JP4990430B2 - 線引き中の光ファイバーの冷却方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも１つの冷却ゾーンで、少なくとも１つの冷却流体との接触により、線引き中の光ファイバーを冷却する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバーは、酸化物ガラスを主成分とする光ファイバー、フッ化物ガラスを主成分とする光ファイバー、ポリマー材料を主成分とするプラスチック光ファイバーなど、様々なカテゴリーが存在する。酸化物ガラスを主成分とする光ファイバー、大抵の場合シリカガラスファイバーは、プレフォームから高温引き抜きすなわち線引きにより製造される。プレフォームは、場合によっては少なくとも部分的にドープした太いシリカガラスの円筒であり、直径は一般に２０〜２００ｍｍ、長さは一般に３００〜２０００ｍｍである。図１は、線引き塔１の概略図を示している。プレフォーム２は、プレフォームの温度を約２０００℃に上げる線引き炉３で溶融される。このようにして得られたファイバー７は、周囲の空気で冷却されてから、少なくとも１つの冷却装置４で冷却され、さらに再び周囲の空気で冷却されて、被覆装置５に入れられる。線引き塔１における冷却装置４の位置は一般に、樹脂の塗布に関してファイバの適正温度を得るように最適化されている。被覆装置５は、大抵は紫外線で硬化可能な少なくとも１つの被覆樹脂によりファイバー７の被覆を実施する。被覆装置５は、一般に少なくとも１つの射出装置（５ａ、５ｃ）と、次いで少なくとも１つの硬化装置（５ｂ、５ｄ）とを含む。図１に示された場合では、装置５が、第１の樹脂射出装置５ａを含み、次いで紫外線による前記樹脂の硬化装置５ｂを含み、その後、第２の樹脂射出装置５ｃを含み、次いで紫外線による前記樹脂の硬化装置５ｄを含む。被覆された光ファイバー８は、キャプスタン６により引き出され、巻き取りコイル９に巻かれる。
【０００３】
線引き炉３の下に存在する装置は、同一の下降垂直軸Ｚに沿って配置され、一般には、座標ｚが示すように、線引き炉３の下部に対する装置の位置を基準として配置されている。図１により示されている装置のすべての要素は、当業者にとって周知のものである。図示されていない他の要素も同様に、当業者にとって周知である。かくして、たとえば未被覆ファイバーおよびまたは被覆ファイバーの直径測定手段、第１およびまたは第２の被覆におけるファイバーの偏心測定手段、および所定の距離でのファイバーの温度測定手段は、周知の技術に属する。
【０００４】
冷却は、線引き炉の出口でファイバーの温度を被覆樹脂の塗布と相容れる温度、すなわち約５０℃にすることが可能でなければならない。実際、線引き炉の出口におけるファイバーの温度は高く、シリカを主成分とするファイバーの場合は、使用される線引き炉および線引き速度に応じて、一般に約１０００〜２０００℃である。線引き炉の出口と被覆装置の入口との間のファイバーの冷却は、線引き速度を速くすることが望まれているだけに、線引きで解決すべき主な問題の１つである。事実、ファイバーの減衰は、冷却条件に依存していることが知られており、しかも、被覆装置の入口でファイバーの温度が高すぎると、被覆におけるファイバーの偏心に関しても前記被覆の品質に関しても、数々の問題を引き起こすことがある。ところで、工業生産でシリカを主成分とするファイバーを線引きする速度は、数年前まではまだ３００ｍ／分であったが、これは加速の一途を辿り、今日では、約１５００ｍ／分以上に達している。こうした傾向は、現在、光ファイバー産業の主要目標の１つである生産性の増大と結びついて、明らかになりつつある。
【０００５】
フッ化物ガラスを主成分とする光ファイバーを製造する場合、方法の原理は同じであるが、プレフォームは一般に寸法が小さく、直径１５〜２０ｍｍ、最大長が数センチから数十センチであって、たとえば１０ｃｍであり、線引き炉の出口の温度は一般に３００〜４５０℃である。この場合、技術的に同じ問題が提起されうる。プレフォームの直径が一般に数十ミリ、たとえば直径８０ｍｍであり、最大長が数十センチ、たとえば５０ｃｍであって、線引き炉の出口の温度が一般に２００〜２５０℃であるポリマー材料が主成分の光ファイバーを製造する場合も同様に、同じ技術問題が提起されうる。以下の説明では、シリカを主成分とする光ファイバーの観点から考察するが、シリカとは異なる酸化物ガラスを主成分とする光ファイバーを含む、他のタイプの光ファイバーに対しても同じ考察が適用される。
【０００６】
シリカを主成分とするファイバーを冷却するために、様々な装置が実施されてきた。考えられる１つの解決方法は、特に線引き炉と被覆装置との間の距離を長くすることにより、冷却すべきファイバーと周囲の空気との間で熱交換面積を広くすることにある。しかし、このような解決方法は、現在使用されている線引き塔の高さを高くすることになり、主に投資の面で非常にコスト高になってしまう。
【０００７】
別の解決方法は、線引き炉と被覆装置との間に存在する距離に関して冷却効率を上げることにある。周囲の空気での単なる冷却は、現在使用されている線引き塔に対してきわめて不十分であることが分かっており、こうした冷却に加えて、工業的に使用されている各種の装置の共通原理は、たとえばＥＰ−Ａ１−００７９１８６に示されているように、線引き炉の出口から所定の距離でファイバーの表面に向けて径方向にガスを噴射し、熱交換管内で、ファイバーの一定の長さにわたって前記ガスを上昇または下降循環させることからなる。前記ガスの熱伝導率は当業者にとって知られているものであり、一般に空気、二酸化炭素、窒素、アルゴン、またはヘリウム、好適にはヘリウムが熱伝達源である。好適には、管は、一般には水である冷却流体を用いて周辺で冷却される。たとえばＵＳ−Ａ−４７６１１６８は、このようなシステムの改良を記載しており、特定の形をした熱交換管内でファイバーに沿ってガスを循環させて、ファイバーに沿って循環するガスの境界層を定期的に交換する。こうした改良は、熱交換の効率を改善することをめざしている。
【０００８】
一方で、このように冷却された光ファイバーを後で使用することにより提起される主な問題の１つは、製造時に、線引き炉の出口で被覆炉を通過する前にファイバーに課される冷却が、ファイバーに結合されるレーリー散乱のレベルを著しく上昇させ、従って、使用準備のできた光ファイバーが備える減衰の大半を増加させることにある。ところで、使用される波長での光ファイバーの減衰は、この波長が１３１０ｎｍに近くても１５５０ｎｍに近くても、できるだけ少なくして、前記ファイバーに光信号を最もよく伝送しなければならない。
【０００９】
そのため、冷却プロファイルを画定する様々な解決策が提案されている。冷却プロファイルは、特定の方法およびまたは装置により得られ、ファイバーのレーリー散乱を最小化する。一般に、低速冷却プロファイル、すなわち周囲の空気における冷却よりも遅い冷却プロファイルを少なくとも部分的に用いることが提案されている。たとえばＤＥ−Ａ１−３７１３０２９は、線引き炉の出口における低速冷却の実施を記載している。
【００１０】
しかし、上記の方法は、理論上の最小減衰に対して、十分かつ最適な減衰の低減を得ることができないので、不十分である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、線引き中にある光ファイバーの冷却を改善可能にすることにより、従来技術の冷却システムの欠点を解消することにある。本発明の目的は特に、従来技術で知られている冷却システムに比べて、レーリー散乱を著しく減少し、従って本発明による冷却方法を用いた線引きにより製造されるファイバーの減衰を減少することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
このため、本発明は、少なくとも１つの冷却ゾーンで少なくとも１つの冷却流体との接触により、線引き中の光ファイバーの冷却方法に関し、
前記方法が、高速冷却すなわち周囲の空気における冷却よりも速い冷却を実施して、高速冷却ゾーンでファイバーの初期温度から前記ファイバーの中間温度にし、次いで低速冷却すなわち周囲の空気における冷却よりも遅い冷却を実施して、低速冷却ゾーンでファイバーの中間温度から前記ファイバーの最終温度にし、２つの冷却ゾーンの間に配置される中間ゾーンにおけるファイバーの温度が、シリカガラスを主成分とするファイバーの場合は１２００〜１７００℃、フッ化物ガラスを主成分とするファイバーの場合は２００〜４００℃、あるいはポリマー材料を主成分とするファイバーの場合は１５０〜２５０℃になることを特徴とする。
【００１３】
好適には、中間ゾーンにおけるファイバーの温度が、線引き方法により得られるファイバーの減衰が最小になるような臨界温度にほぼ等しい。
【００１４】
換言すれば、このようないわゆる臨界温度は、ファイバーのコアのレーリー散乱に関連付けられるガラス転移温度に関係する。レーリー散乱に関連付けられるガラス転移温度は、ガラスの無秩序を特徴付ける熱力学パラメータであり、より詳しくはレーリー散乱に寄与する密度の不均一性を特徴付ける熱力学パラメータである。ファイバーコアのガラスの凝固時に到達する無秩序状態は、線引き後の最終ファイバーに見られる状態であり、こうした密度の不均一性を最小化することが求められている。本発明による方法は、有利には、ガラスにおける密度の不均一性を最小化するようにしながら、光ファイバーの冷却を最適制御可能にすることにある。
【００１５】
本発明による方法の長所の１つは、冷却のために使用可能な塔の高さを制限して、高速の線引き速度を用いる経済的な必要性に適合させることにある。実際、高速冷却ゾーンの存在により、線引き塔の高さおよびまたは線引き速度の問題を解消することができる。
【００１６】
本発明による方法の別の長所は、線引き炉と低速冷却ゾーンとの間に高速冷却ゾーンを介在させることにより、他のすべての条件は同じでありながら、本発明の方法によるファイバーの減衰を著しく改善可能にすることにある。さらに、前記臨界温度を超える温度範囲に高速冷却を適用することが重要である。何故なら、この温度以下で急冷を行うと、レーリー散乱への影響が非常に大きくなり、最終ファイバーの減衰が著しく増加することがある。
【００１７】
好適には、線引き塔への技術的な必要性を考慮して、中間ゾーンにおけるファイバーの長さをできる限り短くする。
【００１８】
高速冷却ゾーンの高速冷却は、臨界温度付近では少なくとも局部的に、周囲の空気における冷却と少なくとも同じくらい速く、好適にはより速い。換言すれば、Ｔがファイバーの温度、ｔが時間であるとき、臨界温度付近では少なくとも局部的に、高速冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔが、高速冷却の場合、周囲の空気に置かれたファイバーの冷却に対する前記瞬間的な勾配よりも大きい値をとる。前記瞬間的な勾配は、高速冷却の場合、好適には高速冷却ゾーンで平均して、さらに好適には高速冷却ゾーンの大部分で、もっと好適には高速冷却ゾーンのほぼ全体で、周囲の空気に置かれたファイバーの冷却に対する前記瞬間的な勾配よりも大きい値を取る。
【００１９】
低速冷却ゾーンの低速冷却は、臨界温度付近では少なくとも局部的に、周囲の空気における冷却と少なくとも同じくらい遅く、好適にはより遅い。一般に、Ｔがファイバーの温度、ｔが時間であるとき、低速冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔは、低速冷却の場合、周囲の空気に置かれたファイバーの冷却に対する前記瞬間的な勾配よりも小さい値を取る。前記瞬間的な勾配は一般に、低速冷却の場合、好適には低速冷却ゾーンで平均して、さらに好適には低速冷却ゾーンの大部分で、もっと好適には低速冷却ゾーンのほぼ全体で、周囲の空気に置かれたファイバーの冷却に対する前記瞬間的な勾配よりも小さい値を取る。
【００２０】
一実施形態によれば、Ｔがファイバーの温度、ｔが時間であるとき、臨界温度付近では少なくとも局部的に、高速冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔと周囲の空気における冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔとの比が、高速冷却ゾーンで１より大きく、好適には１．１を越え、さらに好適には１．２〜１０である。
【００２１】
有利には、高速冷却ゾーンの入口におけるファイバーの初期温度が、臨界温度に２５０〜３５０℃、一般に約３００℃を加えたものに等しい。
【００２２】
一実施形態によれば、Ｔがファイバーの温度、ｔが時間であるとき、臨界温度付近で少なくとも局部的に、低速冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔと周囲の空気における冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔとの比が、低速冷却ゾーンで１より小さく、好適には０．９未満であり、さらに好適には０．０５〜０．８である。だが、本発明の範囲では、低速冷却ゾーンが加熱ゾーンであってもよく、すなわち、Ｔがファイバーの温度、ｔが時間であるとき、前記低速冷却ゾーンの少なくとも一部で、低速冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔと空気における冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔとの比が負であってもよい。
【００２３】
有利には、低速冷却ゾーンの出口でのファイバーの最終温度が、臨界温度から５０〜９５０℃、一般には約５００℃を差し引いたものに等しい。
【００２４】
理想的なガラス構造モデルの場合、高速冷却ゾーンにおける瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔは、理想的にはできるだけ大きくし、すなわちほぼ無限値にしなければならない。逆に、低速冷却ゾーンにおける瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔは、理想的にはできるだけ小さくし、すなわちほぼゼロ値にしなければならない。材料に限度があり、装置に制約があって、また実際のガラス構造が理想的でない場合、上記値に対応して、前記勾配は中間値をとるようになる。高速および低速冷却ゾーン内部の正確な熱プロファイルは、減衰をできるだけ少なくするように、たとえば適切な局部勾配を備えたサブゾーンに前記ゾーンを分割することにより、正確に適合させることができる。以下の説明では、２つの均質なゾーンを備えた装置に限定して説明する。
【００２５】
臨界温度は、ファイバーの成分に主に依存する。かくして、ＣＣＩＴＴ規格Ｇ６５２のシリカを主成分とする標準ステップ形光ファイバーの場合、前記臨界温度が、一般に１３５０〜１５５０℃、好適には１４５０〜１５５０℃であることが認められた。たとえば、この臨界温度は、１５００±２０℃である。
【００２６】
本発明は、シリカガラスファイバーに対して説明するが、上記の他のカテゴリーのファイバーにも同様に適用され、温度範囲は当業者によってファイバーに応じて適合される。
【００２７】
冷却は、低速であっても高速であっても、当業者に知られているすべての装置により実施される。冷却流体は一般に、空気、二酸化炭素、アルゴン、窒素およびヘリウムからなるグループから選択される。好適には、前記流体はヘリウムである。
【００２８】
本発明の他の特徴および長所は、図１から３に関して限定的ではなく例として挙げられた以下の説明を読めば、明らかになるであろう。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１は、従来技術に関して既に説明した。線引き塔１は、線引き炉３、従来技術による冷却装置４、被覆装置５、キャプスタン６、および巻き取りコイル９を含む。
【００３０】
図２は、線引き塔１’を示しており、図１のすべての要素を含むが、冷却装置１２は、本発明の方法によるものである。前記冷却装置１２は、高速冷却ゾーン１００を画定する第１の高速冷却装置１０と、低速冷却ゾーン１０１を画定する第２の低速冷却装置１１とを含む。２つの装置は、前記２つの装置１０、１１の間で周囲の空気におかれるファイバー７の高さｈが、線引き塔１’における技術的およびまたは経済的な必要性を考慮して、できるだけ低くなるように互いに上下に配置されている。一般に、このような高さは数ｃｍであり、通常は０〜１５ｃｍ、たとえば１０ｃｍである。理想的には、この高さがゼロである。
【００３１】
図３は、線引き塔１”を示しており、図１と２のすべての要素を含むが、冷却装置１３は、本発明の方法による特定の実施形態である。冷却装置１３は、本発明による高速冷却管１４、低速冷却装置１９、ならびに高速冷却装置１８から構成されている。急冷管とも称される高速冷却管１４は、高速冷却ゾーン１０２を画定する。線引き塔１”では、ファイバー７が移動する方向に、高速冷却管１４の後に低速冷却装置１９がくる。低速冷却ゾーン１０３を画定する低速冷却装置１９は、第１の管１６を囲む炉１５いわゆる加熱炉と、第２の管１７いわゆる延長管とからなる。さらに、高速冷却装置１８は、高速冷却ゾーン１０４を画定する管である。
【００３２】
変形実施形態によれば、装置１４と１９だけが存在し、管１８の存在は不要であることが分かっており、これは、たとえば低速冷却装置１９の出口と被覆装置５の入口との間で、周囲の空気に置かれるファイバー７を冷却するために、十分なスペースがあるという理由による。反対に、管１８のような高速冷却装置の存在は、使用可能なスペースにおいて、ファイバー７が被覆装置５の入口温度に到達するのに必要な場合であることが判明している。この高さでは、装置１８は、ファイバー７の機械的およびまたは光学的な特性に対して実際にはもはや作用を及ぼすことができず、ファイバー７の様々な構成要素は、低速冷却装置１９の出口で十分に固定されている。
【００３３】
以下の例は、本発明の特定の実施形態を示しているが、本発明の範囲を限定するものではない。
【００３４】
例
この例による方法では管１８がないが、図３に示されたもの同じタイプの線引き塔１”で、図３に示したような本発明による冷却装置１３を用いる。前記塔１”の中で作られる被覆ファイバーは、規格Ｇ６５２のシリカを主成分とする標準ファイバーである。
【００３５】
管１４は、長さ２５ｃｍの管であり、その壁の温度は、水である冷却液との熱交換により１５℃に保持されている。この管は、線引き炉の下９ｃｍのところに配置される。管１４は、急冷ゾーン１０２とも称される本発明による高速冷却ゾーン１０２を画定する。この管の内部には冷却流体が循環しており、これは気体ヘリウムである。ヘリウムの流量は、前記管１４の出口でファイバーの温度を変化させるように調整可能である。例では、前記流量が１ｌ／分に決められており、このとき、いわゆる中間温度のゾーン１０５におけるファイバーの温度は１５００℃である。
【００３６】
全長３９９ｃｍの低速冷却装置１９は、クォーツ管１６からなり、その壁に流量７ｌ／分でアルゴンを循環させる。管１６の長さは１５９ｃｍであり、管１４の下で距離８ｃｍのところに配置され、この距離がゾーン１０５を画定するので、前記ゾーン１０５にファイバー７の温度測定手段を設置することができる。管１６の上部から距離１７ｃｍのところに、長さ８３ｃｍにわたって加熱炉１５が配置され、加熱炉は、管１６の一部を囲んで前記管１６の壁を温度１０５０℃に加熱する。低速冷却装置１９は、管１６の真下に配置される長さ２４０ｃｍの管１７をさらに含む。例では、この管の出口におけるファイバーの温度は９２５℃である。
【００３７】
冷却装置１３はさらに、高速冷却管１８を含んでいるが、ここではそれを例証していない。
【００３８】
線引きの速度は９００ｍ／分、線引き炉３の出口におけるファイバー７の温度は１８００℃である。低速冷却装置１９と高速冷却管１８との距離は２ｍである。
【００３９】
従って、図３の例に記載したように、本発明による所定の装置の場合、所定のファイバー組成と、所定の線引き速度とに対して当業者の手順は、後のファイバー生産のための臨界温度を予め決定するように、幾つかのテストによりゾーン１０５で最適中間温度を決定することからなる。かくして、前記線引きによって得られる最終光ファイバーの減衰が最低になるように、線引き方法の最適構成が決定される。以下に、前記テストの例を挙げる。
【００４０】
前記テストは、ゾーン１０５における最適中間温度を明らかにするために、管１４に噴射される気体ヘリウムの流量を変えることによって、ゾーン１０５でファイバー７の温度を変化させることからなる。これは、所定のゾーン１０５で測定された温度で得られるファイバーの減衰を測定することによって明確にされる。各減衰テストは、２５ｋｍのファイバー７で行われる。そのため、この例では、テスト全体のため、１から６の番号を付けた異なる６本のファイバー７が製造された。
【００４１】
テスト結果を下の表に示す。
【表１】

【００４２】
例として、低速冷却装置だけが存在する従来技術の場合、たとえばゾーン１９だけがあり、前記ファイバーの減衰は０．１９１０ｄＢ／ｋｍである。
【００４３】
上の表は、すべての条件が同じでありながら、ファイバーの減衰が最小になる最適温度を示しており、これは約１５００℃である。
【００４４】
以上により、上記の例証による線引き炉から送られて、高速冷却ゾーン１４の後に本発明による低速冷却ゾーン１９を含む冷却ステップを受けた被覆光ファイバー８は、主として減衰の観点から、従来技術の条件で製造したファイバーに比べて光学特性が改善される。しかも、高速冷却ゾーンの存在により、線引き塔の高さを上げなくても高速の線引きが可能になる。
【００４５】
もちろん、本発明による方法は、上記の実施形態に限定されるものではない。特に、２つの冷却ゾーンの間に配置される中間ゾーンでのファイバーの温度が、臨界温度にほぼ等しいので、線引き炉３の下部からの距離がどのようなものであっても、線引き炉３の下部と被覆装置５の上部との間に冷却装置１３を配置することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による光ファイバー冷却装置を組み込んだ線引き装置の概略図である。
【図２】本発明の方法による光ファイバー冷却装置を組み込んだ線引き装置の概略図である。
【図３】本発明による方法の特定の実施形態による、光ファイバー冷却装置の概略図である。
【符号の説明】
１ 線引き塔
２ プレフォーム
３ 線引き炉
５ａ、５ｃ 射出装置
５ｂ、５ｄ 硬化装置
７ 光ファイバー
８ 被覆済み光ファイバー
９ 巻き取りコイル
１０、１４ 高速冷却管
１１、１９ 低速冷却
１２、１３ 冷却装置
１８ 高速冷却装置
１９ 低速冷却装置
１００、１０２ 高速冷却ゾーンまたは急冷ゾーン
１０１、１０３ 低速冷却ゾーン
１０５ 中間ゾーン

Claims (15)

1. 少なくとも１つの冷却ゾーン（１０、１１、１４、１９、１８）で少なくとも１つの冷却流体との接触により、線引き中の光ファイバー（７）を冷却する方法であって、
   前記方法が、高速冷却（１０、１４）すなわち周囲の空気における冷却よりも速い冷却を実施して、高速冷却ゾーン（１００、１０２）でファイバー（７）の初期温度から前記ファイバー（７）の中間温度にし、次いで低速冷却（１１、１９）すなわち周囲の空気における冷却よりも遅い冷却を実施して、低速冷却ゾーン（１０１、１０３）でファイバー（７）の中間温度から前記ファイバー（７）の最終温度にし、２つの冷却ゾーンの間に配置される中間ゾーン（１０５）におけるファイバー（７）の温度が、シリカガラスを主成分とするファイバーの場合は１２００〜１７００℃、フッ化物ガラスを主成分とするファイバーの場合は２００〜４００℃、あるいはポリマー材料を主成分とするファイバーの場合は１５０〜２５０℃になることを特徴とする、線引き中の光ファイバー（７）を冷却する方法。
2. 中間ゾーン（１０５）におけるファイバー（７）の温度は、線引き方法により得られるファイバー（７）の減衰が最小になるような、臨界温度にほぼ等しい、請求項１に記載の方法。
3. 中間ゾーン（１０５）におけるファイバー（７）の長さができる限り短い、請求項１または２に記載の方法。
4. Ｔがファイバー（７）の温度、ｔが時間であるとき、臨界温度付近では少なくとも局部的に、高速冷却（１０、１４）の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔと周囲の空気における冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔとの比が、高速冷却ゾーン（１００、１０２）で１より大きい、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記瞬間的な勾配の比が、高速冷却ゾーン（１００、１０２）で１．１を越える、請求項４に記載の方法。
6. 前記瞬間的な勾配の比が、高速冷却ゾーン（１００、１０２）で１．２〜１０である、請求項４に記載の方法。
7. 高速冷却ゾーン（１００、１０２）の入口におけるファイバー（７）の初期温度が、臨界温度に２５０〜３５０℃を加えたものに等しい、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
8. 高速冷却ゾーン（１００、１０２）の入口におけるファイバー（７）の初期温度が、臨界温度に３００℃を加えたものに等しい、請求項７に記載の方法。
9. Ｔがファイバー（７）の温度、ｔが時間であるとき、臨界温度付近では少なくとも局部的に、低速冷却（１１、１９）の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔと周囲の空気における冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔとの比が、低速冷却ゾーン（１０１、１０３）で１より小さい、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記瞬間的な勾配の比が、低速冷却ゾーン（１０１、１０３）では０．９未満である、請求項９に記載の方法。
11. 前記瞬間的な勾配の比が、低速冷却ゾーン（１０１、１０３）では０．０５〜０．８である、請求項９に記載の方法。
12. Ｔがファイバーの温度、ｔが時間であるとき、低速冷却ゾーン（１０１、１０３）では少なくとも部分的に、低速冷却（１１、１９）の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔと周囲の空気における冷却の瞬間的な勾配ｄＴ／ｄｔとの比が負である、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
13. 低速冷却ゾーン（１０１、１０３）の出口でのファイバー（７）の最終温度が、臨界温度から５０〜９５０℃を差し引いたものに等しい、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 低速冷却ゾーン（１０１、１０３）の出口でのファイバー（７）の最終温度が、臨界温度から５００℃を差し引いたものに等しい、請求項１３に記載の方法。
15. ＣＣＩＴＴ規格Ｇ６５２のシリカを主成分とする標準ステップ形光ファイバー（８）について、前記臨界温度が１３５０〜１５５０℃である、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。

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