JP5000820B2 - 音響共振器及びその製造方法 - Google Patents

音響共振器及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5000820B2
JP5000820B2 JP2001273852A JP2001273852A JP5000820B2 JP 5000820 B2 JP5000820 B2 JP 5000820B2 JP 2001273852 A JP2001273852 A JP 2001273852A JP 2001273852 A JP2001273852 A JP 2001273852A JP 5000820 B2 JP5000820 B2 JP 5000820B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
filter
die
fbar
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001273852A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002182652A (ja
Inventor
リチャード・シー・ルビー
Original Assignee
アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=24644686&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP5000820(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド filed Critical アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド
Publication of JP2002182652A publication Critical patent/JP2002182652A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5000820B2 publication Critical patent/JP5000820B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/24Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02007Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02125Means for compensation or elimination of undesirable effects of parasitic elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56Monolithic crystal filters
    • H03H9/564Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/021Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/959Mechanical polishing of wafer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、音響共振器及びその製造方法に関し、更に詳しくは、電子回路におけるフィルタとして使うことができる共振器及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子機器の価格を下げるともに寸法を小さくすることの要求のために、より小さなフィルタ部品が継続的に必要とされている。携帯電話や小型ラジオのようなコンシューマ・エレクトロニクスは、それらに内蔵される部品の寸法・価格に厳しい基準を設けている。このような機器の多くは、周波数に関して精密に同調しなければならないフィルタを用いている。従って、低コストで、コンパクトなフィルタユニットを提供するための継続的な努力が行なわれている。
【0003】
これらの要求に適合できるポテンシャルを備えたフィルタ部品の一つは、音響共振器のためのものである。これらの装置は、薄膜圧電(PZ)材料内で大きな縦音波を用いている。一つの簡単な構造において、圧電材料の層は、二つの金属電極の間にサンドイッチされている。このサンドイッチ構造は、その周囲を支えられて空気中に吊り下げられている。電圧を加えられて電界がこの二つの電極の間に発生すると、圧電材料は、電気的なエネルギーを音波の形の機械的なエネルギーに変換する。この音波は、電界と同じ方向に伝わり、電極/空気インターフェースで反射する。
【0004】
機械的な共振という観点からは、この装置は電子的な共振器と考えられるので、装置はフィルタとして働く。機械的な共振周波数は、装置内を伝わる音波の半波長が材料内の音の所定の位相速度に対する装置の全体的な厚さに等しくなるような周波数である。音の速度は光の速度よりもはるかに低い次数にあるので、構成された共振器は、非常にコンパクトなものになる。GHz範囲に適用される共振器は、直径において100μm以下、厚さにおいて数μm以下の物理的な寸法を有している。
【0005】
薄膜バルク音響共振器(FBAR)と積層型薄膜バルク波音響共振器(SBAR)又はそれらを含むフィルタは、1〜2μmの大きさの薄膜スパッタ圧電フィルムを有している。上部及び下部の電極は圧電体を挟むように導電リードを形成し、この圧電体を通過する方向に電界を形成する。これにより、この圧電体は、電界の一部分を、機械的な場又はエネルギーに変換する。時間的に変化する「応力/ひずみ」の場が、時間的に変化する加えられた電界に対応して形成される。
【0006】
共振器として働くために、挟まれた圧電フィルムは、このフィルム内に音波をとらえる空気/結晶インターフェースを構成するように空気中に吊り下げられる。装置は、通常、基板表面に、下部電極、圧電体層、次いで、上部電極を堆積させることによって作り出される。従って、空気/結晶インターフェースは、既に、装置の上部に存在していることになる。第2の空気/結晶インターフェースが、装置の底部に構成されなければならない。この第2の空気/結晶インターフェースを得るために、いくつかのアプローチがある。これらのアプローチのいくつかが、以後、参照文献として取り扱われるRubyなどに付与された米国特許第6,060,818号に開示されている。
【0007】
例えば、直径4インチの単結晶シリコンウエハのような単一の基板上に複数のFBARを作り出すことが可能である。基板は、次いで、その上に形成される多数のFBARに分離するようにダイシングされる。しかしながら、この基板をダイシングする工程では、非常に薄いFBAR共振器を壊すおそれがあるので、ダイシング工程には注意を払わねばならない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従って、音響共振器構造及びその製造方法に対する改善への要求がある。特に、FBARとSBARを製造するバッチ処理における改善が求められている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明による音響共振器をバッチ処理するための方法は、基板の表面上に第1の電極を堆積させ、該第1の電極上に圧電材料の層を堆積させ、該圧電材料の層上に第2の電極を堆積させ、及び、前記基板の底面から材料を除去して前記基板の厚さを少なくするとともに結果として得られるフィルタへの電磁的な影響を小さくする構造を形成する過程を含んでいる。
【0010】
本発明の他の実施形態においては、音響フィルタが設けられる。音響フィルタは、表面に形成されたキャビティを備えたダイ基板を含み、このダイ基板は、約490μm(19ミル)以下の厚さを備え、複数の共振器メンブレンがダイ基板の上に形成される。これらの複数の共振器メンブレンは、ダイ基板のキャビティ上に配置された第1の電極と、第1の電極上に形成された圧電材料と、及び、圧電材料上に形成された第2の電極を含んでいる。複数の相互接続体がダイ基板に形成されて複数の共振器メンブレン間の電気的な接続体を構成している。パッケージが設けられ、このパッケージは、その表面に形成されたダイキャビティを備えており、更にダイ基板は、このダイキャビティに設けられ、従って、ダイ基板の表面に沿って流れる一次電流が一次電流磁界を発生させるとともに基板下方の接地面に沿って流れる像電流(又はイメージ電流)が像電流磁界を発生させ、この一次電流磁界と像電流磁界が逆の極性を有しているようにしている。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の好適実施例と、それらの利点は、図1乃至図10を参照することにより最適の理解が得られる。様々な図面における同一の及び対応する部材には、同一の数字が付与されている。
【0012】
図1は、本発明の理解を容易にしようとするもので、(a)、(b)は、それぞれ、FBARメンブレン100とSBARメンブレン110を示す断面図である。FBARメンブレン100は、下部電極と上部電極102、104をそれぞれ有しており、これらは、例えば、窒化アルミニウムAlNのような圧電(PZ)材料106のシートの一部分をサンドイッチしている。FBARメンブレン100に用いられる電極102、104は、例えば、モリブデンにより作られている。FBARメンブレン100は、薄膜圧電材料106中において大きな縦音波を用いる。下部電極102と上部電極104間に加えられた電圧により電界が発生されると、圧電材料106は、電気的なエネルギーを音波の形で機械的なエネルギーに変換する。この音波は、電界と同じ方向に伝わって電極/空気インターフェースで反射する。
【0013】
機械的な共振において、FBARメンブレン100は、電子的な共振器と考えられるので、装置は、ノッチフィルタとして働く。機械的な共振周波数は、装置内を伝わる音波の半波長が材料内の音の所定の位相速度に対する装置の全体的な厚さに等しくなるような周波数である。音の速度は光の速度よりもはるかに低い次数にあるので、構成された共振器は、非常にコンパクトなものになる。GHz範囲に適用される共振器は、直径において200μm以下、厚さにおいて数μm以下の物理的な寸法を有するように構成される。
【0014】
SBARメンブレン110の断面図を示す図1(b)によれば、SBARメンブレン110は、帯域通過フィルタの電気的な機能と同じ機能を有している。SBARメンブレン110は、基本的には、機械的に接続されている二つのSBARメンブレンである。電極112、114間の圧電層118の共振周波数を有する信号は、圧電層120に音響エネルギーを伝える。圧電層120における機械的な振動は、圧電層120内の圧電材料によって電極114と116をまたぐ電気的な信号に変換される。
【0015】
FBARとSBARメンブレンが本発明の実施形態により構成されるやり方が、複数のFBARメンブレンが作り出される基板200の一部分の断面図である図2−図8を参照すると容易に理解できる。
【0016】
図2は、例えば、4インチ(約102mm)の直径と、約550μm(約22ミル)の厚さt1を備えた集積回路製造に使われるタイプの周知のシリコンウエハとされ得る基板200の一部分を示している。複数のキャビティ204が、基板200の表面にエッチングにより設けられている。各々のキャビティ204の深さdは、FBARメンブレン217(図6)における圧電層によって生じる移動を吸収できるような大きさでなければならない。図2に示される実施例においては、約5μmの深さdが適切である。キャビティ204の各々は、約200μmの上部幅wuと、約193μmの下部幅wlとを備えている。
【0017】
本発明のこの実施例によるFBARメンブレン217の製造は、バッチ処理であり、従って、複数のFBARメンブレン217は、単一の基板200上に同時に形成される。図3乃至図5は1個のFBARメンブレン217を形成するのに使われる処理を示しているが、複数の同じ処理が基板200の表面にわたって施されて複数のFBARメンブレン217を同時に形成できることは明らかであろう。更に、これらの図面が比例して描写されていないことは明らかであろう。簡単のために、図3乃至図5に示されている基板200は、キャビティ204の深さdの約2倍の厚さt1を備えているように見えるが、上述した実施例の寸法により示されているように、基板200は、通常、dよりもはるかに厚い。
【0018】
熱酸化物206の薄膜層は、基板200の表面で成長して引き続く過程において使われるリン石英ガラス(PSG)からリンが基板200中に拡散することを妨げる。このような拡散は、シリコンにより形成される基板200を導電体に変換して最終装置における電気的な動作と干渉することになる。
【0019】
図4において、犠牲的なPSG層208は、次いで、基板200に堆積させられる。犠牲的なPSG層208は、シランとP25を用いて約450℃の温度において堆積されて約8%のリンであるソフトガラス状の材料を形成する。この低温度処理は従来周知であるので、以後詳細には説明しない。PSGは非常なる透明性を備えた不活性の材料であり、比較的低温での堆積が可能であり、希釈されたH2O:HF溶液内で非常に高速度のエッチング速度でエッチングされることができ、従って、仮配置層として使うことが有益である。10:1の希釈比において、3μm/分のオーダーでのエッチング速度を得ることができる。
【0020】
残念ながら、そのままのPSG仮配置層は、通常、音響共振器を構成するのには不充分な基板である。このような堆積された薄膜の面は、原子レベルでは非常に粗い。FBAR/SBARタイプの音響共振器は、結晶が電極の面に対して直交している柱状に成長している圧電材料を用いる。実験において、PSG層の表面に上手く並列させられた圧電フィルムを成長させる試みがなされたが、粗い面上で多くの面があらゆる方向に結晶成長を始めるためにほとんど圧電効果を示さない貧弱な多結晶材料を得ただけであった。基板が、圧電層にとっての「種」構造、即ち成長の基礎となる結晶構造を含まずとも、平滑な面を構成することにより優れた圧電効果を示す高度に構造組織化されたc軸圧電材料を堆積するための効果的な基板となりうる。
【0021】
本発明の複数の実施形態が、PSG層208の表面を研磨することによってこの問題を克服し、原子的に滑らかな面を形成する。図5において、PSG層105の表面は、まず、スラリーとともに研磨によって平滑化されてキャビティ204外部のPSG層105の部分と熱酸化層206が除去される。残りのPSG層210が、次いで、より微細なスラリーにより研磨される。或いは、単一のスラリーを両方の研磨過程に使っても良い。これらの研磨過程は、PSG部分210の表面に「鏡」のような仕上げを作り出すべきである。
【0022】
研磨後、基板200は、残留しているスラリーやその他の汚染物を除去するように洗浄される。研磨後、ウエハは、様々な洗浄剤を保持している一連のタンク内にウエハを浸漬する最終的な洗浄過程の用意ができるまで脱イオン水内に漬けられている。タンクの各々は、超音波撹拌を受ける。
【0023】
洗浄後、例えば、モリブデンからなる電極層212が堆積され、次いで、選択的にエッチングされてFBARメンブレン217の下部電極を形成する。Al、W、Au、Pt、或いは、Tiのような様々な代替材料を電極212に使用できる。モリブデンは、低い熱弾性損失を有しているので、共振器に用いるのに適している。この実施例においては、モリブデンが、スパッタリングにより堆積されて5nm以下の高さにおけるRMS変化を備えた滑らかなモリブデン層を構成する。
【0024】
下部電極層212が堆積された後、圧電層214が堆積される。一つの実施例において、圧電層214は、0.1〜10μmの間の厚さを備えたAlNスパッタ堆積層である。最終的に、例えば、下部電極層212と同じ材料から構成されている上部電極層216が、堆積されて選択的にエッチングされる。次いで、圧電層214が選択的にエッチングされ、下部電極層212、圧電層214、及び、上部電極層216が、FBARメンブレン217を形成する。得られた構造が、図6に示されている。
【0025】
従来周知のシリコンウエハ処理において、装置がウエハ表面に形成された後、ウエハは、切断過程においてダイシングされて複数の個々のダイとなる。切断は、通常、高圧DI水リンスと組み合わせて高速度の旋盤が使われてシリコンチップと切断により生じた残留物を除去する。しかしながら、FBARメンブレン217は、非常に薄くて壊れやすいので、このリンス作業は、FBARメンブレン217を破壊することがある。
【0026】
ウエハ切断に代わるものは、「スクライブ・クリーブ」として知られている処理である。例えば、ダイヤモンド切断チップであることができるスクライブは、ウエハの表面に沿って引かれてウエハ面に浅い溝(スクライブ線)を形成する。個々のダイは、溝の位置においてウエハに圧力をかけることによって分離される。ウエハは、ウエハの結晶構造に従うようにした溝の位置において分離する。「分離」過程は、スクライブ線に沿ってウエハの下方を押圧することによって或いはウエハの面上に円筒形のローラをかけることによって実行される。いずれの場合においても、ダイの幅wdがウエハの厚さt1に対して小さいときは、「スクライブ・クリーブ」は、不確実なものとなり、ダイシングの際に望むようには分離できない。一つの実施例において、wdとt1の比は、少なくとも2〜1であることが好ましい。
【0027】
上述したように、基板200は、約380〜760μm(約16〜30ミル)の範囲の厚さt1を備えるとともに約1000μm(1mm)のFBARフィルタの各々の幅wd(図9)を備える。「スクライブ・クリーブ」過程の使用における問題を克服するために、基板200は、ダイ分離に先立って薄くすることができる。この薄くすることは、ラッピング、プラズマエッチング、或いは、化学的機械的研磨(CMP)処理を行なうことによって基板200の下側218から材料を除去することにより達成される。
【0028】
基板200の下部218の研磨は、FBARメンブレン217の脆弱な性質のために余計な問題を生じる。研磨処理において、基板200の下側218は、研磨スラリーの存在下に回転研磨面に対向して配置されるので、圧力が表面220にかかる。この圧力は、下側218からの材料の除去を容易にする。損傷を防ぐために、犠牲的なPSG層208の残りの部分は、キャビティ204内に残って基板200を薄くしつつFBARメンブレン217の構造的な支持を行なう。
【0029】
図7は、薄くした後の基板200を示している。一つの実施例において、薄くした厚さt2は、約127μm(約5ミル)に等しく、これは、FBARメンブレン217の特性を良好にするばかりでなく、後工程における基板200に必要な剛性を維持するだけの十分な厚さである。他の実施例において、t2は、約25μm乃至254μm(約1〜10ミル)の範囲にある。約25μm乃至483μm(約1〜19ミル)の厚さt2が、必要とされる形状に対応して許容可能である。
【0030】
FBARメンブレン217a−217cが形成されて基板200が薄くされた後、仮配置層208の残りの部分210a−210cと熱酸化層206が、除去できる。これを行なうために、通路(図示せず)が犠牲PSG部分210を露出させるように形成されている。これらの残留犠牲PSG部分210と熱酸化層206は、希釈されたH2O:HF溶液内でエッチングにより除去される。図7に示すように、これは、当初のキャビティ204a−204cの上に吊り下げられたFBARメンブレン217a−217cを残す。
【0031】
上述の実施例は、FBARメンブレン217a−217cの構造を用いた。しかしながら、SBARメンブレンが同じやり方で構成できることは、当該技術に通常の知識を有する者には明らかであろう。SBARの場合には、追加の圧電層と電極が堆積される。
【0032】
「スクライブ」過程において、ダイヤモンドチップスクライブが、図8に示されるように基板200における表面220に小さな溝222を切断するように使われる。次いで、プラスチック層(図示せず)が、表面220上に配置される。このプラスチック層は、例えば、静電気によって発生された電荷を備えた非接着ポリイミドテープであることができる。
【0033】
基板200は、次いで、1組の輪の上に配置された接着テープを有するキャリヤ上に取り付けられる。接着テープは、基板200の下側218に接着され、オーバーレイが、さらなる支持のために基板200の表面220に形成される。基板200上の各々の溝222は、次いで、ブレードを用いて衝撃を与えられて溝222によって定められるスクライブ線に沿って分離することによりダイスを形成する。ウエハエキスパンダ工具が分離されているダイスが接着されている接着テープを延ばすために使われ、個々のダイスの取り扱いを容易にしている。個々のダイスは、次いで、除去され、以下に説明するように更に処理される。
【0034】
「クリーブ」又は切断の工程中、粒子が、通常、破壊の位置において基板200から発散する。これらがFBARメンブレン217に堆積するときは、これらの粒子は、FBARメンブレン217の能力にダメージ或いは負の影響を与える。プラスチック層が、粒子の静電荷によりこれらの粒子を有効に引き付けて保持し、特に電極層212、216であるFBARメンブレン217のいかなる部分にも粒子が接触しないようにする。ダイスの分離後、プラスチック層は除去されるので、このプラスチック層に堆積していたすべての粒子が除去される。
【0035】
分離されたダイの各々は、その上に形成された複数のFBAR共振器を備えており、複数の相互接続体に電気的に接続されている。FBAR共振器を備えたダイと相互接続体は、単一のFBARフィルタ226を形成する。FBARフィルタ226は、次いで、図9−図10に示されるようにセラミックパッケージ228内のダイキャビティ229に取り付けられる。図9は、パッケージ228内に取り付けられたFBARフィルタ226の平面図であり、図10は、線A−Aに沿って見た図9における構造の断面図である。
【0036】
FBARフィルタ226は、熱伝導性エポキシ層230を用いてパッケージ228に接着され、導電性接着ワイヤ231は、パッケージ228とFBARフィルタ226との間を電気的に接続している。蓋234が、FBARフィルタ226が取り付けられた後パッケージ228の上部をシールする。パッケージ228は、次いで、従来周知の表面実装ハンダ付け技術を用いてプリント回路板236上に取り付けられる。
【0037】
FBARフィルタ226が使用状態にあるとき、大きな電力がFBARフィルタ226に供給され、熱を発生させる。一つの実施例において、パッケージ228は、一つ或いはそれ以上の熱通路238a−238cを備え、これらは、FBARフィルタ226からプリント回路(“PC”)板236へ熱を伝導させるように使われる。エポキシ層230は、また、熱伝導性を有しているので、基板200から熱通路238a−238cへの熱の流れを改善する。PC板236は、例えば、追加の熱通路と従来周知の対流冷却を用いて装置226から取り出された熱を消滅させる。使用に先立っての基板200の厚さを減じることは、基板200の熱抵抗を小さくすることによってFBARメンブレン217からの熱移動を改善するように働く。かくして、熱は、更に容易にFBARメンブレン217からPC板236に流れることができる。
【0038】
本発明のいくつかの実施形態によって与えられるその他の利点は、FBARフィルタ226を介して流れる電流によって生じる電磁的な影響の減少である。フィルタの一つの重要な特性は、対象となる周波数の外で、FBARメンブレンは、フィルタを通過するエネルギー量を減衰させることにある。通過帯域外の周波数での減衰量は、50dB程度でなければならない。
【0039】
このフィルタリング特性は、信号がフィルタ部材をバイパスするような入力から出力への「通路」があるときは、保証されない。このような通路の一つが、入力信号パッド240aと、FBAR共振器217aと217bを介した第1の接地パッド204bとによって形成された第1のループ(「ビクティマイザ」ループ)と、FBAR共振器217cと217dを介した出力パッド240cから接地パッド240d間への通路によって形成される出力における第2のループ(「ビクティム」ループ)との間に形成される相互インダクタンスによって構成される。このバイパス通路を緩和する一つの構成は、接地面230における第1のループ(「ビクティマイザ」ループ)下方の像電流の発生である(図10)。
【0040】
図9から明らかなように、パッケージ228は、FBARフィルタ226上の接点240に電気的に接続される複数の接点242を有している。接点240は、このとき、FBARフィルタ226上のFBARメンブレンに電気的に接続される。これらの電気的な接続は、FBARフィルタ226の表面上に多くの電流を生じ、その二つである電流ループ232aと232bが、図9に示されている。電流ループ232a(「ビクティマイザ」電流)は、矢印Bの方向に流れ、FBARフィルタ226の直下の接地面230に像電流を生じさせる。この像電流は、電流ループ232aの通路を逆の方向に流れる。電流ループ232aは、また、共鳴電流232b(「ビクティム」ループ)を生じさせる。
【0041】
図10には、「ビクティマイザ」電流ループ232aが線A−Aを横切る点である一次電流点244を示している。また、像電流点246は、「ビクティマイザ」電流ループ232aの像電流が線A−Aを横切る点である。更に、図10には「ビクティマイザ」電流ループ232aによって「ビクティム」ループ232bに電流が生じる点である「ビクティム」ループの点248も示している。一次電流点244と像電流点246を通過して流れる対向する電流は、一次電流磁界250と像電流磁界252として示されている対向する磁界を発生させる。これらの磁界250と252の各々は、「ビクティム」ループの点248において電流を生じさせる。しかしながら、一次電流点244とビクティム電流点248間の距離r1は、像電流点246とビクティム電流点248間の距離r2よりも短い。従って、発生された磁界250と252は、点248において大きさが等しくないので出力ループ232bに電流を生じさせる。
【0042】
本発明のいくつかの実施例において、基板200は、個々のダイスに分離される前に薄くされる。この薄くするということにより、一次電流点244とビクティム電流点246間の距離t2は小さくなる。t2はr1よりもはるかに小さな距離にされているので、一次電流磁界250の大きさは、象電流磁界252の大きさに接近することになる。一次電流点244を流れる一次電流と像電流点246を流れる像電流は反対の方向を有するので、像電流磁界252は、一次電流磁界250を打ち消すように働くことになる。従って、距離t2が小さくされると、磁界250と252の大きさは、互いに接近し、磁界250と252の打ち消しが、更に完全なものとなる。これは、「ビクティム」電流ループ232bに生じる電流を最小にし、パッケージ228の総合的な効率を改善する。
【0043】
多数の電流通路がFBARフィルタ226の表面上に存在し、FBARフィルタ226下方の接地面において等しい数の像電流通路を発生させることは明らかであろう。これらの電流のすべては、程度を変えて電流付近で影響を与える磁界を発生する。基板の厚さt2を小さくすることによって、接地面における像電流は、FBARフィルタ226の表面に流れる対応する電流に近づけられる。
【0044】
「ビクティム」と「ビクティマイザ」ループ間の差は、通常、約300〜510μm(約12〜20ミル)のオーダーである。これらのループ間の距離を小さくしてダイの大きさを小さくするとともに出力を大きくすることが一般的に望ましい。従って、「ビクティム」と「ビクティマイザ」ループ間の距離の少なくとも1/3に基板の厚さを設定することが好ましい。これは、一次電流によって生じた磁界を打ち消そうとする磁界を誘導すべく像電流の作用を改善する。
【0045】
上述したように、本発明による実施例は、多くの利点を与える。FBARメンブレン217の形成後基板200を薄くすることは、FBARフィルタ226の熱的効率と電気的効率との両方を改善する。FBARメンブレン217はこの基板200を薄くすることに先立って形成されるので、基板200は、FBARメンブレン217の製造中は構造的に強化されていて壊れることがほとんどない。更に、処理中にキャビティ204内に犠牲PSG部分210を保持しているので、犠牲PSG部分210は、FBARメンブレン217を構造的に支持することになる。その上、基板200を薄くすることは、単一のウエハ上に複数のFBARメンブレン217を同時に形成するためのバッチ処理の一部分であることができるので、生産効率を高めることができる。上述した基板200を薄くすることの利点は、ここで開示された特定のFBAR製造処理に限定されるものではなく、FBAR共振器及びフィルタを製造するいかなる処理にも適用できることにある。FBARを製造する別の方法は、以後、参照文献として取り扱われるRubyなどに付与された米国特許第5,873,153号に開示されている。
【0046】
上述したような基板200を薄くすることの利点は、ここで説明された特定のFBAR構造に限定されるものではなく、その他のFBAR及び面音波(SAW)構造にも適用できるものである。基板を薄くする過程が適用できるFBARを製造するその他のやり方は、以後、参照文献として取り扱われるRubyなどに付与された上述した米国特許第5,873,153号に開示されている。
【0047】
本発明は特定の実施例を参照して説明されたが、この説明は、発明の適用の単なる実施例であり、これに限定されるものではない。特に、上述の議論の対象の多くはFBARフィルタに向けられたが、本発明の他の実施形態が、SBAR装置の製造或いはその他の薄膜フィルタ技術に適用可能である。開示されている実施形態に関連した種々のその他の応用、及び構成の特徴の組み合わせは、以下の特許請求の範囲によって定められている技術的な範囲に属するものである。
【0048】
以上のように好適実施形態に沿って本発明を説明すると、本発明は、一対の電極で挟まれた圧電材料(214)が基板(200)上に実装される構成の音響共振器において、前記基板(200)の厚さを薄くしてフィルタへの電磁的な影響を小さくしたことを特徴とする音響共振器を提供する。
【0049】
好ましくは、前記フィルタはビクティムループ(232b)及びビクティマイザループ(232a)を含み、両者間の距離と前記基板の厚さとのアスペクト比が少なくとも3:1であるようにした。
【0050】
好ましくは、前記圧電材料が配置される位置の下側には凹形状のキャビティが形成される。
【0051】
好ましくは、音響共振器(217)をバッチ処理して製造する方法において、基板(200)の表面(220)上に第1の電極(212)を堆積させる工程と、該第1の電極(212)上に圧電材料(214)の層を堆積させる工程と、該圧電材料(214)の層上に第2の電極(216)を堆積させる工程と、前記基板(200)の底面(218)から材料を除去して前記基板(200)の厚さを少なくし、フィルタ機能への電磁的な影響を小さくする工程とを有することを特徴とした製造方法を提供する。
【0052】
好ましくは、更に、前記第1の電極(212)の堆積に先立って、前記基板(200)の前記表面(220)に複数の凹部(204)を形成する工程と、前記凹部(204)の各々に仮配置材料(210)を堆積させる工程と、その際前記第1の電極(212)が、前記仮配置材料(210)の表面に堆積する工程と、前記仮配置材料(210)を除去する工程とを有する。
【0053】
好ましくは、前記第1及び第2の電極(212、216)が、モリブデンを含む。
【0054】
好ましくは、更に、前記基板(200)の前記表面(220)をダイシングする工程を有し、ダイシングライン(222)に沿って前記基板(200)を分割して複数のダイスを形成するようにする。
【0055】
好ましくは、更に、前記複数のダイスの形成により形成されたそれぞれのダイ(226)を、パッケージ(228)のダイキャビティ(229)内に前記ダイを取り付けて個々のパッケージされたフィルタを形成し、前記ダイ(226)の底面(218)が前記パッケージ(228)内の熱通路(238)と熱接続されるように前記ダイキャビティ(229)内に取り付ける工程を有する。
【0056】
好ましくは、前記ダイ(226)を前記パッケージ(228)における前記ダイキャビティ(229)内に取り付ける工程が、前記パッケージ(228)における前記ダイキャビティ(229)内に熱伝導性のエポキシ(230)を堆積させ、及び、前記熱伝導性のエポキシ(230)表面に前記ダイ(226)を取り付け、その際前記熱伝導性のエポキシ(230)の下面が前記熱通路(238)に接触していることを含むようにする。
【0057】
好ましくは、前記フィルタのビクティムループ(232b)とビクティマイザループ(232a)間の距離と前記基板の厚さとのアスペクト比が少なくとも3:1であるようにする。
【0058】
好ましくは、更に、前記ダイシングライン(222)に沿って前記基板を分割して前記複数のダイスを形成する前に、前記基板(200)の前記表面(220)の上に保護層を堆積するようにする。
【0059】
好ましくは、前記基板(200)の前記底面(218)から材料を除去する工程が、前記基板(200)を約480μm以下の厚さに薄くすることを含むようにする。
【0060】
好ましくは、前記基板(200)の前記底面(218)から材料を除去する過程が、研磨面に対して前記基板(200)の前記底面(218)を配置し、及び、前記底面(218)を研磨してそこから材料を除去することを含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)及び(b)はそれぞれ、FBAR共振器及びSBAR共振器の断面図。
【図2】基板にキャビティを形成する工程を示す概略断面図。
【図3】熱酸化物層の形成する工程を示す概略断面図。
【図4】仮配置層を形成する工程を示す概略断面図。
【図5】研磨による平滑化の工程を示す概略断面図。
【図6】FBARメンブランを形成する工程を示す概略断面図。
【図7】仮配置層を除去する工程を示す概略断面図。
【図8】ダイシングラインを構成する溝を作る工程を示す概略断面図。
【図9】本発明の実施形態に従って構成されるFBARによって生じる誘導電流を示す平面図。
【図10】本発明の実施形態に従って構成されるFBARを含むパッケージの断面図。
【符号の説明】
200 基板
212 第1の電極
214 圧電材料の層
216 第2の電極
217 音響共振器
218 底面
220 表面

Claims (12)

  1. 音響共振器(217)をバッチ処理して製造する方法において、
    基板(200)の表面上に第1の電極(212)を堆積させる工程と、
    該第1の電極(212)上に圧電材料の層(214)を堆積させる工程と、
    該圧電材料の層(214)上に第2の電極(216)を堆積させる工程と、
    前記基板(200)の底面から材料を除去して前記基板(200)の厚さを少なくし、前記基板下方の接地面(230)に沿って流れる像電流の作用を改善して、フィルタ(226)内で生じる電磁的な影響を小さくする工程とを有する方法であって、
    前記フィルタ内に、前記音響共振器(217a、217b)を介して入力信号パッド(204a)と接地パッド(204b)とから形成されるビクティマイザループ(232a)、並びに別の音響共振器(217c、217d)を介して信号出力パッド(240c)と別の接地パッド(204d)とから形成されるビクティムループ(232b)が形成され、前記ビクティマイザループ(232a)と前記ビクティムループ(232b)との間の距離(r1)と前記基板(200)の厚さ(t2)とのアスペクト比が少なくとも3:1であるようにする、方法。
  2. 更に、前記第1の電極(212)の堆積に先立って、前記基板(200)の前記表面に複数の凹部を形成する工程と、
    前記凹部の各々に仮配置材料(210)を堆積させる工程であって、それにより前記第1の電極(212)が前記仮配置材料(210)の表面に堆積する、工程と、
    前記仮配置材料(210)を除去する工程とを含む請求項1に記載の方法。
  3. 前記基板(200)の底面から材料を除去して前記基板(200)の厚さを少なくした後に、前記仮配置材料(210)を除去することを含む請求項2に記載の方法。
  4. 前記仮配置材料(210)を堆積させた後、当該仮配置材料(210)の表面を研磨して平滑な面を得ることを含む請求項2又は3に記載の方法。
  5. 前記基板(200)の厚さを少なくし、フィルタ内で生じる電磁気的な影響を小さくすることが、前記フィルタ内で生じるフィルタリング特性を損なう電流を最小にすることを含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記第1及び第2の電極(212、216)が、モリブデンを含む請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 更に、前記基板(200)の前記表面をダイシングする工程を有し、ダイシングラインに沿って前記基板(200)を分割して複数のダイスを形成するようにした請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 更に、前記複数のダイスの形成により形成されたそれぞれのダイを、パッケージのダイキャビティ内に前記ダイを取り付けて個々のパッケージされたフィルタを形成し、前記ダイの底面が前記パッケージ内の熱通路と熱接続されるように前記ダイキャビティ内に取り付ける工程を含む請求項7に記載の方法。
  9. 前記ダイを前記パッケージにおける前記ダイキャビティ内に取り付ける工程が、前記パッケージにおける前記ダイキャビティ内に熱伝導性のエポキシを堆積させ、及び、前記熱伝導性のエポキシ表面に前記ダイを取り付け、その際前記熱伝導性のエポキシの下面が前記熱通路に接触していることを含む請求項8に記載の方法。
  10. 更に、前記ダイシングラインに沿って前記基板(200)を分割して前記複数のダイスを形成する前に、前記基板(200)の前記表面の上に保護層を堆積するようにした請求項7に記載の方法。
  11. 前記基板(200)の前記底面から材料を除去する工程が、前記基板を約480μm以下の厚さに薄くすることを含む請求項1に記載の方法。
  12. 前記基板(200)の前記底面から材料を除去する過程が、研磨面に対して前記基板(200)の前記底面を配置し、及び、前記底面を研磨してそこから材料を除去することを含む請求項1に記載の方法。
JP2001273852A 2000-09-11 2001-09-10 音響共振器及びその製造方法 Expired - Fee Related JP5000820B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/659,254 US6377137B1 (en) 2000-09-11 2000-09-11 Acoustic resonator filter with reduced electromagnetic influence due to die substrate thickness
US659254 2000-09-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002182652A JP2002182652A (ja) 2002-06-26
JP5000820B2 true JP5000820B2 (ja) 2012-08-15

Family

ID=24644686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001273852A Expired - Fee Related JP5000820B2 (ja) 2000-09-11 2001-09-10 音響共振器及びその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6377137B1 (ja)
EP (1) EP1187318B1 (ja)
JP (1) JP5000820B2 (ja)
KR (1) KR100737088B1 (ja)
DE (1) DE60130298T2 (ja)
MY (1) MY122708A (ja)
SG (1) SG99374A1 (ja)

Families Citing this family (144)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1202455A3 (en) * 2000-10-31 2004-09-15 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) A packaging methodology for duplexers using fbars
DE10058339A1 (de) * 2000-11-24 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Bulk-Acoustic-Wave-Filter
KR100398363B1 (ko) * 2000-12-05 2003-09-19 삼성전기주식회사 Fbar 소자 및 그 제조방법
US6550664B2 (en) * 2000-12-09 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. Mounting film bulk acoustic resonators in microwave packages using flip chip bonding technology
JP2005236337A (ja) * 2001-05-11 2005-09-02 Ube Ind Ltd 薄膜音響共振器及びその製造方法
JP3939939B2 (ja) * 2001-07-17 2007-07-04 富士通株式会社 圧電薄膜共振素子の製造方法
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
KR100506729B1 (ko) * 2002-05-21 2005-08-08 삼성전기주식회사 박막 벌크 어코스틱 공진기(FBARs)소자 및 그제조방법
JP4039322B2 (ja) * 2002-07-23 2008-01-30 株式会社村田製作所 圧電フィルタ、デュプレクサ、複合圧電共振器および通信装置、並びに、圧電フィルタの周波数調整方法
US7312674B2 (en) * 2002-08-06 2007-12-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Resonator system with a plurality of individual mechanically coupled resonators and method of making same
GB2406582A (en) * 2002-08-13 2005-04-06 Trikon Technologies Ltd Acoustic resonators
US6846423B1 (en) 2002-08-28 2005-01-25 Silicon Light Machines Corporation Wafer-level seal for non-silicon-based devices
US6877209B1 (en) 2002-08-28 2005-04-12 Silicon Light Machines, Inc. Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer
AU2003259512A1 (en) * 2002-09-12 2004-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Bulk acoustic wave resonator with means for suppression of pass-band ripple in bulk acoustic wave filters
KR100517841B1 (ko) * 2003-02-22 2005-09-30 주식회사 엠에스솔루션 체적탄성파 공진기 밴드 패스 필터, 이를 포함하는듀플렉서 및 그 제조 방법
US7275292B2 (en) 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
KR100599083B1 (ko) * 2003-04-22 2006-07-12 삼성전자주식회사 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법
US6924716B2 (en) * 2003-07-10 2005-08-02 Motorola, Inc. Method and apparatus for reduction of electromagnetic feed through in a SAW filter
KR100616511B1 (ko) * 2003-09-24 2006-08-29 삼성전기주식회사 Fbar 소자 및 그 제조 방법
US6946928B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
US7332985B2 (en) * 2003-10-30 2008-02-19 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd. Cavity-less film bulk acoustic resonator (FBAR) devices
US7019605B2 (en) * 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
DE602004000851T2 (de) 2003-10-30 2007-05-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit zwei piezoelektrischen Elementen, welche entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzten
US7362198B2 (en) 2003-10-30 2008-04-22 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd Pass bandwidth control in decoupled stacked bulk acoustic resonator devices
US7113055B2 (en) * 2003-11-07 2006-09-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric resonator, method of manufacturing piezoelectric resonator, and filter, duplexer, and communication device using piezoelectric resonator
US20050170670A1 (en) * 2003-11-17 2005-08-04 King William P. Patterning of sacrificial materials
US7057477B2 (en) * 2003-12-24 2006-06-06 Intel Corporation Integration of FBAR filter(s) and on-chip inductors
US20050181572A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Verhoeven Tracy B. Method for acoustically isolating an acoustic resonator from a substrate
WO2005099088A1 (en) * 2004-03-26 2005-10-20 Cypress Semiconductor Corp. Integrated circuit having one or more conductive devices formed over a saw and/or mems device
US7332061B2 (en) * 2004-03-30 2008-02-19 Intel Corporation Integration of multiple frequency band FBAR filters
KR100622955B1 (ko) * 2004-04-06 2006-09-18 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
US7114252B2 (en) * 2004-06-17 2006-10-03 Toko, Inc. Large scale simultaneous circuit encapsulating apparatus
US7615833B2 (en) 2004-07-13 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same
US20060017352A1 (en) * 2004-07-20 2006-01-26 Aram Tanielian Thin device and method of fabrication
US7388454B2 (en) * 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
DE102004049196B4 (de) * 2004-10-08 2010-01-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Filterstruktur und Verfahren zum Entwurf eines Filters
US8981876B2 (en) * 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) * 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
JP4379475B2 (ja) * 2004-12-24 2009-12-09 株式会社村田製作所 圧電薄膜共振子およびその製造方法
US7427819B2 (en) * 2005-03-04 2008-09-23 Avago Wireless Ip Pte Ltd Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method
US7369013B2 (en) 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7436269B2 (en) 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
US7562429B2 (en) * 2005-06-20 2009-07-21 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Suspended device and method of making
US7443269B2 (en) * 2005-07-27 2008-10-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for selectively blocking radio frequency (RF) signals in a radio frequency (RF) switching circuit
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
US7391286B2 (en) * 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7425787B2 (en) 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7525398B2 (en) * 2005-10-18 2009-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7675390B2 (en) * 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7423503B2 (en) 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US7463499B2 (en) * 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
US7561009B2 (en) * 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
US7612636B2 (en) * 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US20070210724A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Mark Unkrich Power adapter and DC-DC converter having acoustic transformer
US7479685B2 (en) * 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
US7760049B2 (en) * 2006-05-30 2010-07-20 Panasonic Corporation Film bulk acoustic resonator, filter, and fabrication method thereof
US7629865B2 (en) * 2006-05-31 2009-12-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters
JP2008005186A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Ube Ind Ltd 薄膜圧電共振器と薄膜圧電フィルタ
US7508286B2 (en) * 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
US20080202239A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Fazzio R Shane Piezoelectric acceleration sensor
US7651891B1 (en) * 2007-08-09 2010-01-26 National Semiconductor Corporation Integrated circuit package with stress reduction
US7791435B2 (en) * 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7732977B2 (en) * 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
US7855618B2 (en) * 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US10129656B2 (en) 2009-01-30 2018-11-13 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Active temperature control of piezoelectric membrane-based micro-electromechanical devices
US20100277034A1 (en) * 2009-03-11 2010-11-04 Rajarishi Sinha Array of baw resonators with mask controlled resonant frequencies
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US9327316B2 (en) * 2009-06-30 2016-05-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-frequency acoustic array
US8193877B2 (en) * 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
DE102010008774B4 (de) * 2010-02-22 2015-07-23 Epcos Ag Mikroakustisches Filter mit kompensiertem Übersprechen und Verfahren zur Kompensation
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
CN102315830A (zh) * 2011-04-25 2012-01-11 浙江大学 一种薄膜体声波谐振器的制备方法
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
CN104767500B (zh) * 2014-01-03 2018-11-09 佛山市艾佛光通科技有限公司 空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法
US9571061B2 (en) 2014-06-06 2017-02-14 Akoustis, Inc. Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices
US9537465B1 (en) 2014-06-06 2017-01-03 Akoustis, Inc. Acoustic resonator device with single crystal piezo material and capacitor on a bulk substrate
US9673384B2 (en) 2014-06-06 2017-06-06 Akoustis, Inc. Resonance circuit with a single crystal capacitor dielectric material
US9912314B2 (en) 2014-07-25 2018-03-06 Akoustics, Inc. Single crystal acoustic resonator and bulk acoustic wave filter
US9805966B2 (en) 2014-07-25 2017-10-31 Akoustis, Inc. Wafer scale packaging
US9716581B2 (en) 2014-07-31 2017-07-25 Akoustis, Inc. Mobile communication device configured with a single crystal piezo resonator structure
US9917568B2 (en) 2014-08-26 2018-03-13 Akoustis, Inc. Membrane substrate structure for single crystal acoustic resonator device
US9444428B2 (en) * 2014-08-28 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonators comprising backside vias
US10979024B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US10985732B2 (en) 2016-03-11 2021-04-20 Akoustis, Inc. 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US10673513B2 (en) 2016-03-11 2020-06-02 Akoustis, Inc. Front end module for 5.2 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11063576B2 (en) 2016-03-11 2021-07-13 Akoustis, Inc. Front end module for 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US10615773B2 (en) 2017-09-11 2020-04-07 Akoustis, Inc. Wireless communication infrastructure system configured with a single crystal piezo resonator and filter structure
US10979026B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-fi 5G coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11736177B2 (en) 2016-03-11 2023-08-22 Akoustis Inc. Front end modules for 5.6 GHz and 6.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuits
US11689186B2 (en) 2016-03-11 2023-06-27 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-Fi 5G coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11451213B2 (en) 2016-03-11 2022-09-20 Akoustis, Inc. 5G n79 Wi-Fi acoustic triplexer circuit
US10355659B2 (en) 2016-03-11 2019-07-16 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11316496B2 (en) 2016-03-11 2022-04-26 Akoustis, Inc. Method and structure for high performance resonance circuit with single crystal piezoelectric capacitor dielectric material
US10979025B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5G band n79 acoustic wave resonator RF filter circuit
US11184079B2 (en) 2016-03-11 2021-11-23 Akoustis, Inc. Front end module for 5.5 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11411168B2 (en) 2017-10-16 2022-08-09 Akoustis, Inc. Methods of forming group III piezoelectric thin films via sputtering
US11418169B2 (en) 2016-03-11 2022-08-16 Akoustis, Inc. 5G n41 2.6 GHz band acoustic wave resonator RF filter circuit
US11070184B2 (en) 2016-03-11 2021-07-20 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US10523180B2 (en) 2016-03-11 2019-12-31 Akoustis, Inc. Method and structure for single crystal acoustic resonator devices using thermal recrystallization
US10217930B1 (en) 2016-03-11 2019-02-26 Akoustis, Inc. Method of manufacture for single crystal acoustic resonator devices using micro-vias
US11476825B2 (en) 2016-03-11 2022-10-18 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11394451B2 (en) 2016-03-11 2022-07-19 Akoustis, Inc. Front end module for 6.1 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11683021B2 (en) 2016-03-11 2023-06-20 Akoustis, Inc. 4.5G 3.55-3.7 GHz band bulk acoustic wave resonator RF filter circuit
US10581398B2 (en) 2016-03-11 2020-03-03 Akoustis, Inc. Method of manufacture for single crystal acoustic resonator devices using micro-vias
US11177868B2 (en) 2016-03-11 2021-11-16 Akoustis, Inc. Front end module for 6.5 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11424728B2 (en) 2016-03-11 2022-08-23 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11356071B2 (en) 2016-03-11 2022-06-07 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator with improved TCF manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11677372B2 (en) 2016-03-11 2023-06-13 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator with dielectric protective layer manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11581866B2 (en) 2016-03-11 2023-02-14 Akoustis, Inc. RF acoustic wave resonators integrated with high electron mobility transistors including a shared piezoelectric/buffer layer and methods of forming the same
US10979022B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US20210257993A1 (en) 2016-03-11 2021-08-19 Akoustis, Inc. Acoustic wave resonator rf filter circuit device
US11411169B2 (en) 2017-10-16 2022-08-09 Akoustis, Inc. Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material
US10979023B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.9 GHz c-V2X and DSRC acoustic wave resonator RF filter circuit
US11832521B2 (en) 2017-10-16 2023-11-28 Akoustis, Inc. Methods of forming group III-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers
US11558023B2 (en) 2016-03-11 2023-01-17 Akoustis, Inc. Method for fabricating an acoustic resonator device
US10110190B2 (en) 2016-11-02 2018-10-23 Akoustis, Inc. Structure and method of manufacture for acoustic resonator or filter devices using improved fabrication conditions and perimeter structure modifications
US11895920B2 (en) 2016-08-15 2024-02-06 Akoustis, Inc. Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material
US10431580B1 (en) 2017-01-12 2019-10-01 Akoustis, Inc. Monolithic single chip integrated radio frequency front end module configured with single crystal acoustic filter devices
US11856858B2 (en) 2017-10-16 2023-12-26 Akoustis, Inc. Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films
US11557716B2 (en) 2018-02-20 2023-01-17 Akoustis, Inc. Method and structure of single crystal electronic devices with enhanced strain interface regions by impurity introduction
CN112840562A (zh) 2018-08-27 2021-05-25 阿库斯蒂斯有限公司 大功率体声波谐振器滤波器装置
EP3863176B1 (en) * 2018-10-23 2022-12-07 Huawei Technologies Co., Ltd. Method for preparing monolithic integrated baw resonator
US11611330B2 (en) * 2019-01-15 2023-03-21 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Micro-electro-mechanical resonators
CN112039457A (zh) * 2019-07-19 2020-12-04 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 薄膜体声波谐振器的制作方法
US11618968B2 (en) 2020-02-07 2023-04-04 Akoustis, Inc. Apparatus including horizontal flow reactor with a central injector column having separate conduits for low-vapor pressure metalorganic precursors and other precursors for formation of piezoelectric layers on wafers
CN111446360A (zh) * 2020-06-12 2020-07-24 深圳市汇顶科技股份有限公司 超声换能器制备方法、超声换能器及信息采集元件
US11496108B2 (en) 2020-08-17 2022-11-08 Akoustis, Inc. RF BAW resonator filter architecture for 6.5GHz Wi-Fi 6E coexistence and other ultra-wideband applications
US11901880B2 (en) 2021-01-18 2024-02-13 Akoustis, Inc. 5 and 6 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF diplexer circuit

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5732114A (en) * 1980-08-05 1982-02-20 Fuji Elelctrochem Co Ltd Manufacture of chip ceramic filter
JPS62158332A (ja) * 1986-01-06 1987-07-14 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体基板の裏面研削方法
JPH01303745A (ja) * 1988-06-01 1989-12-07 Hitachi Ltd 固体撮像素子のパツケージ
US5034753A (en) * 1989-06-01 1991-07-23 Weber Robert J Acoustically coupled antenna
JPH03108807A (ja) * 1989-09-21 1991-05-09 Seiko Electronic Components Ltd 薄型水晶振動子容器の製造方法
US5233259A (en) 1991-02-19 1993-08-03 Westinghouse Electric Corp. Lateral field FBAR
US5153476A (en) 1991-03-11 1992-10-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Acoustic vibrator with variable sensitivity to external acceleration
US5166646A (en) 1992-02-07 1992-11-24 Motorola, Inc. Integrated tunable resonators for use in oscillators and filters
US5382930A (en) * 1992-12-21 1995-01-17 Trw Inc. Monolithic multipole filters made of thin film stacked crystal filters
JPH06204776A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Oki Electric Ind Co Ltd 圧電薄膜振動子の製造方法
JPH06350371A (ja) * 1993-06-10 1994-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
JPH0746072A (ja) * 1993-08-03 1995-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶振動子の製造方法
US5446306A (en) 1993-12-13 1995-08-29 Trw Inc. Thin film voltage-tuned semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR)
US5587620A (en) 1993-12-21 1996-12-24 Hewlett-Packard Company Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same
US5692279A (en) * 1995-08-17 1997-12-02 Motorola Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter
JPH10200369A (ja) * 1997-01-13 1998-07-31 Mitsubishi Materials Corp 圧電薄膜共振子
US5714917A (en) 1996-10-02 1998-02-03 Nokia Mobile Phones Limited Device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation
US5780713A (en) 1996-11-19 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Post-fabrication tuning of acoustic resonators
JPH10178327A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JP3249758B2 (ja) * 1997-03-11 2002-01-21 ティーディーケイ株式会社 弾性表面波フィルタ装置
US5872493A (en) * 1997-03-13 1999-02-16 Nokia Mobile Phones, Ltd. Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror
JPH10270939A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Mitsubishi Materials Corp 電圧制御発振器
US5853601A (en) * 1997-04-03 1998-12-29 Northrop Grumman Corporation Top-via etch technique for forming dielectric membranes
US5883575A (en) 1997-08-12 1999-03-16 Hewlett-Packard Company RF-tags utilizing thin film bulk wave acoustic resonators
JPH11195947A (ja) * 1998-01-06 1999-07-21 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法
US6060818A (en) 1998-06-02 2000-05-09 Hewlett-Packard Company SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters
JP2000049561A (ja) * 1998-07-24 2000-02-18 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電振動子の構造及びその製造方法
JP3289684B2 (ja) * 1998-09-11 2002-06-10 日本電気株式会社 プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイモジュール及びその駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6377137B1 (en) 2002-04-23
EP1187318B1 (en) 2007-09-05
KR20020020850A (ko) 2002-03-16
SG99374A1 (en) 2003-10-27
MY122708A (en) 2006-04-29
EP1187318A2 (en) 2002-03-13
EP1187318A3 (en) 2003-05-28
KR100737088B1 (ko) 2007-07-06
DE60130298D1 (de) 2007-10-18
JP2002182652A (ja) 2002-06-26
DE60130298T2 (de) 2007-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5000820B2 (ja) 音響共振器及びその製造方法
EP0963040B1 (en) Acoustic resonator and method for making the same
US7275292B2 (en) Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
JP4811924B2 (ja) 圧電薄膜デバイス
JP4345049B2 (ja) 薄膜音響共振器及びその製造方法
JP4627269B2 (ja) 圧電薄膜デバイスの製造方法
JP7130841B2 (ja) 薄膜バルク音響波共振器及びその製造方法
JP2007028669A (ja) 薄膜音響共振器の製造方法
TW201803268A (zh) 表面聲波元件用複合結構
JP7081041B2 (ja) 薄膜バルク音響波共振器とその製造方法、フィルタ、および無線周波数通信システム
CN111865257B (zh) 一种声波谐振器及其制备方法
JP4804169B2 (ja) 圧電薄膜デバイス
CN112039481B (zh) 体声波谐振器及其制造方法
JP4441843B2 (ja) 薄膜音響共振器
WO2004088840A1 (ja) 圧電薄膜デバイス及びその製造方法
KR100669594B1 (ko) 필름 벌크 음향 공진기와, 필터링 장치와, 기판에 장치를형성하는 방법 및 필름 벌크 공진기 형성 방법
JPH0964675A (ja) 密閉空洞上の圧電共振器および製造方法
JP5862368B2 (ja) 圧電デバイスの製造方法
JP4804168B2 (ja) 圧電薄膜デバイス
CN112039469B (zh) 一种薄膜体声波谐振器的制造方法
JP4739068B2 (ja) 圧電薄膜デバイス
JP2007243451A (ja) 圧電薄膜デバイス
JP3918464B2 (ja) 薄膜音響共振器及びその製造方法
JP2007228321A (ja) 圧電薄膜デバイス
CN112929003A (zh) 一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060412

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070405

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110308

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110607

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120409

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120515

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120517

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5000820

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150525

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees