JP5002799B2 - 電極及びその製造方法、リード配線及びその接続方法、並びにそれらを用いた電子部品及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器や電子デバイス、プリント基板に用いる電極及びその製造方法、リード配線及びその接続方法、並びにそれらを用いた電子部品及び電子機器に関するものである。

従来から、電子機器や電子デバイス、プリント基板に用いるパンプ電極及びその製造方法やそれを用いたリード配線とその接続方法として、導体ペーストを電極先端部に印刷塗布して外部リード線を接着する方法や、あらかじめ別基板に形成したバンプを電極先端部転写し、前記バンプを介して外部リード線を圧着する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００２−１６１６９号公報

しかしながら、従来の印刷法を用いたバンプの形成方法では、電子デバイスやプリント基板の微細化高密度化に十分対応しきれなくなってきている。

一方、電子デバイスやプリント基板上の電極を微細化するためには、基板上の配線末端部に均一な厚さを有する電極突起を形成する必要がある。しかしながら、配線末端部の表面に導電性微粒子を１層のみ配列させた、粒子サイズレベルで均一な厚さを有する導電性微粒子層よりなる導電性微粒子層（以下、単層の導電性微粒子層という。）、及び導電性微粒子膜を複数層累積した導電性微粒子層（以下、複数層の導電性微粒子層という。）並びにそれらの製造方法は未だ開発及び提供されておらず、使用する導電性微粒子のサイズや積層数によって導電性微粒子層の厚さを制御するという技術的思想もこれまで提案されていない。

本発明は、導電性微粒子本来の機能を損なうことなく保持しており、配線末端部の表面に選択的に配列した単層の導電性微粒子層又は複数層の導電性微粒子層を有する電極及びその製造方法、リード配線及びその接続方法、並びにそれらを用いた電子部品及び電子機器を提供することを目的とする。

前記目的に沿う第１の発明に係る電極は、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、配線末端部の表面に選択的に結合固定された電極であって、前記配線末端部の表面には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該配線末端部の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記配線末端部の表面に固定されている。

第１の発明に係る電極において、前記導電性微粒子層が前記配線末端部の表面のパターン部分２２にのみ形成されていてもよい。

第１の発明に係る電極において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。

第１の発明に係る電極において、前記第１及び第２の膜化合物の形成する被膜の双方が単分子膜であることが好ましい。

第１の発明に係る電極において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。

第２の発明に係る電極は、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、配線末端部の表面に、前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した電極であって、前記配線末端部の表面には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該配線末端部の表面に選択的に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子の第１層の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、第ｘ番目（ｘは整数で、２≦ｘ≦ｎ）の前記導電性微粒子層を形成している前記導電性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第（ｘ＋１）の膜化合物の形成する被膜で被覆され、前記導電性微粒子の第１層は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記配線末端部の表面に固定されており、前記導電性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されている。

第２の発明に係る電極において、前記導電性微粒子層が前記配線末端部の表面のパターン部分２２にのみ形成されていてもよい。

第２の発明に係る電極において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、並びに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることが好ましい。

第２の発明に係る電極において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。

第２の発明に係る電極において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。

第３の発明に係る電極の製造方法は、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、配線末端部の表面に選択的に結合固定された電極を製造する方法であって、分子の両端にそれぞれ第１の官能基及び第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記配線末端部の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記配線末端部の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記配線末端部の表面を選択的に被覆する工程Ａと、分子の両端にそれぞれ第２の官能基及び第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｃと、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記選択的に被覆された配線末端部及び前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、及び前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記導電性微粒子からなる１層の前記導電性微粒子層を前記配線末端部の表面に結合固定し、次いで、前記配線末端部の表面に固定されなかった前記導電性微粒子を除去する工程Ｄとを有する。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記選択的に被覆された配線末端部の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された配線末端部と前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに前記導電性微粒子を結合固定してもよい。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記選択的に被覆された配線末端部とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに前記導電性微粒子を結合固定してもよい。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記工程Ａ及び前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１及び第２の膜化合物は洗浄除去され、前記配線末端部及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記工程Ａでは、前記配線末端部が形成された基板の表面全体に前記第１の膜化合物の被膜を形成後、前記配線末端部の表面のパターン部分を覆うマスクを通して、前記基板の表面にエネルギー線の照射を行い、前記パターン部分にのみ前記第１の膜化合物の形成する被膜を残してもよい。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記配線末端部の表面には、前記導電性微粒子層が前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した電極の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ第３の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の被膜を形成し、次いで、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に、１つ又は２つ以上の前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第２のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｅと、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、ｎ≧３の場合には、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２のカップリング剤の被膜を有する導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合には、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有していてもよい。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記配線末端部の表面には、前記導電性微粒子層が前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した電極の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｅと、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、ｎ≧３の場合には、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合には、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有していてもよい。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることが好ましい。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記工程Ａ、前記工程Ｃ及び前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第１〜第３の膜化合物は洗浄除去され、前記配線末端部及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１〜第３の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。

第３の発明に係る電極の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。

第４の発明に係るリード配線は、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、基板上の配線末端部の表面に選択的に結合固定され、該導電性微粒子層の表層に位置する導電性微粒子にリード線が接続されたリード配線であって、前記配線末端部の表面には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該配線末端部の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記配線末端部の表面に固定され、前記リード線の前記導電性微粒子層と接続する接続部分の表面には、分子の一端に前記第１のカップリング反応基とカップリング反応して結合を形成する第３の官能基を有し、他端で前記リード線の接続部分の表面に結合した第３の膜化合物の被膜が形成され、前記リード線の接続部分は、前記第１のカップリング反応基と前記第３の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記導電性微粒子層の表層に位置する導電性微粒子の表面に固定されている。

第４の発明に係るリード配線において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることが好ましい。

第４の発明に係るリード配線において、前記第１〜第３の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。

第４の発明に係るリード配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。

第５の発明に係るリード配線は、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、基板上の配線末端部の表面に、前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層し、該導電性微粒子層の第ｎ層に位置する導電性微粒子にリード線が接続されたリード配線であって、前記配線末端部の表面には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該配線末端部の表面に選択的に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子の第１層の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、第ｘ番目（ｘは整数で、２≦ｘ≦ｎ）の前記導電性微粒子層を形成している前記導電性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第（ｘ＋１）の膜化合物の形成する被膜で被覆され、前記導電性微粒子の第１層は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記配線末端部の表面に固定されており、前記導電性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定され、前記リード線の前記導電性微粒子層と接続する接続部分の表面には、分子の一端に第（ｎ＋２）の官能基を有し、他端で前記リード線の接続部分の表面に結合した第（ｎ＋２）の膜化合物の被膜が形成され、前記リード線の接続部分は、第（ｎ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｎ＋１）のカップリング反応基と、前記第（ｎ＋２）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｎ＋２）のカップリング反応基とを有する第（ｎ＋１）のカップリング剤と、前記第（ｎ＋１）の官能基と前記第（ｎ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｎ＋２）のカップリング反応基と前記第（ｎ＋２）の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記導電性微粒子層の第ｎ層に位置する導電性微粒子の表面に固定されている。

第５の発明に係るリード配線において、前記第１〜第（ｎ＋２）の膜化合物、並びに前記第１〜第（ｎ＋１）のカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることが好ましい。

第５の発明に係るリード配線において、前記第１〜第（ｎ＋２）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。

第５の発明に係るリード配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法は、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、基板上の配線末端部の表面に選択的に結合固定され、該導電性微粒子層の最表層に位置する導電性微粒子にリード線が接続されたリード配線を接続する方法であって、分子の両端にそれぞれ第１の官能基及び第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記配線末端部の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記配線末端部の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記配線末端部の表面を選択的に被覆する工程Ａと、分子の両端にそれぞれ第２の官能基及び第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｃと、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記選択的に被覆された配線末端部及び前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、及び前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記導電性微粒子からなる１層の前記導電性微粒子層を前記配線末端部の表面に結合固定し、次いで、前記配線末端部の表面に固定されなかった前記導電性微粒子を除去する工程Ｄと、前記導電性微粒子層の最表層に前記リード線の前記導電性微粒子層と接続する接続部分を圧着して接続する工程Ｊとを有する。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記選択的に被覆された配線末端部の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された配線末端部と前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに前記導電性微粒子を結合固定してもよい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記選択的に被覆された配線末端部とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに前記導電性微粒子を結合固定してもよい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記工程Ａ及び前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１及び第２の膜化合物は洗浄除去され、前記配線末端部及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記工程Ａでは、前記基板の表面全体に前記第１の膜化合物の被膜を形成後、前記配線末端部の表面のパターン部分を覆うマスクを通して、前記基板の表面にエネルギー線の照射を行い、前記パターン部分にのみ前記第１の膜化合物の形成する被膜を残してもよい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記配線末端部の表面には、前記導電性微粒子層が前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層したリード配線の接続方法であって、前記工程Ｄ及び前記工程Ｊの間に、分子の両端にそれぞれ第３の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の被膜を形成し、次いで、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に、１つ又は２つ以上の前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第２のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｅと、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、ｎ≧３の場合には、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２のカップリング剤の被膜を有する導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合には、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有していてもよい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記工程Ｊの前に、分子の両端にそれぞれ前記第２の官能基及び第４の結合基を有する第４の膜化合物を含む溶液を前記リード線の接続部分の表面に接触させ、前記第４の結合基と前記配線末端部の表面との間で結合を形成させ、前記第４の膜化合物の形成する被膜で前記接続部分の表面を選択的に被覆し、ｎが奇数の場合には、前記第４の膜化合物の被膜が形成されたリード線の接続部分の表面に、前記第２の官能基と反応して結合を形成する１種類又は２種類以上のカップリング反応基を２つ以上有する第３のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記カップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第３のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｉを更に有し、前記工程Ｊでは、カップリング反応により形成された結合を介して、前記リード線の接続部分を前記導電性微粒子層の第ｎ層に位置する導電性微粒子の上に結合固定してもよい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記配線末端部の表面には、前記導電性微粒子層が前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層したリード配線の接続方法であって、前記工程Ｄ及び前記工程Ｊの間に、分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｅと、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、ｎ≧３の場合には、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合には、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有していてもよい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記工程Ｊの前に、分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第４の結合基を有する第４の膜化合物を含む溶液を前記リード線の接続部分の表面に接触させ、前記第４の結合基と前記配線末端部の表面との間で結合を形成させ、前記第４の膜化合物の形成する被膜で前記接続部分の表面を選択的に被覆し、ｎが偶数の場合には、前記第４の膜化合物の被膜が形成されたリード線の接続部分の表面に、前記第１の官能基と反応して結合を形成する１種類又は２種類以上のカップリング反応基を２つ以上有する第４のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記カップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第４のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｉを更に有し、前記工程Ｊでは、カップリング反応により形成された結合を介して、前記リード線の接続部分を前記導電性微粒子層の第ｎ層に位置する導電性微粒子の上に結合固定してもよい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記第１〜第４の膜化合物が同一の化合物であることが好ましい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記工程Ａ、前記工程Ｃ、前記工程Ｅ、及び前記工程Ｉにおいて、未反応の前記第１〜第４の膜化合物は洗浄除去され、前記配線末端部及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１〜第４の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。

第６の発明に係るリード配線の接続方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。

第７の発明に係る電子部品は、第１及び第２の発明に係る電極、並びに第４及び第５の発明に係るリード配線のいずれか一方又は双方を用いている。

第８の発明に係る電子機器は、第１及び第２の発明に係る電極、並びに第４及び第５の発明に係るリード配線のいずれか一方又は双方を用いている。

請求項１〜１０に記載の電極及び請求項１１〜２１に記載の電極の製造方法においては、導電性微粒子本来の機能を損なうことなく、配線末端部１２上に任意の膜厚で選択的に形成可能であり、膜厚が均一でかつ品質にばらつきの少ない電極を低コストで製造できる。
また、配線末端部の表面に配列した導電性微粒子層は配線末端部の表面に結合固定されているので、高い耐剥離強度を有すると共に、カップリング反応により形成された結合を介して導電性微粒子層を１層ずつ積層固定するので、電極の膜厚を導電性微粒子のサイズのレベルで容易に制御できる。
さらに、導電性微粒子層の積層固定にバインダーを用いないので、導体密度が高く電気伝導性の高い電極を形成できる。

請求項２に記載の電極においては、配線末端部のパターン部分２２にのみ形成されているので、製造コストを低減できる。

請求項３に記載の電極においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。

請求項４に記載の電極においては、第１及び第２の膜化合物の形成する被膜の双方が単分子膜であるので、配線末端部及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。

請求項５に記載の電極においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。

請求項６〜１０に記載の電極においては、配線末端部側から空気との界面側に向かって導電性微粒子層が順次積層した導電性微粒子層について、積層された導電性微粒子層の数、各導電性微粒子層を構成する導電性微粒子の材質、粒径等を任意に定めることができるため、導電性微粒子層の膜厚、電気伝導度等を容易に制御できる。また、各導電性微粒子層の材質に応じて、最適な膜化合物及びカップリング剤を選択できる。

請求項７に記載の電極においては、配線末端部のパターン部分２２にのみ形成されているので、製造コストを低減できる。

請求項８に記載の電極においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物及び第１〜第ｎのカップリング剤それぞれが同一の化合物であるので、製造コストを更に低減できる。
請求項９に記載の電極においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、配線末端部及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。

請求項１０に記載の電極においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。

請求項１２に記載の電極の製造方法においては、工程Ｄでは、まず、配線末端部の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して第１の膜化合物の被膜が選択的に形成された部分の表面のみに第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、第１のカップリング剤の被膜が形成された配線末端部と第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して第１のカップリング剤の被膜が選択的に形成された部分の表面のみに導電性微粒子を結合固定するので、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子に対して前処理を行うことなく、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子を表面に結合固定することができる。

請求項１３に記載の電極の製造方法においては、工程Ｄでは、まず、第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と配線末端部とを接触させ、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して第１のカップリング剤の被膜が選択的に形成された部分の表面のみに導電性微粒子を結合固定するので、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた配線末端部に対して前処理を行うことなく、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた配線末端部の表面に第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子を結合固定することができる。

請求項１４に記載の電極の製造方法においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。

請求項１５に記載の電極の製造方法においては、第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜が単分子膜であるので、配線末端部及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。

請求項１６に記載の電極の製造方法においては、配線末端部のパターン部分にのみ導電性微粒子層を形成するので、製造コストを低減できる。

請求項１７に記載の電極の製造方法においては、３種類の膜化合物、及び２種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の電極を製造できるので、製造コストを低減できる。

請求項１８に記載の電極の製造方法においては、３種類の膜化合物、及び１種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の電極を製造できるので、製造コストを低減できる。

請求項１９に記載の電極の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であるので、製造コストを更に低減できる。
請求項２０に記載の電極の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物の形成する被膜が単分子膜であるので、導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。

請求項２１に記載の電極の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。

請求項２２〜２９に記載のリード配線及び請求項３０〜４２に記載のリード配線の接続方法においては、導電性微粒子本来の機能を損なうことなく、配線末端部１２上に任意の膜厚で選択的に形成可能であり、膜厚が均一でかつ品質にばらつきの少ないリード配線を低コストで製造できる。
また、配線末端部の表面に配列した導電性微粒子層は配線末端部の表面に結合固定されているので、高い耐剥離強度を有すると共に、カップリング反応により形成された結合を介して導電性微粒子層を１層ずつ積層固定するので、導電性微粒子層の厚さを導電性微粒子のサイズのレベルで容易に制御できる。
さらに、導電性微粒子層の積層固定にバインダーを用いないので、導体密度が高く電気伝導性の高いリード配線を形成できる。

請求項２３に記載のリード配線においては、第１〜第３の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。

請求項２４に記載のリード配線においては、第１〜第３の膜化合物の形成する被膜の双方が単分子膜であるので、配線末端部及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。

請求項２５に記載のリード配線においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。

請求項２６〜２９に記載のリード配線においては、配線末端部側から空気との界面側に向かって導電性微粒子層が順次積層した導電性微粒子層について、積層された導電性微粒子層の数、各導電性微粒子層を構成する導電性微粒子の材質、粒径等を任意に定めることができるため、導電性微粒子層の膜厚、電気伝導度等を容易に制御できる。また、各導電性微粒子層の材質に応じて、最適な膜化合物及びカップリング剤を選択できる。

請求項２７に記載のリード配線においては、第１〜第（ｎ＋２）の膜化合物及び第１〜第（ｎ＋１）のカップリング剤それぞれが同一の化合物であるので、製造コストを更に低減できる。
請求項２８に記載のリード配線においては、第１〜第（ｎ＋２）の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、配線末端部及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。

請求項２９に記載のリード配線においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。

請求項３１に記載のリード配線の接続方法においては、工程Ｄでは、まず、配線末端部の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して第１の膜化合物の被膜が選択的に形成された部分の表面のみに第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、第１のカップリング剤の被膜が形成された配線末端部と第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して第１のカップリング剤の被膜が選択的に形成された部分の表面のみに導電性微粒子を結合固定するので、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子に対して前処理を行うことなく、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子を表面に結合固定することができる。

請求項３２に記載のリード配線の接続方法においては、工程Ｄでは、まず、第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と配線末端部とを接触させ、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して第１のカップリング剤の被膜が選択的に形成された部分の表面のみに導電性微粒子を結合固定するので、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた配線末端部に対して前処理を行うことなく、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた配線末端部の表面に第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子を結合固定することができる。

請求項３３に記載のリード配線の接続方法においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。

請求項３４に記載のリード配線の接続方法においては、第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜が単分子膜であるので、配線末端部及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。

請求項３５に記載のリード配線の接続方法においては、配線末端部のパターン部分にのみ導電性微粒子層を形成するので、製造コストを低減できる。

請求項３６に記載のリード配線の接続方法においては、３種類の膜化合物、及び２種類のカップリング剤を用いてリード線に接続する導電性微粒子層を形成できるので、製造コストを低減できる。

請求項３７に記載のリード配線の接続方法においては、４種類の膜化合物、及び３種類のカップリング剤を用いて、カップリング反応により形成された結合を介して導電性微粒子層の最表層に位置する導電性微粒子にリード線の接続部分を結合固定できるので、耐剥離強度の高いリード配線の接続を低コストで行うことができる。

請求項３８に記載のリード配線の接続方法においては、３種類の膜化合物、及び１種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚のリード配線を製造できるので、リード線に接続する導電性微粒子層を形成できるので、製造コストを低減できる。

請求項３９に記載のリード配線の接続方法においては、４種類の膜化合物、及び２種類のカップリング剤を用いて、カップリング反応により形成された結合を介して導電性微粒子層の最表層に位置する導電性微粒子にリード線の接続部分を結合固定できるので、耐剥離強度の高いリード配線の接続を低コストで行うことができる。

請求項４０に記載のリード配線の接続方法においては、第１〜第４の膜化合物が同一の化合物であるので、製造コストを更に低減できる。
請求項４１に記載のリード配線の接続方法においては、第１〜第４の膜化合物の形成する被膜が単分子膜であるので、導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。

請求項４２に記載のリード配線の接続方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。

請求項４３に記載の電極の電子部品及び請求項４４に記載の電子機器においては、高い電気伝導性を有し、耐剥離強度が高い請求項１〜１０記載の電極及び請求項２２〜２９記載のリード配線の一方又は双方を用いているので、内部損失やそれに伴う発熱が少なく、信頼性及び耐久性に優れている。

続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る単層電極の断面構造を模式的に表した説明図、図１（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係る積層電極の断面構造を模式的に表した説明図、図２（ａ）は本発明の第３の実施の形態に係る単層電極の断面構造を模式的に表した説明図、図２（ｂ）は本発明の第４の実施の形態に係る積層電極の断面構造を模式的に表した説明図、図３は、本発明の第１〜第４の実施の形態に係る電極の製造方法において、電子デバイスの表面に第１の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図３（ａ）は反応前の電子デバイスの断面構造、図３（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成された電子デバイスの断面構造をそれぞれ表す。

図４（ａ）は、同電極の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図４（ｂ）は、変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図、図５は、本発明の第１〜第４の実施の形態に係る電極の製造方法において、銀微粒子の表面に第２の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図５（ａ）は反応前の銀微粒子の断面構造、図５（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成された銀微粒子の断面構造をそれぞれ表し、図６（ａ）は本発明の第５の実施の形態に係るリード配線の断面構造を模式的に表した説明図、図６（ｂ）は本発明の第６の実施の形態に係るリード配線の断面構造を模式的に表した説明図である。

次に、本発明の第１の実施の形態に係る単層電極１について説明する。
図１（ａ）に示すように、単層電極１は、基板１１上に設けられた配線の配線末端部１２の表面のパターン部分２２にのみ銀微粒子３１（導電性微粒子の一例）が配列した銀微粒子層（導電性微粒子層の一例）が１層結合固定されたパターン状の電極である。
基板１１の表面のパターン部分２２には、分子の一端にエポキシ基（第１の官能基の一例）を有し、他端でパターン部分２２の表面に結合した第１の膜化合物の単分子膜１４（被膜の一例）が形成され、更にその表面には、エポキシ基とカップリング反応して結合を形成するアミノ基及びイミノ基（第１及び第２のカップリング反応基の一例）を分子内に１つずつ有する２−メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）のアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの単分子膜１５（被膜の一例）が形成されている。
銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基（第２の官能基の一例）を有し、銀微粒子３１の表面に結合した第２の膜化合物の単分子膜３３（被膜の一例）が形成されている。
基板１１と銀微粒子３１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。

単層電極１の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図１（ａ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液を基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）と基板１１の表面の水酸基１３との間で結合を形成させ、配線末端部１２を含む基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１４を形成し（図３参照）、次いで配線末端部１２上のパターン部分２２を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１４の表面に光照射（エネルギー線の照射）するパターン形成処理を行い、パターン部分２２にのみエポキシ基を残す（図４参照）工程Ａと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、パターン形成処理を行った基板１１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、パターン部分２２の表面にのみ選択的に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成させ、次いで、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成された基板１１と第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで、固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有する。

以下、工程Ａ〜Ｄについてより詳細に説明する。
工程Ａでは、エポキシ基を有する膜化合物を、表面にパターン状の配線が設けられ、表面（配線の表面も含む）に水酸基１３を有する基板１１に接触させ、第１の膜化合物の単分子膜１４を形成する（図３参照）。

エポキシ基を有する膜化合物としては、基板１１及び配線末端部１２の表面に吸着又は結合し、自己組織化により単分子膜を形成することのできる任意の化合物を用いることができるが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にエポキシ基（オキシラン環）を含む官能基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化１）で表されるアルコキシシラン化合物が好ましい。

上式において、Ｅはエポキシ基を有する官能基を、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるエポキシ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（１）〜（１２）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。

(１) （ＣＨ_２ＯＣＨ）ＣＨ₂Ｏ(ＣＨ₂)_３Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(２) （ＣＨ_２ＯＣＨ）ＣＨ₂Ｏ(ＣＨ₂)_７Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(３) （ＣＨ_２ＯＣＨ）ＣＨ₂Ｏ(ＣＨ₂)_１１Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(４) （ＣＨ_２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ_２）_２）ＣＨ(ＣＨ₂)_２Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(５) （ＣＨ_２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ_２）_２）ＣＨ(ＣＨ₂)_４Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(６) （ＣＨ_２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ_２）_２）ＣＨ(ＣＨ₂)_６Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(７) （ＣＨ_２ＯＣＨ）ＣＨ₂Ｏ(ＣＨ₂)_３Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃
(８) （ＣＨ_２ＯＣＨ）ＣＨ₂Ｏ(ＣＨ₂)_７Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃
(９) （ＣＨ_２ＯＣＨ）ＣＨ₂Ｏ(ＣＨ₂)_１１Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃
(１０) （ＣＨ_２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ_２）_２）ＣＨ(ＣＨ₂)_２Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃
(１１) （ＣＨ_２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ_２）_２）ＣＨ(ＣＨ₂)_４Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃
(１２) （ＣＨ_２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ_２）_２）ＣＨ(ＣＨ₂)_６Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃

ここで、（ＣＨ_２ＯＣＨ）ＣＨ_２−基は、化２で表される官能基（グリシジル基）を表し、（ＣＨ_２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ_２）_２）ＣＨ−基は、化３で表される官能基（３，４−エポキシシクロヘキシル基）を表す。

基板１１の表面上への第１の膜化合物の単分子膜１４の形成は、エポキシ基及びアルコキシシリル基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基と基板１１の表面の水酸基１３との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液を基板１１の表面に塗布し、室温の空気中で反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。

縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル及びチタン酸エステルキレート等の金属塩が利用可能である。
縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の０．２〜５質量％であり、より好ましくは０．５〜１質量％である。

カルボン酸金属塩の具体例としては、酢酸第１スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第１スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄が挙げられる。

カルボン酸エステル金属塩の具体例としては、ジオクチルスズビスオクチルチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩が挙げられる。
カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。
カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。

チタン酸エステルの具体例としては、テトラブチルチタネート、テトラノニルチタネートが挙げられる。
チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビス（アセチルアセトニル）ジ−プロピルチタネートが挙げられる。

アルコキシシリル基と基板１１及び配線末端部１２の表面の水酸基１３とが縮合反応を起こし、下記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１４を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合は基板１１の表面又は隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本は基板１１の表面のケイ素原子と結合している。

アルコキシシリル基は、水分の存在下で分解するので、反応は相対湿度４５％以下の空気中で行うことが好ましい。なお、縮合反応は、基板１１及び配線末端部１２の表面に付着した油脂分や水分により阻害されるので、基板１１及び配線末端部１２をよく洗浄して乾燥することにより、これらの不純物を予め除去しておくことが好ましい。
縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は２時間程度である。

上述の金属塩の代わりに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を縮合触媒として用いた場合、反応時間を１／２〜２／３程度まで短縮できる。

あるいは、これらの化合物を助触媒として、上述の金属塩と混合（質量比１：９〜９：１の範囲で使用可能だが、１：１前後が好ましい）して用いると、反応時間を更に短縮できる。

例えば、縮合触媒として、カルボン酸金属塩キレートであるジブチルスズビスアセチルアセテートの代わりにケチミン化合物であるジャパンエポキシレジン社のＨ３を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化銀基板１４ａの製造を行うと、エポキシ化銀基板１４ａの品質を損なうことなく反応時間を１時間程度にまで短縮できる。

更に、縮合触媒として、ジャパンエポキシレジン社のＨ３とジブチルスズビスアセチルアセトネートとの混合物（混合比は１：１）を用い、その他の条件は同一にして第１の膜化合物の単分子膜１４の形成を行うと、反応時間を２０分程度に短縮できる。

なお、ここで用いることができるケチミン化合物は特に限定されるものではないが、例えば、２，５，８−トリアザ−１，８−ノナジエン、３，１１−ジメチル−４，７，１０−トリアザ−３，１０−トリデカジエン、２，１０−ジメチル−３，６，９−トリアザ−２，９−ウンデカジエン、２，４，１２，１４−テトラメチル−５，８，１１−トリアザ−４，１１−ペンタデカジエン、２，４，１５，１７−テトラメチル−５，８，１１，１４−テトラアザ−４，１４−オクタデカジエン、２，４，２０，２２−テトラメチル−５，１２，１９−トリアザ−４，１９−トリエイコサジエン等が挙げられる。

また、用いることができる有機酸としても特に限定されるものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸等が挙げられる。

反応液の製造には、有機塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、シリコーン系溶媒、及びこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコキシシラン化合物の加水分解を防止するために、乾燥剤又は蒸留により使用する溶媒から水分を除去しておくことが好ましい。また、溶媒の沸点は５０〜２５０℃であることが好ましい。

具体的に使用可能な溶媒としては、非水系の石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、ノナン、デカン、灯油、ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
更に、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。

また、用いることができるフッ化炭素系溶媒としては、フロン系溶媒、フロリナート（米国３Ｍ社製）、アフルード（旭硝子株式会社製）等がある。なお、これらは１種単独で用いても良いし、良く混ざるものなら２種以上を組み合わせてもよい。更に、ジクロロメタン、クロロホルム等の有機塩素系溶媒を添加してもよい。

反応液におけるアルコキシシラン化合物の好ましい濃度は、０．５〜３質量％である。

反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物及び縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１４で表面が覆われたエポキシ化基板１４ａが得られる。このようにして製造されるエポキシ化基板１４ａの断面構造の模式図を図３（ｂ）に示す。

洗浄溶媒としては、アルコキシシラン化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができるが、安価であり、溶解性が高く、風乾により容易に除去することのできるジクロロメタン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。

反応後、基板１１の表面を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化基板１４ａの表面にポリシロキサン結合とエポキシ基を含む極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、基板及び配線末端部１２の表面に必ずしも全てが共有結合により固定されているわけではないが、エポキシ基を含んでいるため、第１の膜化合物の単分子膜１４と同様の反応性を有している。そのため、膜厚及び導電性を損なわない範囲ならば、洗浄を行わなくても、工程Ｃ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。

次いで、パターン部分２２を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１４が形成された基板１１の表面を露光して、レーザーアブレーション法によりパターン部分２２にのみ選択的に第１の膜化合物の単分子膜１４を残す（図４参照。以下、「パターン形成処理」という）。
露光に用いるマスクとしては、半導体素子の製造等におけるフォトリソグラフィーに用いられるレチクル用材料等の、光を透過せず、少なくとも露光の間は照射光による損傷を受けない任意の材質のものを用いることができる。また、露光は等倍露光でもよく、微細なパターンを形成する場合等には縮小投影露光を用いてもよい。

光源としては、ＸｅＦ（３５３ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザー等のレーザー光が好ましく用いられる。図４（ａ）に示すように、レーザー光の照射により、照射した部位の温度が上昇し、露光した部分を被覆していたアルコキシシラン化合物が選択的に除去され（図４中の２３）る。その結果、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１４が残る（図４（ａ）参照）。
照射した部分以外への入熱を抑制するため、パルスレーザーを用いるパルスレーザーアブレーション法により、エポキシ化された膜化合物を除去することが好ましい。
レーザー光の強度は、０．１〜０．３Ｊ・ｃｍ^−２であることが好ましい。レーザー光の強度が０．１Ｊ・ｃｍ^−２未満である場合には、十分にエポキシ基を有する膜化合物を除去することができず、０．３Ｊ・ｃｍ^−２を上回る場合には、エポキシ化基板１４ａのガラス部材が除去されるため、いずれも好ましくない。
また、レーザー光の強度が上記範囲内である場合、パルス幅としては５〜５０ｎｓが好ましい。

上記の実施の形態においては、パルスレーザーアブレーション法により第１の膜化合物を除去したが、電子線、Ｘ線等の他のエネルギー照射を用いてもよい。また、マスクを通して露光する代わりに、直接第１の膜化合物の単分子膜１４に電子ビーム等で選択的にパターンを描画することにより、パターン以外の部分の第１の膜化合物を除去してもよい。

変形例に係るパターン形成処理を図４（ｂ）に示す。このパターン形成処理においては、第１の膜化合物の単分子膜１４の表面に光重合開始剤を塗布した後、パターン部分２２を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１４の表面に光照射を行い、露光した部分のエポキシ基を開環重合させ、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１４を残す。
用いることができる光重合開始剤としては、ジアリールヨードニウム塩等のカチオン性光重合開始剤が挙げられる。光源としては、高圧水銀灯、キセノンランプ等が挙げられる。

なお、パターン部分２２の形状は、必ずしも配線末端部１２の形状と一致する必要はなく、配線末端部１２の一部分であってもよいし、配線末端部１２以外の基板１１上の一部分を含んでいてもよい。
また、例えば、パターン部分２２に選択的に金メッキ被膜が形成され、第１の膜化合物としてチオール基誘導体やトリアジンチオール誘導体を用いる場合には、ここで述べたようなパターン形成処理を行うことなくパターン部分２２にのみ選択的に第１の膜化合物の単分子膜を形成できるので、パターン形成処理は不要である。

本実施の形態においては、第１の膜化合物として、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化５）で表されるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。なお、イミノ基やアミノ基と反応するカップリング剤としては、両端にグリシジル基を有するものが使用できる。

上式において、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるアミノ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（２１）〜（２８）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。

(２１) Ｈ₂Ｎ(ＣＨ₂)_３Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(２２) Ｈ₂Ｎ(ＣＨ₂)_５Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(２３) Ｈ₂Ｎ(ＣＨ₂)_７Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(２４) Ｈ₂Ｎ(ＣＨ₂)_９Ｓｉ(ＯＣＨ_３)₃
(２５) Ｈ₂Ｎ(ＣＨ₂)_５Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃
(２６) Ｈ₂Ｎ(ＣＨ₂)_５Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃
(２７) Ｈ₂Ｎ(ＣＨ₂)_７Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃
(２８) Ｈ₂Ｎ(ＣＨ₂)_９Ｓｉ(ＯＣ_２Ｈ_５)₃

ただし、この場合には、反応液において用いることのできる縮合触媒のうち、スズ（Ｓｎ）塩を含む化合物は、アミノ基と反応して沈殿を生成するため、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物に対しては縮合触媒として用いることができない。
したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様の化合物を単独で又は２種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。
用いることのできる助触媒の種類及びそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、及び助触媒の濃度、反応条件並びに反応時間についてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様であるので、説明を省略する。

本実施の形態において用いることができる、表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する基板の具体例としては、セラミックス、ほうろう、ＩＴＯ（インジウムスズオキシド）等の透明電極等が挙げられる。また、配線の材質としては、アルミニウム、銅、アルミニウム等が挙げられる。
また、合成樹脂製の基板を用いる場合には、プラズマ処理、コロナ放電処理等により活性水素基を有する化合物をグラフトする等の前処理を行うことにより、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
なお、基板は、集積回路（ＩＣ又はＬＳＩ）等の半導体素子、抵抗器、コンデンサ、スイッチ類等の各種素子が実装された（電子デバイス基板）状態で用いることもできる。

本実施の形態においては、第１の膜化合物として基板及び配線末端部の表面の活性水素基と縮合反応するシラン化合物を用いたが、例えば、金メッキ層を有する配線末端部の場合には、膜化合物として金原子と強い結合を形成するチオール誘導体又はトリアジンチオール誘導体を用いることができる。
（以上工程Ａ）

工程Ｃでは、工程Ａにおいて用いたものと同様のアルコキシシラン化合物（エポキシ基を有する第２の膜化合物）を銀微粒子３１と接触させ、その表面にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する。

用いることのできる銀微粒子３１の粒径に特に制限はないが、１０ｎｍ〜０．１ｍｍの範囲内であることが好ましい。銀微粒子３１の粒径が１０ｎｍ未満である場合には、膜化合物の分子サイズの影響が無視できなくなり、粒径が０．１ｍｍを上回る場合には、銀微粒子３１の表面積に対する質量の割合が大きくなるため、架橋反応によりその質量を支持できなくなる。

第２の膜化合物の単分子膜３３の形成は、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液中に銀微粒子３１を分散させ、室温の空気中で反応させることにより行われる。

工程Ｃにおいて用いることのできるエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の種類、縮合触媒、助触媒の種類及びそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、及び助触媒の濃度、反応条件並びに反応時間については工程Ａと同様であるので、説明を省略する。

アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２とが縮合反応（脱アルコール反応）を起こし、前記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合は銀微粒子３１の表面又は隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本は銀微粒子３１の表面のケイ素原子と結合している。
なお、ハロシラン化合物を用いた場合と異なり、縮合反応の際に生成するハロゲン化水素により銀微粒子３１の表面が腐食を受けることはない。

反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物及び縮合触媒を除去すると、図５（ｂ）に示すように、エポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１、すなわちエポキシ化銀微粒子３４が得られる。

洗浄溶媒としては、工程Ａと同様の洗浄溶媒を用いることができる。
反応後、銀微粒子３１の表面を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化銀微粒子３４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、銀微粒子３１の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、第２の膜化合物の単分子膜３３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｄ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。

なお、本実施の形態においてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、工程Ａと同様、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有するアルコキシシラン化合物を用いてもよい。
また、本実施の形態においては工程Ａと同一のアルコキシシラン化合物を用いているが、異なるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。ただし、工程Ｄにおいて用いるカップリング剤のカップリング反応基と反応して結合を形成する官能基を有するものでなければならない。

なお、本実施の形態では、導電性微粒子として銀微粒子を用いたが、他の導電性微粒子を用いることもできる。他の導電性微粒子としては、銅、ニッケル、或いは、銀メッキした貴金属や銅、ニッケルの金属微粒子、更には、導電性の金属酸化物微粒子であるＩＴＯやＳｎＯ_２が挙げられる。

銀微粒子以外の導電性微粒子であっても、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、銀の場合と同様に、第２の膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
また、微粒子が、表面に活性水素基を有しない金（Ａｕ）や表面にＡｕメッキが施された金属微粒子等の場合には、第２の結合基として、−ＳＨ基やトリアジンチオール基を有する膜化合物（例えば、一般式Ｈ_２Ｎ（ＣＨ_２）_ｎ−ＳＨ（ｎは整数）で表される化合物（ω−アミノアルカンチオール）で、具体例としては、３−アミノプロパンチオール（前記一般式においてｎ＝３である化合物）等が挙げられる）を用いれば、硫黄原子を介して結合したアミノ基を含む膜化合物の単分子膜が形成された金微粒子を製造することができる。勿論、アミノ基の代わりにエポキシ基を有するチオールやトリアジン誘導体を用いることもできる。

なお、粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍの銀ナノ粒子を用いる場合には、体積に対する表面積の割合が増大することにより、例えば、２３０℃程度の低温で加熱することにより焼結が進行し、より緻密で導電性に優れた電極を形成できる。このような銀ナノ粒子を導電性微粒子として用いる場合には、焼結温度以下で銀ナノ粒子の表面から脱離するような膜化合物を用いることが好ましい。

本実施の形態においては、第１及び第２の膜化合物として、共にエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、両者は同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。更に、第１及び第２の膜化合物が異なる官能基（例えば、一方がエポキシ基で他方がイソシアネート基）を有していてもよい。
（以上工程Ｃ）

工程Ｄでは、まず、第１の膜化合物の単分子膜１４が選択的に表面に形成された基板１１、すなわちエポキシ化基板１４ａの表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、その表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成し、次いで、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１、すなわちエポキシ化銀微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、基板１１の表面に銀微粒子３１を結合固定し、次いで、固定されなかった銀微粒子３１を除去する。

２−メチルイミダゾールはエポキシ基と反応するアミノ基及びイミノ基をそれぞれ１−位及び３−位に有しており、下記の化６に示すような架橋反応により結合を形成する。

２−メチルイミダゾールの単分子膜１５の形成は、２−メチルイミダゾールと溶媒とを混合した反応液を基板１１の表面に形成された第１の膜化合物の単分子膜１４の上に塗布し、加熱して反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
反応液の製造には、２−メチルイミダゾールが可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、及び毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。
２−メチルイミダゾールの添加量、塗布する溶液の濃度、反応温度及び反応時間は、用いる配線末端部及び導電性微粒子の種類、形成する電極の膜厚等に応じて適宜調節される。

反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分な２−メチルイミダゾールを除去すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基との反応により形成された結合を介して２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成される。
このようにして得られた、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が表面に形成された基板１１の表面に、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の分散液を塗布後加熱し、エポキシ基と２−メチルイミダゾールに由来するイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して銀微粒子３１を基板１１の表面に結合固定し、単層の銀微粒子層を有する単層電極１を製造する。
加熱温度は、１００〜２００℃が好ましい。加熱温度が１００℃未満だと、カップリング反応の進行に長時間を要し、２００℃を上回ると、エポキシ基を有する単分子膜１３、３３及び２−メチルイミダゾールの単分子膜１５の分解反応が起こり、均一な単層電極１が得られない。

反応後、水やアルコール等の溶媒で洗浄することにより、基板１１の表面に結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する。

本実施の形態においては、カップリング剤として２−メチルイミダゾールを用いたが、下記化７で表される任意のイミダゾール誘導体を用いることができる。

化７で表されるイミダゾール誘導体の具体例としては、下記（３１）〜（３８）に示すものが挙げられる。
（３１） ２−メチルイミダゾール（Ｒ_２＝Ｍｅ、Ｒ_４＝Ｒ_５＝Ｈ）
（３２） ２−ウンデシルイミダゾール（Ｒ_２＝Ｃ_１１Ｈ_２３、Ｒ_４＝Ｒ_５＝Ｈ）
（３３） ２−ペンタデシルイミダゾール（Ｒ_２＝Ｃ_１５Ｈ_３１、Ｒ_４＝Ｒ_５＝Ｈ）
（３４） ２−メチル−４−エチルイミダゾール（Ｒ_２＝Ｍｅ、Ｒ_４＝Ｅｔ、Ｒ_５＝Ｈ）
（３５） ２−フェニルイミダゾール（Ｒ_２＝Ｐｈ、Ｒ_４＝Ｒ_５＝Ｈ）
（３６） ２−フェニル−４−エチルイミダゾール（Ｒ_２＝Ｐｈ、Ｒ_４＝Ｅｔ、Ｒ_５＝Ｈ）
（３７） ２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（Ｒ_２＝Ｐｈ、Ｒ_４＝Ｍｅ、Ｒ_５＝ＣＨ_２ＯＨ）
（３８） ２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール（Ｒ_２＝Ｐｈ、Ｒ_４＝Ｒ_５＝ＣＨ_２ＯＨ）
なお、Ｍｅ、Ｅｔ、及びＰｈは、それぞれメチル基、エチル基、及びフェニル基を表す。

イミダゾール誘導体以外では、メルカプトトリアゾール、メラミン、イソシアヌル酸、トリアジン、バルビツール酸、パラバン酸、ウラシル、チミン等の２個以上の窒素を含む複素環化合物を用いることができる。更に、イミダゾール−銅錯体等のイミダゾール−金属錯体を用いてもよい。

また、エポキシ樹脂のカップリング剤として用いられる無水フタル酸、無水マレイン酸等の酸無水物、ジシアンジアミド、ノボラック等のフェノール誘導体等の化合物をカップリング剤として用いてもよい。この場合、カップリング反応を促進するためにイミダゾール誘導体を触媒として用いてもよい。

なお、本実施の形態においては官能基としてエポキシ基を有する膜化合物を用いた場合について説明しているが、官能基としてアミノ基又はイミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、カップリング反応基として２若しくは３以上のエポキシ基又は２若しくは３以上のイソシアネート基を有するカップリング剤を用いる。イソシアネート基を有する化合物の具体例としては、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、トルエン−２，６−ジイソシアネート、トルエン−２，４−ジイソシアネート等が挙げられる。
これらのジイソシアネート化合物の添加量は、２−メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化銀微粒子の５〜１５重量％が好ましい。この場合、反応液の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。
また、イミノ基やアミノ基を有する膜化合物を用いる場合、カップリング剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の２又は３以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。

なお、各種素子が実装された電子デバイス基板を用いる場合には、実装した素子が熱により破壊しないように加熱温度を調節する必要がある。
（以上工程Ｄ）

次に、本発明の第２の実施の形態に係る積層電極３について説明する。
図１（ｂ）に示すように、積層電極３において、基板１１上に設けられた配線の配線末端部１２の表面のパターン部分２２の表面にのみ結合固定された銀微粒子層は基板１１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。

パターン部分２２の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１４が形成され、更にその表面には、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成されている。
第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成されている。
第２層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子４１の表面は、分子の一端にエポキシ基（第３の官能基の一例）を有する第３の膜化合物の単分子膜４３（被膜の一例）が形成され、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）のアミノ基（第３のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの単分子膜４５（被膜の一例）が更に形成されている。

基板１１と第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１、及び第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１と第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図１（ｂ）に示すように、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５の被膜が表面に形成された銀微粒子４１は、第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１（エポキシ化銀微粒子３４）の側面にも結合することができるが、図１（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して導電性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際にはそれによりパターン形状が損なわれることは殆どない。

積層電極３の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図１（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）と基板１１の表面の水酸基１３との間で結合を形成させ、配線末端部１２を含む基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１４を形成し（図３参照）、次いでパターン部分２２を覆うマスク２１を通して第１の膜化合物の単分子膜１４の表面に光照射するパターン形成処理を行いパターン部分２２にのみエポキシ基を残す（図４参照）工程Ａと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、図３（ｂ）に示すように、まず、パターン形成処理を行った基板１１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、パターン部分２２の表面にのみ選択的に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成させ、次いで、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成された基板１１と第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有している。

更に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４３を形成し、次いで、第３の膜化合物の単分子膜４３の表面に、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）を接触させ、エポキシ基（第３の官能基の一例）とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する単分子膜４５（被膜の一例）被膜を更に形成する工程Ｅと、銀微粒子層の表層に位置する、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する工程Ｆとを有する。

以下、工程Ａ〜Ｆについてより詳細に説明する。
工程Ａ〜Ｄは、単層電極１の製造方法と同様であるので、説明を省略する。

工程Ｅでは、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４３を形成し、次いで、第３の膜化合物の単分子膜４３の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する単分子膜４５を更に形成する。
用いられる２−メチルイミダゾール溶液の濃度、反応条件等は、溶液を塗布するのではなく、銀微粒子４１を溶液中に分散させて加熱することを除くと、工程Ｄにおける基板１１の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成する場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。他に用いることのできるカップリング剤についても、工程Ｄと同様である。

本実施の形態においては、第３の膜化合物として、共にエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、第１及び第２の膜化合物の一方又は双方と同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。更に、第１及び第２の膜化合物と異なる官能基（例えば、アミノ基）を有していてもよい。
（以上工程Ｅ）

工程Ｆでは、銀微粒子層の表層に位置する、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する。
工程Ｆにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
（以上工程Ｆ）

本実施の形態においては、銀微粒子層を２層有する電極の製造について説明したが、ｎ≧３の場合には、銀微粒子層の表層に位置する、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１を２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｇを更に有している。なお、工程Ｇにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
更に、ｎ≧４の場合には、ｎ層の銀微粒子層が形成されるまで工程Ｆ及び工程Ｇを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有する。なお、工程Ｈは、工程Ｆ及び工程Ｇのいずれで終えてもよい。例えば、ｎ＝４の場合、工程Ｈにおいて、工程Ｆのみを１度だけ行う。ｎ＝５の場合には、工程Ｆの後に工程Ｇを行い、ｎ＝６の場合には、工程Ｇを行った後に更にもう１度工程Ｆを行う。

なお、本実施の形態においては、配線末端部及び銀微粒子の表面を被覆する被膜を形成する膜化合物として３種類の膜化合物を用いているが、これらは全て同一の化合物であってもよい。或いは、配線末端部及び銀微粒子層の各層を形成している銀微粒子の表面は、それぞれ異なる膜化合物の被膜で被覆されていてもよい。
また、本実施の形態において、第１及び第２のカップリング剤として共に２−メチルイミダゾールを用いているが、それぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。或いは、配線末端部と第１番目の銀微粒子層との間、及び各銀微粒子層の間毎にそれぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。

次に、本発明の第３の実施の形態に係る単層電極２について説明する。
図２（ａ）に示すように、単層電極２は、基板１１上に設けられた配線の配線末端部１２の表面のパターン部分２２にのみ銀微粒子３１が配列した銀微粒子層が１層結合固定されたパターン状の電極である。
基板１１の表面のパターン部分２２には、分子の一端にエポキシ基を有し、他端でパターン部分２２の表面に結合した第１の膜化合物の単分子膜１４が形成されている。
銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有し、銀微粒子３１の表面に結合した第２の膜化合物の単分子膜３３が形成され、更にその表面には、エポキシ基とカップリング反応して結合を形成するアミノ基及びイミノ基とを分子内に１つずつ有する２−メチルイミダゾールのアミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）の単分子膜３５が形成されている。
基板１１と銀微粒子３１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。

単層電極２の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図２（ａ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液を基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）と基板１１の表面の水酸基１３との間で結合を形成させ、配線末端部１２を含む基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１４を形成し（図３参照）、次いでパターン部分２２を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１４の表面に光照射（エネルギー線の照射）し、パターン部分２２にのみエポキシ基を残す（図４参照）工程Ａと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、第２の膜化合物の単分子膜３３の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５を形成させ、次いで、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１４が形成された基板１１と２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで、固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有する。

次に、本発明の第４の実施の形態に係る積層電極４について説明する。
図２（ｂ）に示すように、積層電極４においては、基板１１上に設けられた配線の配線末端部１２の表面のパターン部分２２の表面にのみ結合固定された銀微粒子層は基板１１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。

パターン部分２２の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１４が形成されている。
第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成され、更にその表面には、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成されている。
第２層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子４１の表面は、分子の一端にエポキシ基（第１の官能基の一例）を有し他端に第３の結合基を有する第３の膜化合物の単分子膜４６（被膜の一例）が形成されている。

基板１１と第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１、及び第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１と第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図２（ｂ）に示すように、第３の膜化合物の単分子膜４６の被膜が表面に形成された銀微粒子４１は、第１層目の銀微粒子層を形成している、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１の側面にも結合することができるが、図２（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して導電性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際にはそれによりパターン形状が損なわれることは殆どない。

積層電極４の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図２（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と基板１１の表面の水酸基１３との間で結合を形成させ、配線末端部１２を含む基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１４を形成し（図３参照）、次いでパターン部分２２を覆うマスク２１を通して第１の膜化合物の単分子膜１４の表面に光照射し、パターン部分２２にのみエポキシ基を残す（図４参照）工程Ａと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１に、２−メチルイミダゾールを接触させてエポキシ基とアミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とをカップリング反応により形成された結合を介して、第２の膜化合物の単分子膜３３の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５を形成させ、次いで、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１４が形成された基板１１と２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有している。

更に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４６を形成する工程Ｅと、銀微粒子層の表層に位置する、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１を２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する工程Ｆとを有する。

工程Ａ〜Ｆについては、第１の実施の形態に係る単層電極１及び第２の実施の形態に係る積層電極３の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。
なお、積層電極４の製造方法においても、ｎ≧３の場合、銀微粒子層の表層に位置する、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１を第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｇを更に有している。
更に、ｎ≧４の場合には、ｎ層の銀微粒子層が形成されるまで工程Ｆ及び工程Ｇを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有する。なお、工程Ｈは、工程Ｆ及び工程Ｇのいずれで終えてもよい。例えば、ｎ＝４の場合、工程Ｈにおいて、工程Ｆのみを１度だけ行う。ｎ＝５の場合には、工程Ｆの後に工程Ｇを行い、ｎ＝６の場合には、工程Ｇを行った後に更にもう１度工程Ｆを行う。

なお、本実施の形態においては、基材及び銀微粒子の表面を被覆する被膜を形成する膜化合物として３種類の膜化合物を用いているが、これらは全て同一の化合物であってもよい。或いは、基材及び銀微粒子層の各層を形成している銀微粒子の表面は、それぞれ異なる膜化合物の被膜で被覆されていてもよい。
また、本実施の形態において、１種類のカップリング剤（２−メチルイミダゾール）を用いているが、基材と第１番目の銀微粒子層との間、及び各銀微粒子層の間毎にそれぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。

次に、図６（ａ）を参照しながら、本発明の第５の実施の形態に係るリード配線５について説明する。なお、図１（ｂ）に示した積層電極２と同様の部分については、同一の番号を付し、詳細な説明を省略する。
リード配線５において、基板１１上に設けられた配線の配線末端部１２の表面のパターン部分２２の表面にのみ結合固定された銀微粒子層は基板１１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。

パターン部分２２の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１４が形成され、更にその表面には、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成されている。
第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成されている。
第２層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子４１の表面には、分子の一端にエポキシ基（第３の官能基の一例）を有する第３の膜化合物の単分子膜４３（被膜の一例）が形成され、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）のアミノ基（第３のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの単分子膜４５（被膜の一例）が更に形成されている。
リード線５１の接続部分５２の表面には、分子の一端にエポキシ基（第２の官能基の一例）を有する第４の膜化合物の単分子膜（被膜の一例）５３が形成されている。

基板１１と第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１、第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１と第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１、及び第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１とリード線５１の接続部分５２との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図６（ａ）に示すように、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５の被膜が表面に形成された銀微粒子４１は、第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１（エポキシ化銀微粒子３４）の側面にも結合することができるが、図１（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して導電性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際にはそれによりパターン形状が損なわれることは殆どない。

リード配線５の接続方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図６（ａ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）と基板１１の表面の水酸基１３との間で結合を形成させ、配線末端部１２を含む基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１４を形成し（図３参照）、次いでパターン部分２２を覆うマスク２１を通して第１の膜化合物の単分子膜１４の表面に光照射し、パターン部分２２にのみエポキシ基を残す（図４参照）工程Ａと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、図３（ｂ）に示すように、まず、パターン形成処理を行った基板１１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、パターン部分２２の表面にのみ選択的に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成させ、次いで、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成された基板１１と第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有している。

更に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４３を形成し、次いで、第３の膜化合物の単分子膜４３の表面に、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）を接触させ、エポキシ基（第３の官能基の一例）とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する単分子膜４５（被膜の一例）を更に形成する工程Ｅと、銀微粒子層の表層に位置する、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する工程Ｆと、
分子の両端にそれぞれエポキシ基及びアルコキシシリル基（第４の結合基の一例）を有する第４の膜化合物を含む溶液をリード線５１の接続部分５２の表面に接触させ、アルコキシシリル基と接続部分５２の表面との間で結合を形成させ、第４の膜化合物の単分子膜５３で接続部分５２の表面を選択的に被覆する工程Ｉと、第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１にリード線５１の接続部分５２を圧着しながら、カップリング反応により形成された結合を介して、接続部分５２を銀微粒子層の第２層目の上に結合固定することにより接続する工程Ｊとを有する。

以下、工程Ａ〜Ｊについてより詳細に説明する。
工程Ａ〜Ｆは、積層電極３の製造方法と同様であるので、説明を省略する。

工程Ｉでは、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液をリード線５１の接続部分５２の表面に接触させ、アルコキシシリル基と接続部分５２の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第４の膜化合物の単分子膜５３を形成する。
用いられる２−メチルイミダゾール溶液の濃度、反応条件等は、工程Ａと同様であるので、詳しい説明を省略する。
（以上工程Ｉ）

工程Ｊでは、接続部分５２に第４の膜化合物の単分子膜５３が形成されたリード線５１を、銀微粒子層の表層に位置する２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１の表面に接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、接続部分５２を銀微粒子層の第２層目の上に結合固定することにより接続する。
工程Ｊにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
（以上工程Ｊ）

本実施の形態においては、銀微粒子層を２層有するリード配線の製造について説明したが、ｎ≧３の場合には、銀微粒子層の表層に位置する、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１を２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｇを更に有している。なお、工程Ｇにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
更に、ｎ≧４の場合には、ｎ層の銀微粒子層が形成されるまで工程Ｆ及び工程Ｇを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有する。なお、工程Ｈは、工程Ｆ及び工程Ｇのいずれで終えてもよい。例えば、ｎ＝４の場合、工程Ｈにおいて、工程Ｆのみを１度だけ行う。ｎ＝５の場合には、工程Ｆの後に工程Ｇを行い、ｎ＝６の場合には、工程Ｇを行った後に更にもう１度工程Ｆを行う。

ｎが奇数の場合には、工程Ｉにおいて、接続部分の表面に形成した第４の膜化合物の単分子膜の表面に、工程Ｄと同様の反応条件を用いて、更に２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成する。

なお、本実施の形態においては、配線末端部、銀微粒子、及びリード線の接続部分の表面を被覆する被膜を形成する膜化合物として４種類の膜化合物を用いているが、これらは全て同一の化合物であってもよい。或いは、配線末端部及び銀微粒子層の各層を形成している銀微粒子の表面は、それぞれ異なる膜化合物の被膜で被覆されていてもよい。
また、本実施の形態において、３種類のカップリング剤として共に２−メチルイミダゾールを用いているが、それぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。或いは、配線末端部と第１番目の銀微粒子層との間、及び各銀微粒子層の間毎にそれぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。

次に、図６（ｂ）を参照しながら、本発明の第６の実施の形態に係るリード配線６について説明する。なお、図２（ｂ）に示した積層電極４と同様の部分については、同一の番号を付し、詳細な説明を省略する。
リード配線６において、基板１１上に設けられた配線の配線末端部１２の表面のパターン部分２２の表面にのみ結合固定された銀微粒子層は基板１１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。

パターン部分２２の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１４が形成されている。
第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成され、更にその表面には、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成されている。
第２層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子４１の表面には、分子の一端にエポキシ基（第１の官能基の一例）を有する第３の膜化合物の単分子膜４６（被膜の一例）が形成されている。
リード線５１の接続部分５２の表面には、分子の一端にエポキシ基（第１の官能基の一例）を有する第４の膜化合物の単分子膜（被膜の一例）５３が形成され、２−メチルイミダゾール（カップリング剤の一例）のアミノ基（カップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの単分子膜５５（被膜の一例）が更に形成されている。

基板１１と第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１、第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１と第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１、及び第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１とリード線５１の接続部分５２との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図６（ｂ）に示すように、第３の膜化合物の単分子膜４６の被膜が表面に形成された銀微粒子４１は、第１層目の銀微粒子層を形成している、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１の側面にも結合することができるが、図６（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して導電性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際にはそれによりパターン形状が損なわれることは殆どない。

リード配線６の接続方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図６（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と基板１１の表面の水酸基１３との間で結合を形成させ、配線末端部１２を含む基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１４を形成し（図３参照）、次いでパターン部分２２を覆うマスク２１を通して第１の膜化合物の単分子膜１４の表面に光照射し、パターン部分２２にのみエポキシ基を残す（図４参照）工程Ａと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１に、２−メチルイミダゾールを接触させてエポキシ基とアミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とをカップリング反応により形成された結合を介して、第２の膜化合物の単分子膜３３の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５を形成させ、次いで、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１４が形成された基板１１と２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有している。

更に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４６を形成する工程Ｅと、銀微粒子層の表層に位置する、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１を２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する工程Ｆと、
分子の両端にそれぞれエポキシ基及びアルコキシシリル基（第４の結合基の一例）を有する第４の膜化合物を含む溶液をリード線５１の接続部分５２の表面に接触させ、アルコキシシリル基と接続部分５２の表面との間で結合を形成させ、第４の膜化合物の単分子膜５３で接続部分５２の表面を選択的に被覆し、次いで表面に第４の膜化合物の単分子膜５３が形成された接続部分５２に、２−メチルイミダゾール（第４のカップリング剤の一例）を接触させてエポキシ基とアミノ基（カップリング反応基の一例）とをカップリング反応により形成された結合を介して、第４の膜化合物の単分子膜５３の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜５５を形成させ工程Ｉと、第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１にリード線５１の接続部分５２を圧着しながら、カップリング反応により形成された結合を介して、接続部分５２を銀微粒子層の第２層目の上に結合固定することにより接続する工程Ｊとを有する。

工程Ａ〜Ｊで用いられる膜化合物、カップリング剤、反応条件は、リード配線５の接続方法と同様であるので、説明を省略する。

本実施の形態においては、銀微粒子層を２層有するリード配線の製造について説明したが、ｎ≧３の場合には、銀微粒子層の表層に位置する、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１を第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｇを更に有している。なお、工程Ｇにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
更に、ｎ≧４の場合には、ｎ層の銀微粒子層が形成されるまで工程Ｆ及び工程Ｇを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有する。なお、工程Ｈは、工程Ｆ及び工程Ｇのいずれで終えてもよい。例えば、ｎ＝４の場合、工程Ｈにおいて、工程Ｆのみを１度だけ行う。ｎ＝５の場合には、工程Ｆの後に工程Ｇを行い、ｎ＝６の場合には、工程Ｇを行った後に更にもう１度工程Ｆを行う。

なお、ｎが奇数の場合には、工程Ｉにおいて、接続部分の表面に形成した第４の膜化合物の単分子膜の表面に、更に２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成する必要がない。

なお、本実施の形態においては、配線末端部、銀微粒子、及びリード線の接続部分の表面を被覆する被膜を形成する膜化合物として４種類の膜化合物を用いているが、これらは全て同一の化合物であってもよい。或いは、配線末端部及び銀微粒子層の各層を形成している銀微粒子の表面は、それぞれ異なる膜化合物の被膜で被覆されていてもよい。
また、本実施の形態において、２種類のカップリング剤として共に２−メチルイミダゾールを用いているが、それぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。或いは、配線末端部と第１番目の銀微粒子層との間、及び各銀微粒子層の間毎にそれぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。

このようにして得られた単層電極１、２、積層電極３、４、及びリード配線５、６の銀微粒子層は、０．１〜０．２５×１０^６Ｓ・ｃｍ^−１程度の電気伝導度を有している。これは、バルク銀の電気伝導度（約０．６×１０^６Ｓ・ｃｍ^−１）にほぼ匹敵する値である。単層電極１、２を形成しているエポキシ化銀微粒子３４は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３でその表面が被覆されているが、その厚さは高々数ｎｍであり、導電性には殆ど影響を与えていないと考えられる。
同様に、積層電極３、４、及びリード配線５，６の銀微粒子層を形成しているエポキシ化銀微粒子は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３、４３又は４６でその表面が被覆されているが、その厚さは高々数ｎｍであり、導電性には殆ど影響を与えていないと考えられる。

単層電極１、２、積層電極３、４、及びリード配線５、６が用いられた電子部品の一例としては、半導体集積回路、プリント基板、多層基板におけるビア導体、タッチパネルにおける透明電極等が挙げられる。電子機器としては、これらの電子部品が用いられた任意の電子機器が挙げられる。

以下、本発明の作用効果を確認するために行った実施例について説明するが、本発明は、これら実施例によって何ら限定されるものではない。

実施例１：電極の製造
（１）電子デバイス基板表面へのエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の形成
銅配線パターンが形成されたガラス基板上に各種素子が実装された電子デバイス基板を用意し、洗浄後よく乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化８、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、及びジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。

このようにして得られた反応液を電子デバイス基板に塗布し、空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物及びジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。この方法により、電子デバイス基板の表面にエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜（膜厚約１ｎｍ）を形成できた。

（２）パターン形成処理
（１）で電子デバイス基板の表面に形成したエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜に、配線末端部１２上に形成されるパターン部分２２を覆うマスクを介してＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅１０ｎｓ、レーザー強度０．１５Ｊ／ｃｍ^２）を照射し、パターン部分２２以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜を、レーザーアブレーションにより除去した。この方法によりパターン形成処理を行うことができた。

あるいは、カチオン性光重合開始剤であるイルガキュア（登録商標）２５０（（４−メチルフェニル）［４−（２−メチルプロピル）フェニル］ヨードニウムヘキサフルオロホスフェートと炭酸プロピレンとの３：１混合物、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）で希釈して、電子デバイス基板の表面に形成したエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の表面に塗布した後、形成されるパターン部分２２を覆うマスクを介して遠紫外線を照射し、パターン部分２２以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜のエポキシ基を開環重合させることによっても、パターン形成処理を行うことができた。

（３）銀微粒子表面へのエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の形成
粒径が１００ｎｍ程度の銀微粒子を用意し、よく乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化８）０．９９重量部、及びジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。

このようにして得られた反応液中に銀微粒子を混合し、撹拌しながら空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物及びジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。この方法により、銀微粒子の表面にも水酸基が存在するので、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜を形成できた。

（４）電子デバイス基板表面への２−メチルイミダゾールの単分子膜の形成
（２）でパターン形成処理を行った電子デバイス基板の表面に、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液を塗布し、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して２−メチルイミダゾールの単分子膜が形成された。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。

（５）銀微粒子表面への２−メチルイミダゾールの単分子膜の形成
（３）で表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成した銀微粒子を、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液中に分散して、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して、銀微粒子表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成できた。その後、エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。

（６）単層電極の製造［１］
（４）で、２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成した電子デバイス基板の表面に、（３）で表面にエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜を形成した銀微粒子のエタノール分散液を塗布し、超音波照射後、１００℃で加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分な銀微粒子を除去した。このようにして得られた単層電極の厚みは、銀微粒子の平均粒径とほぼ同一の１００ｎｍであり、極めて均一性が高いため、干渉色は観測されなかった。また、単層電極について電気伝導度を測定したところ、約０．１×１０^６Ｓ・ｃｍ^−１という測定値を得た。

実施例２：積層電極の製造［１］
実施例１と同様の方法により得られた、銀微粒子層が１層積層した単層電極の表面に、実施例１（５）と同様に調製した、表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を更に形成した銀微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分な銀微粒子を除去すると、２層の銀微粒子層が積層した積層電極が得られた。
また、積層電極について電気伝導度を測定したところ、約０．２×１０^６Ｓ・ｃｍ^−１という測定値を得た。

実施例３：単層電極の製造［２］
実施例１（２）と同様の方法により得られた、パターン形成処理したエポキシ化電子デバイス基板の表面に、表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を更に形成した銀微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分な銀微粒子を除去すると、実施例１で得られた単層電極と同様の厚さ、電気伝導度を有する単層電極が得られた。

実施例４：積層電極の製造［２］
実施例３と同様の方法により得られた、銀微粒子層が１層積層した単層電極の表面に、実施例１（３）と同様の方法により得られた、表面に３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランの単分子膜を形成した銀微粒子のエタノール分散液を更に塗布し、１００℃で加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分な銀微粒子を除去すると、２層の銀微粒子層が積層した積層電極が得られた。このようにして得られた積層電極についても電気伝導度を測定したところ、約０．２×１０^６Ｓ・ｃｍ^−１という測定値を得た。

実施例５：リード配線の接続［１］
（１）積層銀微粒子層の形成
実施例２と同様の方法により、電子デバイス基板の配線末端部に銀微粒子層が２層積層した積層銀微粒子層を形成した。

（２）リード線の接続部分の表面へのエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の形成
アルミニウム製のリード配線を用意し、よく乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化８）０．９９重量部、及びジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。

このようにして得られた反応液中をリード線の接続部分に塗布し、空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物及びジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。この方法により、リード線表面にも水酸基が存在するので、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜を形成できた。

（３）リード線の接続
（２）で、表面にエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜を形成したリード線の接続部分を位置合わせして、（１）で形成した積層銀微粒子層の表面に圧着して１００℃で加熱すると、銀微粒子層とリード線は、化学結合して導通し、リード配線を形成できた。
このようにして接続されたリード配線は、従来の超音波圧着した電子部品に比べ格段に信頼性の高い電気接続が達成できた。また、それらを用いた電子機器では、信頼性試験による不良発生率が大幅に減少した。

実施例６：リード配線の接続［２］
（１）積層銀微粒子層の形成
実施例４と同様の方法により、電子デバイス基板の配線末端部に銀微粒子層が２層積層した積層銀微粒子層を形成した。

（２）リード線の接続部分の表面へのエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の形成
アルミニウム製のリード配線を用意し、よく乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化８）０．９９重量部、及びジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。

このようにして得られた反応液中をリード線の接続部分に塗布し、空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物及びジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。この方法により、リード線表面にも水酸基が存在するので、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜を形成できた。

（３）リード線の接続部分の表面への２−メチルイミダゾールの単分子膜の形成
（２）でエポキシ基を有する単分子膜を形成したリード線の接続部分の表面に、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液を塗布し、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して２−メチルイミダゾールの単分子膜が形成された。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。

（４）リード線の接続
（３）で、表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成したリード線の接続部分を位置合わせして、（１）で形成した積層銀微粒子層の表面に圧着して１００℃で加熱すると、銀微粒子層とリード線は、化学結合して導通し、リード配線を形成できた。
このようにして接続されたリード配線は、従来の超音波圧着した電子部品に比べ格段に信頼性の高い電気接続が達成できた。また、それらを用いた電子機器では、信頼性試験による不良発生率が大幅に減少した。

なお、単層電極、積層電極、及びリード配線が形成された基板を用いた電子部品及び電子機器は、それぞれ公知の方法を用いて製造できるので、詳しい説明を省略する。

（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るパターン状の単層電極の断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るパターン状の積層電極の断面構造を模式的に表した説明図である。 （ａ）は本発明の第３の実施の形態に係るパターン状の単層電極の断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は本発明の第４の実施の形態に係るパターン状の積層電極の断面構造を模式的に表した説明図である。 本発明の第１〜第４の実施の形態に係るパターン状の電極の製造方法において、基板の表面に第１の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前の基板の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成された基板の断面構造をそれぞれ表す。 （ａ）は、本発明の第１〜第４の実施の形態に係る電極の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ｂ）は、変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図である。 本発明の第１〜第４の実施の形態に係る電極の製造方法において、銀微粒子の表面に第２の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前の銀微粒子の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成された銀微粒子の断面構造をそれぞれ表す。 （ａ）は本発明の第５の実施の形態に係るリード配線の断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は本発明の第６の実施の形態に係るリード配線の断面構造を模式的に表した説明図である。

符号の説明

１、２：単層電極、３、４：積層電極、５、６：リード配線、１１：基板、１２：配線末端部、１３：水酸基、１４：第１の膜化合物の単分子膜、１４ａ：エポキシ化基板、１５：２−メチルイミダゾールの単分子膜、２１：マスク、２２：パターン部分２２、２３：除去されたアルコキシシラン化合物、２４：パターン部分２２、３１：銀微粒子、３２：水酸基、３３：第２の膜化合物の単分子膜、３４：エポキシ化銀微粒子、３５：２−メチルイミダゾールの単分子膜、４１：銀微粒子、４３：第３の膜化合物の単分子膜、４５：２−メチルイミダゾールの単分子膜、４６：第３の膜化合物の単分子膜、５１：リード線、５２：接続部分、５３：第４の膜化合物の単分子膜、５５：２−メチルイミダゾールの単分子膜

Claims (44)

1. 導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、配線末端部の表面に選択的に結合固定された電極であって、
   前記配線末端部の表面には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該配線末端部の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、
   前記導電性微粒子の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、
   前記導電性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記配線末端部の表面に固定されていることを特徴とする電極。
2. 請求項１記載の電極において、前記導電性微粒子層が前記配線末端部の表面のパターン部分２２にのみ形成されていることを特徴とする電極。
3. 請求項１及び２のいずれか１項に記載の電極において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする電極。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の電極において、前記第１及び第２の膜化合物の形成する被膜の双方が単分子膜であることを特徴とする電極。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の電極において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする電極。
6. 導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、配線末端部の表面に、前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した電極であって、
   前記配線末端部の表面には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該配線末端部の表面に選択的に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、
   前記導電性微粒子の第１層の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、
   第ｘ番目（ｘは整数で、２≦ｘ≦ｎ）の前記導電性微粒子層を形成している前記導電性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第（ｘ＋１）の膜化合物の形成する被膜で被覆され、
   前記導電性微粒子の第１層は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記配線末端部の表面に固定されており、
   前記導電性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されていることを特徴とする電極。
7. 請求項６記載の電極において、前記導電性微粒子層が前記配線末端部の表面のパターン部分２２にのみ形成されていることを特徴とする電極。
8. 請求項６及び７のいずれか１項に記載の電極において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、並びに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする電極。
9. 請求項６〜８のいずれか１項に記載の電極において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とする電極。
10. 請求項６〜９のいずれか１項に記載の電極において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする電極。
11. 導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、配線末端部の表面に選択的に結合固定された電極を製造する方法であって、
    分子の両端にそれぞれ第１の官能基及び第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記配線末端部の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記配線末端部の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記配線末端部の表面を選択的に被覆する工程Ａと、
    分子の両端にそれぞれ第２の官能基及び第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｃと、
    前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記選択的に被覆された配線末端部及び前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、及び前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記導電性微粒子からなる１層の前記導電性微粒子層を前記配線末端部の表面に結合固定し、次いで、前記配線末端部の表面に固定されなかった前記導電性微粒子を除去する工程Ｄとを有することを特徴とする電極の製造方法。
12. 請求項１１記載の電極の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記選択的に被覆された配線末端部の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された配線末端部と前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに前記導電性微粒子を結合固定することを特徴とする電極の製造方法。
13. 請求項１１記載の電極の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記選択的に被覆された配線末端部とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに前記導電性微粒子を結合固定することを特徴とする電極の製造方法。
14. 請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の電極の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする電極の製造方法。
15. 請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の電極の製造方法において、前記工程Ａ及び前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１及び第２の膜化合物は洗浄除去され、前記配線末端部及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする電極の製造方法。
16. 請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の電極の製造方法において、前記工程Ａでは、前記配線末端部が形成された基板の表面全体に前記第１の膜化合物の被膜を形成後、前記配線末端部の表面のパターン部分を覆うマスクを通して、前記基板の表面にエネルギー線の照射を行い、前記パターン部分にのみ前記第１の膜化合物の形成する被膜を残すことを特徴とする電極の製造方法。
17. 請求項１２記載の電極の製造方法において、前記配線末端部の表面には、前記導電性微粒子層が前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した電極の製造方法であって、
    分子の両端にそれぞれ第３の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の被膜を形成し、次いで、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に、１つ又は２つ以上の前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第２のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｅと、
    前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、
    ｎ≧３の場合には、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２のカップリング剤の被膜を有する導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、
    ｎ≧４の場合には、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有することを特徴とする電極の製造方法。
18. 請求項１３記載の電極の製造方法において、前記配線末端部の表面には、前記導電性微粒子層が前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した電極の製造方法であって、
    分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｅと、
    前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、
    ｎ≧３の場合には、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、
    ｎ≧４の場合には、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有することを特徴とする電極の製造方法。
19. 請求項１７及び１８のいずれか１項に記載の電極の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とする電極の製造方法。
20. 請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の電極の製造方法において、前記工程Ａ、前記工程Ｃ及び前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第１〜第３の膜化合物は洗浄除去され、前記配線末端部及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１〜第３の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする電極の製造方法。
21. 請求項１１〜２０のいずれか１項に記載の電極の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする電極の製造方法。
22. 導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、基板上の配線末端部の表面に選択的に結合固定され、該導電性微粒子層の表層に位置する導電性微粒子にリード線が接続されたリード配線であって、
    前記配線末端部の表面には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該配線末端部の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、
    前記導電性微粒子の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、
    前記導電性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記配線末端部の表面に固定され、
    前記リード線の前記導電性微粒子層と接続する接続部分の表面には、分子の一端に前記第１のカップリング反応基とカップリング反応して結合を形成する第３の官能基を有し、他端で前記リード線の接続部分の表面に結合した第３の膜化合物の被膜が形成され、
    前記リード線の接続部分は、前記第１のカップリング反応基と前記第３の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記導電性微粒子層の表層に位置する導電性微粒子の表面に固定されていることを特徴とするリード配線。
23. 請求項２２記載のリード配線において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とするリード配線。
24. 請求項２２及び２３のいずれか１項に記載のリード配線において、前記第１〜第３の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とするリード配線。
25. 請求項２２〜２４のいずれか１項に記載のリード配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とするリード配線。
26. 導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、基板上の配線末端部の表面に、前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層し、該導電性微粒子層の第ｎ層に位置する導電性微粒子にリード線が接続されたリード配線であって、
    前記配線末端部の表面には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該配線末端部の表面に選択的に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、
    前記導電性微粒子の第１層の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、
    第ｘ番目（ｘは整数で、２≦ｘ≦ｎ）の前記導電性微粒子層を形成している前記導電性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第（ｘ＋１）の膜化合物の形成する被膜で被覆され、
    前記導電性微粒子の第１層は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記配線末端部の表面に固定されており、
    前記導電性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定され、
    前記リード線の前記導電性微粒子層と接続する接続部分の表面には、分子の一端に第（ｎ＋２）の官能基を有し、他端で前記リード線の接続部分の表面に結合した第（ｎ＋２）の膜化合物の被膜が形成され、
    前記リード線の接続部分は、第（ｎ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｎ＋１）のカップリング反応基と、前記第（ｎ＋２）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｎ＋２）のカップリング反応基とを有する第（ｎ＋１）のカップリング剤と、前記第（ｎ＋１）の官能基と前記第（ｎ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｎ＋２）のカップリング反応基と前記第（ｎ＋２）の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記導電性微粒子層の第ｎ層に位置する導電性微粒子の表面に固定されていることを特徴とするリード配線。
27. 請求項２６記載のリード配線において、前記第１〜第（ｎ＋２）の膜化合物、並びに前記第１〜第（ｎ＋１）のカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とするリード配線。
28. 請求項２６及び２７のいずれか１項に記載のリード配線において、前記第１〜第（ｎ＋２）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とするリード配線。
29. 請求項２６〜２８のいずれか１項に記載のリード配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とするリード配線。
30. 導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、基板上の配線末端部の表面に選択的に結合固定され、該導電性微粒子層の最表層に位置する導電性微粒子にリード線が接続されたリード配線を接続する方法であって、
    分子の両端にそれぞれ第１の官能基及び第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記配線末端部の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記配線末端部の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記配線末端部の表面を選択的に被覆する工程Ａと、
    分子の両端にそれぞれ第２の官能基及び第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｃと、
    前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記選択的に被覆された配線末端部及び前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、及び前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記導電性微粒子からなる１層の前記導電性微粒子層を前記配線末端部の表面に結合固定し、次いで、前記配線末端部の表面に固定されなかった前記導電性微粒子を除去する工程Ｄと、
    前記導電性微粒子層の最表層に前記リード線の前記導電性微粒子層と接続する接続部分を圧着して接続する工程Ｊとを有することを特徴とするリード配線の接続方法。
31. 請求項３０記載のリード配線の接続方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記選択的に被覆された配線末端部の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された配線末端部と前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに前記導電性微粒子を結合固定することを特徴とするリード配線の接続方法。
32. 請求項３０記載のリード配線の接続方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記選択的に被覆された配線末端部とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記選択的に被覆された部分の表面のみに前記導電性微粒子を結合固定することを特徴とするリード配線の接続方法。
33. 請求項３０〜３２のいずれか１項に記載のリード配線の接続方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とするリード配線の接続方法。
34. 請求項３０〜３３のいずれか１項に記載のリード配線の接続方法において、前記工程Ａ及び前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１及び第２の膜化合物は洗浄除去され、前記配線末端部及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とするリード配線の接続方法。
35. 請求項３０〜３４のいずれか１項に記載のリード配線の接続方法において、前記工程Ａでは、前記基板の表面全体に前記第１の膜化合物の被膜を形成後、前記配線末端部の表面のパターン部分を覆うマスクを通して、前記基板の表面にエネルギー線の照射を行い、前記パターン部分にのみ前記第１の膜化合物の形成する被膜を残すことを特徴とするリード配線の接続方法。
36. 請求項３１記載のリード配線の接続方法において、前記配線末端部の表面には、前記導電性微粒子層が前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層したリード配線の接続方法であって、前記工程Ｄ及び前記工程Ｊの間に、
    分子の両端にそれぞれ第３の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の被膜を形成し、次いで、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に、１つ又は２つ以上の前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第２のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｅと、
    前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、
    ｎ≧３の場合には、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２のカップリング剤の被膜を有する導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、
    ｎ≧４の場合には、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有することを特徴とするリード配線の接続方法。
37. 請求項３６記載のリード配線の接続方法において、前記工程Ｊの前に、
    分子の両端にそれぞれ前記第２の官能基及び第４の結合基を有する第４の膜化合物を含む溶液を前記リード線の接続部分の表面に接触させ、前記第４の結合基と前記配線末端部の表面との間で結合を形成させ、前記第４の膜化合物の形成する被膜で前記接続部分の表面を選択的に被覆し、ｎが奇数の場合には、前記第４の膜化合物の被膜が形成されたリード線の接続部分の表面に、前記第２の官能基と反応して結合を形成する１種類又は２種類以上のカップリング反応基を２つ以上有する第３のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記カップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第３のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｉを更に有し、
    前記工程Ｊでは、カップリング反応により形成された結合を介して、前記リード線の接続部分を前記導電性微粒子層の第ｎ層に位置する導電性微粒子の上に結合固定することを特徴とするリード配線の接続方法。
38. 請求項３２記載のリード配線の接続方法において、前記配線末端部の表面には、前記導電性微粒子層が前記配線末端部側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層したリード配線の接続方法であって、前記工程Ｄ及び前記工程Ｊの間に、
    分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｅと、
    前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、
    ｎ≧３の場合には、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、
    ｎ≧４の場合には、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有することを特徴とするリード配線の接続方法。
39. 請求項３８記載のリード配線の接続方法において、前記工程Ｊの前に、
    分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第４の結合基を有する第４の膜化合物を含む溶液を前記リード線の接続部分の表面に接触させ、前記第４の結合基と前記配線末端部の表面との間で結合を形成させ、前記第４の膜化合物の形成する被膜で前記接続部分の表面を選択的に被覆し、ｎが偶数の場合には、前記第４の膜化合物の被膜が形成されたリード線の接続部分の表面に、前記第１の官能基と反応して結合を形成する１種類又は２種類以上のカップリング反応基を２つ以上有する第４のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記カップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第４のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｉを更に有し、
    前記工程Ｊでは、カップリング反応により形成された結合を介して、前記リード線の接続部分を前記導電性微粒子層の第ｎ層に位置する導電性微粒子の上に結合固定することを特徴とするリード配線の接続方法。
40. 請求項３６〜３９のいずれか１項に記載のリード配線の接続方法において、前記第１〜第４の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とするリード配線の接続方法。
41. 請求項３６〜４０のいずれか１項に記載のリード配線の接続方法において、前記工程Ａ、前記工程Ｃ、前記工程Ｅ、及び前記工程Ｉにおいて、未反応の前記第１〜第４の膜化合物は洗浄除去され、前記配線末端部及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１〜第４の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とするリード配線の接続方法。
42. 請求項３０〜４１のいずれか１項に記載のリード配線の接続方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とするリード配線の接続方法。
43. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電極、及び請求項２２〜２９のいずれか１項に記載のリード配線のいずれか一方又は双方を用いた電子部品。
44. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電極、及び請求項２２〜２９のいずれか１項に記載のリード配線のいずれか一方又は双方を用いた電子機器。

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