JP5447412B2 - 磁気センサの製法 - Google Patents

Description

この発明は、磁気センサの製法に関し、特に１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得るようにしたものである。

本出願人は、既に特開２００４−６７５２号公報により、１枚の基板上に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置してなり、三軸方向の磁界の強さを測定することができる磁気センサを提案している。

この先行発明では、シリコン基板に突起部を形成し、この突起部の斜面にＺ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置し、基板平坦面にＸ軸検知用の巨大磁気抵抗素子とＹ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置したもので、小型化が可能なものである。
また、これに引き続いて、基板上に酸化ケイ素からなる山部を形成し、この山部の斜面にＺ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置し、基板の平坦面にＸ軸検知用の巨大磁気抵抗素子とＹ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置した三軸磁気センサを提案している。

特開２００４−６７５２号公報

本出願は、これら先行発明の延長線上にあるもので、その課題とするところは、同様に、１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得ることにある。

かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、信号処理回路が形成された基板と、最上層にビア部を有する前記基板上の配線層を有する磁気センサの製法であって、
前記ビア部を含む前記配線層上に厚膜となる厚膜を形成する工程と、
前記厚膜にレジストを塗布し、このレジストの一部をエッチング処理してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに加熱処理を施し溶融させる工程と、
前記溶融させたレジストパターンと前記厚膜とを選択エッチングし、前記厚膜の一部に複数の突起部を形成するとともに前記ビア部の上方の前記厚膜をエッチングする工程と、
エッチングされて薄くなった前記厚膜に開口を設け前記ビア部を露出し、前記ビア部と接続する配線部を前記厚膜上に形成する工程と、
前記突起部の斜面を含む前記厚膜上に前記配線部と接続し磁気センサの感磁部となる複数の素子を形成する工程を有することを特徴とする磁気センサの製法である。

請求項２にかかる発明は、前記複数の素子が前記配線層によりブリッジ結線されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製法である。
請求項３にかかる発明は、前記配線層と前記厚膜との間に酸化ケイ素からなる平坦化膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製法である。
請求項４にかかる発明は、前記ビア部の上方に堆積している前記平坦化膜を取り除き、前記ビア部を開口させた後にパッシベーション膜を堆積させる工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の磁気センサの製法である。

請求項５にかかる発明は、前記パッシベーション膜が酸化ケイ素膜と窒化ケイ素膜との積層膜からなり、前記厚膜は前記ビア部の上方に堆積している前記窒化ケイ素膜を除去した後に成膜され、前記窒化ケイ素膜の除去の範囲は、取り除かれた前記平坦化膜の開口幅よりも小さいことを特徴とする請求項４に記載の磁気センサの製法。
請求項６にかかる発明は、前記レジストパターンに加熱処理を施し溶融させる工程は、前記レジストパターンを斜面を有する山状とするものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気センサの製法である。
請求項７にかかる発明は、前記選択エッチングが、前記レジストパターンと前記厚膜とを１：１の選択比でエッチングするものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気センサの製法である。

請求項８にかかる発明は、前記複数の素子を形成する工程の後、少なくとも前記複数の素子を覆う保護膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製法である。
請求項９にかかる発明は、前記配線層の最上層には、前記ビア部とともにパッド部が形成され、前記保護膜を形成する工程の後に前記パッド部を露出させるために前記保護膜の一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の磁気センサの製法である。
請求項１０にかかる発明は、前記磁気センサの感磁部となる素子が、巨大磁気抵抗素子であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の磁気センサの製法である。

本発明の磁気センサの製法によれば、１枚の基板にＸ軸センサ、Ｙ軸センサおよびＸ軸センサを作り込むことができ、しかもビア部もこれと同時に作製することができ、一連の連続したプロセスで小型の三軸磁気センサを一挙に製造することが可能になる。

本発明の磁気センサの製法で得られた磁気センサの一例を示す概略平面図である。 本発明での巨大磁気抵抗素子の例を示す概略平面図である。 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の例を示す概略平面図である。 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の例を示す概略断面図である。 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の例を示す概略斜視図である。 本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の他の例を示す概略斜視図である。 本発明での各軸センサをなす巨大磁気抵抗素子の結線方法の例を示す説明図である。 本発明での磁気センサのビア部の構造の例を示す概略断面図である。 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。 本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。 本発明の磁気センサの製法におけるピニング処理でのマグネットアレーの各磁石の配置関係を示す説明図である。 本発明の磁気センサの製法におけるピニング処理でのｇｍｒ素子に対する磁力線の方向を示す説明図である。

図１は、本発明の磁気センサの製法によって得られた磁気センサの一例を模式的に示すもので、基板上の巨大磁気抵抗素子の配置を示すものである。
図１において、符号１は基板を示す。この基板１は、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されており、この上に平坦化膜、パッシベーション膜、酸化ケイ素膜などからなる下地膜が順次積層されたものであり、これらの各膜は図示を省略してある。

この基板１の下地膜上には、Ｘ軸センサ２とＹ軸センサ３とＺ軸センサ４とが設けられている。Ｘ軸センサ２は、図１に示した座標軸において、Ｘ方向に、Ｙ軸センサ３は、同じくＹ方向にそれぞれ感知軸を有するものであり、Ｚ軸センサ４は、Ｚ方向の磁場の強さを感知できるものである。

Ｘ軸センサ２は、４個の巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄから構成され、Ｙ軸センサ３は、４個の巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈから構成され、Ｚ軸センサ４は、４個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４ｋ、４ｌから構成されている。Ｘ軸センサ２およびＹ軸センサ３は、基板１の下地膜の平坦面に設けられ、Ｚ軸センサ４は、後述のように下地膜に形成された突起部の斜面に設けられている。

Ｘ軸センサ２をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂは、基板１のほぼ中央部に並んで設けられ、残りの２個の巨大磁気抵抗素子２ｃ、２ｄは、これらからやや離れた基板１の端部に互い並んで、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂと対峙するように設けられている。

Ｙ軸センサ３をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆは、基板１の一方の端部側に互いに並んで配され、残りの２個の巨大磁気抵抗素子３ｇ、３ｈは、基板１の他方の端部側に互いに並んで、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆと対峙するように配置されている。

Ｚ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、２個の巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌは、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆに近い位置に互いに並んで配され、残りの２個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊは、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂからやや離れた位置に互いに並んで配置されている。

これら各Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子の配置に関して、ある規則性がある。
図１において、破線で示す線イ、ロ、ハは、基板１をその長手方向に四等分する仮想線であり、線ニは、基板１をその短手方向に二等分する仮想線である。また、線イと線ニとの交点をＡとし、線ロと線ニとの交点をＢとする。

このとき、Ｘ軸センサ２をなす巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂと巨大磁気抵抗素子２ｃ、２ｄは、点Ａに対して点対称となっている。また、Ｙ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆと巨大磁気抵抗素子３ｇ、３ｈとは点Ａに対して点対称になっている。さらに、Ｚ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊと巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌとは点Ｂに対して点対称になっている。

これらの巨大磁気抵抗素子は、基本的には従来の巨大磁気抵抗素子と同様のもので、この例では図２に示すように、４個の感磁部５、５・・と、これらの感磁部５、５・・を電気的に直列に接続する３個のバイアス磁石部６、６・とから構成されている。
感磁部５は、巨大磁気抵抗素子の本体をなす部分であり、細長い帯状の平面形状を有するもので、後述する突起部の稜線方向にその長手方向が沿うように配されている。

感磁部５は、磁化の向きが所定の向きに固定されたピンド層と、磁化の向きが外部磁界の向きに応じて変化するフリー層を備えたもので、具体的にはフリー層上に導電性のスペーサ層、ピンド層、キャッピング層を順次積層してなる多層金属薄膜積層物から構成されている。

例えば、フリー層には、コバルト−ジルコニウム−ニオブのアモルファス磁性層とニッケル−鉄の磁性層とコバルト−鉄の磁性層との三層からなるものが、スペーサ層には、銅からなるものが、ピンド層には、コバルト−鉄の強磁性層と白金−マンガンの反磁性層との二層からなるものが、キャピング層にはタンタルからなるものが用いられる。

バイアス磁石部６は、４個の感磁部５、５・・を電気的に直列に接続するとともに感磁部５の磁気特性を整えるためのバイアス磁界を感磁部５に印加するためのものである。また、このバイアス磁石部５は、例えば、コバルト−白金−クロム層とクロム層との二層からなる薄膜金属積層物から構成されている。

基板１の平坦面に設けられたＸ軸センサ２およびＹ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈについての構造は、図２に示すように、４個の感磁部５、５・・と３個のバイアス磁石部６、６・とから構成され、感磁部５、５・・のうち、両外側の２個の感磁部５、５のバイアス磁石部６が接続されていない端部には、配線層７、７が接続され、この配線層７、７は、図示しないビア部に接続されている。

図３ないし図５は、Ｚ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４ｋ、４ｌの構造を示すもので、これらの図において、Ｚ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子のうち、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊについて、詳しく描いたもので、他の巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌについても同様の構造となっているので、これについては説明を省略する。

図３は、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊの概略平面図であり、図４は、図３において破断線ＩＶ−ＩＶで切断した概略断面図であり、図５は、巨大磁気抵抗素子の感磁部５とバイアス磁石部６の配置状態を模式的に示した斜視図である。

図４において、符号１は基板で示し、符号１１は基板１上に堆積された酸化ケイ素などからなる下地膜を示す。
この下地膜１１には、５個の略直線の稜線を有する突起部８、８・・・が互いに並んで平行に設けられている。
この突起部８は、少なくとも巨大磁気抵抗素子が形成される斜面上の稜線が平面視直線をなすものであって、突起部８の稜線となる頂部は平坦な面となっていてもよい。

この突起部８は、その高さが３〜８μｍ、長さが２００〜４００μｍとされる断面視山状あるいは堤状の形状となっており、その斜面の幅が３〜１６μｍとなっており、斜面と下地膜１１表面とのなす角度は３０〜８０度、好ましくは７０度程度となっている。
なお、図４では、突起部８の斜面を平坦面として描いているが、実際には製造プロセス上、外方（基板１の上側）に向けてやや張り出した湾曲面となっている。

また、これらの突起部８、８・・・の互いに隣接する８つの斜面には、斜面の長手方向に沿い、かつ斜面の中央部分の平坦性が良好な位置に、８個の巨大磁気抵抗素子の感磁部５、５・・が設けられている。
また、これら８つの斜面の内、第１の斜面に形成された感磁部５の一方の端部から突起部の底部を経て隣の第２の斜面に形成された感磁部５の一方の端部にかけてバイアス磁石部６が設けられ、電気的に接続されている。

さらに、第２の斜面に形成された感磁部５の他方の端部から突起部の頂部を跨ぐようにして隣の第３の斜面に形成された感磁部５の一方の端部にかけてバイアス磁石部６が設けられ、電気的に接続され、以下同様にして４個の感磁部５が３個のバイアス磁石部６で電気的に接続され、１個の巨大磁気抵抗素子４ｉが構成されている。
そして、同様にして残りの４個の感磁部５・・・が３個のバイアス磁石部６・・によって直列に接続され、１個の巨大磁気抵抗素子４ｊが構成されている。

また、下地膜１１の平坦部に設けられたＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子と同様に、これら感磁部５、５・・のうち、両外側の２個の感磁部５、５のバイアス磁石部６が接続されていない端部には、配線層７、７が接続され、この配線層７、７は、図示しないビア部に接続されている。この配線層７は、この例では巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６を構成するマグネット膜で形成されており、これによりバイアス磁石部６と配線層７を同時に作製することができる。

また、Ｘ軸センサ２をなす巨大磁気抵抗素子およびＹ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子においては、図２の矢印で示すように、その感知軸は感磁部５の長手方向に直交方向で基板１の表面に平行に向けられており、感磁部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、感磁部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、基板１の表面に平行となっている。

また、Ｚ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子においては、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊでは、図５に示すように、その感知軸は、感磁部５の長手方向に対して直交方向で突起部８の斜面に平行でかつ斜面の上向きに向けられており、感磁部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、感磁部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、突起部８の斜面に平行で斜面の上向きとなっている。

また、巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌでは、図６に示すように、その感知軸は、感磁部５の長手方向に対して直交方向で突起部８の斜面に平行でかつ斜面の下向きに向けられており、感磁部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、感磁部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、突起部８の斜面に平行で斜面の下向きとなっている。

このような感知軸方向を得るためには、マグネットアレイを基板上方から接近させた状態で基板を２６０〜２９０℃で、３〜５時間加熱する加熱処理を行えばよく、これは従来のピニング処理と同様である。
通常の巨大磁気抵抗素子では、感知軸方向とピニング方向とは、ともに感磁部５の長手方向に対して直交方向で、基板表面に平行とされているが、上述のように、感知軸方向とピニング方向とを異ならせることで、巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が向上することになる。

図７は、上述のＸ軸センサ２をなす４個の巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、Ｙ軸センサ３をなす４個の巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈおよびＺ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４ｋ、４ｌの結線方法を示すもので、各軸センサの４個の巨大磁気抵抗素子の出力をブリッジ結線したものが示されている。
このようなブリッジ結線を行うことで、図１の座標軸のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の正方向に磁界を印加した時に、それぞれのＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４からの出力が増加し、逆方向に磁界を印加したときには各センサ２、３、４からの出力が低下する特性が得られることになる。

また、図１ないし図６では、図示していないが、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４を構成するすべての巨大磁気抵抗素子を含む基板１全面には、窒化ケイ素などのパッシベーション膜、ポリイミドなどの保護膜が被覆されており、外界から保護されている。

図８は、基板１に設けられたビア部の構造の例を示すもので、図８において符号２１ａは、ビア部を構成するアルミニウムなどからなる導体部を示し、この導体部２１ａは、下基板１の配線層の下層部分に電気的に接続されている。
この導体部２１ａの表面の周辺部は、上述の平坦化膜２２、第１のパッシベーション膜２３、下地膜１１で覆われている。下地膜１１の端縁部は、図示のように傾斜面となっている。

さらに、導体部２１ａの表面の中央部分は、配線部２５で被覆されており、この配線部２５は、上述の巨大磁気抵抗素子の配線層７に接続されている。この配線部２５も配線層７と同様にバイアス磁石部６をなすマグネット膜から構成されており、バイアス磁石部６と同時に作製することができる。

この配線膜部２５は、図示のように、下地膜１１の端縁部において、階段状の段差が形成されている。この段差部分の隅部では、プロセス上、配線部２５の厚さが薄くなって断線の恐れがある。このため、この段差部分および中央部分を覆うように、保護導体膜２６が積層されている。

この保護導体膜２６としては、この例では、巨大磁気抵抗素子の感磁部５をなす巨大磁気抵抗素子膜が用いられており、これによれば感磁部５の作製と同時に配線部２５上に保護導体膜２６を積層できる。これによって、配線部２５の断線の恐れを回避できることになる。
さらに、このようなビア部には、窒化ケイ素などのパッシベーション膜２７、ポリイミドなどの保護膜２８が被覆され、外界から保護されている。

このような磁気センサにあっては、１枚の基板１に、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４が配置されているので、小型の三軸磁気センサとして機能する。また、突起部８の斜面の平坦性の良好な部分に巨大磁気抵抗素子の感磁部を形成することができ、性能のよい磁気センサが得られる。

また、ビア部の開口縁部では、そのバイアス磁石膜からなる配線膜２５の上に巨大磁気抵抗素子膜からなる保護導体膜２６が積層され、段差部分の隅部での配線膜２５の断線が生じる恐れが少なくなる。
さらに、感磁部５のピニング方向を、感磁部５の長手方向に対して３０〜６０度としたことで、得られる巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が良好となる。

また、基板上の酸化ケイ素などからなる厚膜に複数の溝を形成し、これら溝の斜面に巨大磁気抵抗素子を設けて、Ｚ軸センサを構成した磁気センサでは、基板全面に厚膜が残るため、基板に対して大きな応力が作用する。しかし、この磁気センサでは、突起部以外の基板全面には、厚さの薄い下地膜が残るため、応力は遥かに小さなものとなる。また、ビア部等での開口周辺部分での膜間の段差が狭くなり、この部分での配線切れの恐れも小さくなる。

つぎに、本発明の磁気センサの製法の一例について説明する。
以下の説明においては、突起部８、８・・の斜面に形成されたＺ軸センサ４を構成する巨大磁気抵抗素子、ビア部、パッド部の作製についで、主に説明する。
まず、基板１を用意する。この基板１には、上述のように、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されたものである。

図９（ａ）に示すように、この基板１の最上層の配線層の一部をなすビア部Ａのアルミニウムなどからなる導体部２１ａとパッド部Ｂのアルミニウムなどからなる導体部２１ｂが設けられている。

この基板１上に、まず平坦化膜３１を成膜する。この平坦化膜３１には、例えば、プラズマＣＶＤ法による厚さ３００ｎｍの酸化ケイ素膜、厚さ６００ｎｍのＳＯＧ膜、厚さ５０ｎｍのトリエトキシシランを原料として製膜した酸化ケイ素膜を順次積層したものなどが用いられる。

次ぎに、図９（ｂ）に示すように、ビア部Ａ、パッド部Ｂの導体部２１ａ、２１ｂ上の平坦化膜３１をエッチングして取り除き、それらの導体部２１ａ、２１ｂを開口させる。 さらに、図９（ｃ）に示すように、基板１全面に第１のパッシベーション膜３２（２３）を成膜する。この第１のパッシベーション膜３２（２３）としては、例えば、厚さ２５０ｎｍのプラズマＣＶＤ法による酸化ケイ素膜３３と、厚さ６００ｎｍのプラズマＣＶＤ法による窒化ケイ素膜３４との積層膜などが用いられる。

ついで、図９（ｄ）に示すように、ビア部Ａ、パッド部Ｂの導体部２１ａ、２１ｂの上方に堆積している窒化ケイ素膜３４をエッチングして除去する。この際、酸化ケイ素膜３３は残し、窒化ケイ素膜３４の除去の範囲は、平坦化膜３１の開口幅よりも小さくされる。このようにすることにより、ビア部Ａおよびパッド部Ｂの開口部分において、平坦化膜３１の端面が露出して、水分が配線層や半導体集積回路などに侵入することが防止される。

ついで、図１０（ａ）に示すように、この上に厚さ５μｍ程度のプラズマＣＶＤ法による酸化ケイ素からなる厚膜３５を形成する。この厚膜３５は、後述するように、上記突起部８、８・・が形成されるものであり、図４、図８において符号１１で表示した下地膜となるものである。

次ぎに、図１０（ｂ）に示すように、この厚膜３５上に厚さ３μｍ程度のレジスト膜３６を全面に形成する。ついで、このレジスト膜３６の一部をエッチング処理して、除去して、レジストパターンを形成する。このレジストパターンは、突起部形成部Ｃの各突起部に相当する部分が開口するようにする。また、突起部形成部Ｃ以外のレジストを除去する。

つぎに、図１０（ｃ）にあるように、残っているレジスト膜３６に温度１５０℃、時間１０分程度の加熱処理を施し、レジスト膜３６を溶融させる。この加熱処理によりレジストが溶融し、溶融液の表面張力に起因して、図示のように、レジスト３６膜の上面が盛り上がり、同時に端面が傾斜面となる。特に、突起部形成部Ｃに対応する部分のレジスト膜３６では、断面形状が山状となって、その高さが約５μｍ程度に盛り上がる。

こののち、レジストと酸化ケイ素とのエッチング選択比がほぼ１対１となるような条件でレジスト膜３６と厚膜３５に対してドライエッチングを行う。
このドライエッチング条件は、例えば、以下の通りである。
エッチングガスには、ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｎ２／Ｏ２の混合ガスを、以下の割合、６０／１８０／１０／１００ｓｃｃｍで用いた。
処理圧力：４００ｍトール（５３．２Ｐａ）、ＲＦパワー：７５０Ｗ、電極温度：１５℃、チャンバー温度：１５℃

このドライエッチングの際に、図１１（ａ）にあるように、厚膜３５のうち、突起部となる部分以外の厚膜３５が厚さ５００ｎｍ程度残るようにし（上述の下地膜１１に該当する）、ビア部Ａおよびパッド部Ｂでは、その開口の広さがパッシベーション膜３２の開口の広さよりも大きくならないようにする。
この後、厚膜３５上に残っているレジスト膜３６を除去する。

これにより、図１１（ａ）に示すように、厚膜３５の突起部形成部Ｃには、突起部８、８・・が形成され、これら突起部８、８・・以外の部分の厚膜３５は、その厚さが５００ｎｍ程度と薄くなって残ることになる。
さらに、図１１（ｂ）に示すように、ビア部Ａの導体部２１ａを覆っている厚膜３５および酸化ケイ素膜３３を取り除き、導体部２１ａを露出する。

ついで、基板１全面に、巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６となるマグネット膜をスパッタにより成膜し、レジストワーク、エッチングにより不要部分を除去し、図１１（ｃ）に示すように、突起部８、８・・の斜面上にバイアス磁石部６を形成し、これと同時にビア部Ａの導体部２１ａ上に配線部２５を形成し、この配線部２５と巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６とを繋ぐ配線層７を形成する。

このマグネット膜には、先に述べたとおりの、例えばＣｏ−Ｃｒ−Ｐｒなどの多層金属薄膜が用いられる。
この際に、残った厚膜３５の平坦面にも、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３を構成する各巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６とこれの配線層７も形成する。

このバイアス磁石部６の形成のためのレジストワークの際に、突起部８の斜面でのマグネット膜のエッチングを適切に行うため、パターン形成後のレジスト膜に加熱処理を施して、レジスト膜の端面を傾斜面とすることが好ましい。

ついで、この上に巨大磁気抵抗素子の感磁部５となる巨大磁気抵抗素子膜をスパッタにより全面に成膜する。この巨大磁気抵抗素子膜としては、先に述べた通りの多層金属薄膜が用いられる。
さらに、この状態の基板１をマグネットアレー上にセットして、温度２６０〜２９０℃、時間３〜５時間の熱処理を行って、巨大磁気抵抗素子膜に対して、ピニング処理を行う。このピニング処理については後述する。

こののち、巨大磁気抵抗素子膜に対してレジストワーク、エッチングを行い、不要部分を除去して、図１２（ａ）に示すように、突起部８、８・・の斜面上に感磁部５、５・・を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これにより、Ｚ軸センサ４が完成する。

同時にビア部Ａの導体部２１ａ上に先に形成されたマグネット膜からなる配線膜２５上にも巨大磁気抵抗素子膜を残し、保護導体膜２６とする。これにより図８に示すビア部Ａの構造が得られる。
さらにこれと同時に残った厚膜３５の平坦面にも、感磁部５を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これによりＸ軸センサ２と、Ｙ軸センサ３が完成する。

ついで、図１２（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法による厚さ１μｍ程度の窒化ケイ素膜からなるパッシベーション膜２７を成膜し、さらにこの上にポリイミドからなる保護膜２８を設ける。さらに、この保護膜２８、パッシベーション膜２７のうち、パッド部Ｂにある部分を除去し、開口する。

ついで、図１２（ｃ）に示すように、保護膜２８をマスクとして、エッチングを行い、パッド部Ｂの導体部２１ｂを覆っているパッシベーション膜３２と厚膜３５を除去し、パッド部Ｂの導体部２１ｂを露出させて、目的とする磁気センサとする。

図１３および図１４は、上述のピニング処理を具体的に示すもので、基板１に対してマグネットアレーの各磁石の配置状態を示すものである。
マグネットアレーは、基板１の巨大磁気抵抗素子が形成される面（表面）の上方に配される。

図１３（ａ）は、基板１の表面での巨大磁気抵抗素子と、マグネットアレーの各磁石の極性の位置関係を示し、図に示した極性は基板表面に面する側のものである。
図１３（ｂ）は、図１３（ａ）における破線Ｑで示した断面での磁性の位置関係を示すものである。

図１３（ｃ）は、図１３（ａ）における破線Ｒで示した断面での磁性の位置関係を示したものである。
図１４は、図１３（ｂ）の拡大図であって、１個の巨大磁気抵抗素子に作用する磁力線の方向をしめしたものである。

このような磁気センサの製法によれば、１枚の基板にＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＸ軸センサ４を作り込むことができ、しかもビア部、パッド部もこれと同時に作製することができ、一連の連続したプロセスで小型の三軸磁気センサを一挙に製造することが可能になる。

１・・基板、５・・感磁部、６・・バイアス磁石部、７・・配線層、Ａ・・ビア部、８・・突起部、２１・・導体部、２８・・導体部、３１・・平坦化膜、３２・・パッシベーション膜、３５・・厚膜、３６・・レジスト膜

Claims (10)

1. 信号処理回路が形成された基板と、最上層にビア部を有する前記基板上の配線層を有する磁気センサの製法であって、
   前記ビア部を含む前記配線層上に厚膜を形成する工程と、
   前記厚膜にレジストを塗布し、このレジストの一部をエッチング処理してレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンに加熱処理を施し溶融させる工程と、
   前記溶融させたレジストパターンと前記厚膜とを選択エッチングし、前記厚膜の一部に複数の突起部を形成するとともに前記ビア部の上方の前記厚膜をエッチングする工程と、
   エッチングされて薄くなった前記厚膜に開口部を設け前記ビア部を露出し、前記ビア部と接続する配線部を前記厚膜上に形成する工程と、
   前記突起部の斜面を含む前記厚膜上に前記配線部と接続し磁気センサの感磁部となる複数の素子を形成する工程を有することを特徴とする磁気センサの製法。
2. 前記複数の素子は前記配線層によりブリッジ結線されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製法。
3. 前記配線層と前記厚膜との間に酸化ケイ素からなる平坦化膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製法。
4. 前記ビア部の上方に堆積している前記平坦化膜を取り除き、前記ビア部を開口させた後にパッシベーション膜を堆積させる工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の磁気センサの製法。
5. 前記パッシベーション膜は酸化ケイ素膜と窒化ケイ素膜との積層膜からなり、前記厚膜は前記ビア部の上方に堆積している前記窒化ケイ素膜を除去した後に成膜され、前記窒化ケイ素膜の除去の範囲は、取り除かれた前記平坦化膜の開口幅よりも小さいことを特徴とする請求項４に記載の磁気センサの製法。
6. 前記レジストパターンに加熱処理を施し溶融させる工程は、前記レジストパターンを斜面を有する山状とするものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気センサの製法。
7. 前記選択エッチングは、前記レジストパターンと前記厚膜とを１：１の選択比でエッチングするものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気センサの製法。
8. 前記複数の素子を形成する工程の後、少なくとも前記複数の素子を覆う保護膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製法。
9. 前記配線層の最上層には、前記ビア部とともにパッド部が形成され、前記保護膜を形成する工程の後に前記パッド部を露出させるために前記保護膜の一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の磁気センサの製法。
10. 前記磁気センサの感磁部となる素子は、巨大磁気抵抗素子であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の磁気センサの製法。
    

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