JP2014001115A

JP2014001115A - 光ファイバ製造方法

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Publication number: JP2014001115A
Application number: JP2012138706A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Konishi; 達也小西; Tetsuya Nakanishi; 哲也中西
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2012-06-20
Filing date: 2012-06-20
Publication date: 2014-01-09
Anticipated expiration: 2032-06-20
Also published as: JP5942630B2

Abstract

【課題】レーリ散乱損失およびＯＨ吸収損失の双方が低減された光ファイバを低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】光ファイバ母材２作製工程において、平均ＯＨ濃度が１wtppb未満であって、表面から線引後の光ファイバ３における厚みが０．０３μｍとなる領域におけるＯＨ濃度が１０wtppm以上であるコアロッドの周囲に、平均ＯＨ濃度が１０wtppm以上であるジャケット層を付与して、線引後の光ファイバにおけるコアロッド相当領域における波長１.３８μｍの伝搬光のパワーの割合が９９.９９９７５％以上となる光ファイバ母材２を作製する。加熱工程において、加熱炉２１へ光ファイバ３が入線する際の光ファイバ３の温度を１４００℃以上とし、加熱炉２１における光ファイバ３の加熱温度を２０００℃以下とし、加熱炉２１における光ファイバ３の滞在時間を０.００５〜１秒とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、光ファイバを製造する方法に関するものである。

光通信システムでは、信号光を伝搬させる光伝送路として光ファイバが用いられる。次世代の幹線系の光伝送路として用いられるファイバは、低伝送損失および低非線形性が求められる。光ファイバを低損失化する技術としてアニール線引技術が知られている。アニール線引技術とは、線引炉において光ファイバ母材を線引して光ファイバを製造する際に、線引炉から出線した光ファイバを１６００℃以下の温度で一定時間アニールすることにより、光ファイバ中のガラス構造の乱雑さを低減させて、レーリ散乱損失を低く抑えることができる技術である。

これまでに種々のアニール線引技術が提案されている、例えば、線引工程における線速、アニールの為の加熱炉の位置、該加熱炉の長さ又はアニール時間を適正化することにより、アニール無しの場合に比べて有意に伝送損失を低減することができるとされている。また、アニール線引の適正条件は光ファイバ母材の組成（粘性）によって異なることが知られている。したがって、光ファイバ母材の組成に応じてアニール線引の適正条件は決定される。

国際公開第００／６２１０６号国際公開第２００４／００７３８３号特開２０００−３３５９３４号公報特開２００４−３０７２８０号公報

アニール線引技術では、アニール中に光ファイバ中（特にクラッド）に存在するＯＨ基がコア近傍へ拡散することにより、ＯＨ基吸収に由来する波長１.３８μｍの伝送損失が、アニール処理を実施しなかった場合と比較して増加する懸念がある。幹線系光ファイバでは、使用波長帯域は１.５５μｍ近傍であり、１.３８μｍ付近の波長帯域は一般には使用されない。しかしながら、ＯＨ吸収は波長１.３８μｍにピークを示し一定の広がりを有するので、極端にＯＨ濃度が高い光ファイバでは、波長１.５５μｍにおいてもＯＨ吸収に由来する伝送損失の微増が懸念される。また、この光ファイバがラマン増幅器を含む光伝送路で使用される場合は、ラマン増幅のためのポンプ光として波長１.４５μｍ前後の光が用いられるので、波長１.５５μｍにおける信号強度は顕著にＯＨ吸収損失の影響を受けると考えられる。従って、ＯＨ吸収損失を低く抑えることは、幹線系光ファイバにおいても有用である。

ＯＨ吸収に由来する損失を低くする為には、光ファイバ母材内のＯＨ濃度を低くすることが直接的である。光ファイバ母材は、一般に、コアとクラッドの一部とを含むコアロッドの表面に追加クラッド（ジャケット層）を付与することで製造される。伝搬光のパワーが集中するコアロッドでは十分に脱水処理を行ってＯＨ濃度を充分に低くすれば、相対的なパワーの割合が小さいジャケット部分ではＯＨ濃度がコアロッドより高くても、コアロッドとジャケット層とのサイズ比を適正化してジャケットでの伝搬光パワーの割合を低くすることで、ＯＨ吸収損失を低く抑えることができる。これにより、ジャケットの脱水処理を省略することができるので、低コストで光ファイバ母材および光ファイバを製造することができる。

しかし、レーリ散乱損失の低減を図るためにアニール線引を行う場合は、コアロッドとジャケット層とのサイズ比を適正化してジャケットでの伝搬光パワーの割合を低くしても、アニールによりＯＨ基が拡散するので、ＯＨ吸収損失の低減が充分には得られない場合がある。

本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、レーリ散乱損失およびＯＨ吸収損失の双方が低減された光ファイバを低コストで製造することができる方法を提供することを目的とする。

本発明の光ファイバ製造方法は、コアおよびクラッドを有する光ファイバを製造する方法であって、コアおよびクラッドの一部となるべきコアロッドの周囲にクラッドの残部となるべきジャケット層を付与して光ファイバ母材を作製する母材作製工程と、線引炉により光ファイバ母材を線引して光ファイバを製造する線引工程と、加熱炉により光ファイバを加熱する加熱工程と、加熱工程において加熱された後の光ファイバの周囲に被覆層を付与する被覆工程と、を備える。

さらに、本発明の光ファイバ製造方法では、母材作製工程において、平均ＯＨ濃度が１wtppb未満であって、表面から線引後の光ファイバにおける厚みが０．０３μｍとなる領域におけるＯＨ濃度が１０wtppm以上であるコアロッドの周囲に、平均ＯＨ濃度が１０wtppm以上であるジャケット層を付与して、線引後の光ファイバにおけるコアロッド相当領域における波長１.３８μｍの伝搬光のパワーの割合が９９.９９９７５％以上となる光ファイバ母材を作製する。加熱工程において、加熱炉へ光ファイバが入線する際の光ファイバの温度を１４００℃以上とし、加熱炉における光ファイバの加熱温度を２０００℃以下とし、加熱炉における光ファイバの滞在時間を０.００５〜１秒とする。

本発明の光ファイバ製造方法では、母材作製工程において、表面から線引後の光ファイバにおける厚みが０．０３μｍとなる領域におけるＯＨ濃度が１００〜１０００wtppm以上であるコアロッドの周囲に、平均ＯＨ濃度が１０〜３００wtppm以上であるジャケット層を付与して、光ファイバ母材を作製するのが好適である。加熱工程において、加熱炉における光ファイバの加熱温度を８００〜１６００℃以下とするのが好適である。熱工程において、加熱炉における光ファイバの加熱時間を０.１０〜１.００秒とするのが好適である。また、線引工程において、光ファイバ母材のガラス外径減少開始のときから線引炉から光ファイバが出線するときまでの平均ガラス冷却率を５００℃／ｍ以上とするのが好適である。

本発明の光ファイバは、上記の本発明の光ファイバ製造方法により製造された光ファイバであって、波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増が０.０６ｄＢ／ｋｍ以下であり、波長１.５５μｍにおける伝送損失が０.１８５ｄＢ／ｋｍより小さく、波長１.３１μｍにおける伝送損失が０.３４０ｄＢ／ｋｍより小さい、ことを特徴とする。

本発明の光ファイバは、コアと、このコアの周囲に設けられたディプレストと、このディプレストの周囲に設けられたジャケットとを有し、純シリカの屈折率を基準として、コアの比屈折率差Δ１が０.１８〜０.３５％であり、ディプレストの比屈折率差Δ２が−０.１〜−０.００％であり、ジャケットの比屈折率差Δ３が−０.０５〜０.０５％であり、Δ１＞Δ３＞Δ２であり、コアの半径ａが４〜７μｍであり、コアの半径ａとディプレストの外半径ｂとの比ｂ／ａが２より大きく７より小さく、波長１.５５μｍにおける実効断面積が８０μｍ^２より大きく、カットオフ波長が１５５０ｎｍより短いのが好適である。

本発明によれば、レーリ散乱損失およびＯＨ吸収損失の双方が低減された光ファイバを低コストで製造することができる。

光ファイバ製造装置１の構成を示す図である。加熱炉における光ファイバの滞在時間と波長１.５５μｍでの光ファイバの伝送損失との関係を示すグラフである。加熱炉における光ファイバの加熱温度と波長１.５５μｍでの光ファイバの伝送損失との関係を示すグラフである。加熱炉における光ファイバの滞在時間と波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38との関係を示すグラフである。光ファイバ母材のＲａと波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38との関係を示すグラフである。光ファイバ母材のＲａと波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38との関係を示すグラフである。光ファイバにおけるジャケット相当領域における波長１.３８μｍの伝搬光のパワーの割合と、波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38との関係を示すグラフである。

以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、光ファイバ製造装置１の構成を示す図である。光ファイバ製造装置１は、石英ガラスからなる光ファイバ母材２を線引して光ファイバ３を製造し、さらに、この光ファイバ３の周囲に被覆層を付与して光ファイバ素線４を製造する。光ファイバ製造装置１は、線引炉１１、加熱炉２１、外径測定器４１、コーディングダイス５１および樹脂硬化部３１を備える。

線引炉１１は、母材供給部により保持されて供給された光ファイバ母材２の下端をヒータ１２により加熱して軟化させ、光ファイバ母材２を線引して光ファイバ３を製造する。線引炉１１の炉心管１３の内部は、不活性ガス供給部１４から不活性ガス供給路１５を経て不活性ガスが供給され、不活性ガス雰囲気とされる。線引後の光ファイバ３は、炉心管１３内温度１７００℃程度にまで不活性ガスにより急激に冷却される。その後、光ファイバ３は、炉心管１３の下部から線引炉１１外に出され、線引炉１１と加熱炉２１との間にて空冷される。不活性ガスとして例えばＮ_２ガスが用いられる。Ｎ_２ガスの熱伝導係数λ（Ｔ＝３００Ｋ）は２６ｍＷ／（ｍ・Ｋ）である。空気の熱伝導係数λ（Ｔ＝３００Ｋ）は２６ｍＷ／（ｍ・Ｋ）である。

加熱炉２１は、線引炉１１の下部から出線された光ファイバ３を加熱し、所定の冷却速度にて徐冷する。加熱炉２１は、その中を光ファイバ３が通過する炉心管２３を有する。炉心管２３の位置は、光ファイバ３の入線温度が所定値となるように、線引炉１１の炉心管１３に対して所定の間隔で設定される。炉心管２３の長さは、加熱炉２１における光ファイバ３の加熱時間が所定値となるように設定される。また、加熱炉２１のヒータ２２は、炉心管２３の中心の温度すなわち光ファイバ３の温度を所定値に加熱する。加熱炉２１の炉心管２３の内部は、Ｎ_２ガス供給部２４からＮ_２ガス供給路２５を経てＮ_２ガスが供給され、Ｎ_２ガス雰囲気とされる。Ｎ_２ガスを用いる代わりに、空気またはＡｒ等の分子量の比較的大きいガス等を用いることも可能である。ヒータ２２がカーボンヒータである場合には不活性ガスを用いる必要がある。

外径測定器４１は、加熱炉２１から出た光ファイバ３の外径を測定し、その外径測定値を制御部４４に送る。制御部４４は、光ファイバ素線４を巻き取るドラム４２を回転駆動する駆動モータ４３の回転速度を制御して、光ファイバ３の外径測定値が目標値となるように光ファイバ線引速度を調整する。このようなフィードバック制御により光ファイバ３の外径は一定の目標値とされる。

コーディングダイス５１は、外径測定器４１を経た後の光ファイバ３の外周にＵＶ樹脂液（紫外線硬化型樹脂）５２を塗布する。樹脂硬化部３１は、紫外線ランプ３２から出力される紫外線を、光ファイバ３に塗布された紫外線硬化型樹脂に照射することで、その紫外線硬化型樹脂を硬化させる。これにより、光ファイバ３の周囲に樹脂被覆層が付与された光ファイバ素線４が製造される。なお、紫外線硬化型樹脂に替えて熱硬化型樹脂を塗布し、その熱硬化型樹脂を加熱することで硬化させるようにしてもよい。そして、光ファイバ素線４は、ガイドローラ６１を経て、ドラム４２により巻き取られる。ドラム４２は回転駆動軸４５に支持されており、この回転駆動軸４５の端部は駆動モータ４３に接続されている。

本実施形態の光ファイバ製造方法は、このような光ファイバ製造装置１を用いて光ファイバを製造する方法である。本実施形態の光ファイバ製造方法は、光ファイバ母材を製造する母材作製工程と、線引炉１１により光ファイバ母材を線引して光ファイバを製造する線引工程と、加熱炉２１により光ファイバを加熱する加熱工程と、加熱工程において加熱された後の光ファイバの周囲に被覆層を付与する被覆工程と、を備える。

光ファイバの伝送損失は、一般に、レーリ散乱損失、ガラス自体の吸収損失およびガラスに含まれる添加物の吸収損失の和で表される。光伝送路として光ファイバを用いる光通信システムにおける一般的な信号光波長帯域である１.３１〜１.５５μｍの帯域では、レーリ散乱損失が主であることが知られている。レーリ散乱損失は、ガラスのＳｉＯ_２ネットワークの乱雑さにより生じる。アニール線引技術は、特許文献３等に記載されているとおり、線引炉から出線された光ファイバを、線引炉の直後に設けられた加熱炉に通過させることにより、光ファイバの冷却速度を低減して、ＳｉＯ_２ネットワークの乱雑さに起因するレーリ散乱損失を低減するものである。

加熱炉における光ファイバの適正な徐冷条件は、加熱炉へ光ファイバが入線する際の光ファイバの温度（入線温度）、加熱炉における光ファイバの加熱温度、および、加熱炉における光ファイバの滞在時間で決定される。加熱炉における光ファイバの入線温度，加熱時間および滞在時間それぞれを各値に設定して一般的なシングルモード光ファイバを製造し、その光ファイバの波長１.５５μｍでの伝送損失を評価した。その結果が図２および図３に示されている。

図２は、加熱炉における光ファイバの滞在時間と波長１.５５μｍでの光ファイバの伝送損失との関係を示すグラフである。ここでは、加熱炉における光ファイバの入線温度を１５００℃より高くし、加熱炉における光ファイバの加熱温度を１４００℃とした。同図に示されるように、加熱炉における光ファイバの滞在時間を長くするほどレーリ散乱損失を低くすることができ、滞在時間を０.１秒以上とすることにより波長１.５５μｍでの伝送損失を０.１８５ｄＢ／ｋｍ以下とすることができる。

図３は、加熱炉における光ファイバの加熱温度と波長１.５５μｍでの光ファイバの伝送損失との関係を示すグラフである。ここでは、加熱炉における光ファイバの入線温度を１５００℃より高くし、加熱炉における光ファイバの滞在時間を０.５秒とした。同図に示されるように、加熱炉における光ファイバの加熱温度を高くするほどレーリ散乱損失を低くすることができ、加熱温度を８００℃より高くすることにより波長１.５５μｍでの伝送損失を０．１８５ｄＢ以下と充分に低くすることができる。

これらのことから、加熱炉における光ファイバの入線温度を１５００℃より高くし、加熱炉における光ファイバの滞在時間を０.１秒より長くし、加熱炉における光ファイバの加熱温度を８００℃より高くすることで、レーリ散乱損失を低くすることができ、一般的なシングルモード光ファイバにおいても、波長１.５５μｍでの伝送損失を０.１８５ｄＢ／ｋｍより小さくすることができ、波長１.３１μｍでの伝送損失を０.３４０ｄＢ／ｋｍより小さくすることができる。

このようなアニール線引技術により光ファイバにおけるレーリ散乱損失の低減による低損失化が可能であるが、波長１.３８μｍにおける損失に関しては、光ファイバにおけるＯＨ基濃度の径方向分布および伝搬光パワーの径方向分布に依存するＯＨ吸収損失を考慮することが必要である。波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増は０.０６ｄＢ／ｋｍ以下であることが望ましい。しかし、アニール線引においては、加熱炉における加熱工程の際にジャケット層のＯＨ基がコア近傍まで拡散してしまい、加熱炉における光ファイバの滞在時間に依存して、波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増が大きくなる場合がある。

図４は、加熱炉における光ファイバの滞在時間と波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38との関係を示すグラフである。ここでは、コアの半径をａとし、コアロッドの半径をｂとして、Ｒａ＝ｂ／ａを定義し、このＲａが４.０および５.０それぞれである場合について、波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38の加熱炉滞在時間依存性が示されている。何れの場合も、光ファイバ母材は、一般的な汎用シングルモード光ファイバと同じ屈折率構造を有しており、平均ＯＨ濃度が１wtppb未満であって、表面から線引後の光ファイバにおける厚みが０．０３μｍとなる領域におけるＯＨ濃度が１０００wtppmであるコアロッドの周囲に、平均ＯＨ濃度が３００wtppmであるジャケット層が付与されたものであった。コアロッド表面のＯＨ濃度が高いのは、ジャケットを付与する際にコアロッド表面の清浄化のため酸水素火炎等で火炎研磨することに因る。加熱炉における光ファイバの加熱温度は１５００℃であった。

同図に示されるように、Ｒａが小さい光ファイバ母材、すなわち、コアロッドに対しジャケット部分の割合が大きい光ファイバ母材に関しては、線引後の光ファイバのＯＨ吸収損失が大きく、また、加熱炉滞在時間が長いほどＯＨ吸収損失が大きくなる傾向が見られる。ＯＨ吸収損失が増加する原因は、コアロッド表面およびジャケット中に存在するＯＨ基が加熱によりコア近傍へ拡散するからであると考えられる。一方で、Ｒａが５.０である光ファイバ母材では、加熱炉滞在時間が長くても、ＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38は０.０２ｄＢ／ｋｍ以下である。これは、加熱によりＯＨ基が拡散しても、その拡散したＯＨはコアから十分遠いからであると考えられる。このことから、アニール線引を実施する場合、Ｒａが小さい場合には、加熱炉における光ファイバの滞在時間に応じてＯＨ吸収損失が変化することが分かり、低ＯＨ損失とするにはＲａの値を適正化する必要がある。

図５は、光ファイバ母材のＲａと波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38との関係を示すグラフである。ここでも、図４に示された光ファイバ母材を用いた。同図に示されるように、加熱炉における光ファイバの滞在時間が短いほど、また、Ｒａが大きいほど、波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38は小さくなる。この光ファイバ母材を用いる場合、加熱炉における光ファイバの加熱温度を１５００℃とし、加熱炉における光ファイバの滞在時間を１秒とした場合において、波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38を０.０６ｄＢ／ｋｍ以下とするには、Ｒａを４.６以上とする必要がある。

図６も、光ファイバ母材のＲａと波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38との関係を示すグラフである。ここでは、コア径が拡大され実効断面積が大きい光ファイバが製造された。この光ファイバは、コアと、このコアを取り囲むディプレストと、このディプレストを取り囲むジャケットとを有していた。ジャケットの屈折率を基準として、コアの比屈折率差は０.２２％であり、ディプレストの比屈折率差は−０.０８％であった。コアの半径は６.５μｍであった。実効断面積は１１０μｍ^２であった。このような屈折率分布を有する光ファイバを製造する場合、汎用シングルモード光ファイバの場合と異なり、Ｒａを２.７以上とすることで、アニール線引で加熱炉滞在時間を１秒としても。ＯＨ吸収損失を低く抑えることができる。

このように、光ファイバの屈折率構造に応じてＲａを適正化してアニール線引を行うことによりレーリ散乱損失およびＯＨ吸収損失の双方を低減することができる。ただし、ＯＨ吸収損失を低く抑えるためのＲａは屈折率構造により異なる。そこで、Ｒａより一般的な指標として、光ファイバにおけるコアロッド相当領域における波長１.３８μｍの伝搬光のパワーの割合（または、光ファイバにおけるジャケット相当領域における波長１.３８μｍの伝搬光のパワーの割合）を考える。

図７は、光ファイバにおけるジャケット相当領域における波長１.３８μｍの伝搬光のパワーの割合と、波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増加量Δα1.38との関係を示すグラフである。ここでは、図４および図５に示された光ファイバ母材は構造１と表記され、図６に示された光ファイバ母材は構造２と表記されている。同図に示されるように、光ファイバの屈折率構造によらず、光ファイバにおけるコアロッド相当領域における波長１.３８μｍの伝搬光のパワーの割合を９９.９９９７５％以上とすることで（すなわち、光ファイバにおけるジャケット相当領域における波長１.３８μｍの伝搬光のパワーの割合を０.０００２５％以下とすることで）、アニール線引を実施してもＯＨ吸収損失を低減することができる。

以上のことから、光ファイバのコアおよびクラッドの一部となるべきコアロッドの周囲にジャケット層を付与して光ファイバ母材を作製し該光ファイバ母材をアニール線引して光ファイバを製造する際に、光ファイバ母材において、コアロッド内部のＯＨ濃度を１wtppb以下とし、コアロッド表面からファイバ換算で内側０．０３μｍのＯＨ濃度を１００〜１０００wtppmとし、ジャケット層のＯＨ基濃度を１０〜３００wt_ppm以上とする。そして、この光ファイバ母材を線引炉において線引して光ファイバとした後、この光ファイバを加熱炉においてアニールする際に、加熱温度を１５００℃以下とし、滞在時間を１秒より短くし、ジャケット部分におけるパワー割合を所定の値以下にすることで、レーリ散乱損失およびＯＨ吸収損失の双方が低減された光ファイバを低コストで製造することができる。

１…光ファイバ製造装置、２…光ファイバ母材、３…光ファイバ、４…光ファイバ素線、１１…線引炉、１２…ヒータ、１３…炉心管、１４…不活性ガス供給部、１５…不活性ガス供給路、２１…加熱炉、２２…ヒータ、２３…炉心管、２４…Ｎ_２ガス供給部、２５…Ｎ_２ガス供給路、３１…樹脂硬化部、３２…ＵＶランプ、４１…外径測定器、４２…ドラム、４３…駆動モータ、４４…制御部、４５…回転駆動軸、５１…コーティングダイス、５２…ＵＶ樹脂液、６１…ガイドローラ。

Claims

コアおよびクラッドを有する光ファイバを製造する方法であって、
コアおよびクラッドの一部となるべきコアロッドの周囲に、クラッドの残部となるべきジャケット層を付与して、光ファイバ母材を作製する母材作製工程と、
線引炉により前記光ファイバ母材を線引して光ファイバを製造する線引工程と、
加熱炉により前記光ファイバを加熱する加熱工程と、
前記加熱工程において加熱された後の光ファイバの周囲に被覆層を付与する被覆工程と、
を備え、
前記母材作製工程において、平均ＯＨ濃度が１wtppb未満であって、表面から線引後の光ファイバにおける厚みが０．０３μｍとなる領域におけるＯＨ濃度が１０wtppm以上である前記コアロッドの周囲に、平均ＯＨ濃度が１０wtppm以上である前記ジャケット層を付与して、線引後の光ファイバにおける前記コアロッド相当領域における波長１.３８μｍの伝搬光のパワーの割合が９９.９９９７５％以上となる前記光ファイバ母材を作製し、
前記加熱工程において、前記加熱炉へ前記光ファイバが入線する際の前記光ファイバの温度を１４００℃以上とし、前記加熱炉における前記光ファイバの加熱温度を２０００℃以下とし、前記加熱炉における前記光ファイバの滞在時間を０.００５〜１秒とする、
ことを特徴とする光ファイバ製造方法。
前記母材作製工程において、表面から線引後の光ファイバにおける厚みが０．０３μｍとなる領域におけるＯＨ濃度が１００〜１０００wtppm以上である前記コアロッドの周囲に、平均ＯＨ濃度が１０〜３００wtppm以上である前記ジャケット層を付与して、前記光ファイバ母材を作製する、ことを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ製造方法。
前記加熱工程において、前記加熱炉における前記光ファイバの加熱温度を８００〜１６００℃以下とする、ことを特徴とする請求項２に記載の光ファイバ製造方法。
前記加熱工程において、前記加熱炉における前記光ファイバの加熱時間を０.１０〜１.００秒とする、ことを特徴とする請求項２に記載の光ファイバ製造方法。
前記線引工程において、光ファイバ母材のガラス外径減少開始のときから前記線引炉から光ファイバが出線するときまでの平均ガラス冷却率を５００℃／ｍ以上とする、ことを特徴とする請求項２に記載の光ファイバ製造方法。
請求項１〜５の何れか１項に記載の光ファイバ製造方法により製造された光ファイバであって、波長１.３８μｍにおけるＯＨ吸収損失に由来する伝送損失増が０.０６ｄＢ／ｋｍ以下であり、波長１.５５μｍにおける伝送損失が０.１８５ｄＢ／ｋｍより小さく、波長１.３１μｍにおける伝送損失が０.３４０ｄＢ／ｋｍより小さい、ことを特徴とする光ファイバ。
コアと、このコアの周囲に設けられたディプレストと、このディプレストの周囲に設けられたジャケットとを有し、
純シリカの屈折率を基準として、前記コアの比屈折率差Δ１が０.１８〜０.３５％であり、前記ディプレストの比屈折率差Δ２が−０.１〜−０.００％であり、前記ジャケットの比屈折率差Δ３が−０.０５〜０.０５％であり、Δ１＞Δ３＞Δ２であり、
前記コアの半径ａが４〜７μｍであり、前記コアの半径ａと前記ディプレストの外半径ｂとの比ｂ／ａが２より大きく７より小さく、
波長１.５５μｍにおける実効断面積が８０μｍ^２より大きく、
カットオフ波長が１５５０ｎｍより短い、
ことを特徴とする請求項６に記載の光ファイバ。