JP4972871B2

JP4972871B2 - 磁気センサおよびその製造方法

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Publication number: JP4972871B2
Application number: JP2005098498A
Authority: JP
Inventors: 寛内藤
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 2005-03-30
Filing date: 2005-03-30
Publication date: 2012-07-11
Anticipated expiration: 2025-03-30
Also published as: JP2006278894A

Description

この発明は、磁気センサおよびその製法に関し、特に１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得るようにしたものである。

本出願人は、既に特開２００４−６７５２号公報により、１枚の基板上に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置してなり、三軸方向の磁界の強さを測定することができる磁気センサを提案している。

この先行発明では、シリコン基板に溝を形成し、この溝の斜面にＺ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置し、基板平坦面にＸ軸検知用の巨大磁気抵抗素子とＹ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置したもので、小型化が可能なものである。
また、これに引き続いて、基板上に酸化ケイ素からなる山部を形成し、この山部の斜面にＺ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置し、基板の平坦面にＸ軸検知用の巨大磁気抵抗素子とＹ軸検知用の巨大磁気抵抗素子を配置した三軸磁気センサを提案している。
特開２００４−６７５２号公報

本出願は、これら先行発明の延長線上にあるもので、その課題とするところは、基板に形成する斜面について、中央部から長手方向の端部まで、平面形状や傾斜角度を均一とし、このような斜面に巨大磁気抵抗素子を設けることで、三軸方向の磁界の強さを精度よく検知できる小型の磁気センサを得ることにある。

かかる課題を解決するため、
請求項１に記載の発明は、信号処理回路および配線層が形成された基板と、前記基板上に形成された酸化膜からなる厚膜と、前記厚膜に並列して形成された複数の斜面と、を備え、前記斜面に磁気センサ素子が形成され、前記斜面の長手方向の先端側が平面視にて半円形状とされていることを特徴とする磁気センサである。

請求項２に記載の発明は、前記厚膜の平坦面には、複数の磁気センサ素子が設けられ、これら磁気センサ素子は、前記厚膜の平坦面に平行なＸ軸方向に感知軸を有するＸ軸センサおよび前記厚膜の平坦面に平行なＹ軸方向に感知軸を有するＹ軸センサを構成し、前記厚膜の斜面に設けられた前記磁気センサ素子は、前記厚膜の平坦面に垂直なＺ軸方向の磁界の強さを感知し得るＺ軸センサを構成することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサである。

請求項３に記載の発明は、前記斜面が、前記厚膜に形成された溝の斜面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサである。

請求項４に記載の発明は、前記斜面が、前記厚膜に形成された略直線の稜線を有する突起部の斜面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサである。

請求項５に記載の発明は、磁気センサの製造方法であって、信号処理回路および配線層が形成された基板上に、酸化膜からなる厚膜を形成する工程と、隣接して対向する斜面が、これらの長手方向先端で、平面視にて半円形状となる曲斜面を介して連続している溝を形成するように、前記厚膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを加熱処理する工程と、加熱処理後のレジストパターンおよび前記厚膜をエッチングして、前記厚膜に前記溝を形成する工程と、前記溝の斜面に磁気センサ素子を設ける工程と、を有することを特徴とする磁気センサの製造方法である。
請求項６に記載の発明は、磁気センサの製造方法であって、信号処理回路および配線層が形成された基板上に、酸化膜からなる厚膜を形成する工程と、隣接して対向する斜面が、これらの長手方向先端で、平面視にて半円形状となる曲斜面を介して連続している溝を形成するように、前記厚膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを加熱処理する工程と、加熱処理後のレジストパターンおよび前記厚膜をエッチングして、前記厚膜に前記溝を形成するとともに、前記溝を形成する領域以外の領域に対しても、表面が平坦となるようにエッチングして前記厚膜を除去することで、略直線の稜線と斜面を有する突起部を形成する工程と、前記突起部の斜面に磁気センサ素子を設ける工程と、を有することを特徴とする磁気センサの製造方法である。

本発明によれば、基板に形成された溝または突起部の斜面について、中央部から長手方向の端部まで、平面形状および傾斜角度を均一にすることができ、この斜面上に正常な形態の巨大磁気抵抗素子を設けることができる

以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明の磁気センサの一例を模式的に示すもので、基板上の巨大磁気抵抗素子の配置を示すものである。
図１において、符号１は基板を示す。この基板１は、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されており、この上に平坦化膜、パッシベーション膜、酸化ケイ素膜などからなる厚膜が順次積層されたものであり、これらの各膜は図示を省略してある。

この基板の厚膜上には、Ｘ軸センサ２とＹ軸センサ３とＺ軸センサ４とが設けられている。Ｘ軸センサ２は、図１に示した座標軸において、Ｘ方向に、Ｙ軸センサ３は、同じくＹ方向に感知軸を有するものであり、Ｚ軸センサ４は、Ｚ方向の磁界の強さを感知し得るものである。

Ｘ軸センサ２は、４個の巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄから構成され、Ｙ軸センサ３は、４個の巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈから構成され、Ｚ軸センサ４は、４個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４ｋ、４ｌから構成されている。

Ｘ軸センサ２をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂは、基板１のほぼ中央部に並んで設けられ、残りの２個の巨大磁気抵抗素子２ｃ、２ｄは、これらからやや離れた基板１の端部に互い並んで、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂと対峙するように設けられている。

Ｙ軸センサ３をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆは、基板１の一方の端部側に互いに並んで配され、残りの２個の巨大磁気抵抗素子３ｇ、３ｈは、基板１の他方の端部側に互いに並んで、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆと対峙するように配置されている。

Ｚ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子の内、２個の巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌは、巨大磁気抵抗素子３ｅ、３ｆに近い位置に互いに並んで配され、残りの２個の巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊは、巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂからやや離れた位置に互いに並んで配置されている。

これらの巨大磁気抵抗素子は、基本的には従来の巨大磁気抵抗素子と同様のもので、この例では図２に示すように、４個の帯状部５、５・・と、これらの帯状部５、５・・を電気的に直列に接続する３個のバイアス磁石部６、６・とから構成されている。
帯状部５は、巨大磁気抵抗素子の本体をなす部分であり、細長い帯状の平面形状を有するものである。

帯状部５は、磁化の向きが所定の向きに固定されたピンド層と、磁化の向きが外部磁界の向きに応じて変化するフリー層を備えたもので、具体的にはフリー層上に導電性のスペーサ層、ピンド層、キャッピング層を順次積層してなる多層金属薄膜積層物から構成されている。

例えば、フリー層には、コバルト−ジルコニウム−ニオブのアモルファス磁性層とニッケル−コバルトの磁性層とコバルト−鉄の磁性層との三層からなるものが、スペーサ層には、銅からなるものが、ピンド層には、コバルト−鉄の強磁性層と白金−マンガンの反磁性層との二層からなるものが、キャッピング層にはタンタルからなるものが用いられる。

バイアス磁石部６は、４個の帯状部５、５・・を電気的に直列に接続するとともに帯状部５の磁気特性を整えるためのバイアス磁界を帯状部５に印加するためのものである。また、このバイアス磁石部６は、例えば、コバルト−白金−クロム層とクロム層との二層からなる薄膜金属積層物から構成されている。

基板１の平坦面に設けられたＸ軸センサ２およびＹ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈについての構造は、図２に示すように、４個の帯状部５、５・・と３個のバイアス磁石部６、６・とから構成され、帯状部５、５・・のうち、両外側の２個の帯状部５、５のバイアス磁石部６が接続されていない端部には、配線層７、７が接続され、この配線層７、７は、図示しないビア部に接続されている。

図３ないし図６は、Ｚ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊ、４ｋ、４ｌの構造を示すもので、これらの図において、Ｚ軸センサ４をなす４個の巨大磁気抵抗素子のうち、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊについて、詳しく描いたもので、他の巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌについても同様の構造となっているので、これについては説明を省略する。

図３は、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊの概略平面図であり、図４は、図３において破断線ＩＶ−ＩＶで切断した概略断面図であり、図５、図６は、巨大磁気抵抗素子の帯状部５とバイアス磁石部６の配置状態および感知軸方向を模式的に示した斜視図である。

図４において、符号１は基板を示し、符号１１は基板１上に堆積された酸化ケイ素などからなる厚膜を示す。
この厚膜１１には、この厚膜１１を部分的に削り取って形成された４個の断面Ｖ字状の溝８、８・・・が互いに並んで平行に設けられている。

この溝８は、その深さが３〜８μｍ、長さが２００〜４００μｍとされる細長い形状の凹部となっており、その斜面の幅は３〜１６μｍとなっており、斜面と厚膜１１表面とのなす角度は３０〜８０度、好ましくは７０度程度となっている。
なお、図４では、溝８の斜面を平坦面として描いているが、実際には製造プロセス上、断面視で、外方（基板１の外側）に向けてやや張り出した湾曲面となっている。

また、溝８の斜面の長手方向の先端は、半円形状に丸くされた曲斜面となっている。これについては、後述する通り、エッチングにより溝８を形成する前に、レジスト膜を溝８の形状となるようにパターニングして加熱成型するが、この時、レジストパターンの斜面の長手方向の先端を半円形状に丸めておくことにより、加熱成型後に斜面の端部の幅が狭まることを防止していることによる。
なお、この斜面の先端の形状は、半円形状に限定されるものではなく、丸くされていれば他の形状でもよい。

これら４個の溝８、８・・・の互いに隣接する８つの斜面には、斜面の長手方向に沿い、かつ斜面の中央部分の平坦性が良好な位置に、８個の巨大磁気抵抗素子の帯状部５、５・・が設けられている。
また、これら８つの斜面の内、第１の斜面に形成された帯状部５の一方の端部から溝の底部を経て隣の第２の斜面に形成された帯状部５の一方の端部にかけてバイアス磁石部６が設けられて、電気的に接続されている。

さらに、第２の斜面に形成された帯状部５の他方の端部から溝の頂部を跨ぐようにして隣の第３の斜面に形成された帯状部５の一方の端部にかけてバイアス磁石部６が設けられ、以下同様にして４個の帯状部５が３個のバイアス磁石部で電気的に接続され、１個の巨大磁気抵抗素子４ｉが構成されている。
そして、同様にして残りの４個の帯状部５・・・が３個のバイアス磁石部６・・によって直列に接続され、１個の巨大磁気抵抗素子４ｊが構成されている。

また、厚膜１１の平坦部に設けられたＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子と同様に、これら帯状部５、５・・のうち、両外側の２個の帯状部５、５のバイアス磁石部６が接続されていない端部には、配線層７、７が接続され、この配線層７、７は、図示しないビア部に接続されている。この配線層７は、この例では巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６を構成するマグネット膜で形成されており、これによりバイアス磁石部６と配線層７を同時に作製することができる。

また、Ｘ軸センサ２をなす巨大磁気抵抗素子およびＹ軸センサ３をなす巨大磁気抵抗素子においては、図２に示すように、その感知軸は帯状部５の長手方向に直交方向で基板１の表面に平行に向けられており、帯状部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、帯状部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、基板１の表面に平行となっている。

また、Ｚ軸センサ４をなす巨大磁気抵抗素子においては、巨大磁気抵抗素子４ｉ、４ｊでは、図５に示すように、その感知軸は、帯状部５の長手方向に対して直交方向で溝８の斜面に平行でかつ斜面の上向きに向けられており、帯状部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、帯状部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、溝８の斜面に平行で斜面の上向きとなっている。

また、巨大磁気抵抗素子４ｋ、４ｌでは、図６に示すように、その感知軸は、帯状部５の長手方向に対して直交方向で溝８の斜面に平行でかつ斜面の下向きに向けられており、帯状部５のピニング方向およびバイアス磁石部６のバイアス磁界の着磁方向は、帯状部５の長手方向に対して３０〜６０度、好ましくは４５度で、溝８の斜面に平行で斜面の下向きとなっている。

このような感知軸方向を得るためには、マグネットアレイを基板上方から接近させた状態で基板を２６０〜２９０℃で、３〜５時間加熱する加熱処理を行えばよく、これは従来のピニング処理と同様である。

通常の巨大磁気抵抗素子では、感知軸方向とピニング方向とは、ともに帯状部５の長手方向に対して直交方向で、基板表面に平行とされているが、上述のように、感知軸方向とピニング方向とを異ならせることで、巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が向上することになる。

また、図１ないし図６では、図示していないが、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４を構成するすべての巨大磁気抵抗素子を含む基板１全面には、窒化ケイ素などのパッシベーション膜、ポリイミドなどの保護膜が被覆されており、外界から保護されている。

このような磁気センサにあっては、１枚の基板１に、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４が配置されているので、小型の三軸磁気センサとして機能する。また、溝８の斜面の平坦性の良好な部分に巨大磁気抵抗素子の帯状部を形成することができ、性能のよい磁気センサが得られる。

また、溝８を形成するにあたって、レジストパターン形成時に、斜面の長手方向の先端を半円形状に丸めておくことにより、厚膜１１には、中央部から長手方向の端部に至るまで、平面形状や傾斜角度が均一の斜面を持つ溝８を形成することができる。
さらに、帯状部５のピニング方向を、帯状部５の長手方向に対して３０〜６０度としたことで、得られる巨大磁気抵抗素子の耐強磁界性が良好となる。

次に、このような磁気センサの製法について説明する。
以下の説明においては、溝８、８・・の斜面に形成されたＺ軸センサ４を構成する巨大磁気抵抗素子の作製について主に説明する。
まず、基板１を用意する。この基板１には、上述のように、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などの半導体集積回路、配線層などが予め形成されたものである。

図７（ａ）に示すように、この基板１上に、まず平坦化膜３１を成膜する。この平坦化膜３１には、例えば、プラズマＣＶＤ法による厚さ３００ｎｍの酸化ケイ素膜、厚さ６００ｎｍのＳＯＧ膜、厚さ５０ｎｍのトリエトキシシランを原料として製膜した酸化ケイ素膜を順次積層したものなどが用いられる。

次ぎに、図７（ｂ）に示すように、基板１全面にパッシベーション膜３２を成膜する。このパッシベーション膜３２としては、例えば、厚さ２５０ｎｍのプラズマＣＶＤ法による酸化ケイ素膜３３と、厚さ６００ｎｍのプラズマＣＶＤ法による窒化ケイ素膜３４との積層膜などが用いられる。

次いで、図８（ａ）に示すように、この上に厚さ５μｍ程度のプラズマＣＶＤ法による酸化ケイ素からなる厚膜３５を形成する。この厚膜３５は、後述するように、上記溝８、８・・が形成されるもので、図４において、符号１１で示したものである。

次に、図８（ｂ）に示すように、この厚膜３５上に厚さ３μｍ程度のレジスト膜３６を全面に形成する。このレジスト膜３６の一部をエッチング処理して、除去して、レジストパターンを形成する。このレジストパターンは、溝形成部の各溝に相当する部分が開口するようにするが、この時、各溝の斜面に相当する部分の長手方向の先端は、半円形状に丸みを持たせたパターンとする。

次に、図８（ｃ）にあるように、残っているレジスト膜３６に温度１５０℃、時間１０分程度の加熱処理を施し、レジスト膜３６を溶融させる。この加熱処理によりレジストが溶融し、溶融液の表面張力に起因して、図示のように、レジスト膜３６の上面が盛り上がり、同時に端面が傾斜面となって、断面形状が山状となって、その高さが約５μｍ程度に盛り上がる。また、各溝の斜面に相当する部分の長手方向の先端を、上記のように半円形状に丸みを持たせた形状としたことにより、加熱処理後の中央部から長手方向の端部に至るまで同じ幅の斜面が得られる。

こののち、レジストと酸化ケイ素とのエッチング選択比がほぼ１対１となるような条件でレジスト膜３６と厚膜３５に対してドライエッチングを行う。
このドライエッチング条件は、例えば、以下の通りである。
エッチングガスには、ＣＦ_４／ＣＨＦ_３／Ｎ_２／Ｏ_２の混合ガスを、以下の割合、６０／１８０／１０／１００ｓｃｃｍで用いた。
処理圧力：４００ｍトール（５３．２Ｐａ）、ＲＦパワー：７５０Ｗ、電極温度：１５０℃、チャンバー温度：１５０℃

この後、厚膜３５上に残っているレジスト膜３６を除去する。
これにより、図９（ａ）に示すように、厚膜３５の溝形成部には、溝８、８・・が形成される。図１０に示すように、加熱処理後の斜面３７は、中央部から長手方向の端部に至るまで同じ幅に形成されており、その平面形状および傾斜角度は均一となる。また、これら斜面の長手方向の先端には連続して曲斜面が形成され、隣接して対向する斜面と連続しており、溝の先端形状は、半円形状に丸くなっている。この溝８、８・・は、中央部から長手方向の端部までが同じ幅のものとなる。

次いで、基板１全面に、巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６となるマグネット膜をスパッタにより成膜し、レジストワーク、エッチングにより不要部分を除去し、図９（ｂ）に示すように、溝８、８・・の斜面上にバイアス磁石部６とこれの配線膜を形成する。

このマグネット膜には、先に述べたとおりの例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔなどの多層金属薄膜が用いられる。
この際に、厚膜３５の平坦面にも、Ｘ軸センサ２、Ｙ軸センサ３を構成する各巨大磁気抵抗素子のバイアス磁石部６とこれの配線層７も形成する。

このバイアス磁石部６の形成のためのレジストワークの際に、溝８の斜面でのマグネット膜のエッチングを適切に行うため、パターン形成後のレジスト膜に加熱処理を施して、レジスト膜の端面を傾斜面とすることが好ましい。

次いで、この上に巨大磁気抵抗素子の帯状部５となる巨大磁気抵抗素子膜をスパッタにより全面に成膜する。この巨大磁気抵抗素子膜としては、先に述べた通りの多層金属薄膜が用いられる。
さらに、この状態の基板１をマグネットアレー上にセットして、温度２６０〜２９０℃、時間３〜５時間の熱処理を行って、巨大磁気抵抗素子膜に対して、ピニング処理を行う。

こののち、巨大磁気抵抗素子膜に対してレジストワーク、エッチングを行い、不要部分を除去して、図１１（ａ）に示すように、溝８、８・・の斜面上に帯状部５、５・・を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これにより、Ｚ軸センサ４が完成する。
斜面の平面形状および傾斜角度が均一であるため、正常な形態の巨大磁気抵抗素子が形成され、Ｚ軸センサ４は良好な特性のものとなる。

さらに、これと同時に厚膜３５の平坦面にも、帯状部５を形成し、巨大磁気抵抗素子を作製する。これによりＸ軸センサ２と、Ｙ軸センサ３が完成する。

ついで、図１１（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法による厚さ１μｍ程度の窒化ケイ素膜からなるパッシベーション膜２７を成膜し、さらにこの上にポリイミドからなる保護膜２８を設けて、目的とする磁気センサとする。

このような磁気センサの製法によれば、１枚の基板にＸ軸センサ２、Ｙ軸センサ３およびＺ軸センサ４を作り込むことができ、一連の連続したプロセスで小型の三軸磁気センサを製造することが可能になる。
またこの時、溝８、８・・の斜面の平面形状および傾斜角度を、中央部から長手方向の端部に至るまで均一にできるため、これら斜面に複数の巨大磁気抵抗素子を設けたＺ軸センサ４は、磁気検知特性の良好なものとなる。

以上の説明では、巨大磁気抵抗素子を設ける斜面に関して、溝８、８・・を形成して得られた斜面を対象として述べたが、これに限らず、基板に略直線の稜線を有する突起部を形成して得られる斜面を対象としてもよい。

この突起部の形成は、溝８の形成と同様に、図８（ｃ）において、レジスト膜３６にパターニングを施し、次いで、このレジスト膜３６に加熱処理を施し、レジストと酸化ケイ素とのエッチング比がほぼ１：１となるような条件で、レジスト膜３６と厚膜３５をプラズマエッチングする。

このプラズマエッチング処理の際に、厚膜３５の溝８、８・・を形成する領域以外の領域に対しても、表面が平坦となるようにエッチングして、大部分の厚膜３５を取り除くことで、突起部を形成することができる。
そして、この突起部の形成の時に、溝８、８・・の斜面の長手方向の先端が丸くなるようにレジスト膜３６のパターンを定めておけばよい。

本発明の磁気センサは、小型かつ高感度であるため、各種小型機器を中心に多くの重要な用途を有する。また、製造工程も簡略であるため、製造コストを低く抑えることができ、広く産業界に展開できるものである。

本発明の磁気センサの一例を示す概略平面図である。本発明での巨大磁気抵抗素子の例を示す概略平面図である。本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の例を示す概略平面図である。本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の例を示す概略断面図である。本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の例を示す概略斜視図である。本発明でのＺ軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子の他の例を示す概略斜視図である。本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。本発明の磁気センサの製法の一例を示す概略平面図である。本発明の磁気センサの製法の一例を工程順に示す概略断面図である。

符号の説明

１・・・基板、２・・・Ｘ軸センサ、３・・・Ｙ軸センサ、４・・・Ｚ軸センサ、５・・・帯状部、６・・・バイアス磁石部、７・・・配線層、８・・・溝、３７・・・斜面

Claims

信号処理回路および配線層が形成された基板と、
前記基板上に形成された酸化膜からなる厚膜と、
前記厚膜に並列して形成された複数の斜面と、を備え、
前記斜面に磁気センサ素子が形成され、前記斜面の長手方向の先端側が平面視にて半円形状とされていることを特徴とする磁気センサ。
前記厚膜の平坦面には、複数の磁気センサ素子が設けられ、これら磁気センサ素子は、前記厚膜の平坦面に平行なＸ軸方向に感知軸を有するＸ軸センサおよび前記厚膜の平坦面に平行なＹ軸方向に感知軸を有するＹ軸センサを構成し、前記厚膜の斜面に設けられた前記磁気センサ素子は、前記厚膜の平坦面に垂直なＺ軸方向の磁界の強さを感知し得るＺ軸センサを構成することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
前記斜面が、前記厚膜に形成された溝の斜面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
前記斜面が、前記厚膜に形成された略直線の稜線を有する突起部の斜面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
磁気センサの製造方法であって、
信号処理回路および配線層が形成された基板上に、酸化膜からなる厚膜を形成する工程と、
隣接して対向する斜面が、これらの長手方向先端で、平面視にて半円形状となる曲斜面を介して連続している溝を形成するように、前記厚膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを加熱処理する工程と、
加熱処理後のレジストパターンおよび前記厚膜をエッチングして、前記厚膜に前記溝を形成する工程と、
前記溝の斜面に磁気センサ素子を設ける工程と、
を有することを特徴とする磁気センサの製造方法。
磁気センサの製造方法であって、
信号処理回路および配線層が形成された基板上に、酸化膜からなる厚膜を形成する工程と、
隣接して対向する斜面が、これらの長手方向先端で、平面視にて半円形状となる曲斜面を介して連続している溝を形成するように、前記厚膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを加熱処理する工程と、
加熱処理後のレジストパターンおよび前記厚膜をエッチングして、前記厚膜に前記溝を形成するとともに、前記溝を形成する領域以外の領域に対しても、表面が平坦となるようにエッチングして前記厚膜を除去することで、略直線の稜線と斜面を有する突起部を形成する工程と、
前記突起部の斜面に磁気センサ素子を設ける工程と、
を有することを特徴とする磁気センサの製造方法。