JPH09175882A - 単結晶引上げ装置の部材取扱方法、単結晶引上げ装置の部材取扱機構、及び単結晶引上げ装置の部材取扱治具 - Google Patents

単結晶引上げ装置の部材取扱方法、単結晶引上げ装置の部材取扱機構、及び単結晶引上げ装置の部材取扱治具

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JPH09175882A
JPH09175882A JP7350721A JP35072195A JPH09175882A JP H09175882 A JPH09175882 A JP H09175882A JP 7350721 A JP7350721 A JP 7350721A JP 35072195 A JP35072195 A JP 35072195A JP H09175882 A JPH09175882 A JP H09175882A
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jig
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Takahiro Yanagimachi
隆弘 柳町
Satoshi Soeda
聡 添田
Atsushi Iwasaki
淳 岩崎
Yukinobu Takeyasu
志信 竹安
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Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 単結晶引上げ装置に用いる部材等を人力によ
らずに容易に昇降・移動等可能な単結晶引上げ装置に使
用する関連部材の取扱方法、そのための機構、及びそれ
らに用いる治具を提供する。 【解決手段】 結晶材料を加熱して融解させ、結晶材料
の融液Ｌ上においてＣＺ法により結晶材料の単結晶Ｃを
生成する単結晶引上げ装置において、単結晶引上げ装置
に用いる黒鉛製のルツボ１０４等の昇降，旋回等の取扱
をクレーン装置１と吊上げ治具２により行なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶材料を融解
し種子結晶を多結晶材料の融液から引き上げることによ
り単結晶を得る単結晶引上げ装置に使用する関連部材を
昇降、移動等する部材取扱方法、そのための機構、及び
それらに用いる治具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン等の半導体の多結晶材料
から単結晶を得る方法として、引上げ法（Czochralski
（チョクラルスキー）法：以下、「ＣＺ法」という。）
と、浮遊帯法（Floating Zone 法）が知られている。Ｃ
Ｚ法は、多結晶材料をいったん融解し、種子結晶を原料
融液から引き上げることにより単結晶を得る方法であ
り、種子結晶を引き上げる手段としてシャフトを用いる
方法とケーブルを用いる方法とがある。
【０００３】ケーブルを用いた従来の単結晶引上げ装置
の構成の例を図４に示す。図に示すように、この単結晶
引上げ装置１００は、チャンバ１０１と、チャンバ１０
１中に設けられたルツボ１０２と、ルツボ１０２の周囲
に配置されたヒータ１０５と、ルツボ１０２を回転させ
るルツボ保持軸１０７及び回転機構１０８と、シリコン
の種子結晶Ｓを保持する黒鉛製のシードチャック１１１
と、シードチャック１１１を引き上げるケーブル１１０
と、ケーブル１１０を回転又は巻き取る巻取機構１０９
を備えて構成されている。
【０００４】上記のチャンバ１０１は、円盤状のベース
プレート１０１Ｂと、ルツボ１０２等を収納するメイン
チャンバ１０１Ｍと、メインチャンバ１０１Ｍの天井部
となるトッププレート１０１Ｔと、トッププレート１０
１Ｔに接続しケーブル１１０や単結晶体を引き上げるた
めのプルチャンバ１０１Ｐを有している。
【０００５】ルツボ１０２は、内側の融液Ｌを収容する
側に石英製の石英ルツボ１０３が設けられ、石英ルツボ
１０３の外側には黒鉛製の黒鉛ルツボ１０４が設けられ
ている。ヒータ１０５は、通常黒鉛の筒材をジグザグ状
に加工したもので、前記ルツボを囲繞するように配置さ
れる。ヒータ１０５の外側周囲には、黒鉛材を円筒状に
形成した断熱筒１０６が配置されている。
【０００６】次に、上記の単結晶引上げ装置１００によ
る単結晶育成方法について説明する。まず、ルツボ１０
２内でシリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４００
°Ｃ）以上に加熱して融解する。次に、ケーブル１１０
を巻き出すことにより種子結晶Ｓを下降させ融液Ｌの表
面略中心部に種子結晶Ｓの先端を接触又は浸漬させる。
その後、ルツボ保持軸１０７を適宜の方向に回転させる
とともに、ケーブル１１０を回転させながら巻き取り種
子結晶Ｓを引き上げることにより、単結晶育成が開始さ
れる。以後、引上げ速度と温度を適切に調節することに
より略円柱形状の単結晶インゴットＣを得ることができ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近、
上記した従来の単結晶引上げ装置で育成する単結晶体が
大径化しており、それに伴い黒鉛ルツボ等の黒鉛部材も
大型化し、その重量も増加している。黒鉛部材を単結晶
引上げ装置のチャンバに搬入又は搬出する作業は、従来
は人力で行なわれていたが、上記した部材の大型化によ
り所要人数が増加する一方、大重量や高熱等のため作業
者に対する肉体的負担も大きく、また黒鉛は脆いので取
扱中に衝撃や落下等により部材を破損する危険も多かっ
た。
【０００８】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたものであり、本発明の解決しようとする課題は、単
結晶引上げ装置に用いる関連部材等を人力によらずに容
易に昇降・移動等可能な単結晶引上げ装置の関連部材の
取扱方法、そのための機構、及びそれらに用いる治具を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１記載の単結晶引上げ装置の部材取
扱方法は、結晶材料を加熱して融解させ、前記結晶材料
の融液上において引上げ法により前記結晶材料の単結晶
を生成する単結晶引上げ装置において、前記単結晶引上
げ装置に用いる関連部材に対する昇降又は旋回若しくは
水平移動を含む取扱を機械的機構により行なうことを特
徴とする。
【００１０】また、本発明の請求項２記載の単結晶引上
げ装置の部材取扱機構は、結晶材料を加熱して融解さ
せ、前記結晶材料の融液上において昇降可能に構成され
た種子結晶を有し、前記種子結晶を前記融液に接触させ
た後に引上げ前記結晶材料の単結晶を育成する単結晶引
上げ装置の部材取扱機構であって、前記単結晶引上げ装
置に用いる関連部材に昇降又は旋回若しくは水平移動を
含む取扱作業を行なわせるための駆動部と、前記駆動部
により駆動され前記取扱作業を行なう作業部と、前記関
連部材に装着されるとともに前記作業部と接続され前記
作業部による取扱作業を前記関連部材に伝達する部材取
扱治具を備えたことを特徴とする。
【００１１】また、本発明の請求項３記載の単結晶引上
げ装置の部材取扱機構は、請求項２記載の単結晶引上げ
装置の部材取扱機構において、前記作業部は前記部材取
扱治具を昇降可能なチェーン又はワイヤを有し、前記駆
動部は前記チェーン又はワイヤを巻取り又は巻出し可能
な構成を有することを特徴とする。
【００１２】また、本発明の請求項４記載の単結晶引上
げ装置の部材取扱機構は、請求項２又は請求項３記載の
単結晶引上げ装置の部材取扱機構において、前記単結晶
引上げ装置は、前記結晶材料を収容する容器、又は前記
容器を加熱する加熱部材、又は前記容器及び加熱部材を
断熱する断熱部材、又は前記単結晶育成時に前記融液に
気体を吹き付けるための整流部材の少なくとも一つを有
し、前記単結晶引上げ装置の部材取扱機構は、前記容
器、又は前記加熱部材、又は前記断熱部材、又は前記整
流部材の少なくとも一つを取り扱うことを特徴とする。
【００１３】また、本発明の請求項５記載の単結晶引上
げ装置の部材取扱機構は、請求項４記載の単結晶引上げ
装置の部材取扱機構において、前記容器、又は前記加熱
部材、又は前記断熱部材、又は前記整流部材の少なくと
も一つは炭素材料により形成されることを特徴とする。
【００１４】また、本発明の請求項６記載の単結晶引上
げ装置の部材取扱治具は、結晶材料を加熱して融解さ
せ、前記結晶材料の融液上において昇降可能に構成され
た種子結晶を有し、前記種子結晶を前記融液に接触させ
た後に引上げ前記結晶材料の単結晶を育成する単結晶引
上げ装置に用いる関連部材に昇降又は旋回若しくは水平
移動を含む取扱作業を行なわせるための駆動部と、前記
駆動部により駆動され前記取扱作業を行なう作業部を有
する部材取扱機構に用いる部材取扱治具であって、前記
関連部材に装着される装着部と、前記装着部と連結され
るとともに前記作業部と接続され前記作業部による昇降
又は旋回若しくは水平移動を含む取扱を受ける接続部を
備えたことを特徴とする。
【００１５】また、本発明の請求項７記載の単結晶引上
げ装置の部材取扱治具は、請求項６記載の単結晶引上げ
装置の部材取扱治具において、前記装着部は前記関連部
材の表面に係止される少なくとも２つの係止部を有する
ことを特徴とする。
【００１６】また、本発明の請求項８記載の単結晶引上
げ装置の部材取扱治具は、請求項６記載の単結晶引上げ
装置の部材取扱治具において、前記装着部は前記関連部
材の底部を支持する支持部を有することを特徴とする。
【００１７】また、本発明の請求項９記載の単結晶引上
げ装置の部材取扱治具は、請求項６ないし請求項８のう
ちのいずれか１項に記載の単結晶引上げ装置の部材取扱
治具において、少なくとも前記装着部は耐熱材料で形成
されたことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発
明に係る単結晶引上げ装置の部材取扱機構の第１実施形
態の構成を示したものであり、図１（Ａ）は全体構成
を、図１（Ｂ）は吊上げ治具１の一部の詳細構成を、そ
れぞれ示している。
【００１９】図１（Ａ）に示すように、この単結晶引上
げ装置の部材取扱機構は、単結晶引上げ装置のチャンバ
１０１の周囲を囲むフレーム１２０に取り付けられたク
レーン装置４と、吊上げ治具１を備えて構成されてい
る。
【００２０】クレーン装置４は、フレーム１２０に取り
付けられる旋回駆動部４５と、この旋回駆動部４５によ
り旋回駆動されるアーム部４０と、アーム部４０の旋回
中心となるヒンジ部４６と、アーム部４０の先端に取り
付けられる巻揚駆動部４１と、巻揚駆動部４１により昇
降駆動される巻揚チェーン４２と、巻揚チェーン４２の
下端に取り付けられたフック４３と、吊上げチェーン４
４を有している。巻揚駆動部４１は、電動モータ等（図
示せず）の駆動源と、ギヤボックス等（図示せず）の減
速機構及び駆動方向変換機構と、チェーン４２を巻き取
り又は巻き出すドラム等（図示せず）の機構を有してい
る。また、旋回駆動部４５は、電動モータ等（図示せ
ず）の駆動源と、ギヤボックス等（図示せず）の減速機
構及び駆動方向変換機構を有している。また、巻揚駆動
部４１と旋回駆動部４５には、ＯＮ／ＯＦＦスイッチあ
るいは駆動方向、速度等を制御するボタン等を有するコ
ントロールボックス（図示せず）が設けられている。ま
た、吊上げチェーン４４は、吊環４４Ｒを有している。
尚、吊り上げる関連部材が余り大きくなく、重量のない
比較的小型の引上げ装置では、旋回駆動部４５は必ずし
も必要ではなく、旋回は手動にても容易に行うことがで
きる。
【００２１】吊上げ治具１は、図１（Ａ）及び図１
（Ｂ）に示すように、水平部材１０と、水平部材１０の
一端に取り付けられる固定垂直部材１１と、水平部材１
０の他端に取り付けられる可動垂直部材１２と、可動垂
直部材１２を回動可能に支持するヒンジ部１３と、可動
垂直部材１２を固定するストッパ穴１４を有している。
【００２２】上記の水平部材１０には、その両端付近に
チェーン取付穴１０Ｈが２個設けられている。固定垂直
部材１１は、水平部材１０の一端に固定されている。ま
た、可動垂直部材１２は、補助プレート１８を有してお
り、この補助プレート１８に開設されたヒンジ部１３に
より水平部材１０の他端にヒンジ支持されている。スト
ッパ穴１４は、補助プレート１８と水平部材１０とを貫
通する貫通孔である。この貫通孔に、嵌合可能なストッ
パピン１５を挿通して嵌合させることにより、ヒンジ部
１３を中心とする可動垂直部材１２の外側へ開く方向へ
の回動が阻止される。
【００２３】固定垂直部材１１と可動垂直部材１２に
は、それぞれ１対の嵌合ピン１６と１７が内側に向け互
いに対向するように設けられている。一方、上記した単
結晶引上げ装置１００の構成部材のうち、黒鉛ルツボ１
０４には、その外側表面の対向する２箇所にそれぞれ１
対のピン穴１０４Ｈが設けられており、上記の嵌合ピン
１６，１７と嵌合可能となっている。
【００２４】上記のような構成により、ストッパ穴１４
からストッパピン１５を抜いて可動垂直部材１２をヒン
ジ部１３まわりで外側へ開く方向への回動が可能な状態
にし、可動垂直部材１２を外側に開く。次に、固定垂直
部材１１の嵌合ピン１６，１６を、黒鉛ルツボ１０４の
１対のピン穴１０４Ｈ，１０４Ｈに嵌合させる。次に、
可動垂直部材１２を内側方向へ回動させ、可動垂直部材
１２の嵌合ピン１７，１７を黒鉛ルツボ１０４の他の１
対のピン穴１０４Ｈ，１０４Ｈに嵌合させた後に、スト
ッパ穴１４にストッパピン１５を挿通・嵌合させ、可動
垂直部材１２を固定する。
【００２５】その後、水平部材１０のチェーン取付穴１
０Ｈ，１０Ｈにチェーン４４を取り付け、チェーン４４
の吊環４４Ｒにクレーン装置４のフック４３を引掛け、
巻揚駆動部４１を駆動させてチェーン４４を上昇させる
ことにより、黒鉛ルツボ１０４を吊上げることができ
る。次に、旋回駆動部４５を駆動させてアーム部４０を
旋回させることにより、黒鉛ルツボ１０４を所望の方向
へ旋回させることができる。したがって、これらの昇降
・旋回動作を組み合わせることにより、プルチャンバ１
０１Ｐとトッププレート１０１Ｔを取り外し、メインチ
ャンバ１０１Ｍ内に黒鉛ルツボ１０４を据え付けたり、
メインチャンバ１０１Ｍ内の黒鉛ルツボ１０４を外部へ
搬出することができる。
【００２６】上記のように、吊上げ治具１は、黒鉛ルツ
ボ１０４等の昇降等の取扱を行なうが、単結晶引上げ終
了後も、黒鉛ルツボ１０４には高熱が残っていることも
多いので、少なくとも黒鉛ルツボ１０４に直接接触する
嵌合ピン１６，１７と各垂直部材１１，１２、望ましく
は吊上げ治具１の他の部分も、ステンレス鋼（ＳＵＳ）
あるいはモリブデン等の耐熱性と強度を有する金属材料
等で形成する。
【００２７】次に、本発明の他の実施形態の構成と作用
について説明する。図２は、本発明に係る単結晶引上げ
装置の部材取扱機構の第２実施形態における吊上げ治具
２の構成を示したものである。クレーン装置は、図１
（Ａ）に示すものとまったく同一である。
【００２８】図に示すように、この吊上げ治具２は、水
平部材２０と、水平部材２０の一端に取り付けられる固
定垂直部材２１と、水平部材２０の他端に取り付けられ
る可動垂直部材２２と、可動垂直部材２２を回動可能に
支持するヒンジ部２３と、可動垂直部材２２を固定する
ストッパ穴２４を有している。
【００２９】上記の水平部材２０には、その両端付近に
チェーン取付環２０Ｒが２個設けられている。固定垂直
部材２１は、水平部材２０の一端に固定されている。ま
た、可動垂直部材２２は、上記した吊上げ治具１と同様
に、補助プレート２８を有しており、この補助プレート
２８に開設されたヒンジ部２３により水平部材２０の他
端にヒンジ支持されている。ストッパ穴２４は、補助プ
レート２８と水平部材２０とを貫通する貫通孔である。
この貫通孔に、嵌合可能なストッパピン（図示せず）を
挿通して嵌合させることにより、ヒンジ部２３を中心と
する可動垂直部材２２の回動が阻止される。
【００３０】固定垂直部材２１と可動垂直部材２２に
は、それぞれ１対の嵌合ピン２６と２７が外側に向け互
いに背向するように設けられている。一方、上記した単
結晶引上げ装置１００の構成部材のうち、断熱筒１０６
には、その内側表面の対向する２箇所にそれぞれ１対の
ピン穴１０６Ｈが設けられており、上記の嵌合ピン２
６，２７と嵌合可能となっている。
【００３１】上記のような構成により、ストッパ穴２４
からストッパピン（図示せず）を抜いて可動垂直部材２
２をヒンジ部２３まわりで外側へ開く方向への回動が可
能な状態にし、可動垂直部材２２を内側に曲げる。次
に、可動垂直部材２２を内側へ曲げた状態で吊上げ治具
２を断熱筒１０６の内側へ入れ、固定垂直部材２１の嵌
合ピン２７，２７を、断熱筒１０６の１対のピン穴１０
６Ｈ，１０６Ｈに嵌合させる。次に、可動垂直部材２２
を外側方向へ回動させ、可動垂直部材２２の嵌合ピン２
６，２６を断熱筒１０６の他の１対のピン穴１０６Ｈ，
１０６Ｈに嵌合させた後に、ストッパ穴２４にストッパ
ピン（図示せず）を挿通・嵌合させ、可動垂直部材２２
を固定する。
【００３２】その後、水平部材２０のチェーン取付環２
０Ｒ，２０Ｒにチェーン４４を取り付け、チェーン４４
の吊環４４Ｒにクレーン装置４のフック４３を引掛けれ
ば、上記した第１実施形態の吊上げ治具１と同様に、巻
揚駆動部４１と旋回駆動部４５による昇降・旋回動作を
組み合わせることにより、メインチャンバ１０１Ｍ内に
断熱筒１０６を据え付けたり、メインチャンバ１０１Ｍ
内の断熱筒１０６を外部へ搬出することができる。
【００３３】上記のように、吊上げ治具２は、断熱筒１
０６等の昇降等の取扱を行なうが、単結晶引上げ終了後
も、断熱筒１０６には高熱が残っていることも多いの
で、少なくとも断熱筒１０６に直接接触する嵌合ピン２
６，２７と各垂直部材２１，２２、望ましくは吊上げ治
具２の他の部分も、ステンレス鋼（ＳＵＳ）あるいはモ
リブデン等の耐熱性と強度を有する金属材料等で形成す
る。
【００３４】次に、本発明の他の実施形態の構成と作用
について説明する。図３は、本発明に係る単結晶引上げ
装置の部材取扱機構の第３実施形態における吊上げ治具
３の構成を示したものである。
【００３５】図に示すように、この吊上げ治具３は、上
部環状部材３１と、下部環状部材３２と、これらの中間
に配置される中間環状部材３３と、垂直部材３４と、底
板３５を有している。各環状部材３１，３２，３３と垂
直部材３４の交差部は連結されており、全体として上部
と下部が開放した籠体を形成している。
【００３６】上記の上部環状部材３１には、その上縁に
チェーン取付環３１Ｒが３個設けられている。また、上
記の下部環状部材３２には、環状部材の一部に水平方向
のスリット３２Ｓが形成されており、底板３５が挿入さ
れ保持されるようになっている。
【００３７】上記のような構成により、各環状部材３
１，３２，３３と垂直部材３４とで形成される籠体を、
円筒状のヒータ１０５の上から被せる。このヒータ１０
５の下部には、電極と接続するためのヒータ足部１３０
が設けられている。このヒータ足部１３０の高さは、籠
体の下縁からスリット３２Ｓまでの高さよりも高く設定
されている。次に、スリット３２Ｓへ底板３５を挿入
し、ヒータ１０５を底板３５の上に載せて支持させる。
このようにして、ヒータ１０５を、各環状部材３１，３
２，３３と垂直部材３４とで形成される籠体の底板３５
上に支持し、かつ籠体の側面を構成する部材によりヒー
タ１０５の落下を防ぐことができる。
【００３８】その後、上部環状部材３１のチェーン取付
環３１Ｒにチェーン（図示せず）を取り付け、チェーン
（図示せず）の吊環（図示せず）にクレーン装置４のフ
ック４３を引掛ければ、上記各実施形態の吊上げ治具
１，２と同様に、巻揚駆動部４１と旋回駆動部４５によ
る昇降・旋回動作を組み合わせることにより、メインチ
ャンバ１０１Ｍ内にヒータ１０５を据え付けたり、メイ
ンチャンバ１０１Ｍ内のヒータ１０５を外部へ搬出する
ことができる。この場合には、チェーン（図示せず）
は、上記した第１，２実施形態の場合とは異なり、３本
のチェーン（図示せず）の一端が連結され連結点に吊環
（図示せず）を取り付けて構成される。
【００３９】上記のように、吊上げ治具３は、ヒータ１
０５等の昇降等の取扱を行なうが、単結晶引上げ終了後
も、ヒータ１０５には高熱が残っていることも多いの
で、少なくともヒータ１０５に直接接触する底板３５、
望ましくは吊上げ治具３の他の部分も、ステンレス鋼
（ＳＵＳ）あるいはモリブデン等の耐熱性と強度を有す
る金属材料等で形成する。
【００４０】上記各実施形態において、吊上げ治具１，
２，３は、部材取扱治具に相当している。また、単結晶
引上げ装置１００の黒鉛ルツボ１０４と、断熱筒１０６
と、ヒータ１０５は、関連部材に相当し、黒鉛ルツボ１
０４は容器に、断熱筒１０６は断熱部材に、ヒータ１０
５は加熱部材に、それぞれ相当している。また、巻揚駆
動部４１と旋回駆動部４５は、駆動部に相当している。
また、チェーン４２とフック４３、及びアーム部４０
は、作業部に相当している。また、吊上げ治具１におけ
る嵌合ピン１６，１７と各垂直部材１１，１２、吊上げ
治具２における嵌合ピン２６，２７と各垂直部材２１，
２２、及び吊上げ治具３における底板３５は、部材取扱
治具の装着部に相当している。また、吊上げ治具１にお
ける嵌合ピン１６，１７と吊上げ治具２における嵌合ピ
ン２６，２７は、係止部に相当している。また、吊上げ
治具３における底板３５は支持部に相当している。ま
た、吊上げ治具１における補助プレート１８とストッパ
ピン１５とヒンジ部１３と水平部材１０、吊上げ治具２
における補助プレート２８とストッパピン（図示せず）
とヒンジ部２３と水平部材２０とチェーン取付環２０
Ｒ、吊上げ治具３における各環状部材３１，３２，３３
と垂直部材３４とで形成される籠体は、部材取扱治具の
接続部に相当している。
【００４１】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４２】例えば、上記実施形態においては、単結晶
引上げ装置により単結晶を得るための材料としてシリコ
ン等の半導体を例に挙げて説明したが、本発明はこれに
は限定されず、他の結晶材料であってもよい。
【００４３】また、上記実施形態においては、シードチ
ャックやルツボ等が黒鉛等の炭素材で形成された例につ
いて説明したが、本発明はこれには限定されず、融液等
の高温に耐えることができ、引き上げる単結晶体の重量
等を支持し得る強度を有し、かつ融液や単結晶体に不純
物を与えたり有害な反応を生じたりしない性質を有する
ものであれば他の材料で形成してもよい。例えば、金属
材料としてはモリブデン、タングステン等であり、その
他としては黒鉛、炭素繊維強化炭素複合材料等の炭素系
材料、窒化物セラミックス、炭化物セラミックス等のセ
ラミックス材料などである。
【００４４】また、上記実施形態においては、単結晶引
上げ装置に用いる関連部材として、黒鉛ルツボ、断熱
筒、ヒータを例に挙げて説明したが、本発明はこれには
限定されず、他の部材、例えば単結晶引上げ時に融液に
気体を吹き付けるための整流筒等の整流部材も関連部材
に含まれる。
【００４５】また、上記実施形態においては、関連部材
に対して行う取扱作業として、昇降と旋回を例に挙げて
説明したが、本発明はこれには限定されず、他の取扱、
例えば水平方向への直線的な移動、所定位置における停
止、装着部からの解放なども含まれる。また、上記の旋
回には、垂直軸（ｚ軸）まわりの旋回と、水平軸（ｘ軸
又はｙ軸）まわりの旋回が含まれる。また、上記の取扱
は、昇降と旋回と水平移動の適宜の組み合わせ、例え
ば、斜め方向への移動や、斜軸まわりの旋回等であって
もよい。
【００４６】また、上記実施形態においては、関連部材
に対して行う取扱作業を行なう機械的機構として、電動
モータを駆動源とする機構を例に挙げて説明したが、本
発明はこれには限定されず、他の機械的機構、例えば油
圧シリンダ、油圧モータ等を駆動源とする機構なども含
まれる。
【００４７】また、上記実施形態においては、部材取扱
治具の装着部として、嵌合ピン等の係止部を関連部材表
面に係止して吊上げ等を行うもの、あるいは底板等の支
持部により関連部材の底部を支持して吊上げ等を行うも
のを例に挙げて説明したが、本発明はこれには限定され
ず、他の構成の装着部、例えば関連部材に一体形成され
た吊環や吊上げ用穴等により吊上げ等を行うものであっ
てもよい。上記の係止部を関連部材表面に係止して吊上
げ等を行うものの場合、上記第１，２実施形態のよう
に、水平部材の一端のみに可動垂直部材を設ける方式だ
けでなく、水平部材の両端に可動垂直部材を設ける方式
であってもよい。上記の関連部材の底部を支持して吊上
げ等を行うものの場合、上記第３実施形態のように、底
板をスリットに挿入する方式だけでなく、筒体に底板を
固定しておき、側面の一部が蝶着等により開閉可能な扉
状に形成された構造とし、この扉を開けた後に関連部材
を横移動させて底板上に載置し、扉を閉鎖して吊上げ等
を行うものであってもよい。あるいはまた、底板を有す
る筒体を２分割して分割された側面のうちの一方を蝶着
するとともに、他方の側面を錠等により開放・閉鎖可能
に構成し、錠を開けて筒体を開き、関連部材を横移動さ
せて一方の２分割底板上に載置し、筒体を閉めて錠を閉
鎖し吊上げ等を行うように構成したものであってもよ
い。
【００４８】また、上記実施形態においては、チェーン
を用いたクレーン装置を例に挙げて説明したが、本発明
はこれには限定されず、ワイヤ等を用いたクレーン装置
であってもよい。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る単結
晶引上げ装置の部材取扱方法、機構及び治具によれば、
単結晶引上げ装置に用いる関連部材に対する昇降又は旋
回若しくは水平移動を含む取扱を機械的機構により行な
うようにしたので、大重量や高熱等の関連部材を、人力
によらずに容易に取り扱うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る単結晶引上げ装置の部材取扱機構
の第１実施形態の構成を示す図である。（Ａ）全体構成
図 （Ｂ）吊上げ治具１の一部の詳細構成
【図２】本発明に係る単結晶引上げ装置の部材取扱機構
の第２実施形態の構成を示す図である。
【図３】本発明に係る単結晶引上げ装置の部材取扱機構
の第３実施形態の構成を示す図である。
【図４】単結晶引上げ装置の全体構成を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１，２，３ 吊上げ治具 ４ クレーン装置 １０ 水平部材 １０Ｈ チェーン
取付穴 １１ 固定垂直部材 １２ 可動垂直部
材 １３ ヒンジ部 １４ ストッパ穴 １５ ストッパピン １６，１７ 嵌合
ピン １８ 補助プレート ２０ 水平部材 ２０Ｒ チェーン取付環 ２１ 固定垂直部
材 ２２ 可動垂直部材 ２３ ヒンジ部 ２４ ストッパ穴 ２６，２７ 嵌合
ピン ２８ 補助プレート ３１ 上部環状部
材 ３１Ｒ チェーン取付環 ３２ 下部環状部
材 ３２Ｓ スリット ３３ 中間環状部
材 ３４ 垂直部材 ３５ 底板 ４０ アーム部 ４１ 巻揚駆動部 ４２ 巻揚チェーン ４３ フック ４４ 吊上げチェーン ４４Ｒ 吊環 ４５ 旋回駆動部 ４６ ヒンジ部 １００ 単結晶引上げ装置 １０１ チャンバ １０１Ｂ ベースプレート １０１Ｍ メイン
チャンバ １０１Ｐ プルチャンバ １０１Ｔ トップ
プレート １０２ ルツボ １０３ 石英ルツ
ボ １０４ 黒鉛ルツボ １０４Ｈ ピン穴 １０５ ヒータ １０６ 断熱筒 １０６Ｈ ピン穴 １０７ ルツボ保
持軸 １０８ 回転機構 １０９ 巻取機構 １１０ ケーブル １１１ シードチ
ャック １２０ フレーム １３０ ヒータ足
部 Ｃ 単結晶インゴット Ｌ シリコン融液 Ｓ 種子結晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹安 志信 東京都千代田区丸の内１丁目４番２号 信 越半導体株式会社本社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 結晶材料を加熱して融解させ、前記結晶
    材料の融液上において引上げ法により前記結晶材料の単
    結晶を育成する単結晶引上げ装置において、 前記単結晶引上げ装置に用いる関連部材に対する昇降又
    は旋回若しくは水平移動を含む取扱を機械的機構により
    行なうことを特徴とする単結晶引上げ装置の部材取扱方
    法。
  2. 【請求項２】 結晶材料を加熱して融解させ、前記結晶
    材料の融液上において昇降可能に構成された種子結晶を
    有し、前記種子結晶を前記融液に接触させた後に引上げ
    前記結晶材料の単結晶を育成する単結晶引上げ装置の部
    材取扱機構であって、 前記単結晶引上げ装置に用いる関連部材に昇降又は旋回
    若しくは水平移動を含む取扱作業を行なわせるための駆
    動部と、前記駆動部により駆動され前記取扱作業を行な
    う作業部と、前記関連部材に装着されるとともに前記作
    業部と接続され前記作業部による取扱作業を前記関連部
    材に伝達する部材取扱治具を備えたことを特徴とする単
    結晶引上げ装置の部材取扱機構。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の単結晶引上げ装置の部材
    取扱機構において、 前記作業部は前記部材取扱治具を昇降可能なチェーン又
    はワイヤを有し、前記駆動部は前記チェーン又はワイヤ
    を巻取り又は巻出し可能な構成を有することを特徴とす
    る単結晶引上げ装置の部材取扱機構。
  4. 【請求項４】 請求項２又は請求項３記載の単結晶引上
    げ装置の部材取扱機構において、 前記単結晶引上げ装置は、前記結晶材料を収容する容
    器、又は前記容器を加熱する加熱部材、又は前記容器及
    び加熱部材を断熱する断熱部材、又は前記単結晶育成時
    に前記融液に気体を吹き付けるための整流部材の少なく
    とも一つを有し、 前記単結晶引上げ装置の部材取扱機構は、前記容器、又
    は前記加熱部材、又は前記断熱部材、又は前記整流部材
    の少なくとも一つを取り扱うことを特徴とする単結晶引
    上げ装置の部材取扱機構。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の単結晶引上げ装置の部材
    取扱機構において、 前記容器、又は前記加熱部材、又は前記断熱部材、又は
    前記整流部材の少なくとも一つは炭素材料により形成さ
    れることを特徴とする単結晶引上げ装置の部材取扱機
    構。
  6. 【請求項６】 結晶材料を加熱して融解させ、前記結晶
    材料の融液上において昇降可能に構成された種子結晶を
    有し、前記種子結晶を前記融液に接触させた後に引上げ
    前記結晶材料の単結晶を育成する単結晶引上げ装置に用
    いる関連部材に昇降又は旋回若しくは水平移動を含む取
    扱作業を行なわせるための駆動部と、前記駆動部により
    駆動され前記取扱作業を行なう作業部を有する部材取扱
    機構に用いる部材取扱治具であって、 前記関連部材に装着される装着部と、前記装着部と連結
    されるとともに前記作業部と接続され前記作業部による
    昇降又は旋回若しくは水平移動を含む取扱を受ける接続
    部を備えたことを特徴とする単結晶引上げ装置の部材取
    扱治具。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の単結晶引上げ装置の部材
    取扱治具において、 前記装着部は前記関連部材の表面に係止される少なくと
    も２つの係止部を有することを特徴とする単結晶引上げ
    装置の部材取扱治具。
  8. 【請求項８】 請求項６記載の単結晶引上げ装置の部材
    取扱治具において、 前記装着部は前記関連部材の底部を支持する支持部を有
    することを特徴とする単結晶引上げ装置の部材取扱治
    具。
  9. 【請求項９】 請求項６ないし請求項８のうちのいずれ
    か１項に記載の単結晶引上げ装置の部材取扱治具におい
    て、 少なくとも前記装着部は耐熱材料で形成されたことを特
    徴とする単結晶引上げ装置の部材取扱治具。
JP7350721A 1995-12-26 1995-12-26 単結晶引上げ装置の部材取扱方法、単結晶引上げ装置の部材取扱機構、及び単結晶引上げ装置の部材取扱治具 Pending JPH09175882A (ja)

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US08/759,223 US5888298A (en) 1995-12-26 1996-12-05 Member-handling mechanism, and member-handling jig for a crystal pulling apparatus
EP96309094A EP0781867B1 (en) 1995-12-26 1996-12-13 Method, mechanism and jig for member handling in a crystal pulling apparatus
DE69610189T DE69610189T2 (de) 1995-12-26 1996-12-13 Verfahren, Vorrichtung und Stütze zur Handhabung eines Bauteiles einer Kristallziehungsvorrichtung
KR1019960071562A KR970043342A (ko) 1995-12-26 1996-12-24 단결정인상장치의 부재취급방법,단결정인상장치의 부재취급기구, 및 단결정인상장치의 부재취급지그

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103523651A (zh) * 2012-07-06 2014-01-22 中国北车集团大同电力机车有限责任公司 机车风缸吊装工装及吊装系统

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6063188A (en) 1998-05-20 2000-05-16 Seh-America. Inc. Crucible with differentially expanding release mechanism
US6203614B1 (en) * 1999-05-28 2001-03-20 Memc Electronic Materials, Inc. Cable assembly for crystal puller
JP2005269709A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Maguneo Giken:Kk 磁気回転伝達装置及び密閉撹拌装置
US20050232824A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Pangrcic Robert A High temperature electrolyte testing container
EP2776613A4 (en) * 2011-11-07 2015-12-16 Graftech Int Holdings Inc GRAPHITE MELTING TAPE FOR THE PRODUCTION OF SILICONE CRYSTALS AND METHOD FOR THE REMOVAL OF CRYSTAL BLOCKS
DE102016002553B4 (de) 2016-03-04 2018-12-06 Krasimir Kosev Einkristallzüchtungsvorrichtung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2745247C3 (de) * 1977-10-07 1980-03-13 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren und Vorrichtung zur semikontinuierlichen Herstellung von Siliciumformkörpern
US4454096A (en) * 1981-06-15 1984-06-12 Siltec Corporation Crystal growth furnace recharge
US4523972A (en) * 1983-11-28 1985-06-18 At&T Technologies, Inc. Method of and apparatus for handling crystal ingots
US5429341A (en) * 1991-04-17 1995-07-04 Miskolci Egyetem Apparatus and capsule for carrying out processes of directed crystallization, especially in cosmic space conditions
JP3177035B2 (ja) * 1992-11-26 2001-06-18 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5690734A (en) * 1995-03-22 1997-11-25 Ngk Insulators, Ltd. Single crystal growing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103523651A (zh) * 2012-07-06 2014-01-22 中国北车集团大同电力机车有限责任公司 机车风缸吊装工装及吊装系统

Also Published As

Publication number Publication date
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DE69610189D1 (de) 2000-10-12
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