ 懸架部、 １０２ａ，１０２ｂ
ドラム、 １０３ 結晶、 １０４ａ，１０４ｂ
ロープ偏向車、 １０５ 回転軸受、 １０７
歯車駆動装置、１０８ 結晶ネッキング、 １０９
ａ，１０９ｂ レリーズばね、 １１０ 引張ロー
プ、 １１１ａ，１１１ｂ ロープ、 １１２ａ，
１１２ｂ 持上モータ、 １１３ 結晶、 １１４
回転プラットホーム、 １１５ 種結晶、 １
１６ａ，１１６ｂ ロープ、 １１７ａ，１１７ｂ
保持ジョー、 １１８ スルース、 １２２ａ，１
２２ｂ ロープ、 １２３ 結晶、 １２４ａ，１
２４ｂ レリーズばね、 １２５ａ，１２５ｂ グリ
ッアーム、 １２６ 支持リング、 １２８ａ，１
２８ｂ 保持ジョー、 １３２ａ，１３２ｂ レリー
ズばね、 １３３ 支持リング、 １３４ａ，１３
４ｂ ランプ、 １３５ａ，１３５ｂ ロープ、
１３６ａ，１３６ｂ保持ジョー、 １４２ａ，１４２
ｂ 回転プラットホーム、 １４３ａ，１４３ｂ 偏
向軸受、 １４４ａ，１４４ｂ バンド（支持バン
ド）、 １４５ａ，１４５ｂ グリップアーム、
１４６ａ，１４６ｂ 保持ジョー、１５２ａ，１５２ｂ
レリーズばね、 １５３ａ，１５３ｂ 偏向軸受、
１５４ レリーズディスク、 １５５ａ，１５５ｂ
グリップアーム、 １５６ａ，１５６ｂ 保持ジョ
ー、 １５７ａ，１５７ｂ ロープ、 １６１ａ，
１６１ｂ 回り継手、 １６２ａ，１６２ｂ ロープ
ループ、 １６３ａ，１６３ｂ 線材湾曲ばね、
１６４ａ，１６４ｂ レリーズばね、 ａ，ｂ，ｃ，
ｄ てこ腕、 ａ／ｂ，ｃ／ｄ てこ腕比、 Ｃ
結晶を締付ジョーにより保持する位置、 Ｄ 結晶を
種結晶により保持する位置
モータ、 ４ 冷却媒体供給部、 ５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ フレーム、６ 持上軸、
７ 種結晶、 ８ 回転モータ、 ９ 冷却媒
体供給部、１０ 軸、 １１ スルース、 １２
持上モータ、 １３ 管、１４ ピン、 １５，１
６，１９ 持上装置、 ２０ 持上モータ、２１ 引
上室、 ２２ 回転モータ、 ２３ａ，２３ｂ グ
リップアーム、２４ スルース、 ２４ａ，２４ｂ，
２４ｃ グリッパ装置、 ２５引上軸、 ２６ａ，
２６ｂ，２６ｃ 締付ジョー、 ２７ 結晶、 ２
８回転モータ、 ２９ 磁気的なシール、 ３０
ａ，３０ｂ，３０ｄ フレーム、 ３１ 供給導管、
３２ 軸、 ３３ 引上軸、 ３４ 持上装
置、 ３５ａ，３５ｂ ばねロッド、 ３６ 結
晶、 ３７ａ，３７ｂランプ、 ３８ 種結晶、
３９ａ，３９ｂ 保持ジョー、 ４０ 引上軸、
４１ 種結晶、 ４２ａ，４２ｂ 保持ジョー、
４３ａ，４３ｂ ハンガー、 ４４ａ，４４ｂ 支
持アーム、 ４５ 引上軸、 ４６軸、 ４７
ａ，４７ｂ 連行体、 ４８ａ，４８ｂ 楔、 ５
０ 結晶、 ５１ａ，５１ｂ 締付ジョー、 ５２
ａ，５２ｂ 伸縮アーム、 ５３ 種結晶、 ５４
引上軸、 ５５ａ，５５ｂ 伸縮アーム、 ５６
ａ，５６ｂ 回転軸受、 ５７ａ，５７ｂ 連行体、
５８ａ，５８ｂ 懸架部、 １０２ａ，１０２ｂ
ドラム、 １０３ 結晶、 １０４ａ，１０４ｂ
ロープ偏向車、 １０５ 回転軸受、 １０７
歯車駆動装置、１０８ 結晶ネッキング、 １０９
ａ，１０９ｂ レリーズばね、 １１０ 引張ロー
プ、 １１１ａ，１１１ｂ ロープ、 １１２ａ，
１１２ｂ 持上モータ、 １１３ 結晶、 １１４
回転プラットホーム、 １１５ 種結晶、 １
１６ａ，１１６ｂ ロープ、 １１７ａ，１１７ｂ
保持ジョー、 １１８ スルース、 １２２ａ，１
２２ｂ ロープ、 １２３ 結晶、 １２４ａ，１
２４ｂ レリーズばね、 １２５ａ，１２５ｂ グリ
ッアーム、 １２６ 支持リング、 １２８ａ，１
２８ｂ 保持ジョー、 １３２ａ，１３２ｂ レリー
ズばね、 １３３ 支持リング、 １３４ａ，１３
４ｂ ランプ、 １３５ａ，１３５ｂ ロープ、
１３６ａ，１３６ｂ保持ジョー、 １４２ａ，１４２
ｂ 回転プラットホーム、 １４３ａ，１４３ｂ 偏
向軸受、 １４４ａ，１４４ｂ バンド（支持バン
ド）、 １４５ａ，１４５ｂ グリップアーム、
１４６ａ，１４６ｂ 保持ジョー、１５２ａ，１５２ｂ
レリーズばね、 １５３ａ，１５３ｂ 偏向軸受、
１５４ レリーズディスク、 １５５ａ，１５５ｂ
グリップアーム、 １５６ａ，１５６ｂ 保持ジョ
ー、 １５７ａ，１５７ｂ ロープ、 １６１ａ，
１６１ｂ 回り継手、 １６２ａ，１６２ｂ ロープ
ループ、 １６３ａ，１６３ｂ 線材湾曲ばね、
１６４ａ，１６４ｂ レリーズばね、 ａ，ｂ，ｃ，
ｄ てこ腕、 ａ／ｂ，ｃ／ｄ てこ腕比、 Ｃ
結晶を締付ジョーにより保持する位置、 Ｄ 結晶を
種結晶により保持する位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランツ ティム ドイツ連邦共和国 アルツェナウ アム バッハグラーベン ７
Claims (4)
- 【請求項１】 チョクラルスキー引上げ法に基づき種結
晶から引上げられる単結晶（２７，３６，５０，１０
３）の製造のための装置であって、結晶成長中に単結晶
をつかみかつ保持するための装置が設けられており、グ
リッパ装置（２４ａ，２４ｂ；２６ａ，２６ｂ；３９
ａ，３９ｂ；３７ａ，３７ｂ；４２ａ，４２ｂ；５１
ａ，５１ｂ；１１７ａ，１１７ｂ；１２５ａ，１２５
ｂ；１２６ａ，１２６ｂ；１２８ａ，１２８ｂ；１３４
ａ，１３４ｂ；１３６ａ，１３６ｂ；１４５ａ，１４５
ｂ；１４６ａ，１４６ｂ，１４３ａ，１４３ｂ；１５３
ａ，１５３ｂ；１５６ａ，１５６ｂ；１５５ａ，１５５
ｂ）が、結晶（２７，３６，５０，１０３）を保持する
ために、結晶（２７，３６，５０，１０３）の周方向で
互いに間隔を置いて対向して配置された少なくとも２つ
のグリップアーム（２３ａ，２３ｂ；３７ａ，３７ｂ；
４３ａ，４３ｂ；５５ａ，５５ｂ；１１７ａ，１１７
ｂ；１２５ａ，１２５ｂ；１４５ａ，１４５ｂ；１５５
ａ，１５５ｂ）を備えている形式のものにおいて、グリ
ップアーム（２３ａ，２３ｂ；３７ａ，３７ｂ；４３
ａ，４３ｂ；５５ａ，５５ｂ；１１７ａ，１１７ｂ；１
２５ａ，１２５ｂ；１４５ａ，１４５ｂ；１５５ａ，１
５５ｂ）が、結晶（２７，３６，５０，１０３）に向け
られた下端部に、育成される結晶外套面上に装着される
それぞれ１つの保持装置（２６ａ，２６ｂ；３９ａ，３
９ｂ；４２ａ，４２ｂ；５１ａ，５１ｂ；１１７ａ，１
１７ｂ；１２８ａ，１２８ｂ；１３６ａ，１３６ｂ；１
４６ａ，１４６ｂ）を有しており、該保持装置により結
晶（２７，３６，５０，１０３）が結晶成長中に摩擦係
合的につかまれて解離に対して保護されていて、かつ結
晶成長方向に対して平行に走行可能であり、この場合、
グリッパ装置（２４ａ，２４ｂ；２６ａ，２６ｂ；３９
ａ，３９ｂ；３７ａ，３７ｂ；４２ａ，４２ｂ；５１
ａ，５１ｂ；１１７ａ，１１７ｂ，１２８ａ，１２８
ｂ；１３６ａ，１３６ｂ；１４６ａ，１４６ｂ）によ
り、半径方向に向けられた保持圧だけが結晶（２７，３
６，５０，１０３）に作用しており、これにより、結晶
外周面と保持装置（２３ａ，２３ｂ；３７ａ，３７ｂ；
４３ａ，４３ｂ；５５ａ，５５ｂ；１１７ａ，１１７
ｂ；１２８ａ，１２８ｂ；１３６ａ，１３６ｂ；１４６
ａ，１４６ｂ）との間に、完全に育成された結晶（２
７，３６，５０，１０３）の重量を上回る摩擦抵抗が生
ぜしめられ、これにより、結晶（２７，３６，５０，）
が保持装置（２４ａ，２４ｂ；２６ａ，２６ｂ；３９
ａ，３９ｂ；３７ａ，３７ｂ；４２ａ，４２ｂ；５１
ａ，５１ｂ；１１７ａ，１１７ｂ；１２８ａ，１２８
ｂ；１３６ａ，１３６ｂ；１４６ａ，１４６ｂ）の摩擦
係合作用により支持されるようになっていることを特徴
とする結晶保持装置。 - 【請求項２】 結晶（２７，３６，５０，１０３）が、
最初に育成されたネッキングの形成の後に続いて育成さ
れる結晶長さにわたりコンスタントな直径を有している
請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 結晶（２７，３６，５０，１０３）又は
連行体（４８ａ，４８ｂ；５７ａ，５７ｂ）との接触時
に保持装置（２４ａ，２４ｂ；２６ａ，２６ｂ；３９
ａ，３９ｂ；３７ａ，３７ｂ；４２ａ，４２ｂ；５１
ａ，５１ｂ；１１７ａ，１１７ｂ；１２８ａ，１２８
ｂ；１３６ａ，１３６ｂ；１４６ａ，１４６ｂ）と結晶
（２７，３６，５０，１０３）との摩擦係合を生ぜしめ
るレリーズ部材（１０９ａ，１０９ｂ；１２４ａ，１２
４ｂ；１３２ａ１３２ｂ；１５２ａ１５２ｂ；１６４
ａ，１６４ｂ）が設けられている請求項１又は２記載の
装置。 - 【請求項４】 レリーズ部材がレリーズばね（１０９
ａ，１０９ｂ，１２４ａ，１２４ｂ；１３２ａ，１３２
ｂ；１５２ａ，１５２ｂ；１６４ａ，１６４ｂ）として
形成されている請求項３記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19621350 | 1996-05-28 | ||
| DE19621695 | 1996-05-30 | ||
| DE19621350.9 | 1996-05-30 | ||
| DE19621695.8 | 1996-05-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1059796A true JPH1059796A (ja) | 1998-03-03 |
Family
ID=26026088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9138744A Pending JPH1059796A (ja) | 1996-05-28 | 1997-05-28 | 結晶保持装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5902397A (ja) |
| JP (1) | JPH1059796A (ja) |
| KR (1) | KR970073915A (ja) |
| DE (2) | DE29709172U1 (ja) |
| IT (1) | IT1292010B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69926091T2 (de) * | 1998-03-13 | 2006-04-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zum Messen der mechanischen Festigkeit des Halsteils eines Kristallkeimes |
| US6203614B1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-03-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cable assembly for crystal puller |
| DE19939715B4 (de) * | 1999-08-21 | 2008-07-24 | Crystal Growing Systems Gmbh | Auf einer Ziehwelle einer Kristallziehanlage angeordneter Greifer |
| DE19939714A1 (de) * | 1999-08-21 | 2001-02-22 | Leybold Systems Gmbh | Auf einer Ziehwelle einer Kristallziehanlage angeordneter Greifer |
| DE10111953A1 (de) * | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Crystal Growing Systems Gmbh | Steuerbare Kristallunterstützung |
| US20070032570A1 (en) * | 2003-11-11 | 2007-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink comprising a block copolymer dispersing agent having a hydrophilic and a hydrophobic segment and an ink-applying process and apparatus using the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2733896C2 (de) * | 1977-07-27 | 1986-04-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum Haltern des mit dem Keimkristall versehenen Stabendes beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterkristallstäben |
| US4190630A (en) * | 1978-01-03 | 1980-02-26 | Vsesojuzny Nauchno-Isslekovatelsky Institut Monokristallov Stsintillyatsionnykh Materialov I Osobo Chistykh Khimicheskikh Veschestv | Apparatus for pulling single crystals from melt |
| US5173270A (en) * | 1987-04-09 | 1992-12-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Monocrystal rod pulled from a melt |
| JPH0631193B2 (ja) * | 1988-10-27 | 1994-04-27 | 信越半導体株式会社 | リチャージ装置 |
| DE69112463T2 (de) * | 1990-03-30 | 1996-02-15 | Shinetsu Handotai Kk | Vorrichtung zur Herstellung von Monokristallen nach dem Czochralski-Verfahren. |
| JP2605164B2 (ja) * | 1990-05-28 | 1997-04-30 | 信越半導体 株式会社 | 単結晶棒搬出装置及びその搬送方法 |
-
1997
- 1997-05-21 KR KR1019970019670A patent/KR970073915A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-05-24 DE DE29709172U patent/DE29709172U1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-24 DE DE19721784A patent/DE19721784A1/de not_active Ceased
- 1997-05-27 IT IT97MI001240A patent/IT1292010B1/it active IP Right Grant
- 1997-05-27 US US08/864,031 patent/US5902397A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-28 JP JP9138744A patent/JPH1059796A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ITMI971240A1 (it) | 1998-11-27 |
| IT1292010B1 (it) | 1999-01-25 |
| KR970073915A (ko) | 1997-12-10 |
| US5902397A (en) | 1999-05-11 |
| ITMI971240A0 (ja) | 1997-05-27 |
| DE29709172U1 (de) | 1997-07-31 |
| DE19721784A1 (de) | 1997-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3402012B2 (ja) | 単結晶の成長方法及び装置 | |
| JPH1059796A (ja) | 結晶保持装置 | |
| ZA200304849B (en) | Method and apparatus for feeding a stack of metallic sheets into a melting furnace. | |
| JP5005747B2 (ja) | 単結晶を引き上げるための装置 | |
| JPH09183694A (ja) | 単結晶保持装置 | |
| WO1998010125A1 (fr) | Appareil pour tirage de monocristal | |
| JP2990658B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP3400312B2 (ja) | 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法 | |
| US5951759A (en) | Apparatus of pulling up single crystals | |
| JPH09175882A (ja) | 単結晶引上げ装置の部材取扱方法、単結晶引上げ装置の部材取扱機構、及び単結晶引上げ装置の部材取扱治具 | |
| JP3874883B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置及び引き上げ方法 | |
| JP2990659B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP3986622B2 (ja) | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 | |
| JP2939917B2 (ja) | 単結晶インゴット取り出し装置 | |
| US4523972A (en) | Method of and apparatus for handling crystal ingots | |
| JP2956574B2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JP2990662B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH11314998A (ja) | シリコン単結晶の引き上げ装置およびこれを用いた引き上げ方法 | |
| TW386114B (en) | Single crystal pulling up apparatus | |
| JPH10139583A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH1081583A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| SU1291532A1 (ru) | Канатный грейфер | |
| JPS5895692A (ja) | 半導体結晶引上機の引上装置 | |
| JPH1112093A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および製造装置 | |
| JPH10279388A (ja) | 単結晶把持装置及び単結晶の把持部育成方法 |