JP4984458B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 基板上にゲート配線、ゲート絶縁膜、ソース・ドレイン配線がこの順またはこれと逆の順に積層され、
前記ゲート配線および前記ソース・ドレイン配線のうち少なくとも前記基板側に配置される一方は、金属材料層とカーボンブラック層とがこの順またはこれと逆の順に積層された2層構造を繰り返し積層してなる
半導体装置。 - 前記ゲート配線および前記ソース・ドレイン配線の両方が、前記2層構造を繰り返し積層してなる
請求項1記載の半導体装置。 - 前記ソース・ドレイン配線の上層側または下層側に半導体層が設けられている
請求項1記載の半導体装置。 - 前記基板がプラスチック材料で形成されている
請求項1記載の半導体装置。
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