JP4967018B2 - 熱電モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Description
以上のように構成された実施形態の熱電モジュール1は、以下のような従来にない特有の効果を有している。
図4に示すように、本実施形態の熱電モジュール1においては、第2の素子被覆層10aが第2の接合部被覆層10bを覆っている。このように第2の素子被覆層10aが形成されていることにより、熱電素子3と第2の接合部7bの接合性をさらに高めることができる。
以上の実施形態の熱電モジュール1は、対向する第1の基板39aと第2の基板39bの間に、N型熱電素子3aとP型熱電素子3bを交互に配置して構成した。しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、図7に示すように、1つの基板上に熱電素子3を配列して構成してもよい。
すなわち、図7に示す実施形態にかかる熱電モジュール1は、第2の基板39bを用いていない点を除いては、図1及び図2に示す実施形態の熱電モジュール1と同様に構成される。この変形例の熱電モジュール1において、第2の電極5bは、例えば、金属箔又は金属板によって構成される。
Claims (8)
- それぞれ第1の端部と第2の端部とを有する複数の熱電素子と、
隣り合う前記熱電素子の前記第1の端部間を接続する第1の電極と、
隣り合う前記熱電素子の前記第2の端部間を接続する第2の電極と、を備えた熱電モジュールであって、
前記熱電素子の前記第1の端部と前記第1の電極とを接続する第1の接合部と、
前記熱電素子の前記第1の端部側の外周に、前記第2の端部から離れて設けられ、前記第1の接合部の外周及び前記第1の接合部と前記第1の端部との接合面の周縁を覆う第1の被覆層とを有し、
前記第1の被覆層は、前記第1の接合部と前記第1の端部との接合面の周縁を覆うように設けられ、前記熱電素子の側面の少なくとも一部を被覆する第1の素子被覆層と、前記第1の接合部の側面の少なくとも一部を被覆する第1の接合部被覆層とを有し、
前記第1の素子被覆層が、前記第1の接合部被覆層を覆っており、
前記第1の素子被覆層は、前記熱電素子に含有される成分の酸化物を主成分として有することを特徴とする熱電モジュール。 - 前記熱電素子の前記第2の端部側の外周に、前記第1の被覆層から離れて設けられた第2の被覆層を有することを特徴とする請求項1に記載の熱電モジュール。
- 前記熱電素子の前記第2の端部と前記第2の電極とを接続する第2の接合部を有し、
前記第2の被覆層は、前記第2の接合部の外周及び前記第2の接合部と前記第2の端部との接合面の周縁を覆うように位置することを特徴とする請求項2記載の熱電モジュール。 - 前記第2の被覆層は、前記熱電素子の側面の少なくとも一部を被覆する第2の素子被覆層と、前記第2の接合部の側面の少なくとも一部を被覆する第2の接合部被覆層とを有し、
前記第2の素子被覆層が、前記第2の接合部と前記第2の端部との接合面の周縁を覆うように位置することを特徴とする請求項3記載の熱電モジュール。 - 前記第2の被覆層は、前記熱電素子の側面の少なくとも一部を被覆する第2の素子被覆層と、前記第2の接合部の側面の少なくとも一部を被覆する第2の接合部被覆層とを有し、
前記第2の接合部被覆層が、前記第2の接合部と前記第2の端部との接合面の周縁を覆うように位置することを特徴とする請求項3記載の熱電モジュール。 - 前記第2の素子被覆層が、前記第2の接合部被覆層を覆うことを特徴とする請求項5記載の熱電モジュール。
- 前記第1の被覆層と前記第2の被覆層の間に、前記第1の被覆層及び前記第2の被覆層よりも厚みの小さい第3の被覆層をさらに有することを特徴とする請求項2記載の熱電モジュール。
- 前記第1被覆層と前記第2被覆層の間において、前記熱電素子の表面が露出している請求項2記載の熱電モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009520383A JP4967018B2 (ja) | 2007-06-27 | 2008-03-31 | 熱電モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007169816 | 2007-06-27 | ||
JP2007169816 | 2007-06-27 | ||
JP2009520383A JP4967018B2 (ja) | 2007-06-27 | 2008-03-31 | 熱電モジュール及びその製造方法 |
PCT/JP2008/056328 WO2009001598A1 (ja) | 2007-06-27 | 2008-03-31 | 熱電モジュール及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009001598A1 JPWO2009001598A1 (ja) | 2010-08-26 |
JP4967018B2 true JP4967018B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=40185421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009520383A Active JP4967018B2 (ja) | 2007-06-27 | 2008-03-31 | 熱電モジュール及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4967018B2 (ja) |
WO (1) | WO2009001598A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023201062A1 (en) * | 2022-04-15 | 2023-10-19 | Ats Ip, Llc | Unipolar thermoelectric generator with vertical interconnects and thermal focusing |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101969094B (zh) * | 2009-07-27 | 2012-08-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种用于热电材料的涂层及其含有该涂层的器件 |
CN104321889B (zh) * | 2012-07-10 | 2018-02-16 | 株式会社东芝 | 热电转换材料及使用其的热电转换模块以及其制造方法 |
WO2014014126A1 (ja) | 2012-07-17 | 2014-01-23 | 株式会社 東芝 | 熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換モジュール並びに熱電変換材料の製造方法 |
JP6022927B2 (ja) * | 2012-12-20 | 2016-11-09 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
US9496476B2 (en) | 2013-06-11 | 2016-11-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Thermoelectric conversion module |
KR20220082219A (ko) * | 2020-12-10 | 2022-06-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전 소자 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02113348U (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-11 | ||
JPH11307824A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Yamaha Corp | 熱電モジュール |
JP2004193356A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Kyocera Corp | 熱電モジュール及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3724262B2 (ja) * | 1999-06-25 | 2005-12-07 | 松下電工株式会社 | 熱電素子モジュール |
JP4666841B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 熱電材料の製造方法 |
-
2008
- 2008-03-31 WO PCT/JP2008/056328 patent/WO2009001598A1/ja active Application Filing
- 2008-03-31 JP JP2009520383A patent/JP4967018B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02113348U (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-11 | ||
JPH11307824A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Yamaha Corp | 熱電モジュール |
JP2004193356A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Kyocera Corp | 熱電モジュール及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023201062A1 (en) * | 2022-04-15 | 2023-10-19 | Ats Ip, Llc | Unipolar thermoelectric generator with vertical interconnects and thermal focusing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009001598A1 (ja) | 2008-12-31 |
JPWO2009001598A1 (ja) | 2010-08-26 |
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