JP4984412B2 - 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、磁気センサおよびその製法に関し、特に１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得るようにしたものである。

本出願人は、既に特開２００４−６７５２号公報により、１枚の基板上に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを測定することができる磁気センサを提案している。

この先行発明では、シリコン基板に溝を形成し、この溝の斜面にＺ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置し、基板平坦面にＸ軸検知用の巨大磁気抵抗素子とＹ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置したもので、小型化が可能なものである。
また、これに引き続いて、基板上に酸化ケイ素からなる山部を形成し、この山部の斜面にＺ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置し、基板の平坦面にＸ軸検知用の巨大磁気抵抗素子とＹ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置した三軸磁気センサを提案している。

また、これに関連して、基板上に１以上の溝あるいは堤状の突起部を並列して形成し、これらの溝または突起部の斜面に巨大磁気抵抗素子を設け、これら巨大磁気抵抗素子によりＺ軸方向の磁界の強さを計測し、一方基板の平坦面にＸ軸方向およびＹ軸法の感知軸を有する２以上の巨大磁気抵抗素子を設け、これら巨大磁気抵抗素子によって、三軸方向の磁界の強さを計測できる三軸磁気センサについても、特許出願している。

この先行発明にあっては、上記溝または突起部の形成を以下のようにして行っている。
まず、基板上に酸化ケイ素などからなる厚膜を形成し、この厚膜上にレジスト膜を設ける。ついで、このレジスト膜のうち、溝となる部分あるいは突起部の底部となる部分に相当する部分を除去して、レジストパターンを形成する。

ついで、レジストパターンが形成されたレジスト膜に加熱処理を施し、レジスト膜の端面を傾斜面とする。
こののち、レジストと酸化ケイ素とのエッチング速度比がほぼ１：１となるようなエッチング条件でプラズマエッチングを施し、レジスト膜と厚膜を同時にエッチングして、厚膜に溝となる凹部あるいは突起部の底部となる凹部を形成する方法である。

ところが、このような溝あるいは突起部の形成方法では、プラズマエッチングの際に、エッチングエリアの全体を均一にエッチングをすることがどうしても困難であるため、形成された溝あるいは突起部の周辺部分の形状が崩れあるいはぼやけて、所期の形状とは異なるものになってしまう。

このため、溝または突起部の斜面の平面形状やその傾斜角度なども同様に、周辺部分と中央部分とで異なったものとなり、周辺部分では目的とする斜面の平面形状や傾斜角度などが得られなくなってしまう。
このため、このような周辺部分の斜面に巨大磁気抵抗素子を設けても、正常な形態の巨大磁気抵抗素子を得ることはできず、特性の劣ったものとなる。
特開２００４−６７５２号公報

よって、本発明における課題は、このような形状や傾斜角度の乱れた斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられることがないようにし、正常な形態の巨大磁気抵抗素子のみを設けることができるようにすることにある。

かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、回路と配線層とが形成された基板と、前記基板上に形成された酸化膜からなる厚膜と、前記厚膜に並列して形成された複数の斜面とを備え、前記斜面の列方向の最外側にダミー斜面が形成され、このダミー斜面以外の斜面に磁気センサ素子が設けられたことを特徴とする磁気センサである。

請求項２にかかる発明は、回路と配線層とが形成された基板と、前記基板上に形成された酸化膜からなる厚膜と、前記厚膜に並列して形成された複数の斜面とを備え、前記斜面の個々の長手方向の両端部の外方にダミー斜面が形成され、このダミー斜面以外の斜面に磁気センサ素子が設けられたことを特徴とする磁気センサである。

請求項３にかかる発明は、前記基板の平坦面には、複数の磁気センサ素子が設けられ、これら磁気センサ素子は、Ｘ軸方向に感知軸を有するＸ軸センサおよびＹ軸方向に感知軸を有するＹ軸センサを構成し、前記基板の斜面に設けられた磁気センサ素子が、Ｚ軸方向の磁界の強さを感知しうるＺ軸センサを構成することを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサである。
請求項４にかかる発明は、上記斜面が、基板上の厚膜に形成された溝の斜面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気センサである。
請求項５にかかる発明は、上記斜面が、基板上に形成された堤状の突起部の斜面であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気センサである。
請求項６にかかる発明は、前記磁気センサ素子は、溝の頂部を跨ぐようにして接続されていることを特徴とする請求項４に記載の磁気センサである。
請求項７にかかる発明は、前記磁気センサ素子は、磁気抵抗効果素子からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気センサである。
請求項８にかかる発明は、回路と配線層とが形成された基板を用意する工程と、前記基板上に酸化膜からなる厚膜を形成する工程と、前記厚膜上にレジストパターンを形成し、加熱処理により断面形状が山状のレジスト膜とする工程と、前記レジスト膜と前記厚膜とをエッチングすることにより、前記厚膜に複数の斜面を形成する工程と、前記斜面のうち列方向の外側に形成されたダミー斜面以外の斜面上に磁気センサ素子を設ける工程とを有することを特徴とする磁気センサの製造方法である。

本発明によれば、基板に形成された溝または突起部の斜面のうち、その平面形状、傾斜角度等が正常なもののみに、巨大磁気抵抗素子を設けることができる。このため、特性の良好な巨大磁気抵抗素子を設けることができ、特性の良好な磁気センサが得られる。

図１は、本発明の磁気センサの一例を模式的に示すもので、基板上の巨大磁気抵抗素子の配置を示すものである。
図１において、符号１は基板を示す。この基板１は、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されており、この上に平坦化膜、パッシベーション膜、酸化ケイ素膜などからなる厚膜が順次積層されたものであり、これらの各膜は図示を省略してある。

この基板の厚膜上には、Ｘ軸センサ２とＹ軸センサ３とＺ軸センサ４とが設けられている。Ｘ軸センサ２は、図１に示した座標軸において、Ｘ方向に、Ｙ軸センサ３は、同じくＹ方向に感知軸を有するものであり、Ｚ軸センサ４は、Ｚ方向の磁界の強さを感知しうるものである。

Ｘ軸センサ２は、４個の巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄから構成され、Ｙ軸センサ３は、４個の巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈから構成され、Ｚ軸センサ４は、４個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４ｋ、４ｌから構成されている。

Ｘ軸センサ２をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂは、基板１のほぼ中央部並んで設けられ、残りの２個の巨大磁気抵抗素子２ｃ、２ｄは、これらからやや離れた基板１の端部に互い並んで、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂと対峙するように設けられている。

Ｙ軸センサ３をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆは、基板１の一方の端部側に配され、残りの２個の巨大磁気抵抗素子３ｇ、３ｈは、基板１の他方の端部側に互いに並んで、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆと対峙するように配置されている。

Ｚ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、２個の巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌは、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆに近い位置に互いに並んで配され、残りの２個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊは、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂからやや離れた位置に互いに並んで配置されている。

これらの巨大磁気抵抗素子は、基本的には従来の巨大磁気抵抗素子と同様のもので、例えばＸ軸センサまたはＹ軸センサを例に取ると、図２に示すように、４個の帯状部５、５・・と、これらの帯状部５、５・・を電気的に直列に接続する３個のバイアス磁石部６、６・とから構成されている。
帯状部５は、巨大磁気抵抗素子の本体をなす部分であり、細長い帯状の平面形状を有するものである。

帯状部５は、磁化の向きが所定の向きに固定されたピンド層と、磁化の向きが外部磁界の向きに応じて変化するフリー層を備えたもので、具体的にはフリー層上に導電性のスペーサ層、ピンド層、キャッピング層を順次積層してなる多層金属薄膜積層物から構成されている。

例えば、フリー層には、コバルト−ジルコニウム−ニオブのアモルファス磁性層とニッケル−コバルトの磁性層とコバルト−鉄の磁性層との三層からなるものが、スペーサ層には、銅からなるものが、ピンド層には、コバルト−鉄の強磁性層と白金−マンガンの反磁性層との二層からなるものが、キャピング層にはタンタルからなるものが用いられる。

バイアス磁石部６は、４個の帯状部５、５・・を電気的に直列に接続するとともに帯状部５の磁気特性を整えるためのバイアス磁界を帯状部５に印加するためのものである。また、このバイアス磁石部５は、例えば、コバルト−白金−クロム層とクロム層との二層からなる薄膜金属積層物から構成されている。

基板１の平坦面に設けられたＸ軸センサ２およびＹ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈについての構造は、図２に示すように、４個の帯状部５、５・・と３個のバイアス磁石部６、６・とから構成され、帯状部５、５・・のうち、両外側の２個の帯状部５、５のバイアス磁石部６が接続されていない端部には、配線層７、７が接続され、この配線層７、７は、図示しないビア部に接続されている。

図３ないし図６は、Ｚ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４、ｋ４ｌの構造を示すもので、これらの図において、Ｚ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子のうち、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊについて、詳しく描いたもので、他の巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌについても同様の構造となっているので、これについては説明を省略する。

図３は、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊの概略平面図であり、図４は、図３において破断線ＩＶ−ＩＶで切断した概略断面図であり、図５、図６は、巨大磁気抵抗素子の帯状部５とバイアス磁石部６の配置状態および感知軸方向を模式的に示した斜視図である。

図４において、符号１は基板で示し、符号１１は基板１上に堆積された酸化ケイ素などからなる厚膜を示す。
この厚膜１１には、この厚膜１１を部分的に削り取って形成された６個のＶ字状の溝８、８・・・が互いに並んで平行に設けられている。

この溝８は、その深さが３〜７μｍ、長さが２５０〜３００μｍとされる細長い形状の凹部となっており、その斜面の幅が３〜８μｍとなっており、斜面と酸化膜１１表面とのなす角度は６０〜８０度、好ましくは７０度程度となっている。
なお、図４では、溝８の斜面を平坦面として描いているが、実際には製造プロセス上、外方に向けてやや張り出した湾曲面となっている。

また、これらの６個の溝８、８・・・うち、中央側に位置する４個の溝８、８・・の互いに隣接する８つの斜面には、斜面の長手方向に沿い、かつ斜面の中央部分の平坦性が良好な位置に、８個の巨大磁気抵抗素子の帯状部５、５・・が設けられている。
また、これら８つの斜面の内、第１の斜面に形成された帯状部５の一方の端部から溝の底部を経て隣の第２の斜面に形成された帯状部５の一方の端部にかけてバイアス磁石部６が設けられて、電気的に接続されている。

さらに、第２の斜面に形成された帯状部５の他方の端部から溝の頂部を跨ぐようにして隣の第３の斜面に形成された帯状部５の一方の端部にかけてバイアス磁石部６が設けられ、電気的に接続され、１個の巨大磁気抵抗素子４ｉが構成されている。
そして、同様にして残りの４個の帯状部５・・・が３個のバイアス磁石部６・・によって直列に接続され、１個の巨大磁気抵抗素子４ｊが構成されている。

また、図３、図４に示すように、巨大磁気抵抗素子が設けられた８個の斜面の並列方向の両方の外方には、それぞれ２個の第１のダミー斜面９１、９１・・が設けられている。さらに、図３に示すように、巨大磁気抵抗素子が設けられた８個の斜面および上記第１のダミー斜面９１、９１・・の個々の斜面の長手方向の両端側には、ギャップ（間隙）を介して、第２のダミー斜面９２、９２・・・が合計２４個、個々の斜面から延びるようにして形成されている。

第１のダミー斜面９１は、その平面形状が中央部分に位置する斜面のそれとほぼ同形状の長方形状となっているが、その傾斜角度が異なっていて、なだらかになっている。
第２のダミー斜面９２は、その平面形状が図３にあるように、略台形状の先細となっており、傾斜角度がなだらかになっている。

これら第１および第２のダミー斜面９１、９１・・、９２、９２・・には、巨大磁気抵抗素子を形成する帯状部５およびバイアス磁石部６が設けられておらず、単に斜面そのままの状態となっている。
また、これら第１および第２のダミー斜面９１、９２は、６個の溝８、８・・を形成する際に同時に形成されるが、その形成方法については、後述する。

また、厚膜１１の平坦部に設けられたＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子と同様に、これら帯状部５、５・・のうち、両外側の２個の帯状部５、５のバイアス磁石部６が接続されていない端部には、配線層７、７が接続され、この配線層７、７は、図示しないビア部に接続されている。この配線層７は、この例では巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６を構成するマグネット膜で形成されており、これによりバイアス磁石部６と配線層７を同時に作製することができる。

また、Ｘ軸センサ２をなす巨大磁気抵抗素子およびＹ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子においては、図２に示すように、その感知軸は帯状部５の長手方向に直交方向で基板１の表面に平行に向けられており、帯状部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、帯状部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、基板１の表面に平行となっている。

また、Ｚ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子においては、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊでは、図５に示すように、その感知軸は、帯状部５の長手方向に対して直交方向で溝８の斜面に平行でかつ斜面の上向きに向けられており、帯状部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、帯状部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、溝８の斜面に平行で斜面の上向きとなっている。

また、巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌでは、図６に示すように、その感知軸は、帯状部５の長手方向に対して直交方向で溝８の斜面に平行でかつ斜面の下向きに向けられており、帯状部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、帯状部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、溝８の斜面に平行で斜面の下向きとなっている。
なお、図５および図６では、第１および第２のダミー斜面は、図示を省略している。

このような感知軸方向を得るためには、マグネットアレイを基板上方から接近させた状態で基板を２６０〜２９０℃で、３〜５時間加熱する加熱処理を行えばよく、これは従来のピニング処理と同様である。

通常の巨大磁気抵抗素子では、感知軸方向とピニング方向とは、ともに帯状部５の長手方向に対して直交方向で、基板表面に平行とされているが、上述のように、感知軸方向とピニング方向とを異ならせることで、巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が向上することになる。

また、図１ないし図６では、図示していないが、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４を構成するすべての巨大磁気抵抗素子を含む基板１全面には、窒化ケイ素などのパッシベーション膜、ポリイミドなどの保護膜が被覆されており、外界から保護されている。

このような磁気センサにあっては、１枚の基板１に、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４が配置されているので、小型の三軸磁気センサとして機能する。また、溝８の斜面の平坦性の良好な部分に巨大磁気抵抗素子の帯状部を形成することができ、性能のよい磁気センサが得られる。

また、第１および第２のダミー斜面９１、９２をあえて形成することによって、溝８の形成に伴って必然的に生じる周辺部分の斜面の平面形状や傾斜角度の乱れがあっても、この部分には、巨大磁気抵抗素子を設けなくても済むため、性能の劣った巨大磁気抵抗素子が設けられることが避けられ、磁気検知特性の良好な巨大磁気抵抗素子のみが設けられることになる。このため、性能の良好なＺ軸センサを得ることができる。
さらに、帯状部５のピニング方向を、帯状部５の長手方向に対して３０〜６０度としたことで、得られる巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が良好となる。

つぎに、このような磁気センサの製法について説明する。
以下の説明においては、溝８、８・・の斜面に形成されたＺ軸センサ４を構成する巨大磁気抵抗素子の作製について主に説明する。
まず、基板１を用意する。この基板１には、上述のように、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されたものである。

図７（ａ）に示すように、この基板１上に、まず平坦化膜３１を成膜する。この平坦化膜３１には、例えば、プラズマＣＶＤ法による厚さ３００ｎｍの酸化ケイ素膜、厚さ６００ｎｍのＳＯＧ膜、厚さ５０ｎｍのトリエトキシシランを原料として製膜した酸化ケイ素膜を順次積層したものなどが用いられる。

次ぎに、図７（ｂ）に示すように、基板１全面にパッシベーション膜３２を成膜する。このパッシベーション膜３２としては、例えば、厚さ２５０ｎｍのプラズマＣＶＤ法による酸化ケイ素膜３３と、厚さ６００ｎｍのプラズマＣＶＤ法による窒化ケイ素膜３４との積層膜などが用いられる。

ついで、図８（ａ）に示すように、この上に厚さ５μｍ程度のプラズマＣＶＤ法による酸化ケイ素からなる厚膜３５を形成する。この厚膜３５は、後述するように、上記溝８、８・・が形成されるものである。

次ぎに、図８（ｂ）に示すように、この厚膜３５上に厚さ３μｍ程度のレジスト膜３６を全面に形成する。このレジスト膜３６の一部をエッチング処理して、除去して、レジストパターンを形成する。このレジストパターンは、溝形成部の各溝に相当する部分が開口するようにする。

このレジストパターンでは、上述の第１および第２のダミー斜面９１、９２も同時に得られるようにするため、これらの斜面に相当する溝８、８・・が形成されるようなパターンとされる。

つぎに、図８（ｃ）にあるように、残っているレジスト膜３６に温度１５０℃、時間１０分程度の加熱処理を施し、レジスト膜３６を溶融させる。この加熱処理によりレジストが溶融し、溶融液の表面張力に起因して、図示のように、レジスト３６膜の上面が盛り上がり、同時に端面が傾斜面となって、断面形状が山状となって、その高さが約５μｍ程度に盛り上がる。

こののち、レジストと酸化ケイ素とのエッチング選択比がほぼ１対１となるような条件でレジスト膜３６と厚膜３５に対してドライエッチングを行う。
このドライエッチング条件は、例えば以下の通りである。 ＣＦ_４／ＣＨＦ_３／Ｎ_２／Ｏ_２＝６０／１８０／１０／１００ｓｃｃｍ、
圧力：４００ｍＴｏｒｒ（５３．２Ｐａ）
ＲＦパワー：７５０Ｗ
電極温度：１５℃、チャンバ温度：１５℃

この後、厚膜３５上に残っているレジスト膜３６を除去する。
これにより、図９（ａ）に示すように、厚膜３５の溝形成部には、溝８、８・・が形成される。

ついで、基板１全面に、巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６となるマグネット膜をスパッタにより成膜し、レジストワーク、エッチングにより不要部分を除去し、図９（ｂ）に示すように、溝８、８・・の斜面のうち、第１および第２のダミー斜面９１、９１・・、９２、９２・・以外の斜面上にバイアス磁石部６とこれの配線膜を形成する。

このマグネット膜には、先に述べたとおりの多層金属薄膜が用いられる。
この際に、厚膜３５の平坦面にも、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３を構成する各巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６とこれの配線層７も形成する。

このバイアス磁石部６の形成のためのレジストワークの際に、溝８の斜面でのマグネット膜のエッチングを適切に行うため、パターン形成後のレジスト膜に加熱処理を施して、レジスト膜の端面を傾斜面とすることが好ましい。

ついで、この上に巨大磁気抵抗素子の帯状部５となる巨大磁気抵抗素子膜をスパッタにより全面に成膜する。この巨大磁気抵抗素子膜としては、先に述べた通りの多層金属薄膜が用いられる。
さらに、この状態の基板１をマグネットアレー上にセットして、温度２６０〜２９０℃、時間３〜５時間の熱処理を行って、巨大磁気抵抗素子膜に対して、ピニング処理を行う。

こののち、巨大磁気抵抗素子膜に対してレジストワーク、エッチングを行い、不要部分を除去して、図１０（ａ）に示すように、溝８、８・・の斜面のうち、第１および第２のダミー斜面９１、９１・・、９２、９２・・以外の斜面上に帯状部６、６・・を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これにより、Ｚ軸センサ４が完成する。

さらにこれと同時に厚膜３５の平坦面にも、帯状部５を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これによりＸ軸センサ２と、Ｙ軸センサ３が完成する。

ついで、図１０（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法による厚さ１μｍ程度の窒化ケイ素膜からなるパッシベーション膜２７を成膜し、さらにこの上にポリイミドからなる保護膜２８を設けて、目的とする磁気センサとする。

このような磁気センサの製法によれば、１枚の基板にＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４を作り込むことができ、一連の連続したプロセスで小型の三軸磁気センサを製造することが可能になる。
また、Ｚ軸センサ４を構成する複数の巨大磁気抵抗素子を、溝８、８・・の斜面のうち、平面形状や傾斜角度などの良好な斜面に限って設けることができ、磁気検知特性の良好なＺ軸センサ４を得ることができる。

以上の説明では、巨大磁気抵抗素子を設ける斜面および第１、第２のダミー斜面に関して、溝８、８・・を形成して得られた斜面を対象として述べたが、これに限らず、基板に堤状の突起部を形成して得られる斜面を対象としてもよい。

この突起部の形成は、溝８の形成と同様に、図８（ｃ）において、レジスト膜３６にパターニングを施し、ついでこのレジスト膜３６に加熱処理を施し、レジストと酸化ケイ素とのエッチング比がほぼ１：１となるような条件で、レジスト膜３６と厚膜３５をプラズマエッチングする。

このプラズマエッチング処理の際に、厚膜３５の溝８、８・・を形成する領域以外の領域に対しても、表面が平坦となるようにエッチングして、大部分の厚膜３５を取り除くことで、堤状の突起部を形成することができる。
そして、この突起部の形成の時に、第１および第２のダミー斜面９１、９１・・、９２、９２・・となる突起部が得られるようにレジスト膜３６のパターンを定めておけばよい。

本発明の磁気センサの一例を示す概略平面図である。 本発明での巨大磁気抵抗の例を示す概略平面図である。 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗の例を示す概略平面図である。 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗の例を示す概略断面図である。 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗の例を示す概略斜視図である。 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗の他の例を示す概略斜視図である。 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。

符号の説明

１・・基板、５・・帯状部、６・・バイアス磁石部、７・・配線層、８・・溝、３１・・平坦化膜、３２・・パッシベーション膜、３５・・厚膜、３６・・レジスト膜、２８・・保護膜、９１・・第１のダミー斜面、９２・・第２のダミー斜面

Claims (8)

1. 回路と配線層とが形成された基板と、
   前記基板上に形成された酸化膜からなる厚膜と、
   前記厚膜に並列して形成された複数の斜面とを備え、
   前記斜面の列方向の最外側にダミー斜面が形成され、このダミー斜面以外の斜面に磁気センサ素子が設けられたことを特徴とする磁気センサ。
2. 回路と配線層とが形成された基板と、
   前記基板上に形成された酸化膜からなる厚膜と、
   前記厚膜に並列して形成された複数の斜面とを備え、
   前記斜面の個々の長手方向の両端部の外方にダミー斜面が形成され、このダミー斜面以外の斜面に磁気センサ素子が設けられたことを特徴とする磁気センサ。
3. 前記基板の平坦面には、複数の磁気センサ素子が設けられ、これら磁気センサ素子は、Ｘ軸方向に感知軸を有するＸ軸センサおよびＹ軸方向に感知軸を有するＹ軸センサを構成し、前記基板の斜面に設けられた磁気センサ素子が、Ｚ軸方向の磁界の強さを感知しうるＺ軸センサを構成することを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサ。
4. 上記斜面が、基板上の厚膜に形成された溝の斜面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気センサ。
5. 上記斜面が、基板上に形成された堤状の突起部の斜面であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気センサ。
6. 前記磁気センサ素子は、溝の頂部を跨ぐようにして接続されていることを特徴とする請求項４に記載の磁気センサ。
7. 前記磁気センサ素子は、磁気抵抗効果素子からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気センサ。
8. 回路と配線層とが形成された基板を用意する工程と、
   前記基板上に酸化膜からなる厚膜を形成する工程と、
   前記厚膜上にレジストパターンを形成し、加熱処理により断面形状が山状のレジスト膜とする工程と、
   前記レジスト膜と前記厚膜とをエッチングすることにより、前記厚膜に複数の斜面を形成する工程と、
   前記斜面のうち列方向の外側に形成されたダミー斜面以外の斜面上に磁気センサ素子を設ける工程とを有することを特徴とする磁気センサの製造方法。

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