JP4977518B2 - ガラス粉末、ガラスペーストおよびガラス粉末製造方法 - Google Patents
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Description
図1に模式的に示すように、プラズマディスプレイパネル1は、前面ガラス板2と背面ガラス板3とを備える。前面ガラス板2の背面ガラス板3に対向する面側には、銀(Ag)を電極材とする表示電極(以下「Ag電極」ともいう。)5が形成されており、さらに該Ag電極5の保護や放電維持等のために透明誘電体層6が形成されている。透明誘電体層6の表面にはさらに保護層7が形成されている。一方、背面ガラス板3の前面ガラス板2に対向する面側には、白色誘電体層8に被覆されたアドレス電極9、隔壁4、蛍光体層10が形成されている。そして、隔壁4によって両ガラス板2,3間が所定位置で区切られ、多数のセル即ち放電空間が形成される。
従来、かかる誘電体層或いは隔壁を形成するガラス粉末(即ち上記ガラスペーストの主成分)は、ガラス質材料を出発材料として湿式粉砕によって製造されていた。しかし、低コスト、リードタイム短縮、プラズマディスプレイパネルの微細化(即ちガラス粉末のさらなる細粒化)等の要求があり、これらを実現するべく、近年ではかかる用途のガラス粉末を乾式粉砕によって製造することが検討されている。例えば以下の特許文献には、プラズマディスプレイパネルの誘電体層を形成するためのガラス粉末を乾式粉砕によって製造する方法が記載されている。
また、乾式粉砕では、粉砕されて新たに形成・活性化されたガラス組成物の粉砕表面(例えばSi−O結合が切れて活性化された粉砕表面)にCO2、H2O等の気体分子が吸着され易い。しかしながら、かかる気体分子の過度の吸着は、焼成後の誘電体層又は隔壁に泡が残存する原因となり、ひいては透過率や耐電圧の低下を招くため好ましくない。
そして、本発明によって提供されるガラス粉末製造方法では、前記乾式粉砕工程が
(1)粉砕対象のガラス質材料が収容された粉砕機のケーシング内に、最終的な添加水分合計量が該収容されたガラス質材料全量の少なくとも10質量%に相当する量となるまで、水分供給を継続しつつ通気した状態の該ケーシング内で粉砕処理を行う水分添加粉砕工程と、
(2)前記添加水分合計量が所定値に達した後に水分供給を停止し、前記通気した状態のケーシング内で更に同様の粉砕処理を継続する水分非添加粉砕工程と、
を含むことを特徴とする。
本明細書において「通気した状態のケーシング内での粉砕処理」とは、水分の供給がない状態では通気によってケーシング内のガラス質材料が徐々に乾燥し得る状態での粉砕処理をいう。例えば、粉砕材料とともにガス流がケーシング(粉砕を行う容器)内に導入される各種の乾式粉砕機(メディア攪拌ミル等)を使用することにより、「通気した状態のケーシング内での粉砕処理」を行うことができる。
かかる連続する2つのステップで乾式粉砕を行うことにより、従来の乾式粉砕により得られるガラス粉末よりもCO2、H2O等の気体分子が吸着され難いガラス粉末を製造することができる。従って、本製造方法によると、例えばプラズマディスプレイパネルの誘電体層又は隔壁(例えば透明誘電体層)を形成するためのガラス粉末であって、従来の乾式粉砕により得られた同様の組成のガラス粉末よりも黄変が発生し難く、或いはまた透過性や耐電圧性に優れる誘電体層又は隔壁(例えば透明誘電体層)を形成し得るガラス粉末を提供することができる。また、得られたガラス粉末を主成分とするガラスペーストを提供することができる。
また、他の側面として、プラズマディスプレイパネルの誘電体層又は隔壁を形成するためのガラスペーストであって、誘電体層又は隔壁(例えば透明誘電体層)を形成し得る酸化物組成に調製されたガラス質材料を出発材料として本明細書中で開示されるいずれかの製造方法により製造されたガラス粉末を主体に構成されたガラスペーストを提供する。
また、他の側面として、本明細書中で開示されるいずれかの製造方法により製造されたガラス粉末を(典型的には上記ガラスぺーストとして)使用して形成された誘電体層及び/又は隔壁(例えば透明誘電体層)を備えるプラズマディスプレイパネルを提供する。
このような条件設定により、従来の乾式粉砕や湿式粉砕で得られる同組成のガラス粉末よりも透過性や耐電圧性に優れる誘電体層又は隔壁(例えば透明誘電体層)を形成し得るガラス粉末を製造することができる。
このような条件設定で(2)水分非添加粉砕工程を行うことにより、特に透過性や耐電圧性に優れる誘電体層又は隔壁(例えば透明誘電体層)を形成し得るガラス粉末を製造することができる。
或いは、(2)水分非添加粉砕工程後にガラス粉末の水分含有率が前記範囲内になるように乾燥処理工程を別途設けてもよい。例えば(2)水分非添加粉砕処理をケーシング内のガラス粉砕物(ガラス粉末)の水分含有率が1〜2質量%の範囲となるまで行い、次いで、乾燥処理工程を(例えば適当な乾燥機内において)ガラス粉末の水分含有率が0.1〜0.8質量%の範囲(特に0.1〜0.6質量%、さらに好ましくは0.4〜0.6質量%)となるまで行ってもよい。
特に限定するものではないが、図2に模式的に示すような乾式粉砕機(メディア攪拌ミル)30を採用することによって本発明に係る乾式粉砕を好適に実施することができる。
本図に示すメディア(媒体)攪拌ミル30は、底部にアジテーター32が設けられ、上部に分級機(典型的にはローター分級機)34が設けられたケーシング31を備える。ケーシング31にはケーシング31の底部からケーシング31内にガス流を導入する送気管33が形成されている。ローター34には分級された粉末をガス流とともにケーシング外部に送り出すための排気管35が接続されている。排気管35はケーシング外部のサイクロン(粉塵分離機)36及びバグフィルター(集塵機)37と連結する。また、図示されていないが、送気管33の上流域及び/又は排気管35(バグフィルター37)の下流域に、エアーコンプレッサー及び/又は送風機を装備することにより、ケーシング内にガス(典型的にはエアー)を導入し、ガス流を生じさせることができる。
そして、送気管33の一部に水分を供給するためのインジェクター(噴射器)38(或いは気化器を付設し、ガス流による水分の蒸発を利用してもよい)を装備することにより、所望量の水分を好ましくは霧状若しくは蒸気の形態でガス流とともにケーシング31内に供給することができる。或いは、ケーシング31の壁面の一部に水分を供給し得る装置(インジェクターのノズル或いは単なる送液口でもよい)を別途設けてもよい。
なお、上述した装置構成は、既存の粉砕機等を利用し得るものであるため、装置の構成自体のこれ以上の詳細な説明は省略する。
特に限定するものではないが、最終的な添加水分合計量がケーシング31内に収容されたガラス質材料全量の少なくとも10質量%に相当する量となるまで、水分供給を継続する。このとき、粉砕処理の程度や規模或いは粉砕機の内容にもよるので特に限定するものではないが、例えば最終的な添加水分合計量をガラス質材料全量の10〜100質量%、特に10〜70質量%、更に20〜60質量%に相当する量に設定することが好ましい。40〜60質量%程度に相当する量に設定することが更に好ましい。最終的な添加水分合計量が少なすぎると本発明が求める効果が得られない一方、最終的な添加水分合計量が過剰であるとその後に長時間の水分非添加粉砕処理を行う必要があるために適当でなく、また、最終的に乾燥不十分なガラス粉末が得られる虞がある。乾燥が不十分であるとガラス粉末に残存する水分量が過剰となり、焼成中に水蒸気ガスとなって誘電体層中に残存する可能性があり好ましくない。水蒸気ガスの残存(即ち泡の発生)は透過率や耐電圧性の低下、或いは黄変の発生を引き起こすからである。
例えば、水分添加粉砕処理の終了時点、即ち水分供給を停止した時点におけるケーシング31内のガラス質材料の水分含有率が0.2〜30質量%程度、好ましくは0.5〜30質量%の範囲に保持されるように水分供給量(水分供給速度)ならびにそれに付随するケーシング31へのガス流量(流速)を調整することが特に好ましい。このような条件設定により、例えばプラズマディスプレイパネルの誘電体層又は隔壁(例えば透明誘電体層)形成用ガラス粉末であって、従来のものよりも透過率や耐電圧性が良好で黄変が発生し難い誘電体層又は隔壁(例えば透明誘電体層)を形成し得るガラス粉末を製造することができる。
かかる水分非添加粉砕処理は、水分の供給を行わないこと以外、上述の水分添加粉砕処理と同様の粉砕処理を行えばよい。かかる水分非添加粉砕処理の継続時間は、特に限定されないが、ケーシング31内のガラス粉砕物(ガラス粉末)の水分含有率が0.1〜0.8質量%(特に0.1〜0.6質量%、さらに好ましくは0.4〜0.6質量%)の範囲となるまで継続することが好ましい。温度やガス流の流量によって異なり得るが、例えば10分〜120分間程度の粉砕処理が好ましい。
例えば、図2に示すような通風される乾式粉砕機30では、ガス流量や粉砕処理時の温度(通常は室温〜100℃、典型的には20〜40℃程度)にも影響されるが、導入されたガス流により水分含有率が比較的高い状態のガラス粉末がケーシング上方に巻き上げられ、ローター34を通ってサイクロン36若しくはバグフィルター37に送られて回収される場合があり得る。この場合、ガラス粉末を回収後、適当な乾燥機(例えばヒータ等の加熱手段を備える乾燥機(オーブン)、通風乾燥機が好ましい。)内にて、或いは、大気中にて上記好適な範囲の水分含有率となるまで乾燥処理を行うことが好ましい。
本発明の方法を適用して好適に製造し得るガラス粉末の典型例として図1に示すようなプラズマディスプレイパネル1の透明誘電体層6を形成するためのガラス組成物からなるガラス粉末が挙げられる。この目的に使用される従来公知の種々の組成のガラス粉末を製造することができる。
一例を挙げれば、無鉛の酸化物ガラス組成物であって、その組成が実質的に
SiO2:10〜40モル%、
B2O3:10〜40モル%、
ZnO:15〜40モル%、
Al2O3:3〜10モル%、
Na2O及び/又はLi2O:10〜20モル%、
CaO及び/又はBaO:0〜10モル%、
Bi2O3:0〜20モル%、
の割合である無鉛ガラス組成物から成るガラス粉末が挙げられるが、かかる組成に限定されるものではない。例えば、所望により、SnO、SnO2、CuO、Cu2O、TiO2、ZrO2及びCeO2から成る群から選択される1種以上の酸化物を含有させることができる。その含有量は、特に限定されないが、例えばガラス組成物全体の10モル%以下(好ましくは5モル%以下)が適当である。
ガラスペースト中のガラス粉末含有率に特に制限はないが、ガラスペースト全体の50〜80質量%程度、より好ましくは60〜80質量%、特に好ましくは60〜70質量%の含有率であり得る。
好ましいバインダーとして、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、カルボキシエチルメチルセルロース、等のセルロース誘導体が挙げられる。このようなバインダーを用いることにより、特に透明性の高い焼成物(例えば透明誘電体層)を形成することができる。特に限定しないが、バインダーはガラスペースト全体の5〜20質量%程度の範囲で含まれることが好ましい。
また、好ましい有機溶剤(溶媒)として種々のエーテル系溶剤、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、又は他の有機溶剤が挙げられる。ターピネオールのような高沸点溶媒が特に好適である。特に限定しないが、有機溶剤はガラスペースト全体の5〜40質量%程度の範囲で含まれることが好ましい。
図3に示すように、本実施例で用いた装置は、図2に模式的に示す乾式粉砕機30と同様の構成の市販のメディア攪拌ミル50を主体に構成されている。ケーシング(粉砕タンク)51の容量は約100Lであり、ケーシング51の外壁部(Al2O3製)には内部をチラー水が循環するジャケット67が装着されている。これにより、ケーシング51内部の温度を一定(10〜40℃)に保持することができる。
ケーシング51内の底部には、メディア(直径約5〜25mmのAl2O3製又はZrO2製ビーズ)60が収容されるとともに、駆動用モーター62に接続された多層回転円板状のアジテーター52が配置されている。一方、ケーシング51内の上部には、ZrO2製のローター54が駆動用モーター64に接続された状態で配置されている。
また、ケーシング51にはケーシング底部からケーシング51内にガス流を導入する送気管53が接続されている。送気管53の一部には、図示しない水タンクと連通するインジェクター58が設けられている。これにより、所望量の水分を好ましくは霧状若しくは蒸気の形態でガス流とともにケーシング31内に供給することができる。
また、送気管53の上流先端(即ちエアー取入口)にはHEPAフィルター63が装着されている。
他方、ケーシング上部のローター54には、分級されたガラス粉末をガス流とともにケーシング外部に送り出すための排気管55が接続されている。排気管55はケーシング外部に設けられたサイクロン(粉塵分離機)56及びバグフィルター(集塵機)57と連結する。さらに排気管55のバグフィルター57の下流側には、送風機(ブロワ)68が設けられている。この送風機68を作動させることにより、HEPAフィルター63を通って送気管53にエアーが導入され、約100〜500Nm3/hの流量でエアーをケーシング51内に導入することができる。
本実施例に使用する原料粉末(出発材料)として、一般的なZnO−Bi2O3−B2O3−SiO2系ガラス(ZnO:20〜40モル%、Bi2O3:0〜20モル%、B2O3:10〜30モル%、SiO2:20〜40モル%)を用意した。
50〜120kgの上記メディア(ビーズ)60を入れた状態のケーシング51内に上記出発材料10〜40kgを投入した。そして、上記ジャケット67によりケーシング51内が10〜40℃に保たれた状態で先ず水添加粉砕処理を行った。
具体的には、モーター62,64を駆動させてアジテーター52(回転数:30〜270rpm)、ローター54(回転数:1000〜3600rpm)を作動させ、送風機68により100〜500Nm3/hの流量でエアーをケーシング51内に導入した。そして、最終的に投入したガラス質材料全量の20質量%(試料1、試料6)、又は40質量%(試料2、試料7)、又は60質量%(試料3、試料8)に相当する量の水を5〜60分かけてインジェクター58から継続的に供給しつつ粉砕処理を行った。比較対照として、同様の条件で水分添加を行わないで30分間の粉砕処理を行った(試料4)。
なお、得られた各試料のガラス粉末の一部をさらに乾燥処理に供した。具体的には、試料を通風加熱機(オーブン)に移して70〜140℃で1〜12時間の加熱乾燥処理を行った(試料1A、試料2A、試料3A、試料6、試料7、試料8)。
また、比較例として、ボールミルにおいてアルミナ容器中にビーズとともに上記ガラス質材料を入れ200rpmで15〜20時間程度湿式粉砕して同組成のガラス粉末を調製した(試料5、試料9)。
これら試料の水分添加粉砕処理直後の水分含有率(平均値)を表1及び表2の該当欄に示す。水分含有率はガラス粉末2gを80℃の通風乾燥機中で重量減少が認められなくなるまで乾燥させ、当該乾燥処理前後の重量変化から求めた。水分供給を停止した時点におけるケーシング51内のガラス質材料(粉砕物)の水分含有率が0.5〜30質量%の範囲に保持されていることが判る。
また、水分非添加粉砕処理直後(試料1、試料2、試料3、試料6、試料7、試料8)、および加熱乾燥処理直後(試料1A、試料2A、試料3A、試料6、試料7、試料8)の水分含有率(平均値)を表1及び表2の該当欄に示す。得られた各試料(ガラス粉末)の水分含有率が0.1〜0.8質量%の範囲であることが判る。
上記のようにして得られた試料1〜5のガラス粉末を使用し、各試料に対応する透明誘電体層用ガラスペーストを作製した。具体的には、ガラス粉末50〜70質量部、バインダー(カルボキシメチルセルロース)10〜20質量部、有機溶剤(ターピネオール)10〜30質量部を混合してガラスペーストを作製した。
上記作製したガラスペーストを、プラズマディスプレイパネルに用いられるAg電極を備える前面ガラス板上にスクリーン印刷法により塗布し、80〜140℃で10〜60分間保持して乾燥した後、500〜600℃で10〜60分間焼成を行った。得られた透明誘電体層の膜厚は約20μmであった。
こうして得られた透明誘電体層について、色彩色差計を用いてガラス板の着色度を示すb値を測定した。また、波長550nmのレーザーを使用して直線透過率を測定した。また、AC測定によって耐電圧性能を評価した。これらの結果(各平均値)を表1の該当欄に示す。
上記のようにして得られた試料6〜9のガラス粉末を使用し、各試料に対応する隔壁用ガラスペーストを作製した。具体的には、ガラス粉末50〜60質量部、フィラー粉末(アルミナ)10〜20質量部、バインダー(エチルセルロース)10〜20質量部、有機溶剤(ターピネオール)10〜20質量部を混合してペーストを作製した。
上記作製した隔壁用ガラスペーストを、プラズマディスプレイパネルに用いられるアドレス電極、白色誘電体層が形成された背面ガラス板上にアプリケーターにより塗布し、120℃で30分間乾燥した。得られた乾燥膜を500〜600℃で10〜60分間焼成を行った。得られた焼成膜(隔壁層)の膜厚は約100μmであった。
こうして得られた焼成膜について、色彩色差計を用いてL値を測定し、反射率を算出した。
また、DFR密着性試験として、上記乾燥膜にドライフィルムレジスト(DFR)をラミネートし、露光した後、炭酸ソーダ溶液で現像し、パターン形成を行なった。これをサンドブラストした際に、レジストが密着している最も細線の幅を測定した。これらの結果(各平均値)を表2の該当欄に示す。
2 前面ガラス板
3 背面ガラス板
4 隔壁
5 表示電極(Ag電極)
6 透明誘電体層
30,50 メディア攪拌ミル
31,51 ケーシング
32,52 アジテーター
33,53 送気管
34,54 ローター
35,55 排気管
36,56 サイクロン
37,57 バグフィルター
38,58 インジェクター
40,60 メディア(ビーズ)
63 HEPAフィルター
66 供給管
68 送風機
Claims (4)
- 乾式粉砕工程を伴うガラス粉末の製造方法であって、
前記乾式粉砕工程は、
(1)粉砕対象のガラス質材料が収容された粉砕機のケーシング内に、最終的な添加水分合計量が該収容されたガラス質材料全量の少なくとも10質量%に相当する量となるまで、水分供給を継続しつつ通気した状態の該ケーシング内で粉砕処理を行う水分添加粉砕工程と、
(2)前記添加水分合計量が所定値に達した後に水分供給を停止し、前記通気した状態のケーシング内で更に同様の粉砕処理を継続する水分非添加粉砕工程と、
を含むことを特徴とする、ガラス粉末製造方法。 - 前記添加水分合計量は、前記ガラス質材料全量の20〜60質量%に相当する量に設定され、
前記水分供給は、前記水分供給を停止した時点における前記ケーシング内のガラス質材料の水分含有率が0.5〜30質量%の範囲に保持されるように行われることを特徴とする、請求項1に記載の製造方法。 - プラズマディスプレイパネルの誘電体層又は隔壁を形成するためのガラス粉末であって、
前記誘電体層又は隔壁を形成し得る酸化物組成に調製されたガラス質材料を出発材料として請求項1又は2に記載の製造方法により製造されたガラス粉末。 - プラズマディスプレイパネルの誘電体層又は隔壁を形成するためのガラスペーストであって、
前記誘電体層又は隔壁を形成し得る酸化物組成に調製されたガラス質材料を出発材料として請求項1又は2に記載の製造方法により製造されたガラス粉末を主体に構成されたガラスペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007102812A JP4977518B2 (ja) | 2007-04-10 | 2007-04-10 | ガラス粉末、ガラスペーストおよびガラス粉末製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007102812A JP4977518B2 (ja) | 2007-04-10 | 2007-04-10 | ガラス粉末、ガラスペーストおよびガラス粉末製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008260643A JP2008260643A (ja) | 2008-10-30 |
JP4977518B2 true JP4977518B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=39983412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007102812A Expired - Fee Related JP4977518B2 (ja) | 2007-04-10 | 2007-04-10 | ガラス粉末、ガラスペーストおよびガラス粉末製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4977518B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101283762B1 (ko) * | 2013-01-31 | 2013-07-08 | 김태웅 | 유리코팅방법 및 이에 의한 유리코팅부재, 유리코팅을 이용한 본딩방법 및 이에 의한 이종 부재 제작물 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11106234A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 釉薬用ガラス組成物 |
JP2001089187A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-03 | Okuno Chem Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル誘電体用ガラス組成物 |
JP2002160939A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-06-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用粉末材料 |
JP2005187298A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Central Glass Co Ltd | 低融点ガラス及びその作製方法 |
JP2005336018A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Central Glass Co Ltd | 低融点ガラス及びその作製方法 |
JP2006240970A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Central Glass Co Ltd | 低融点ガラス |
JP4799043B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2011-10-19 | 奥野製薬工業株式会社 | 低融点ガラス組成物 |
-
2007
- 2007-04-10 JP JP2007102812A patent/JP4977518B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101283762B1 (ko) * | 2013-01-31 | 2013-07-08 | 김태웅 | 유리코팅방법 및 이에 의한 유리코팅부재, 유리코팅을 이용한 본딩방법 및 이에 의한 이종 부재 제작물 |
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JP2008260643A (ja) | 2008-10-30 |
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