JP4984424B2 - 磁気センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
また、これに引き続いて、基板上に酸化ケイ素からなる山部を形成し、この山部の斜面にZ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置し、基板の平坦面にX軸検知用の巨大磁気抵抗素子とY軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置した三軸磁気センサを提案している。
まず、基板上に酸化ケイ素などからなる厚膜を形成し、この厚膜上にレジスト膜を設ける。次いで、このレジスト膜のうち、溝となる部分あるいは突起部の底部となる部分に相当する部分を除去して、レジストパターンを形成する。
この後、レジストと酸化ケイ素のエッチング速度比がほぼ1:1となるようなエッチング条件でプラズマエッチングを施し、レジスト膜と厚膜を同時にエッチングして、厚膜に溝となる凹部あるいは突起部の底部となる凹部を形成する方法である。
請求項1にかかる発明は、基板上に形成されたエッチングストッパ膜と、前記エッチングストッパ膜上に形成され、段差形成部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された山部もしくは溝部の斜面に、磁気抵抗素子が配置されたことを特徴とする磁気センサである。
請求項2にかかる発明は、前記エッチングストッパ膜は、基板上の保護膜の上、かつ、磁気抵抗素子の下側に配置されていることを特徴とする磁気センサである。
請求項4にかかる発明は、基板の最上層の配線層上に、この配線層を覆うとともに平坦面を形成する平坦化層を形成し、この平坦化層の一部を除去して、ビア部およびパッド部を露出させ、この上に上層と下層からなるパッシベーション膜を成膜した後、ビア部およびパッド部に相当する部分の上層を除去し、
この上にエッチングストッパ膜を形成して、前記ビア部およびパッド部に相当する部分を露出させ、
次いで、この上に厚膜を形成し、さらにこの厚膜上に斜面を有する所定パターンのレジスト膜を形成し、これをマスクとして前記厚膜を前記エッチングストッパ膜が露出するまでエッチングして斜面を形成すると同時に、前記ビア部およびパッド部には厚膜の一部を残し、
次いで、前記ビア部の一部に残った厚膜と前記パッシベーション膜の下層を除去して、前記ビア部の導体部を露出させ、
前記厚膜の平坦面と前記斜面にバイアス磁石膜を形成し、
該バイアス磁石膜に接続するとともに、前記ビア部に接続するように前記厚膜の平坦面と前記斜面に巨大磁気抵抗素子の帯状部を形成し、
全面に保護膜を形成した後、前記パッド部の導体部を露出させることを特徴とする磁気センサの製造方法である。
請求項5にかかる発明は、回路が形成された配線層を有する基板と、前記配線層上に形成されたエッチングストッパ膜と、前記エッチングストッパ膜上に形成され、段差形成部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の平坦部に形成された複数の磁気センサ素子と、前記絶縁膜に形成された山部もしくは溝部の斜面に、複数の磁気センサ素子とが配置されていることを特徴とする磁気センサである。
請求項6にかかる発明は、前記配線層の最上層にビア部とパッド部が形成されたことを特徴とする磁気センサである。
請求項7にかかる発明は、前記ビア部は前記絶縁膜に形成された配線部と接続され、前記磁気センサ素子は前記配線部と接続されたことを特徴とする磁気センサである。
請求項8にかかる発明は、前記複数の磁気センサ素子は、前記配線層にてブリッジ結線されていることを特徴とする磁気センサである。
本発明の磁気センサの製造方法によれば、溝の形成と、この溝の斜面への巨大磁気抵抗素子の形成と、ビア部およびパッド部の形成が一連のプロセスとして行えることになる。また、パッシベーション膜の上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をエッチングストッパとして利用して、レジスト膜と厚膜とをエッチングすることにより、溝を、厚膜の絶縁膜と接する面とは反対の面から、絶縁膜の厚膜と接する面に渡って形成することができる。
図1は、本発明の磁気センサの製造方法によって得られる磁気センサの一例を模式的に示すものであり、基板上の巨大磁気抵抗素子の配置を示すものである。
図1において、符号1は基板を示す。この基板1は、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されており、この上に平坦化膜、パッシベーション膜、酸化ケイ素膜などからなる厚膜が順次積層されたものであり、これらの各膜は図示を省略してある。
X軸センサ2は、4個の巨大磁気抵抗素子2a、2b、2c、2dから構成され、Y軸センサ3は、4個の巨大磁気抵抗素子3e、3f、3g、3hから構成され、Z軸センサ4は、4個の巨大磁気抵抗素子4i、4j、4k、4lから構成されている。
帯状部5は、巨大磁気抵抗素子の本体をなす部分であり、細長い帯状の平面形状をなすものである。
この厚膜11には、この厚膜11を部分的に削り取って形成された4個のV字状の溝8、8、8、8が互いに並んで平行に設けられている。また、基板1と厚膜11との間には、後述するパッシベーション膜または絶縁膜からなるエッチングストッパとして機能する層(以下、「エッチングストッパ層」と称する。)12が設けられている。
なお、図4では、溝8の斜面を平坦面として描いているが、実際には製造プロセス上、外方に向けてやや張り出した湾曲面となっている。
また、これら8つの斜面の内、第1の斜面8aに形成された帯状部5の一方の端部から溝8の底部8bを経て隣の第2の斜面8cに形成された帯状部5の一方の端部にかけてバイアス磁石部6が設けられて、電気的に接続されている。
さらに、第3の斜面8eに形成された帯状部5の他方の端部から溝8の底部8fを経て隣の第4の斜面8gに形成された帯状部5の一方の端部にかけてバイアス磁石部6が設けられて、電気的に接続され、1個の巨大磁気抵抗素子4iが構成されている。
そして、同様にして残りの4個の帯状部5、5、5、5が3個のバイアス磁石部6、6、6によって直列に接続され、1個の巨大磁気抵抗素子4jが構成されている。
この導体部21aの表面の周辺部は、上述の平坦化膜22、パッシベーション膜23、厚膜11で覆われている。厚膜11の端縁部は、図示のように傾斜面となっている。
さらに、このようなビア部には、窒化ケイ素などのパッシベーション膜27、ポリイミドなどの保護膜28が被覆され、外界から保護されている。
さらに、帯状部5のピニング方向を、帯状部5の長手方向に対して30〜60度としたことで、得られる巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が良好となる。
次に、本発明に係る磁気センサの製造方法の第一の実施形態について説明する。
以下の説明においては、主に、上記の溝8、8、・・・の斜面に形成されたZ軸センサ4を構成する巨大磁気抵抗素子、ビア部、パッド部の作製方法について説明する。
まず、基板1を用意する。この基板1は、上述のように、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されたものである。
窒化ケイ素膜34をエッチングストッパとして利用することにより、溝形成部Cにおいて、窒化ケイ素膜34を露出した時点で、ドライエッチングを終了する。
例えば、C4F8/Ar/CH2F2=7/500/4sccmの混合ガスを用い、ガス圧=50mTorr、RFパワー=1500W、にて反応性イオンエッチング(RIE)を行う。
この後、厚膜35上に残っているレジスト膜36を除去する。
この際に、厚膜35の平坦面にも、X軸センサ2、Y軸センサ3を構成する各巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部6とこれの配線層7も形成する。
さらに、この状態の基板1をマグネットアレイ上にセットして、温度260〜290℃にて、3時間〜5時間の熱処理を施し、巨大磁気抵抗素子膜に対して、ピニング処理を施す。
さらに、これと同時に、厚膜35の平坦面にも、帯状部5を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これによりX軸センサ2と、Y軸センサ3が完成する。
次に、本発明に係る磁気センサの製造方法の第二の実施形態について説明する。
以下の説明においては、主に、第一の実施形態と同様にして、上記の溝8、8、・・・の斜面に形成されたZ軸センサ4を構成する巨大磁気抵抗素子、ビア部、パッド部の作製方法について説明する。
まず、基板1を用意する。この基板1は、上述のように、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されたものである。
例えば、CF4/CHF3/N2=30/90/5sccmの混合ガスを用い、ガス圧=200mTorr、RFパワー=750W、にて、枚葉式反応性イオンエッチング(RIE)を行う。
この後、厚膜35上に残っているレジスト膜36を除去する。
この際に、厚膜35の平坦面にも、X軸センサ2、Y軸センサ3を構成する各巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部6とこれの配線層7も形成する。
さらに、この状態の基板1をマグネットアレイ上にセットして、温度260〜290℃にて、3時間〜5時間の熱処理を施し、巨大磁気抵抗素子膜に対して、ピニング処理を施す。
さらに、これと同時に、厚膜35の平坦面にも、帯状部5を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これによりX軸センサ2と、Y軸センサ3が完成する。
Claims (8)
- 基板上に形成されたエッチングストッパ膜と、前記エッチングストッパ膜上に形成され、段差形成部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された山部もしくは溝部の斜面に、磁気抵抗素子が配置されたことを特徴とする磁気センサ。
- 前記エッチングストッパ膜は、基板上の保護膜の上、かつ、磁気抵抗素子の下側に配置されていることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 基板上に第一の絶縁膜を形成し、さらにエッチングストッパ膜を形成する工程と、前記エッチングストッパ膜上に第二の絶縁膜を配置し、前記エッチングストッパ膜が露出するまでエッチングして、前記第二の絶縁膜に斜面を形成する工程と、前記斜面に磁気抵抗素子を形成する工程とを有することを特徴とする磁気センサの製造方法。
- 基板の最上層の配線層上に、この配線層を覆うとともに平坦面を形成する平坦化層を形成し、この平坦化層の一部を除去して、ビア部およびパッド部を露出させ、この上に上層と下層からなるパッシベーション膜を成膜した後、ビア部およびパッド部に相当する部分の上層を除去し、
この上にエッチングストッパ膜を形成して、前記ビア部およびパッド部に相当する部分を露出させ、
次いで、この上に厚膜を形成し、さらにこの厚膜上に斜面を有する所定パターンのレジスト膜を形成し、これをマスクとして前記厚膜を前記エッチングストッパ膜が露出するまでエッチングして斜面を形成すると同時に、前記ビア部およびパッド部には厚膜の一部を残し、
次いで、前記ビア部の一部に残った厚膜と前記パッシベーション膜の下層を除去して、前記ビア部の導体部を露出させ、
前記厚膜の平坦面と前記斜面にバイアス磁石膜を形成し、
該バイアス磁石膜に接続するとともに、前記ビア部に接続するように前記厚膜の平坦面と前記斜面に巨大磁気抵抗素子の帯状部を形成し、
全面に保護膜を形成した後、前記パッド部の導体部を露出させることを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 回路が形成された配線層を有する基板と、
前記配線層上に形成されたエッチングストッパ膜と、
前記エッチングストッパ膜上に形成され、段差形成部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の平坦部に形成された複数の磁気センサ素子と、
前記絶縁膜に形成された山部もしくは溝部の斜面に、複数の磁気センサ素子とが配置されていることを特徴とする磁気センサ。 - 前記配線層の最上層にビア部とパッド部が形成されたことを特徴とする請求項5記載の磁気センサ。
- 前記ビア部は前記絶縁膜に形成された配線部と接続され、前記磁気センサ素子は前記配線部と接続されたことを特徴とする請求項5または6記載の磁気センサ。
- 前記複数の磁気センサ素子は、前記配線層にてブリッジ結線されていることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項記載の磁気センサ。
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