JP7298630B2 - 磁気センサ - Google Patents

Description

本発明は、磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサに関する。

近年、種々の用途で、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサが利用されている。磁気センサを含むシステムでは、基板上に設けられた磁気抵抗効果素子によって、基板の面に垂直な方向の成分を含む磁界を検出したい場合がある。この場合、基板の面に垂直な方向の磁界を基板の面に平行な方向の磁界に変換する軟磁性体を設けたり、磁気抵抗効果素子を基板上に形成された傾斜面上に配置したりすることによって、基板の面に垂直な方向の成分を含む磁界を検出することができる。

特許文献１，２には、Ｘ軸センサとＹ軸センサとＺ軸センサが基板上に設けられた磁気センサが開示されている。特許文献１に開示された磁気センサでは、基板上の厚膜にＶ字状の溝が形成されている。この溝の斜面の中央部分の平坦性が良好な位置には、Ｚ軸センサをなす巨大磁気抵抗素子の帯状部が設けられている。帯状部は、巨大磁気抵抗素子の本体をなす部分であり、細長い帯状の平面形状を有している。

特許文献２に開示された磁気センサでは、基板上の厚膜に、第一の斜面および第二の斜面を有するＶ字状の溝が形成されている。第二の斜面は、溝の斜面の下半分をなす。第二の斜面と基板とがなす角は、第一の斜面と基板とがなす角よりも大きい。第二の斜面の中央部分の平坦性が良好な位置には、Ｚ軸センサをなす巨大磁気抵抗素子の帯状部が設けられている。特許文献１と同様に、帯状部は、細長い帯状の平面形状を有している。

また、特許文献１，２には、斜面は、実際には、製造プロセス上、外方に向けてやや張り出した湾曲面となることが記載されている。

特開２００６－３１０５８５号公報 特開２００７－１５７９７９号公報

一般的に、磁気抵抗効果素子は、イオンミリングまたは反応性イオンエッチングによって、磁気抵抗効果素子となる積層膜をエッチングすることによって形成される。このエッチングでは、フォトレジストマスクが用いられる。フォトレジストマスクは、フォトリソグラフィを用いて、積層膜の上の所望の位置に形成される。また、フォトレジストマスクは、磁気抵抗効果素子の平面形状に対応した平面形状を有している。しかし、フォトリソグラフィの精度に起因して、フォトレジストマスクの位置と寸法には、ばらつきが生じ得る。

フォトレジストマスクの位置と寸法のばらつきによる影響は、湾曲面上に磁気抵抗効果素子を形成する場合に顕著に現れる。一般的に、湾曲面上に磁気抵抗効果素子を形成する場合には、マグネトロンスパッタリング装置のような、いわゆるノンコンフォーマルな成膜装置を用いて、湾曲面状に積層膜を形成する。そのため、積層膜の厚み（湾曲面に垂直な方向の寸法）は、湾曲面の傾斜角度が大きくなるに従って小さくなる。

張り出すような形状の湾曲面では、湾曲面上の位置が水平方向に所定の間隔だけ変化したときの傾斜角度の変化量は、湾曲面の頂上から遠ざかるに従って大きくなる。同様に、積層膜の厚みの変化量も、湾曲面の頂上から遠ざかるに従って大きくなる。そのため、フォトレジストマスクの位置または寸法が変化して、湾曲面の頂上とは反対側に位置するフォトレジストマスクの壁面の位置が変化すると、湾曲面の頂上とは反対側に位置する磁気抵抗効果素子の端部の近傍部分では、磁気抵抗効果素子の厚みが大きく変化する。その結果、所望の特性が得られなくなるという問題が生じる。

上記の問題は、窪むような形状の湾曲面に磁気抵抗効果素子を形成する場合にも生じる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、製造プロセスのばらつきに起因して傾斜部分の上に位置する磁気抵抗効果素子の厚みが変化することを抑制することができるようにした磁気センサを提供することにある。

本発明の磁気センサは、外部磁界に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子を支持する支持部材とを備えている。支持部材は、磁気抵抗効果素子に対向する対向面と、対向面とは反対側に配置された平面よりなる下面とを有している。対向面は、下面に対して傾斜した傾斜部分を含んでいる。磁気センサの断面であって、下面に垂直な特定の断面において、傾斜部分は、傾斜部分上の第１の位置において下面に対して第１の角度をなして傾斜すると共に、傾斜部分上の第２の位置において下面に対して第１の角度よりも小さな第２の角度をなして傾斜している。

第１の位置における傾斜部分の曲率の絶対値は、第２の位置における傾斜部分の曲率の絶対値よりも小さい。磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果素子の幅方向の両端に位置する第１の端部および第２の端部を有し、上記断面において第１の端部が第１の位置の上方に位置するように、傾斜部分の上に配置されている。

本発明の磁気センサにおいて、磁気抵抗効果素子は、上記断面において第２の端部が第２の位置の上方に位置するように、傾斜部分の上に配置されていてもよい。

また、本発明の磁気センサにおいて、第１の位置と第２の位置は、上記断面において下面に最も近い傾斜部分上の第３の位置から上記断面において下面から最も遠い傾斜部分上の第４の位置までの範囲内にあってもよい。この場合、傾斜部分は、第１の位置から第２の位置までの範囲内では、第１の角度が最大になり且つ第２の角度が最小になるように、下面に対して傾斜してもよい。また、傾斜部分の曲率の絶対値は、第１の位置から第２の位置までの範囲内では、第１の位置において最小になり、第１の位置を除く所定の位置において最大になってもよい。

また、本発明の磁気センサにおいて、対向面は、下面から離れる方向に突出した凸面を含んでいてもよい。この場合、傾斜部分は、凸面の一部であってもよい。あるいは、対向面は、下面に近づく方向に窪んだ凹面を含んでいてもよい。この場合、傾斜部分は、凹面の一部であってもよい。

また、本発明の磁気センサにおいて、磁気抵抗効果素子は、外部磁界に応じて方向が変化可能な磁化を有する磁性層を含んでいてもよい。磁性層は、第１の面と、第１の面とは反対側に配置された第２の面とを有すると共に、磁性層の第１の面に垂直な方向の寸法である膜厚を有していてもよい。第１の端部における膜厚は、第２の端部における膜厚よりも小さくてもよい。また、膜厚は、第２の端部から第１の端部に近づくに従って小さくなってもよい。また、第１の面と第２の面の各々は、上記断面と交差する方向に長い形状を有していてもよい。

本発明の磁気センサでは、支持部材の対向面の傾斜部分は、第１の位置において下面に対して第１の角度をなして傾斜すると共に、第２の位置において下面に対して第１の角度よりも小さな第２の角度をなして傾斜している。第１の位置における傾斜部分の曲率の絶対値は、第２の位置における傾斜部分の曲率の絶対値よりも小さい。磁気抵抗効果素子は、第１の端部が第１の位置の上方に位置するように、傾斜部分の上に配置されている。これにより、本発明によれば、製造プロセスのばらつきに起因して磁気抵抗効果素子の厚みが変化することを抑制することができるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態における磁気センサシステムの概略の構成を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサの回路構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサの一部を示す模式図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサの一部を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサの一部を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態における傾斜部分の形状を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサの製造方法における一工程を示す断面図である。 図８に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図９に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態における支持部材の対向面の形状と曲率を示す特性図である。 比較例の磁気抵抗効果素子における磁荷を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子における磁荷を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子の変形例を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気センサの一断面を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態における傾斜部分の形状を説明するための説明図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサを含む磁気センサシステムの概略について説明する。本実施の形態における磁気センサシステム１００は、本実施の形態に係る磁気センサ１と、磁気センサ１が検出すべき磁界（検出対象磁界）である対象磁界ＭＦを発生する磁界発生器５とを備えている。

磁界発生器５は、回転軸Ｃを中心として回転可能である。磁界発生器５は、一対の磁石６Ａ，６Ｂを含んでいる。磁石６Ａ，６Ｂは、回転軸Ｃを含む仮想の平面を中心として対称な位置に配置されている。磁石６Ａ，６Ｂの各々は、Ｎ極とＳ極を有している。磁石６Ａ，６Ｂは、磁石６ＡのＮ極と磁石６ＢのＳ極が対向するような姿勢で配置されている。磁界発生器５は、磁石６ＡのＮ極から磁石６ＢのＳ極に向かう方向の対象磁界ＭＦを発生する。

磁気センサ１は、所定の基準位置における対象磁界ＭＦを検出することができる位置に配置されている。基準位置における対象磁界ＭＦは、磁石６Ａ，６Ｂの各々が発生する磁界の一部である。基準位置は、回転軸Ｃ上にあってもよい。以下の説明では、基準位置は、回転軸Ｃ上にあるものとする。磁気センサ１は、磁界発生器５が発生する対象磁界ＭＦを検出して、検出値Ｖｓを生成する。検出値Ｖｓは、磁気センサ１に対する磁界発生器５の相対的な位置、特に回転位置と対応関係を有している。

磁気センサシステム１００は、回転可能な可動部を含む機器における可動部の回転位置を検出する装置として利用することができる。このような機器としては、例えば産業用ロボットの関節がある。図１は、産業用ロボット２００に磁気センサシステム１００を適用した例を示している。

図１に示した産業用ロボット２００は、可動部２０１と、可動部２０１を回転可能に支持する支持部２０２とを含んでいる。可動部２０１と支持部２０２の連結部分は関節である。可動部２０１は、回転軸Ｃを中心として回転する。磁気センサシステム１００を産業用ロボット２００の関節に適用する場合には、例えば、支持部２０２に磁気センサ１を固定し、可動部２０１に磁石６Ａ，６Ｂを固定すればよい。

ここで、図１に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を定義する。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は、互いに直交する。本実施の形態では、回転軸Ｃに平行な一方向（図１では奥から手前に向かう方向）をＸ方向とする。図１では、Ｙ方向を右側に向かう方向として表し、Ｚ方向を上側に向かう方向として表している。また、Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向とし、Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向とし、Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向とする。また、以下、基準の位置に対してＺ方向の先にある位置を「上方」と言い、基準の位置に対して「上方」とは反対側にある位置を「下方」と言う。

本実施の形態では、基準位置における対象磁界ＭＦの方向は、回転軸Ｃ上の基準位置を含むＹＺ平面内の方向として表される。基準位置における対象磁界ＭＦの方向は、上記ＹＺ平面内において、基準位置を中心として回転する。

磁気センサ１は、外部磁界に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と記す。）を備えている。本実施の形態では、ＭＲ素子の抵抗値は、対象磁界ＭＦの方向の変化に応じて変化する。磁気センサ１は、ＭＲ素子の抵抗値に対応する検出信号を生成すると共に、この検出信号に基づいて、検出値Ｖｓを生成する。

次に、本実施の形態に係る磁気センサ１の構成について説明する。始めに、図２を参照して、磁気センサ１の回路構成の一例について説明する。図２に示した例では、磁気センサ１は、４つの抵抗部１１，１２，１３，１４と、２つの電源端Ｖ１，Ｖ２と、２つのグランド端Ｇ１，Ｇ２と、２つの信号出力端Ｅ１，Ｅ２とを備えている。

抵抗部１１～１４の各々は、少なくとも１つのＭＲ素子３０を含んでいる。抵抗部１１～１４の各々が複数のＭＲ素子３０を含む場合、抵抗部１１～１４の各々では、複数のＭＲ素子３０が直列に接続されていてもよい。

抵抗部１１は、電源端Ｖ１と信号出力端Ｅ１との間に設けられている。抵抗部１２は、信号出力端Ｅ１とグランド端Ｇ１との間に設けられている。抵抗部１３は、電源端Ｖ２と信号出力端Ｅ２との間に設けられている。抵抗部１４は、信号出力端Ｅ２とグランド端Ｇ２との間に設けられている。電源端Ｖ１，Ｖ２には、所定の大きさの電源電圧が印加される。グランド端Ｇ１，Ｇ２はグランドに接続される。

抵抗部１１と抵抗部１２の接続点の電位は、抵抗部１１の少なくとも１つのＭＲ素子３０の抵抗値と抵抗部１２の少なくとも１つのＭＲ素子３０の抵抗値に依存して変化する。信号出力端Ｅ１は、抵抗部１１と抵抗部１２の接続点の電位に対応する信号を検出信号Ｓ１として出力する。

抵抗部１３と抵抗部１４の接続点の電位は、抵抗部１３の少なくとも１つのＭＲ素子３０の抵抗値と抵抗部１４の少なくとも１つのＭＲ素子３０の抵抗値に依存して変化する。信号出力端Ｅ２は、抵抗部１３と抵抗部１４の接続点の電位に対応する信号を検出信号Ｓ２として出力する。

磁気センサ１は、更に、検出信号Ｓ１，Ｓ２に基づいて検出値Ｖｓを生成する検出値生成回路２１を備えている。検出値生成回路２１は、例えば特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）あるいはマイクロコンピュータによって構成されている。

次に、１つのＭＲ素子３０に注目して、磁気センサ１の構成について更に詳しく説明する。図３は、磁気センサ１の一部を示す模式図である。図４は、磁気センサ１の一部を示す断面図である。なお、図４は、ＹＺ平面に平行且つＭＲ素子３０と交差する断面を示している。図５は、磁気センサ１の一部を示す平面図である。

磁気センサ１は、更に、支持部材６０を備えている。支持部材６０は、抵抗部１１～１４に含まれる全てのＭＲ素子３０を支持している。図３および図４に示したように、支持部材６０は、その一部がＭＲ素子３０に対向する対向面６０ａと、対向面６０ａとは反対側に配置された平面よりなる下面６０ｂとを有している。対向面６０ａは、支持部材６０におけるＺ方向の端に位置する。下面６０ｂは、支持部材６０における－Ｚ方向の端に位置する。下面６０ｂは、ＸＹ平面に平行である。磁気センサ１は、例えば、下面６０ｂまたは下面６０ｂに対応する面を水平にして製造されてもよい。また、磁気センサ１は、例えば、下面６０ｂまたは下面６０ｂに対応する面の向きや傾きに基づいて設置されてもよい。このように、下面６０ｂは、磁気センサ１の製造および設置の少なくとも一方の基準となる面であってもよい。

支持部材６０の対向面６０ａは、下面６０ｂに対して傾斜した傾斜部分を含んでいる。本実施の形態では、対向面６０ａは、下面６０ｂに平行な平面部分６０ａ１と、下面６０ｂに非平行な少なくとも１つの曲面部分６０ａ２とを含んでいる。図４に示したように、曲面部分６０ａ２は、下面６０ｂから離れる方向に突出した凸面である。上記の傾斜部分は、凸面の一部である。曲面部分６０ａ２は、ＹＺ平面に平行な任意の断面において、下面６０ｂから遠ざかる方向（Ｚ方向）に凸となるように湾曲した曲線形状（アーチ形状）を有している。ＹＺ平面に平行な任意の断面において、下面６０ｂから曲面部分６０ａ２までの距離は、Ｙ方向に平行な方向における曲面部分６０ａ２の中央（以下、単に曲面部分６０ａ２の中央と記す。）において最も大きくなる。

曲面部分６０ａ２は、Ｘ方向に沿って延在している。図３に示したように、曲面部分６０ａ２の全体形状は、図４に示した曲線形状（アーチ形状）をＸ方向に沿って移動してできる半円筒状の曲面である。

ＭＲ素子３０は、曲面部分６０ａ２の上に配置されている。ここで、曲面部分６０ａ２のうち、曲面部分６０ａ２の－Ｙ方向の端に位置する端部から曲面部分６０ａ２の中央までの部分を第１の傾斜部分と言い、符号ＳＬ１で表す。また、曲面部分６０ａ２のうち、曲面部分６０ａ２のＹ方向の端に位置する端部から曲面部分６０ａ２の中央までの部分を第２の傾斜部分と言い、符号ＳＬ２で表す。図３では、第１の傾斜部分ＳＬ１と第２の傾斜部分ＳＬ２の境界を点線で示している。第１および第２の傾斜部分ＳＬ１，ＳＬ２は、いずれも、下面６０ｂに対して傾斜している。本実施の形態では、ＭＲ素子３０の全体が、第１の傾斜部分ＳＬ１上または第２の傾斜部分ＳＬ２上に配置されている。図３および図４には、第１の傾斜部分ＳＬ１上に配置されたＭＲ素子３０を示している。

ＭＲ素子３０は、Ｘ方向に長い形状を有している。ここで、ＭＲ素子３０の短手方向を、ＭＲ素子３０の幅方向、または単に幅方向と言う。ＭＲ素子３０の平面形状（Ｚ方向から見た形状）は、矩形のように、幅方向の寸法がＸ方向の位置によらずに一定かほぼ一定の幅一定部分を含む形状であってもよいし、楕円形のように、幅一定部分を含まない形状であってもよい。幅一定部分を含むＭＲ素子３０の平面形状の例としては、長手方向の両端が直線である矩形の他に、長手方向の両端が半円となる長円形や、長手方向の両端が多角形となる形状がある。図３および図５には、ＭＲ素子３０の平面形状が矩形である場合の例を示している。この例では、ＭＲ素子３０は、曲面部分６０ａ２に対向する下面３０ａと、下面３０ａとは反対側に位置する上面３０ｂと、幅方向の両端に位置する第１の端部３０ｃおよび第２の端部３０ｄと、長手方向の両端に位置する第３の端部３０ｅおよび第４の端部３０ｆとを有している。ＭＲ素子３０の幅方向の寸法は、Ｘ方向の位置によらずに一定か、ほぼ一定である。

支持部材６０は、基板６１と、この基板６１の上に配置された絶縁層６２とを含んでいる。基板６１は、例えば、Ｓｉ等の半導体よりなる半導体基板である。基板６１は、基板６１におけるＺ方向の端に位置する上面と、基板６１における－Ｚ方向の端に位置する下面とを有している。支持部材６０の下面６０ｂは、基板６１の下面によって構成されている。基板６１の厚み（Ｚ方向の寸法）は一定である。

絶縁層６２は、例えば、ＳｉＯ_２等の絶縁材料よりなる。絶縁層６２は、Ｚ方向の端に位置する上面を有している。支持部材６０の対向面６０ａは、絶縁層６２の上面によって構成されている。絶縁層６２は、対向面６０ａに曲面部分６０ａ２が形成されるような断面形状を有している。具体的には、絶縁層６２は、ＹＺ平面に平行な任意の断面において、Ｚ方向に張り出すような断面形状を有している。

磁気センサ１は、更に、下部電極４１と、上部電極４２と、絶縁層６３，６４，６５とを備えている。なお、図３では、下部電極４１、上部電極４２および絶縁層６３～６５を省略している。また、図５では、絶縁層６３～６５を省略している。

下部電極４１は、支持部材６０の対向面６０ａ（絶縁層６２の上面）の上に配置されている。絶縁層６３は、支持部材６０の対向面６０ａの上において下部電極４１の周囲に配置されている。ＭＲ素子３０は、下部電極４１の上に配置されている。絶縁層６４は、下部電極４１および絶縁層６３の上においてＭＲ素子３０の周囲に配置されている。上部電極４２は、ＭＲ素子３０および絶縁層６４の上に配置されている。絶縁層６５は、絶縁層６４の上において上部電極４２の周囲に配置されている。

磁気センサ１は、更に、上部電極４２と絶縁層６５を覆う図示しない絶縁層を備えている。下部電極４１および上部電極４２は、例えば、Ｃｕ等の導電材料よりなる。絶縁層６３～６５および図示しない絶縁層は、例えば、ＳｉＯ_２等の絶縁材料よりなる。

ここで、磁気センサ１のうち、基板６１と基板６１の上に積層されたものを合わせて検出部と言う。図４は、検出部を示しているとも言える。図２に示した検出値生成回路２１は、検出部と一体化されていてもよいし、検出部とは別体であってもよい。

ここで、図６を参照して、ＭＲ素子３０の構成について詳しく説明する。本実施の形態では特に、ＭＲ素子３０は、スピンバルブ型のＭＲ素子である。図６に示したように、ＭＲ素子３０は、方向が固定された磁化を有する磁化固定層３２と、外部磁界の方向に応じて方向が変化可能な磁化を有する自由層３４と、磁化固定層３２と自由層３４の間に配置されたスペーサ層３３とを含んでいる。ＭＲ素子３０は、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子でもよいし、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子でもよい。ＴＭＲ素子では、スペーサ層３３はトンネルバリア層である。ＧＭＲ素子では、スペーサ層３３は非磁性導電層である。ＭＲ素子３０では、自由層３４の磁化の方向が磁化固定層３２の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が０°のときに抵抗値は最小値となり、角度が１８０°のときに抵抗値は最大値となる。

磁化固定層３２、スペーサ層３３および自由層３４は、下部電極４１から上部電極４２に向かう方向に、下部電極４１側からこの順に積層されている。ＭＲ素子３０は、更に、磁化固定層３２と下部電極４１との間に介在する下地層３１と、自由層３４と上部電極４２との間に介在するキャップ層３５とを含んでいる。なお、ＭＲ素子３０における磁化固定層３２、スペーサ層３３および自由層３４の配置は、図６に示した配置とは上下が反対でもよい。

磁化固定層３２の磁化の方向は、ＭＲ素子３０の長手方向に直交する方向であることが望ましい。本実施の形態では、ＭＲ素子３０は、下面６０ｂに対して傾斜した第１の傾斜部分ＳＬ１または第２の傾斜部分ＳＬ２の上に配置されている。そのため、磁化固定層３２の磁化の方向も、下面６０ｂに対して傾斜する。

本実施の形態では、便宜上、第１の傾斜部分ＳＬ１の上に配置された磁化固定層３２の磁化の方向を、Ｕ方向または－Ｕ方向とする。Ｕ方向は、Ｙ方向からＺ方向に向かって所定の角度だけ回転した方向である。－Ｕ方向は、Ｕ方向は反対の方向である。また、本実施の形態では、便宜上、第２の傾斜部分ＳＬ２の上に配置された磁化固定層３２の磁化の方向を、Ｖ方向または－Ｖ方向とする。Ｖ方向は、Ｙ方向から－Ｚ方向に向かって所定の角度だけ回転した方向である。－Ｖ方向は、Ｖ方向は反対の方向である。

図２には、Ｘ方向、Ｕ方向およびＶ方向を示している。なお、図２では、便宜上、Ｕ方向とＶ方向を同じ矢印を用いて示している。図２において、塗りつぶした矢印は、抵抗部１１～１４の各々に含まれるＭＲ素子３０の磁化固定層３２の磁化の方向を表している。磁気センサ１は、抵抗部１１，１４におけるＭＲ素子３０の磁化固定層３２の磁化の方向がＵ方向になり、抵抗部１２，１３におけるＭＲ素子３０の磁化固定層３２の磁化の方向が－Ｕ方向になるように構成されてもよい。あるいは、磁気センサ１は、抵抗部１１，１４におけるＭＲ素子３０の磁化固定層３２の磁化の方向がＶ方向になり、抵抗部１２，１３におけるＭＲ素子３０の磁化固定層３２の磁化の方向が－Ｖ方向になるように構成されてもよい。

あるいは、磁気センサ１は、各々が抵抗部１１～１４を含む第１の回路部分および第２の回路部分を含んでいてもよい。第１の回路部分では、抵抗部１１，１４におけるＭＲ素子３０の磁化固定層３２の磁化の方向がＵ方向になり、抵抗部１２，１３におけるＭＲ素子３０の磁化固定層３２の磁化の方向が－Ｕ方向になるように構成されてもよい。第２の回路部分では、抵抗部１１，１４におけるＭＲ素子３０の磁化固定層３２の磁化の方向がＶ方向になり、抵抗部１２，１３におけるＭＲ素子３０の磁化固定層３２の磁化の方向が－Ｖ方向になるように構成されてもよい。

自由層３４は、本発明の磁性層に対応する。自由層３４は、磁化容易軸方向が磁化固定層３２の磁化の方向に交差する方向となる形状磁気異方性を有している。本実施の形態では、ＭＲ素子３０は、Ｘ方向に長い形状にパターニングされている。これにより、自由層３４は、磁化容易軸方向がＸ方向に平行な方向となる形状磁気異方性を有している。

ここまでは、１つのＭＲ素子３０に注目して、磁気センサ１の構成について説明してきた。本実施の形態では、抵抗部１１～１４の各々が、少なくとも１つのＭＲ素子３０を含んでいる。そのため、磁気センサ１は、複数のＭＲ素子３０と、複数の下部電極４１と、複数の上部電極４２とを備えている。図５に示したように、個々の下部電極４１は細長い形状を有している。下部電極４１の上面上において、長手方向の一端の近傍に、ＭＲ素子３０が配置されている。個々の上部電極４２は細長い形状を有し、２つの下部電極４１上に配置されて隣接する２つのＭＲ素子３０を電気的に接続する。

支持部材６０の対向面６０ａの曲面部分６０ａ２の数は、１つであってもよいし複数であってもよい。曲面部分６０ａ２の数が１つである場合、１つの曲面部分６０ａ２の上に複数のＭＲ素子３０が配置される。この場合、複数のＭＲ素子３０は、第１の傾斜部分ＳＬ１と第２の傾斜部分ＳＬ２のいずれか一方のみに配置されてもよいし、第１の傾斜部分ＳＬ１と第２の傾斜部分ＳＬ２の両方に配置されてもよい。

曲面部分６０ａ２の数が複数である場合、１つの曲面部分６０ａ２の上には、１つのＭＲ素子３０が配置されてもよいし、複数のＭＲ素子３０が配置されてもよい。また、この場合、複数の曲面部分６０ａ２は、一方向に沿って並ぶように配置されてもよいし、Ｘ方向とＹ方向にそれぞれ複数個並ぶように、複数列に配列されてもよい。

次に、図６および図７を参照して、傾斜部分とＭＲ素子３０について更に詳しく説明する。ここでは、第１の傾斜部分ＳＬ１を例にとって説明する。図７は、第１の傾斜部分ＳＬ１の形状を説明するための説明図である。なお、図７では、ＭＲ素子３０のうち下地層３１およびキャップ層３５を省略している。

図７は、ＭＲ素子３０と交差し且つ支持部材６０の下面６０ｂに垂直な特定の断面を示している。以下、この断面に関しては、符号Ｓを付して表す。断面Ｓは、ＭＲ素子３０の長手方向と交差する。第１の傾斜部分ＳＬ１の形状を説明するために、任意の断面Ｓにおける第１の傾斜部分ＳＬ１上の第１の位置Ｐ１、第２の位置Ｐ２、第３の位置Ｐ３および第４の位置Ｐ４を定義する。第１の位置Ｐ１は、第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対して第１の角度θ１をなして傾斜する位置である。第２の位置Ｐ２は、第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対して第１の角度θ１よりも小さい第２の角度θ２をなして傾斜する位置である。本実施の形態では特に、第１の位置Ｐ１は、第２の位置Ｐ２よりも下面６０ｂにより近い。なお、以下の説明において、特定の面が下面６０ｂに対してなす角度は、０°以上９０°以下の角度で表すものとする。

第３の位置Ｐ３は、第１の傾斜部分ＳＬ１において下面６０ｂに最も近い位置である。具体的に説明すると、第３の位置Ｐ３は、第１の傾斜部分ＳＬ１の－Ｙ方向の端であって、曲面部分６０ａ２と平面部分６０ａ１との境界にある。第４の位置Ｐ４は、第１の傾斜部分ＳＬ１において下面６０ｂから最も遠い位置である。具体的に説明すると、第４の位置Ｐ４は、第１の傾斜部分ＳＬ１のＹ方向の端であって、第１の傾斜部分ＳＬ１と第２の傾斜部分ＳＬ２との境界すなわち曲面部分６０ａ２の中央にある。第１の位置Ｐ１と第２の位置Ｐ２は、第３の位置Ｐ３から第４の位置Ｐ４までの範囲内にある。

第３の位置Ｐ３において第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対してなす角度と、第４の位置Ｐ４において第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対してなす角度は、いずれも０°である。第１および第２の角度θ１，θ２は、いずれも、０°よりも大きく９０°よりも小さい。本実施の形態では特に、第１の傾斜部分ＳＬ１は、第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２までの範囲内では、第１の角度θ１が最大になり且つ第２の角度θ２が最小になるように、下面６０ｂに対して傾斜している。

任意の断面Ｓにおける第１の傾斜部分ＳＬ１の輪郭は、互いに異なる曲率を有する複数の曲線によって構成されている。第１の位置Ｐ１における第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率ｋ１の絶対値は、第２の位置Ｐ２における第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率ｋ２の絶対値よりも小さい。言い換えると、第１の位置Ｐ１における第１の傾斜部分ＳＬ１は、第２の位置Ｐ２における第１の傾斜部分ＳＬ１よりも直線的であり、緩やかなカーブとなっている。

図７において、記号Ｃ１を付した円弧は、第１の位置Ｐ１における第１の傾斜部分ＳＬ１を近似する円すなわち第１の曲率円の一部を示している。また、記号Ｃ２を付した円弧は、第２の位置Ｐ２における第１の傾斜部分ＳＬ１を近似する円すなわち第２の曲率円の一部を示している。図７に示したように、第１の曲率円（記号Ｃ１）の半径は、第２の曲率円（記号Ｃ２）の半径よりも大きい。

第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２までの範囲内では、第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率の絶対値は、第１の位置Ｐ１を除く第１の傾斜部分ＳＬ１上の所定の位置において最大になる。上記所定の位置は、第２の位置Ｐ２であってもよいし、第１および第２の位置Ｐ１，Ｐ２以外の位置であってもよい。また、第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率の絶対値は、第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２にかけて、単調増加してもよいし、増加と減少を繰り返しながら全体的に増加してもよい。

なお、図７に示した例では、任意の断面Ｓにおける第１の傾斜部分ＳＬ１の輪郭は、第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２にかけて滑らかな曲線となっている。しかし、第１の傾斜部分ＳＬ１の輪郭は、曲率が実質的に無限大になる点を含んでいてもよい。この場合、第１の傾斜部分ＳＬ１の輪郭は、曲率が実質的に無限大になる点において折れ曲がる。なお、折れ曲がり点において第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対してなす角度θｂは、以下のように定義する。折れ曲がり点の近傍且つ折れ曲がり点よりも下面６０ｂにより近い第１の傾斜部分ＳＬ１上の点において、第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対してなす角度をθａとする。また、折れ曲がり点の近傍且つ折れ曲がり点よりも下面６０ｂからより遠い第１の傾斜部分ＳＬ１上の点において、第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対してなす角度をθｃとする。角度θｂは、角度θａよりも小さく、角度θｃよりも大きい角度とする。角度θｂは、角度θａと角度θｃの平均値であってもよい。

ＭＲ素子３０は、任意の断面Ｓにおいて第１の端部３０ｃが第１の位置Ｐ１の上方に位置するように、第１の傾斜部分ＳＬ１の上に配置されている。本実施の形態では、更に、ＭＲ素子３０は、任意の断面Ｓにおいて第２の端部３０ｄが第２の位置Ｐ２の上方に位置するように、第１の傾斜部分ＳＬ１の上に配置されている。従って、本実施の形態では、ＭＲ素子３０は、第１の傾斜部分ＳＬ１のうち第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２までの領域の上に配置されている。

また、図６および図７に示したように、ＭＲ素子３０の自由層３４は、第１の面３４ａと、第１の面３４ａとは反対側の第２の面３４ｂと、第１の面３４ａと第２の面３４ｂを接続する外周面とを有している。第１の面３４ａは、第２の面３４ｂよりも、支持部材６０の対向面６０ａからより遠い位置にある。第１の面３４ａは、キャップ層３５に接している。第２の面３４ｂは、スペーサ層３３に接している。

本実施の形態では、ＭＲ素子３０は、Ｘ方向に長い形状にパターニングされている。そのため、第１および第２の面３４ａ，３４ｂの各々は、Ｘ方向に長い形状を有している。第１の面３４ａは、第１の面３４ａの短手方向の両端に位置する第１の端部Ｅｄ１および第２の端部Ｅｄ２を有している。第１の端部Ｅｄ１は、ＭＲ素子３０の第１の端部３０ｃに位置する。第２の端部Ｅｄ２は、ＭＲ素子３０の第２の端部３０ｄに位置する。

ここで、第１の面３４ａが支持部材６０の下面６０ｂに対してなす角度を傾斜角度と言い、記号φで表す。第１の面３４ａは、傾斜角度φが０°よりも大きくなるように、支持部材６０の下面６０ｂに対して傾斜している。

ここで、第１の端部Ｅｄ１における傾斜角度φを傾斜角度φ１と記し、第２の端部Ｅｄ２における傾斜角度φを傾斜角度φ２と記す。任意の断面Ｓにおいて、第１の端部Ｅｄ１における傾斜角度φ１は、第２の端部Ｅｄ２における傾斜角度φ２よりも大きい。任意の断面Ｓにおいて、傾斜角度φは、第２の端部Ｅｄ２から第１の端部Ｅｄ１に近づくに従って大きくなっていてもよい。

第１の面３４ａ上の任意の位置における傾斜角度φは、第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対してなす角度θに依存して変化する。具体的には、第１の面３４ａ上の任意の位置における傾斜角度φは、その任意の位置の下方の第１の傾斜部分ＳＬ１上の位置における角度θとほぼ等しい。そのため、傾斜角度φは、角度θが大きくなるに従って大きくなる。

自由層３４は、第１の面３４ａに垂直な方向の寸法である膜厚Ｔを有している。膜厚Ｔは、第１の面３４ａに垂直な方向における第１の面３４ａと第２の面３４ｂとの間隔でもある。ここで、第１の端部Ｅｄ１における膜厚Ｔを膜厚Ｔ１と記し、第２の端部Ｅｄ２における膜厚Ｔを膜厚Ｔ２と記す。膜厚Ｔ１は、ＭＲ素子３０の第１の端部３０ｃにおける膜厚Ｔでもある。膜厚Ｔ２は、ＭＲ素子３０の第２の端部３０ｄにおける膜厚Ｔでもある。なお、膜厚Ｔ２については、便宜上、第２の面３４ｂを曲面部分６０ａ２に沿って延長した仮想の面を想定し、第１の面３４ａに垂直な方向における第１の面３４ａと仮想の面との間隔を膜厚Ｔ２としている。

任意の断面Ｓにおいて、第１の端部Ｅｄ１における膜厚Ｔ１は、第２の端部Ｅｄ２における膜厚Ｔ２よりも小さい。任意の断面Ｓにおいて、膜厚Ｔは、第２の端部Ｅｄ２から第１の端部Ｅｄ１に近づくに従って小さくなっていてもよい。

第１の面３４ａ上の任意の位置における膜厚Ｔは、角度θに依存して変化する。具体的には、第１の面３４ａ上の任意の位置における膜厚Ｔは、その任意の位置に最も近い第１の傾斜部分ＳＬ１上の位置における角度θが大きくなるに従って小さくなる。

また、傾斜角度φと角度θとの関係と、膜厚Ｔと角度θとの関係から、膜厚Ｔは、傾斜角度φが大きくなるに従って小さくなる。

ここまでは、第１の傾斜部分ＳＬ１を例にとって説明してきた。第１の傾斜部分ＳＬ１と第２の傾斜部分ＳＬ２は、曲面部分６０ａ２の中央を含むＸＺ平面を中心として対称な形状またはほぼ対称な形状を有している。従って、上記の第１の傾斜部分ＳＬ１についての説明は、第２の傾斜部分ＳＬ２にも当てはまる。また、上記のＭＲ素子３０についての説明は、第２の傾斜部分ＳＬ２の上に配置されたＭＲ素子３０にも当てはまる。

次に、図８ないし図１２を参照して、本実施の形態に係る磁気センサ１の製造方法について説明する。磁気センサ１の製造方法は、磁気センサ１のうち図３ないし図５に示した部分すなわち検出部を形成する工程と、検出部を用いて磁気センサ１を完成させる工程とを備えている。図８ないし図１２は、検出部を形成する工程を示している。なお、図８ないし図１２は、第１の傾斜部分ＳＬ１の上に形成されるＭＲ素子３０に注目している。

図８に示したように、検出部を形成する工程では、まず、基板６１の上に絶縁層６２を形成する。絶縁層６２は、基板６１の上にフォトレジストマスクを形成した後、絶縁膜を形成することによって形成してもよいし、基板６１の上に絶縁膜を形成した後、この絶縁膜の一部をエッチングすることによって形成してもよい。絶縁層６２が形成されることにより、支持部材６０が完成する。

図９は、次の工程を示す。この工程では、絶縁層６２の上すなわち支持部材６０の上に、下部電極４１および絶縁層６３を形成する。下部電極４１および絶縁層６３は、例えば以下のようにして形成される。まず、絶縁層６２の上に、金属膜を形成する。次に、金属膜の上に、エッチングマスクを形成する。エッチングマスクは、フォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって形成されてもよい。次に、金属膜が下部電極４１になるように、エッチングマスクを用いて、金属膜をエッチングする。次に、エッチングマスクを残したまま、絶縁層６３を形成する。次に、エッチングマスクを除去する。

図１０は、次の工程を示す。この工程では、後にＭＲ素子３０を構成する各層となる膜を順に形成し、下部電極４１および絶縁層６３の上に、後にＭＲ素子３０となる積層膜３０Ｐを形成する。次に、積層膜３０Ｐの上に、エッチングマスク８１を形成する。エッチングマスク８１は、フォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって形成される。エッチングマスク８１は、ＭＲ素子３０の平面形状（上方から見た形状）に対応した平面形状を有している。エッチングマスク８１は、ＭＲ素子３０の第１の端部３０ｃの位置を規定する第１の壁面８１ａと、ＭＲ素子３０の第２の端部３０ｄの位置を規定する第２の壁面８１ｂとを有している。

図１１は、次の工程を示す。この工程では、エッチングマスク８１を用いて、例えばイオンミリングまたは反応性イオンエッチングによって、積層膜３０Ｐをエッチングする。これにより、積層膜３０Ｐは、ＭＲ素子３０になる。

図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、エッチングマスク８１を残したまま、絶縁層６４を形成する。次に、エッチングマスク８１を除去する。次に、ＭＲ素子３０および絶縁層６４の上に、上部電極４２および絶縁層６５を形成する。上部電極４２および絶縁層６５の形成方法は、下部電極４１および絶縁層６３の形成方法と同様である。

次に、上部電極４２および絶縁層６５を覆うように、図示しない絶縁層を形成する。次に、電源端Ｖ１，Ｖ２等を構成する複数の端子の形成等を行って、磁気センサ１の検出部が完成する。

次に、図１３を参照して、支持部材６０の対向面６０ａの形状と曲率の一例について説明する。図１３は、所定の断面Ｓにおける支持部材６０の対向面６０ａの形状と曲率を示す特性図である。図１３は、実際に作製した支持部材６０の対向面６０ａを、原子間力顕微鏡を用いて測定することによって得られたものである。図１３において、横軸は、Ｙ方向に平行な方向についての位置を示している。左側の縦軸は、対向面６０ａの曲率を示している。なお、図１３に示した曲率は、対向面６０ａが下面６０ｂから離れる方向に突出した凸面である場合に、曲率の値が正になるように定義した。右側の縦軸は、対向面６０ａの高さを示している。なお、図１３では、Ｚ方向に平行な方向についての位置を、対向面６０ａの高さとしている。また、図１３では、対向面６０ａの平面部分６０ａ１の高さを０としている。また、符号７１を付した実線は、対向面６０ａの曲率を示している。符号７２を付した太線の実線は、対向面６０ａの高さを示している。

図１３において、記号Ｐ１Ｌ，Ｐ２Ｌを付した点は、それぞれ、第１の傾斜部分ＳＬ１上に配置されるＭＲ素子３０の第１および第２の端部３０ｃ，３０ｄに対応する位置を示している。このＭＲ素子３０は、第１の傾斜部分ＳＬ１のうち点Ｐ１Ｌから点Ｐ２Ｌまでの領域の上に配置される。点Ｐ１Ｌ，Ｐ２Ｌは、実質的に、第１の傾斜部分ＳＬ１上の第１および第２の位置Ｐ１，Ｐ２を示している。図１３に示したように、点Ｐ１Ｌにおいて対向面６０ａが下面６０ｂに対してなす角度は、点Ｐ２Ｌにおいて対向面６０ａが下面６０ｂに対してなす角度よりも大きい。点Ｐ１Ｌにおける対向面６０ａの曲率の絶対値は、点Ｐ２Ｌにおける対向面６０ａの曲率の絶対値よりも小さい。点Ｐ１Ｌから点Ｐ２Ｌまでの範囲内では、対向面６０ａの曲率の絶対値は、点Ｐ１Ｌにおいて最小になり、点Ｐ１Ｌを除く所定の位置において最大になる。

同様に、図１３において、記号Ｐ１Ｒ，Ｐ２Ｒを付した点は、それぞれ、第２の傾斜部分ＳＬ２上に配置されるＭＲ素子３０の第１および第２の端部３０ｃ，３０ｄに対応する位置を示している。このＭＲ素子３０は、第２の傾斜部分ＳＬ２のうち点Ｐ１Ｒから点Ｐ２Ｒまでの領域の上に配置される。点Ｐ１Ｒ，Ｐ２Ｒは、実質的に、第２の傾斜部分ＳＬ２上の第１および第２の位置Ｐ１，Ｐ２を示している。図１３に示したように、点Ｐ１Ｒにおいて対向面６０ａが下面６０ｂに対してなす角度は、点Ｐ２Ｒにおいて対向面６０ａが下面６０ｂに対してなす角度よりも大きい。点Ｐ１Ｒにおける対向面６０ａの曲率の絶対値は、点Ｐ２Ｒにおける対向面６０ａの曲率の絶対値よりも小さい。点Ｐ１Ｒから点Ｐ２Ｒまでの範囲内では、対向面６０ａの曲率の絶対値は、点Ｐ１Ｒにおいて最小になり、点Ｐ１Ｒを除く所定の位置において最大になる。

次に、本実施の形態に係る磁気センサ１の作用および効果について説明する。図７に示したように、本実施の形態では、任意の断面Ｓにおいて、第１の傾斜部分ＳＬ１は、第１の位置Ｐ１において下面６０ｂに対して第１の角度θ１をなして傾斜すると共に、第２の位置Ｐ２において下面６０ｂに対して第１の角度θ１よりも小さな第２の角度θ２をなして傾斜している。第１の位置Ｐ１における第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率ｋ１の絶対値は、第２の位置Ｐ２における第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率ｋ２の絶対値よりも小さい。

第１の傾斜部分ＳＬ１の上に配置されるＭＲ素子３０は、任意の断面Ｓにおいて第１の端部３０ｃが第１の位置Ｐ１の上方に位置するように、第１の傾斜部分ＳＬ１の上に配置されている。本実施の形態では、更に、ＭＲ素子３０は、任意の断面Ｓにおいて第２の端部３０ｄが第２の位置Ｐ２の上方に位置するように、第１の傾斜部分ＳＬ１の上に配置されている。

図８ないし図１２を参照して説明したように、ＭＲ素子３０は、積層膜３０Ｐをエッチングすることによって形成される。このエッチングでは、エッチングマスク８１が用いられる。エッチングマスク８１は、フォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、積層膜３０Ｐの上の所望の位置に形成される。

エッチングマスク８１は、ＭＲ素子３０の第１の端部３０ｃの位置を規定する第１の壁面８１ａと、ＭＲ素子３０の第２の端部３０ｄの位置を規定する第２の壁面８１ｂとを有している。設計上、第１の壁面８１ａは、予め規定された第１の位置Ｐ１の上方に位置し、第２の壁面８１ｂは、予め規定された第２の位置Ｐ２の上方に位置する。しかし、実際の製造プロセスでは、フォトリソグラフィの精度に起因して、エッチングマスク８１の位置と寸法には、ばらつきが生じ得る。その結果、第１および第２の壁面８１ａ，８１ｂの各々の位置が変化し、ＭＲ素子３０の第１および第２の端部３０ｃ，３０ｄの各々の位置が、設計上の位置からずれてしまう。

ここで、第１の傾斜部分ＳＬ１上の所定の位置Ｐにおける、第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対してなす角度のずれ量について説明する。ここでは、所定の位置Ｐにおいて第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対してなす角度を記号θで表し、所定の位置Ｐにおける第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率を記号ｋで表す。また、所定の位置ＰをＹ方向に平行な方向にΔｙだけずらしたときの、第１の傾斜部分ＳＬ１が下面６０ｂに対してなす角度のずれ量を、記号Δθで表す。Δｙが十分に小さい場合、ずれ量Δθは、下記の式（１）で表すことができる。なお、曲率ｋは、変化しないものとする。

Δθ＝ｋ＊Δｙ／ｃｏｓθ …（１）

式（１）から理解されるように、曲率ｋが大きいほど、ずれ量Δθは大きくなる。また、角度θが大きいほど、ずれ量Δθは大きくなる。

前述のように、ＭＲ素子３０の自由層３４の膜厚Ｔは、角度θに依存して変化する。従って、式（１）から、曲率ｋが大きいほど膜厚Ｔの変化量が大きくなると共に、角度θが大きいほど膜厚Ｔの変化量が大きくなると言える。

本実施の形態では、第１の角度θ１は、第２の角度θ２よりも大きい。そのため、もし、第１の傾斜部分ＳＬ１の輪郭が、例えば円弧のように曲率ｋが一定であり、且つΔｙが同じであるとすると、第１の位置Ｐ１の近傍におけるずれ量Δθは、第２の位置Ｐ２の近傍におけるずれ量Δθよりも大きくなる。その結果、第１の端部３０ｃにおける膜厚Ｔの変化量は、第２の端部３０ｄにおける膜厚Ｔの変化量よりも大きくなる。

これに対し、本実施の形態では、第１の位置Ｐ１における第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率ｋ１の絶対値を、第２の位置Ｐ２における第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率ｋ２の絶対値よりも小さくしている。すなわち、本実施の形態では、自由層３４の膜厚Ｔの変化量が相対的に大きくなる位置において、第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率ｋを、相対的に小さくしている。これにより、本実施の形態によれば、第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率ｋが一定である場合、あるいは曲率ｋ１の絶対値が曲率ｋ２の絶対値よりも大きい場合に比べて、製造プロセスのばらつきに起因して、第１の端部３０ｃの近傍における自由層３４の膜厚Ｔが変化することを抑制することができる。

また、本実施の形態によれば、ＭＲ素子３０を構成する自由層３４以外の層についても、製造プロセスのばらつきに起因して、第１の端部３０ｃの近傍における膜厚が変化することを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、製造プロセスのばらつきに起因して、第１の端部３０ｃの近傍におけるＭＲ素子３０の厚み（第１の傾斜部分ＳＬ１に垂直な方向の寸法）が変化することを抑制することができる。

また、本実施の形態では、自由層３４の膜厚Ｔの変化量が相対的に小さくなる第２の位置Ｐ２の上方に、第２の端部３０ｄが位置するように、ＭＲ素子３０を配置している。これにより、本実施の形態によれば、第２の端部３０ｄの近傍における自由層３４の膜厚Ｔと、第２の端部３０ｄの近傍におけるＭＲ素子３０の厚みが、製造プロセスのばらつきに起因して変化することを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、自由層３４全体の膜厚ＴとＭＲ素子３０全体の厚みが変化することを抑制することができる。

次に、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、第１の面３４ａ上の任意の位置における自由層３４の膜厚Ｔは、その任意の位置に最も近い第１の傾斜部分ＳＬ１上の位置における角度θが大きくなるに従って小さくなる。このような膜厚Ｔと角度θとの関係は、マグネトロンスパッタリング装置のような、いわゆるノンコンフォーマルな成膜装置を用いて積層膜３０Ｐを形成することにより実現することができる。

本実施の形態では特に、任意の断面Ｓにおいて、第１の端部Ｅｄ１における膜厚Ｔ１は、第２の端部Ｅｄ２における膜厚Ｔ２よりも小さい。これにより、本実施の形態によれば、自由層３４のうち第１の端部Ｅｄ１およびその近傍部分への磁荷の集中を抑制することができる。

以下、比較例のＭＲ素子２３０と比較しながら、磁荷の集中を抑制することによる効果について詳しく説明する。始めに、図１４を参照して、比較例のＭＲ素子２３０について説明する。図１４は、比較例のＭＲ素子２３０における磁荷を説明するための説明図である。図１４は、断面Ｓに相当する断面を示している。比較例のＭＲ素子２３０は、本実施の形態におけるＭＲ素子３０と同様に、磁化固定層２３２、スペーサ層２３３および自由層２３４と、図示しない下地層およびキャップ層とを含んでいる。

比較例のＭＲ素子２３０は、支持部材６０の下面６０ｂに平行な平面の上に配置されている。また、ＭＲ素子２３０は、本実施の形態におけるＭＲ素子３０と同様に、Ｘ方向に長い形状にパターニングされている。これにより、自由層２３４は、磁化容易軸方向がＸ方向に平行な方向となる形状磁気異方性を有している。

自由層２３４は、Ｚ方向の端に位置する第１の面２３４ａと、第１の面２３４ａとは反対側の第２の面２３４ｂと、第１の面２３４ａと第２の面２３４ｂを接続する外周面とを有している。第１および第２の面２３４ａ，２３４ｂは、いずれも、下面６０ｂに平行な平面である。第１および第２の面２３４ａ，２３４ｂの各々は、Ｘ方向に長い形状を有している。第１の面２３４ａは、第１の面２３４ａの短手方向すなわちＹ方向に平行な方向の両端に位置する第１の端部Ｅｄ１１および第２の端部Ｅｄ１２を有している。比較例では特に、第１の端部Ｅｄ１１は、第１の面２３４ａの－Ｙ方向の端に位置する端部であり、第２の端部Ｅｄ１２は、第１の面２３４ａのＹ方向の端に位置する端部である。

ＭＲ素子２３０に外部磁界が印加された場合、自由層２３４では、外部磁界の方向および強度に応じて自由層２３４の内部の磁気モーメントの方向が回転し、その結果、自由層２３４の磁化の方向が回転する。また、この場合、自由層２３４の外周面には、磁荷が生じる。

ここで、ＭＲ素子２３０に対してＹ方向の外部磁界を印加する場合について考える。Ｙ方向の外部磁界が印加された場合、自由層２３４の外周面のうちの第２の端部Ｅｄ１２の近傍部分には正の磁荷が集中し、自由層２３４の外周面のうちの第１の端部Ｅｄ１１の近傍部分には負の磁荷が集中する。図１４において、“＋”の記号は正の磁荷を表し、“－”の記号は負の磁荷を表している。これらの磁荷に起因して、自由層２３４には、－Ｙ方向の反磁界が生じる。反磁界の強度は、磁荷に近いほど大きい。そのため、自由層２３４の第１および第２の端部Ｅｄ１１，Ｅｄ１２の近傍部分では反磁界の強度が大きくなり、自由層２３４の中央部分では反磁界の強度が小さくなる。

外部磁界が印加されていない場合、自由層２３４の磁化の方向と、自由層２３４の内部の磁気モーメントの方向は、Ｘ方向に平行な方向に向いている。外部磁界の強度が小さい場合、自由層２３４の中央部分では、磁気モーメントの方向は、Ｙ方向に向かって回転し始める。しかし、自由層２３４の第１および第２の端部Ｅｄ１１，Ｅｄ１２の近傍部分では、磁気モーメントの方向は、回転しないか、ほとんど回転しない。

外部磁界の強度がある程度大きくなると、自由層２３４の中央部分では、磁気モーメントの方向は、Ｙ方向に一致するか、ほとんど一致する。一方、自由層２３４の第１および第２の端部Ｅｄ１１，Ｅｄ１２の近傍部分では、磁気モーメントの方向は、Ｙ方向に向かって回転し始める。外部磁界の強度が更に大きくなると、自由層２３４の第１および第２の端部Ｅｄ１１，Ｅｄ１２の近傍部分でも、磁気モーメントの方向は、Ｙ方向に一致するか、ほとんど一致する。

このように、比較例のＭＲ素子２３０では、反磁界に起因して、自由層２３４の全体で磁気モーメントの方向が一様に変化しない。その結果、自由層２３４の磁化は、外部磁界の強度の変化に対して非線形的に変化する。その結果、比較例のＭＲ素子２３０を備えた磁気センサが生成する検出信号は、外部磁界の強度の変化に対して非線形的に変化する。

次に、本実施の形態におけるＭＲ素子３０における磁荷について説明する。図１５は、ＭＲ素子３０における磁荷を説明するための説明図である。図１５は、断面Ｓに相当する断面を示している。図１５において、“＋”の記号は正の磁荷を表し、“－”の記号は負の磁荷を表している。

本実施の形態におけるＭＲ素子３０では、第１の端部Ｅｄ１における膜厚Ｔ１は、第２の端部Ｅｄ２における膜厚Ｔ２よりも小さい。ここで、ＭＲ素子３０に対してＹ方向の外部磁界を印加する場合について考える。この場合、比較例と同様に、自由層３４の外周面うちの第２の端部Ｅｄ２の近傍部分には正の磁荷が集中する。一方、負の磁荷は、自由層３４の外周面のうちの第１の端部Ｅｄ１の近傍部分に集中せずに、第１の面３４ａにも広がって分布する。これにより、自由層３４の第１の端部Ｅｄ１の近傍部分における反磁界の強度と、自由層３４の中央部分における反磁界の強度との差が小さくなる。上記の差が小さくなるに従って、自由層３４の第１の端部Ｅｄ１の近傍部分における磁気モーメントの方向は、自由層３４の中央部分における磁気モーメントと同じように回転するようになる。これにより、本実施の形態によれば、自由層３４の磁化が、外部磁界の強度の変化に対して非線形的に変化することを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、磁気センサ１が生成する検出信号が線形的に変化する範囲を拡大することができる。

ところで、製造プロセスのばらつきに起因するＭＲ素子３０の厚みのばらつきを抑制するために、第１の傾斜部分ＳＬ１の全体で曲率ｋを小さくすることが考えられる。しかし、そうすると、第１の角度θ１と第２の角度θ２の差が小さくなり、第１の端部Ｅｄ１における膜厚Ｔ１と第２の端部Ｅｄ２における膜厚Ｔ２との差も小さくなる。特に、第１の傾斜部分ＳＬ１の全体で曲率ｋを０にする、すなわち第１の傾斜部分ＳＬ１の全体を平面にすると、第１の角度θ１と第２の角度θ２が等しくなり、第１の端部Ｅｄ１における膜厚Ｔ１と第２の端部Ｅｄ２における膜厚Ｔ２が等しくなる。その結果、第１の端部Ｅｄ１およびその近傍部分への磁荷の集中を抑制する効果が得られなくなる。

これに対し、本実施の形態では、角度θが相対的に小さくなる第２の位置Ｐ２における第１の傾斜部分ＳＬ１の曲率ｋ２の絶対値を相対的に大きくしている。これにより、本実施の形態によれば、第１の角度θ１と第２の角度θ２の差を大きくして、第１の端部Ｅｄ１における膜厚Ｔ１と第２の端部Ｅｄ２における膜厚Ｔ２との差を大きくしている。これにより、本実施の形態によれば、製造プロセスのばらつきに起因して第１の端部Ｅｄ１における膜厚Ｔ１が変化することを抑制しながら、自由層３４のうち第１の端部Ｅｄ１およびその近傍部分への磁荷の集中を抑制することができる。

なお、ここまでは、第１の傾斜部分ＳＬ１の上に配置されたＭＲ素子３０を例にとって、本実施の形態の効果について説明してきた。しかし、上記の説明は、第１の傾斜部分ＳＬ１と第２の傾斜部分ＳＬ２が対称な形状を有していることから、第２の傾斜部分ＳＬ２の上に配置されたＭＲ素子３０にも当てはまる。

［変形例］
次に、図１６を参照して、本実施の形態における変形例について説明する。変形例では、ＭＲ素子３０は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子である。変形例では、ＭＲ素子３０は、図６に示した磁化固定層３２、スペーサ層３３および自由層３４の代わりに、磁気異方性が設定された磁性層３６を含んでいる。磁性層３６は、外部磁界の方向に応じて方向が変化可能な磁化を有している。前述のように、ＭＲ素子３０は、Ｘ方向に長い形状にパターニングされている。これにより、磁性層３６は、磁化容易軸方向がＸ方向に平行な方向となる形状磁気異方性を有している。

磁性層３６は、Ｘ方向に長い形状の第１の面３６ａと、第１の面３６ａとは反対側の第２の面３６ｂと、第１の面３６ａと第２の面３６ｂを接続する外周面とを有している。図６および図７を参照して説明したＭＲ素子３０の形状に関する説明は、変形例にも当てはまる。ＭＲ素子３０の形状に関する説明中の自由層３４、第１の面３４ａおよび第２の面３４ｂをそれぞれ磁性層３６、第１の面３６ａおよび第２の面３６ｂに置き換えれば、変形例の形状に関する説明になる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。始めに、図１７を参照して、本実施の形態に係る磁気センサの構成について説明する。図１７は、本実施の形態に係る磁気センサの一部を示す断面図である。

本実施の形態に係る磁気センサ１０１の構成は、以下の点で、第１の実施の形態に係る磁気センサ１と異なっている。本実施の形態に係る磁気センサ１０１は、第１の実施の形態におけるＭＲ素子３０の代わりに、ＭＲ素子１３０を備えている。図１７は、ＹＺ平面に平行且つＭＲ素子１３０と交差する断面を示している。

支持部材６０の対向面６０ａは、第１の実施の形態における曲面部分６０ａ２の代わりに、下面６０ｂに非平行な少なくとも１つの曲面部分６０ａ３を含んでいる。図１７に示したように、曲面部分６０ａ３は、下面６０ｂに近づく方向に窪んだ凹面である。後述するように、対向面６０ａは、上記の凹面（曲面部分６０ａ３）の一部である傾斜部分を含んでいる。曲面部分６０ａ３は、ＹＺ平面に平行な任意の断面において、下面６０ｂに近づく方向（－Ｚ方向）に凹むように湾曲した曲線形状（アーチ形状）を有している。ＹＺ平面に平行な任意の断面において、下面６０ｂから曲面部分６０ａ３までの距離は、Ｙ方向に平行な方向における曲面部分６０ａ３の中央（以下、単に曲面部分６０ａ３の中央と記す。）において最も小さくなる。

曲面部分６０ａ３は、Ｘ方向に沿って延在している。曲面部分６０ａ３の全体形状は、図１７に示した曲線形状をＸ方向に沿って移動してできる半円筒状の曲面である。また、支持部材６０の絶縁層６２は、対向面６０ａに曲面部分６０ａ３が形成されるような断面形状を有している。具体的には、絶縁層６２は、ＹＺ平面に平行な任意の断面において、－Ｚ方向に窪むような断面形状を有している。

ここで、曲面部分６０ａ３のうち、曲面部分６０ａ３のＹ方向の端に位置する端部から曲面部分６０ａ３の中央までの部分を第１の傾斜部分と言い、符号ＳＬ１１で表す。また、曲面部分６０ａ３のうち、曲面部分６０ａ３の－Ｙ方向の端に位置する端部から曲面部分６０ａ３の中央までの部分を第２の傾斜部分と言い、符号ＳＬ１２で表す。第１および第２の傾斜部分ＳＬ１１，ＳＬ１２は、いずれも、下面６０ｂに対して傾斜している。本実施の形態では、ＭＲ素子１３０の全体が、第１の傾斜部分ＳＬ１１上または第２の傾斜部分ＳＬ１２上に配置されている。図１７には、第１の傾斜部分ＳＬ１１上に配置されたＭＲ素子１３０を示している。

ＭＲ素子１３０は、Ｘ方向に長い形状を有している。ＭＲ素子１３０の平面形状は、矩形である。ここで、ＭＲ素子１３０の短手方向を、ＭＲ素子１３０の幅方向、または単に幅方向と言う。ＭＲ素子１３０は、曲面部分６０ａ３に対向する下面１３０ａと、下面１３０ａとは反対側に位置する上面１３０ｂと、幅方向の両端に位置する第１の端部１３０ｃおよび第２の端部１３０ｄと、長手方向の両端に位置する第３の端部および第４の端部とを有している。ＭＲ素子１３０の幅方向の寸法は、Ｘ方向の位置によらずに一定か、ほぼ一定である。

ＭＲ素子１３０は、スピンバルブ型のＭＲ素子であってもよいし、ＡＭＲ素子であってもよい。以下、ＭＲ素子１３０がスピンバルブ型のＭＲ素子である場合を例にとって説明する。ＭＲ素子１３０は、第１の実施の形態における図６に示したＭＲ素子３０と同様に、下地層３１、磁化固定層３２、スペーサ層３３、自由層３４およびキャップ層３５を含んでいる。自由層３４は、磁化容易軸方向がＸ方向に平行な方向となる形状磁気異方性を有している。

次に、図１８を参照して、傾斜部分とＭＲ素子１３０について詳しく説明する。ここでは、第１の傾斜部分ＳＬ１１を例にとって説明する。図１８は、第１の傾斜部分ＳＬ１１の形状を説明するための説明図である。図１８は、図１７に示した断面の一部を拡大した図である。なお、図１８では、ＭＲ素子１３０のうち下地層３１およびキャップ層３５を省略している。

以下、ＭＲ素子１３０と交差し且つ支持部材６０の下面６０ｂに垂直な断面に関しては、符号Ｓを付して表す。第１の傾斜部分ＳＬ１１の形状を説明するために、任意の断面Ｓにおける第１の傾斜部分ＳＬ１１上の第１の位置Ｐ１１、第２の位置Ｐ１２、第３の位置Ｐ１３および第４の位置Ｐ１４を定義する。第１の位置Ｐ１１は、第１の傾斜部分ＳＬ１１が下面６０ｂに対して第１の角度θ１１をなして傾斜する位置である。第２の位置Ｐ１２は、第１の傾斜部分ＳＬ１１が下面６０ｂに対して第１の角度θ１１よりも小さい第２の角度θ１２をなして傾斜する位置である。本実施の形態では特に、第１の位置Ｐ１１は、第２の位置Ｐ１２よりも下面６０ｂから遠い。

第３の位置Ｐ１３は、第１の傾斜部分ＳＬ１１において下面６０ｂに最も近い位置である。具体的に説明すると、第３の位置Ｐ１３は、第１の傾斜部分ＳＬ１１と第２の傾斜部分ＳＬ１２との境界すなわち曲面部分６０ａ３の中央にある。第４の位置Ｐ１４は、第１の傾斜部分ＳＬ１１において下面６０ｂから最も遠い位置である。具体的に説明すると、第４の位置Ｐ１４は、曲面部分６０ａ３と平面部分６０ａ１との境界にある。第１の位置Ｐ１１と第２の位置Ｐ１２は、第３の位置Ｐ１３から第４の位置Ｐ１４までの範囲内にある。

第３の位置Ｐ１３において第１の傾斜部分ＳＬ１１が下面６０ｂに対してなす角度と、第４の位置Ｐ１４において第１の傾斜部分ＳＬ１１が下面６０ｂに対してなす角度は、いずれも０°である。第１および第２の角度θ１１，θ１２は、いずれも、０°よりも大きく９０°よりも小さい。

任意の断面Ｓにおける第１の傾斜部分ＳＬ１１の輪郭は、互いに異なる曲率を有する複数の曲線を含んでいる。第１の位置Ｐ１１における第１の傾斜部分ＳＬ１１の曲率ｋ１１の絶対値は、第２の位置Ｐ１２における第１の傾斜部分ＳＬ１１の曲率ｋ１２の絶対値よりも小さい。

図１８において、記号Ｃ１１を付した円弧は、第１の位置Ｐ１１における第１の傾斜部分ＳＬ１１を近似する円すなわち第１の曲率円の一部を示している。また、記号Ｃ１２を付した円弧は、第２の位置Ｐ１２における第１の傾斜部分ＳＬ１１を近似する円すなわち第２の曲率円の一部を示している。図１８に示したように、第１の曲率円（記号Ｃ１１）の半径は、第２の曲率円（記号Ｃ１２）の半径よりも大きい。

ＭＲ素子１３０は、任意の断面Ｓにおいて第１の端部１３０ｃが第１の位置Ｐ１１の上方に位置するように、第１の傾斜部分ＳＬ１１の上に配置されている。本実施の形態では、更に、ＭＲ素子１３０は、任意の断面Ｓにおいて第２の端部１３０ｄが第２の位置Ｐ１２の上方に位置するように、第１の傾斜部分ＳＬ１１の上に配置されている。

第１の実施の形態で説明したように、自由層３４は、第１の面３４ａ、第２の面３４ｂおよび外周面を有し、第１の面３４ａは、第１の面３４ａの短手方向の両端に位置する第１の端部Ｅｄ１および第２の端部Ｅｄ２を有している。第１の端部Ｅｄ１は、ＭＲ素子１３０の第１の端部１３０ｃに位置する。第２の端部Ｅｄ２は、ＭＲ素子１３０の第２の端部１３０ｄに位置する。

任意の断面Ｓにおける、第１の端部Ｅｄ１における傾斜角度φ１と、第２の端部Ｅｄ２における傾斜角度φ２との関係は、第１の実施の形態と同じである。また、任意の断面Ｓにおける、第１の端部Ｅｄ１における膜厚Ｔ１と、第２の端部Ｅｄ２における膜厚Ｔ２との関係は、第１の実施の形態と同じである。なお、膜厚Ｔ１については、便宜上、第２の面３４ｂを曲面部分６０ａ３に沿って延長した仮想の面を想定し、第１の面３４ａに垂直な方向における第１の面３４ａと仮想の面との間隔を膜厚Ｔ１としている。

ここまでは、第１の傾斜部分ＳＬ１１を例にとって説明してきた。第１の傾斜部分ＳＬ１１と第２の傾斜部分ＳＬ１２は、曲面部分６０ａ３の中央を含むＸＺ平面を中心として対称な形状またはほぼ対称な形状を有している。従って、上記の第１の傾斜部分ＳＬ１１についての説明は、第２の傾斜部分ＳＬ１２にも当てはまる。また、上記のＭＲ素子１３０についての説明は、第２の傾斜部分ＳＬ１２の上に配置されたＭＲ素子１３０にも当てはまる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、請求の範囲の要件を満たす限り、ＭＲ素子の数および配置と、曲面部分の数および配置は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。

また、本発明の自由層３４の第１および第２の面３４ａ，３４ｂの各々は、Ｘ方向に平行な方向に限らず、任意の断面Ｓと交差する方向に長い形状を有していてもよい。

また、本発明のＭＲ素子の第２の端部は、平面部分６０ａ１または曲面部分のうち下面６０ｂに平行な部分の上に位置していてもよい。

１…磁気センサ、５…磁界発生器、６Ａ，６Ｂ…磁石、１１～１４…抵抗部、２１…検出値生成回路、３０…ＭＲ素子、４１…下部電極、４２…上部電極、６０…支持部材、６０ａ…対向面、６０ａ１…平面部分、６０ａ２…曲面部分、６０ｂ…下面、６１…基板、６２～６５…絶縁層、１００…磁気センサシステム、２００…産業用ロボット、２０１…可動部、２０２…支持部、Ｐ１…第１の位置、Ｐ２…第２の位置、Ｐ３…第３の位置、Ｐ４…第４の位置、ＳＬ１…第１の傾斜部分、ＳＬ２…第２の傾斜部分。

Claims (9)

1. 外部磁界に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子を支持する支持部材とを備えた磁気センサであって、
   前記支持部材は、前記磁気抵抗効果素子に対向する対向面と、前記対向面とは反対側に配置された平面よりなる下面とを有し、
   前記対向面は、前記下面に対して傾斜した傾斜部分を含み、
   前記磁気センサの断面であって、前記下面に垂直な特定の断面において、前記傾斜部分は、前記傾斜部分上の第１の位置において前記下面に対して第１の角度をなして傾斜すると共に、前記傾斜部分上の第２の位置において前記下面に対して前記第１の角度よりも小さな第２の角度をなして傾斜し、
   前記第１の位置における前記傾斜部分の曲率の絶対値は、前記第２の位置における前記傾斜部分の曲率の絶対値よりも小さく、
   前記磁気抵抗効果素子は、前記外部磁界に応じて方向が変化可能な磁化を有する磁性層を含むと共に、前記磁気抵抗効果素子の幅方向の両端に位置する第１の端部および第２の端部を有し、前記断面において前記第１の端部が前記第１の位置の上方に位置するように、前記傾斜部分の上に配置され、
   前記第１の端部における前記磁性層の膜厚は、前記第２の端部における前記磁性層の膜厚よりも小さいことを特徴とする磁気センサ。
2. 前記磁気抵抗効果素子は、前記断面において前記第２の端部が前記第２の位置の上方に位置するように、前記傾斜部分の上に配置されていることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
3. 前記第１の位置と前記第２の位置は、前記断面において前記下面に最も近い前記傾斜部分上の第３の位置から前記断面において前記下面から最も遠い前記傾斜部分上の第４の位置までの範囲内にあることを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサ。
4. 前記傾斜部分は、前記第１の位置から前記第２の位置までの範囲内では、前記第１の角度が最大になり且つ前記第２の角度が最小になるように、前記下面に対して傾斜し、
   前記傾斜部分の曲率の絶対値は、前記第１の位置から前記第２の位置までの範囲内では、前記第１の位置において最小になり、前記第１の位置を除く所定の位置において最大になることを特徴とする請求項３記載の磁気センサ。
5. 前記対向面は、前記下面から離れる方向に突出した凸面を含み、
   前記傾斜部分は、前記凸面の一部であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気センサ。
6. 前記対向面は、前記下面に近づく方向に窪んだ凹面を含み、
   前記傾斜部分は、前記凹面の一部であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気センサ。
7. 前記磁性層は、第１の面と、前記第１の面とは反対側に配置された第２の面とを有し、
   前記磁性層の膜厚は、前記磁性層の前記第１の面に垂直な方向の寸法であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気センサ。
8. 前記膜厚は、前記第２の端部から前記第１の端部に近づくに従って小さくなることを特徴とする請求項７記載の磁気センサ。
9. 前記第１の面と前記第２の面の各々は、前記断面と交差する方向に長い形状を有していることを特徴とする請求項７または８記載の磁気センサ。

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