JP4964223B2 - ガス分配装置及び基板処理チャンバ - Google Patents
ガス分配装置及び基板処理チャンバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4964223B2 JP4964223B2 JP2008500824A JP2008500824A JP4964223B2 JP 4964223 B2 JP4964223 B2 JP 4964223B2 JP 2008500824 A JP2008500824 A JP 2008500824A JP 2008500824 A JP2008500824 A JP 2008500824A JP 4964223 B2 JP4964223 B2 JP 4964223B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- distribution device
- gas distribution
- inclined step
- central
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000009826 distribution Methods 0.000 title claims description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 56
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 214
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- -1 source 834B Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
Description
[0001]本発明は、一般に、半導体の製造および、より具体的には、半導体処理チャンバ内の分配装置および最上部ガスバッフルに関する。
[0002]基板上に所望の材料の膜または薄い層を形成するために、化学気相堆積（ＣＶＤ）は、半導体産業で使用されているガス反応処理である。一部の高密度プラズマ（ＨＤＰ）増強型ＣＶＤ処理は、ＲＦ発生プラズマを使用して物理的イオンを発生させると共に反応性化学ガスを使用し、負にバイアスされた基板表面上に正に荷電されたプラズマイオンを上記表面に対して垂直に近い角度で吸引することにより、或いは、上記表面に対して好ましい角度における基板表面の指向性バイアスにより、膜の堆積を増強する。集積回路（ＩＣ）の製作における一つの目標は、非常に薄く、均一な膜を基板上に、高スループットで形成することである。多くの要素（電源及び幾何学的形状の型と幾何学的形状、ガス分配システムと関連排気、基板の加熱と冷却、チャンバ構成、設計、対称性、チャンバ表面の組成と温度制御、チャンバ内に蓄積される材料など）は、処理システムと、そのシステムにより実行される処理を評価するときに考慮されなければならない。
[0003]むらがあるガス分配は、半導体製作で直面する一つの問題であり、堆積の均一性に影響する。既知の一チャンバ構成において、ガスプレナムは処理領域の周辺に備えられ、複数のノズルが放射状内側に伸びており、ガスを基板表面に提供する。そのような設計における難題は、基板表面にわたりガスを均等に分配することであり、そのためにも、基板の中央に向かうというより基板の縁に向かって多くのガスが供給されないことである。最上部のガスノズルは、基板支持部材の直接上方に位置決めされているが、堆積均一性を改善する為に使用可能である。
[0004]最上部のガスノズルを使用することにより得られる改善にも拘わらず、更なる改善及び／又は代替技術が、基板の表面でのガス分配の均一性を高める為に望ましい。
[0005]本発明は、半導体を処理する為の装置及びチャンバ内にガスを導入する方法を含む技術を提供する。より詳しくは、本発明の実施形態は、半導体処理チャンバ内の基板上の処理ガスの均一性を高めることを目的とする。
[0006]本発明の一実施形態において、ガス分配装置は、本体を有し、その本体は、本体から離れてガスを外側に導くように適合された上部表面と、その上部表面の反対側にある下部表面と、を有する。下部表面は、中央部と、段部表面により中央部から分離された凹んだ周辺部と、を有する。本体は、更に、ガス入口と、段部表面に配置された複数のガス出口と、複数のガス出口に入口を連結するガス通路と、を含む。
[0007]さらに、本発明の他の実施形態において、基板処理チャンバは、天井および側壁を有する包囲体と、基板を支持できる基板支持体と、を含む。ガス分配装置は、基板支持体の上方中央に位置決めされている。ガス分配装置は、バッフルを含む本体を備え、バッフルは、本体から離れてガスを外側に包囲体の側壁に向けて導くように適合された上部表面と、上部表面の反対側にあり基板支持体から離間された下部表面と、を有する。下部表面は、中央部と、段部表面により中央部から分離され凹んだ周辺部と、を有する。本体は、更に、ガス入口と、段部表面に配置された複数のガス出口と、複数のガス出口に入口を連結するガス通路と、を含む。
[0016]本発明は、ガスをチャンバ内に導入する方法と、半導体を処理する為の装置を含む技術を提供する。より詳しくは、本発明の実施形態は、半導体処理チャンバ内の基板上で処理ガスの均一性を高めることを目的とする。
[0017]図１は、半導体処理の為の、以前に既知のガス分配装置の横断面図である。図１は、ガス偏向表面１０２およびガス分配装置面１０４を有するガス分配装置１００を示す。ガス偏向表面１０２は、チャンバ洗浄処理中の洗浄ガス用通路を与える。洗浄ガスは、ガス分配装置の直下に置かれた基板支持部材（図示せず）ではなく、外形面１０２によりチャンバ壁に向けられている。ガス分配装置１００は、基部１０６でチャンバ壁に連結されている。堆積ガスは、基端１０８でガス分配装置１００に供給可能である。一組のアパーチャ１１０は、ＣＶＤ処理中に堆積ガスを送る為にガス分配装置面１０４で配置されている。
[0018]図２は、本発明の一実施形態に従うガス分配装置の横断面図である。この図は、単に一実施例であるので、本願の請求項の範囲を不当に限定するものではない。当業者は、他の変形例、変更例、代替例を認識するであろう。示されるように、本発明は、ガスを半導体処理チャンバ内に導入する為のガス分配装置を提供する。ガス分配装置２００は、あらゆる適した材料で形成可能であり、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ジルコニウム、石英、サファイヤ等が本実施例において可能であり、ガス分配装置２００は単体である。
[0019]ガス分配装置２００は、ガス偏向表面２０２と、ガス分配装置面２０４と、を有する。ガス偏向表面２０２は、チャンバ洗浄処理中に洗浄ガスの為の通路を与える。洗浄ガスは、ガス分配装置の直下に置かれた基板支持部材（図示せず）でなく、チャンバ壁に向けられる。ガス分配装置２００は、基部２０６でチャンバ壁に連結されている。ＣＶＤ処理中、堆積ガスは、基端２０８でガス分配装置２００に供給される。この堆積ガスは、アパーチャ２１０を出て、基板支持部材上の基板位置へと、ガス分配装置２００を通って流れる。
[0020]図２に図示されるように、アパーチャ２１０は、段部２１２（隆起表面）で、ガス分配装置面２０４上に配置されている。段部２１２は、所定の径を有するガス分配装置面２０４で、楕円レベル、より好ましくは、円形レベルを形成可能である。直径は、約０．０１インチから約３．００インチまでの範囲が可能である。段部２１２は、約０．６０インチから約０．７５インチまでの範囲で垂直の高さを有し、約９０度から約１５度までの範囲で傾斜を有することが可能である。段部２１２は、ガス分配装置２００のガス分配を改善する。特に、堆積ガスは、段部２１２の結果、基板支持部材の周辺の更なる外側まで分散可能である。段部２１２の傾斜を減少させると、ガスは外側に更に分散する。
[0021]特定の実施形態において、ガス分配装置２００は、４つ、６つ、８つ、又は、それ以上のアパーチャ２１０を有することが可能である。これらのアパーチャ２１０は、段部２１２の周辺に沿って均等に分布され、或いは、その特定部分に対し重要性が付加されている。アパーチャ２１０の位置および数は、基板上の堆積ガスの均一な分配を達成するように、特定用途の為に調整可能である。同様に、アパーチャ２１０の径も調整可能である。径は、約０．００５インチから約０．２５０インチの範囲が可能である。特定の実施形態において、アパーチャ２１０の径は、０．０６０インチになっている。
[0022]図３Ａ（側面図）と図３Ｂ（平面図）は、洗浄ガス通路３１４を備えた本発明の一実施形態に従うガス分配装置を図示する。洗浄ガス通路３１４は、チャンバ洗浄処理中に洗浄ガスの一部をガス分配装置３００を通ってガス分配装置面３０４まで通過させる。このように、ガス分配装置３０４は、容易に洗浄可能である。この特定の実施形態には、８つのガス通路３１４がある。しかし、他の実施形態において、洗浄ガス通路の数は、約５０通路まで可能である。各々の処理ガス流路３１４の径は、約０．０６から約０．２５インチまでにあり、ガス分配装置面２０４の効果的な洗浄を見越している。
[0023]図４Ａは、本発明の他の実施形態に従うガス分配装置４００の横断面図である。単体のガス分配装置４００は、ガス偏向表面４０２とガス分配装置面４０４を有する。ガス分配装置４００は、基部４０６でチャンバ壁に連結されている。ＣＶＤ処理中、堆積ガスは、基端４０８でガス分配装置４００に供給されている。この堆積ガスは、ガス分配装置４００を通り、アパーチャ４１０とフィード孔４１６を出て、基板支持部材（図示せず）上の基板位置に流れる。図４Ｂに図示されているように、アパーチャ４１０は、段部４１２でガス分配装置４０４に配置され、フィード孔４１６は、ガス分配装置４００の側端部に配置されている。フィード孔４１６は、基板の縁に増加堆積をまかない、均一な分配の為にアパーチャ４１０を補充する。フィード孔４１６とアパーチャ４１０の数、位置、周辺は、特定用途の為に調整可能である。一つの特定実施形態において、ガス分配装置４００は、８つのフィード孔４１６と４つのアパーチャ４１０を含む。他の実施形態において、ガス分配装置４００は、アパーチャ４１０を有することなく、フィード孔４１６を有することが可能である。あるいは、ガス分配装置４００は、フィード孔４１６を有することなく、アパーチャ４１０を含むことも可能である。
[0024]図５Ａ−図５Ｇは、本発明の更に他の実施形態に従うガス分配装置５００の様々な図を示す。ガス分配装置５００は、洗浄ガス通路５１４と、２つの段部（段部５１２（ａ）、段部５１２（ｂ））を含む。段部５１２（ａ）と段部５１２（ｂ）は、ガス分配装置面５０４で、各々が、一組のアパーチャを統合している。段部の数を増やすことにより、ガス分配の更なる調整を可能にし、均一性を改善する。段部５１２（ａ）に含まれたアパーチャの数と位置は、段部５１２（ｂ）と異なってもよい。たとえば、アパーチャ５１０（ａ）、５１０（ｂ）は、中心点５１８から放射方向に整列されていない。
[0025]図６は、本発明の実施形態に従う三段型ガス分配装置６００を図示する。ガス分配装置面６０４は、段部６１２（ａ）−（ｃ）を含み、各々は、それぞれ、一組のアパーチャ６１０（ａ）−（ｃ）を備える。三つの段部は、ガス分配の高度な改良の為に３つの制御領域を提供する。さらに、各アパーチャの長さが短いため、アパーチャ６１２の径は、高度な分配制御の為に減じられている。一つの特定実施形態において、ガス分配装置６００は、２つの単体プレナムである。本発明の他の実施形態は、４つ、５つ、６つ、又はそれ以上の段部を含んでもよいことに留意されたい。
[0026]図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の実施形態に従うガス分配装置段部の横断面図である。図７Ａにおいて、ガス分配装置の段部は、ガス分配装置面で、トレッド部とライザ部とを含む。ライザ部は、トレッド部に対して直角、又は、好ましくは角度７１０でもよい。角度７１０は、約９０度から約１８０度の範囲が可能である。特定の実施形態において、角度７１０は、約４５度である。ガス分配装置面上のアパーチャは、段部のライザ部に配置されている。アパーチャは、ライザ部に対し直角であるか、或いは、図７Ｂに描写されているように、角度７２０である。（ライザ部に対し直角に孔を有することにより、小さな振動で、より正確な孔の機械加工を行う）例えば、角度７２０は、約１５度から約１２０度までの範囲が可能である。
[0027]図８は、本発明の実施形態に従うガス分配装置８１１を有する典型的な処理チャンバシステムを図示する。図８は、一実施形態において、典型的なＨＤＰ−ＣＶＤシステム８１０の構造を概略的に図示する。システム８１０は、チャンバ８１３、真空システム８７０、ソースプラズマシステム８８０Ａ、バイアス型プラズマシステム８８０Ｂ、ガス送出システム８３３，リモートプラズマ洗浄システム８５０を含む。
[0028]チャンバ８１３の上部は、ドーム８１４を含み、ドーム８１４は、セラミック誘電材（酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、サファイヤ、ＳｉＣ、石英など）で形成されている。ヒータプレート８２３と冷却プレート８２４は、上にあり、両方とも熱的にドーム８１４に結合されている。ヒータプレート８２３と冷却プレート８２４は、約１００℃から２００℃の範囲にわたり±１０℃以内でドーム温度を制御する。ドーム８１４は、プラズマ領域８１６の上限を規定する。プラズマ処理領域８１６は、基板８１７と基板支持部材８１８の上部表面により底で制限されている。
[0029]チャンバ８１３の下部は、本体部材８２２を含み、本体部材８２２は、真空システムにチャンバを接合する。基板支持部材８１８のベース部材８２１は、本体部材８２２上に取り付けられ、本体部材８２２と共に連続した内部表面を形成する。基板は、ロボットブレード（図示せず）により、チャンバ８１３の側部の挿入／除去用開口（図示せず）を通して、チャンバ８１３の内外に移送される。リフトピン（図示せず）は、モータ（図示せず）の制御下で、上昇され、その後、下降され、基板を上部ローディング位置８５７におけるロボットブレードから、基板が基板支持部材８１８の基板受領部８１９上に置かれる下部処理位置８５６まで移動する。基板受容部８１９は、静電チャック８２０を含み、静電チャック８１９は、基板処理中、基板支持部材８１８に基板を固定する。好ましい実施形態において、基板支持部材８１８は、酸化アルミニウムまたはアルミニウム・セラミック材料から形成されている。
[0030]真空システム８７０は、スロットル本体８２５を含み、スロットル本体８２５は、ツインブレードスロットルバルブ８２６を収容し、ゲートバルブ８２７とターボ分子ポンプ８２８に付けられている。スロットル本体８２５は、ガス流に最小限の障害を提供するが、対称ポンピングを許容する点に留意されたい。ゲートバルブ８２７は、スロットル本体８２５からポンプ８２８を分離することができ、また、スロットルバルブ８２６が全開のとき、排気流量容積を制限することにより、チャンバ圧力を制御することができる。スロットルバルブ、ゲートバルブ、ターボ分子ポンプの配列により、約１ミリトールから約２トールの間でチャンバ圧力を正確かつ安定に制御することができる。
[0031]ガス送出システム８３３は、数個のソース８３４Ａ−８３４Ｅからガスをチャンバに供給し、（数個だけが図示された）ガス送出ライン８３８を介して基板を処理する。当業者により理解されるように、ソース８３４Ａ−８３４Ｅに対して使用される実際のソースと、チャンバ８１３に対する送出ライン８３８の実際の接続は、チャンバ８１３内で排出される洗浄処理と堆積に依存して変化する。ガスは、ガスリング８３７及び／又はガス分配装置８１１を通って導入される。
[0032]一実施形態において、第１ガスソース８３４Ａ、第２ガスソース８３４Ｂ、第１ガス流コントローラ８３５Ａ’、第２ガス流コントローラ８３５Ｂ’は、ガスリング８３７内のリングプレナムにガスを、ガス送出ライン８３８を介して供給する。ガスリング８３７は、ガスの一様な流れを基板上に供給する複数のソースガスノズル８３９（数個だけが図示）を有する。ノズル長とノズル角は、個々のチャンバ内部で特定処理の為に、ガス利用効率と均一プロファイルの調整を許容するように偏向されてもよい。好ましい実施形態において、ガスリング８３７は、１２個のソースガスノズルを有し、これらは、アルミナ・セラミックから形成されている。
[0033]ガスリング８３７も同様に、複数の酸化剤ガスノズル８４０（１個だけが図示）を有し、好ましい実施形態において、これらは、同一平面上にあり、ソースガスノズル８３９より短く、一実施形態では、本体プレナムからガスを受ける。幾つかの実施形態において、ガスをチャンバ８１３に噴射する前に、酸化剤ガスとソースガスを混合しないことが望ましい。他の実施形態では、酸化剤ガスとソースガスは、本体プレナムとガスリングプレナムの間にアパーチャ（図示せず）を設けることにより、チャンバ８１３内にガスを噴射する前に混合される。一実施形態において、第３ガスソース８３４Ｃ、第４ガスソース８３４Ｄ、第５ガスソース８３４Ｄ’、第３ガス流コントローラ８３５Ｃ、第４ガス流コントローラ８３５Ｄ１は、ガスをガス送出ライン８３８を介して本体プレナムに供給する。８４３Ｂのような追加バルブは、ガス流コントローラからチャンバへのガスを遮断してもよい。
[0034]可燃性、有毒性または腐食性ガスが使用される実施形態では、堆積後にガス送出ラインに残っているガスを排除することが望ましい場合がある。これは、例えば、送出ライン８３８Ａからチャンバを分離し真空前方ライン８４４に対する送出ライン８３８Ａを排出する為に、バルブ８４３Ｂのような三方向バルブを使用して達成可能である。図８で示すように、他の同様のバルブ（例えば８４３Ａ、８４３Ｃ）は、他のガス送出ラインに組み込まれてもよい。
[0035]図８を再度参照すると、チャンバ８１３も同様に、ガス分配装置８１１及び最上部ベント８４６を有する。ガス分配装置８１１と最上部ベント８４６は、ガスの最上部及び側部の流れの独立した制御を許容し、これが、膜の均一性を改善し、膜の堆積及びドーピングパラメータの細かい調整を許容する。最上部ベント８４６は、ガス分配装置８１１の周りの環状開口である。ガス分配装置８１１は、改善されたガス分配の為に本発明の実施形態に従う段部内に複数のアパーチャを含む。一実施形態において、第１ガスソース８３４Ａは、ソースガスノズル８３９とガス分配装置８１１を供給する。ソースノズルＭＦＣ８３５Ａ’は、ソースガスノズル８３９に送出されるガス量を制御し、最上部ノズルＭＦＣ８３５Ａは、ガス分配装置８１１に送出されるガス量を制御する。同様に、２つのＭＦＣ８３５Ｂ，８３５Ｂ１は、ソース８３４Ｂのような酸素の単一ソースから、最上部ベント８４６，酸化剤ガスノズル８４０の両方への酸素流を制御する為に使用されてもよい。ガス分配装置８１１と最上部ベント８４６に供給されるガスは、ガスをチャンバ８１３に流す前に分離して保たれてもよく、或いは、ガスはチャンバ８１３に流れる前に最上部プレナム８４８内で混合されてもよい。同一ガスの別個のソースは、チャンバの様々な部分を供給する為に使用されてもよい。
[0036]システム・コントローラ860は、システム810の操作を制御する。好ましい実施形態において、コントローラ８６０は、メモリ８６２（ハードディスクドライブ、フロッピィディスクドライブ（図示せず）、カードラック（図示せず）であって、プロセッサ８６１に結合されたもの）を含む。カードラックは、シングルボードコンピュータ（ＳＢＣ）（図示せず）、アナログ及びデジタル入力／出力ボード（図示せず）、インターフェースボード（図示せず）、ステッパモータコントローラ（図示せず）を含んでもよい。システム・コントローラは、ボード、カード保持器、コネクタの寸法及び型を規定するベルサモジュールヨーロッパ（「ＶＭＥ」）規格に準拠している。ＶＭＥ規格は、また、１６ビットデータバス及び２４ビットアドレスバスを有するようなバス構造も規定する。システム・コントローラ８６０は、ハードディスクドライブで保存されるコンピュータ・プログラムの制御の下で、或いは、他のコンピュータ・プログラム（取り外し可能なディスクで保存されたプログラムなど）を介して動作する。コンピュータ・プログラムは、たとえばタイミング、混合ガス、ＲＦパワーレベル、他の特定処理のパラメータを指図する。ユーザとシステム・コントローラとの間のインターフェースは、モニタ（例えばＣＲＴとライトペン）を介して存在する。
[0037]前述された装置の配列及び方法は、本発明の原理の例示的応用例にすぎず、他の多くの実施形態および変形例は、添付された請求項に規定される本発明の精神および範囲を逸脱することなく可能である。したがって、本発明の範囲は、前述された説明を参照することなく決定されるものであり、均等な十分な範囲に沿って添付された請求項を参照して決定されるものである。
１００…ガス分配装置、１０２…ガス偏向表面、外形面、１０４…ガス分配装置面、１０６…基部、１０８…基端、１１０…アパーチャ、２００…ガス分配装置、２０２…ガス偏向表面、２０４…ガス分配装置面、２０６…基部、２０８…基端、２１０…アパーチャ、２１２…段部、３００…ガス分配装置、３０４…ガス分配装置、３１４…ガス通路、４００…ガス分配装置、４０２…ガス偏向表面、４０４…ガス分配装置面、４０６…基部、４０８…基端、４１０…アパーチャ、４１２…段部、４１６…フィード孔、５００…ガス分配装置、５０４…ガス分配装置面、５１０…アパーチャ、５１２…段部、５１４…洗浄ガス通路、５１８…中心点、６００…ガス分配装置、６０４…ガス分配装置面、６１０…アパーチャ、６１２…段部、７１０…角度、７２０…角度、８１０…ＨＤＰ−ＣＶＤシステム、８１１…ガス分配装置、８１３…チャンバ、８１４…ドーム、８１６…プラズマ領域、８１７…基板、８１８…基板支持部材、８１９…基板受領部、８２０…静電チャック、８２１…ベース部材、８２２…本体部材、８２３…ヒータプレート、８２４…冷却プレート、８２５…スロットル本体、８２６…ツインブレードスロットルバルブ、８２７…ゲートバルブ、８２８…ターボ分子ポンプ、８３３…ガス送出システム、８３４Ａ−Ｅ…ソース、８３５Ａ’−Ｂ’…ガス流コントローラ、８３７…ガスリング、８３８…送出ライン、８３９…ソースガスノズル、８４０…酸化剤ガスノズル、８４３…追加バルブ、８４４…真空前方ライン、８４４Ａ−Ｂ…ガスソース、８４６…最上部ベント、８４８…最上部プレナム、８５０…リモートプラズマ洗浄システム、８５６…下部処理位置、８５７…上部ローディング位置、８６０…システム・コントローラ、８６１…プロセッサ、８６２…メモリ、８７０…真空システム、８８０Ａ…ソースプラズマシステム、８８０Ｂ…バイアス型プラズマシステム
Claims (15)
- 処理チャンバ内で使用されるガス分配装置であって、
ガス供給に結合されるように構成されたねじ部を有する本体であって、前記本体はまた遠位面及び前記ねじ部と前記遠位面との間に延びる中央部を有し、前記本体はガス入口と、複数のガス出口と、前記複数のガス出口に前記ガス入口を連結する前記ねじ部と前記中央部を通って延びるガス通路とを更に含み、前記本体はねじ部と中央部との間に配置された側座部を含み、前記側座部は前記本体から前記側座部の外周へと外側に延び、ここで前記中央部は前記本体から前記遠位面に向かって前記側座部の外周から外側に延びる凹形に湾曲したガス偏向表面を含み、及び前記遠位面は中央平坦部と傾斜した段部表面により前記中央平坦部から隔てられた凹んだ周辺平坦部とを有する連続した表面を含み、及び前記中央平坦部は前記遠位面の中心から前記傾斜した段部表面へと放射状に延び且つその直径は０．０１から３インチであり、そして前記凹んだ周辺平坦部は前記中央平坦部に対して凹んでおり及び前記複数のガス出口は前記傾斜した段部表面に配置される、前記本体
を備える、前記ガス分配装置。 - 前記ガス分配装置は、単体である、請求項１に記載のガス分配装置。
- 前記ガス分配装置は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、サファイヤ、炭化珪素のうち少なくとも一つを備える、請求項１に記載のガス分配装置。
- 前記傾斜した段部表面は、前記遠位面で円を形成し、前記複数のガス出口は、前記傾斜した段部表面の周りに均等に分布されている、請求項１に記載のガス分配装置。
- 前記ガス出口での前記ガス通路の軸方向が、前記傾斜した段部表面の傾斜に対し垂直である、請求項１に記載のガス分配装置。
- 前記傾斜した段部表面の傾斜は、９０度から１８０度の範囲にある、請求項１に記載のガス分配装置。
- 前記ガス出口での前記ガス通路の軸方向と、前記傾斜した段部表面とのなす角度が、１２０度から１５度の範囲にある、請求項１に記載のガス分配装置。
- 前記凹形に湾曲したガス偏向表面と前記遠位面との間に延びる少なくとも一つの洗浄ガス通路を更に備える、請求項１に記載のガス分配装置。
- 前記複数のガス出口は、少なくとも８個のアパーチャを含む、請求項１に記載のガス分配装置。
- 第２の傾斜した段部表面と、前記第２の傾斜した段部表面を通る少なくとも第２の複数のガス出口とを更に備える、請求項１に記載のガス分配装置。
- 基板処理チャンバであって、
天井と側壁とを有する包囲体と、
基板を支持可能な基板支持体と、
前記基板支持体の上方で中央に位置決めされ且つ前記天井から前記基板支持体に向かって延びるガス分配装置であって、ガス供給に結合されるように構成されたねじ部を有する本体を備え、前記本体はまた遠位面及び前記ねじ部と前記遠位面との間に延びる中央部を有し、前記本体はガス入口と、複数のガス出口と、前記複数のガス出口に前記ガス入口を連結する前記ねじ部と前記中央部を通って延びるガス通路とを更に含み、前記本体はねじ部と中央部との間に配置された側座部を含み、前記側座部は前記本体から前記側座部の外周へと外側に延び、ここで前記中央部は前記本体から前記遠位面に向かって前記側座部の外周から外側に延びる凹形に湾曲したガス偏向表面を含み、及び前記遠位面は中央平坦部と傾斜した段部表面により前記中央平坦部から隔てられた凹んだ周辺平坦部とを有する連続した表面を含み、及び前記中央平坦部は前記遠位面の中心から前記傾斜した段部表面へと放射状に延び且つその直径は０．０１から３インチであり、そして前記凹んだ周辺平坦部は前記中央平坦部に対して凹んでおり及び前記複数のガス出口は前記傾斜した段部表面に配置される、前記ガス分配装置と、
を備える、前記基板処理チャンバ。 - 前記本体の一部の周りに配置され且つ凹形に湾曲したガス偏向表面に向かってガスを導くように適合された環状ガス通路を画成する最上部ベントを更に備える、請求項１１に記載の基板処理チャンバ。
- 前記ガス分配装置は、単体である、請求項１１に記載の基板処理チャンバ。
- 前記ガス分配装置は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムのうち少なくとも一つを備える、請求項１１に記載の基板処理チャンバ。
- 前記ガス出口での前記ガス通路の軸方向と、前記傾斜した段部表面とのなす角度が、１２０度から１５度の範囲にある、請求項１１に記載の基板処理チャンバ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/075,527 | 2005-03-07 | ||
| US11/075,527 US7722719B2 (en) | 2005-03-07 | 2005-03-07 | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| PCT/US2006/008003 WO2006096674A1 (en) | 2005-03-07 | 2006-03-06 | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008532331A JP2008532331A (ja) | 2008-08-14 |
| JP2008532331A5 JP2008532331A5 (ja) | 2012-03-22 |
| JP4964223B2 true JP4964223B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=36569974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008500824A Active JP4964223B2 (ja) | 2005-03-07 | 2006-03-06 | ガス分配装置及び基板処理チャンバ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7722719B2 (ja) |
| JP (1) | JP4964223B2 (ja) |
| KR (1) | KR100919538B1 (ja) |
| CN (1) | CN101138065B (ja) |
| TW (1) | TWI343593B (ja) |
| WO (1) | WO2006096674A1 (ja) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7510624B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-03-31 | Applied Materials, Inc. | Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications |
| US7722719B2 (en) | 2005-03-07 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| CN104073778B (zh) * | 2006-10-24 | 2017-08-25 | 应用材料公司 | 用于原子层沉积的涡流室盖 |
| US20080124944A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| US20080121177A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Applied Materials, Inc. | Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber |
| US7740706B2 (en) * | 2006-11-28 | 2010-06-22 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| US7758698B2 (en) | 2006-11-28 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber |
| US9157152B2 (en) * | 2007-03-29 | 2015-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vapor deposition system |
| WO2009049020A2 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Valence Process Equipment, Inc. | Chemical vapor deposition reactor |
| TWI364126B (en) * | 2007-11-23 | 2012-05-11 | Ind Tech Res Inst | Plasma assisted apparatus for forming organic film |
| US8137463B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Dual zone gas injection nozzle |
| KR100941073B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2010-02-09 | 세메스 주식회사 | 탑 노즐 및 기판 처리 장치 |
| JP5223377B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の電極、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20110159214A1 (en) * | 2008-03-26 | 2011-06-30 | Gt Solar, Incorporated | Gold-coated polysilicon reactor system and method |
| TWI494458B (zh) * | 2008-03-26 | 2015-08-01 | Gtat Corp | 在化學氣相沉積反應器中用於配氣之系統和方法 |
| US9222172B2 (en) * | 2008-08-20 | 2015-12-29 | Applied Materials, Inc. | Surface treated aluminum nitride baffle |
| US8753474B2 (en) * | 2009-09-25 | 2014-06-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in inductive couple plasma reactor |
| US20110256692A1 (en) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor concentric delivery showerhead |
| US10658161B2 (en) * | 2010-10-15 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers |
| CN102965615A (zh) * | 2011-08-30 | 2013-03-13 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种pvd加工中使用的腔体以及pvd加工方法 |
| US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
| US9399228B2 (en) * | 2013-02-06 | 2016-07-26 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber |
| US9536710B2 (en) * | 2013-02-25 | 2017-01-03 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection |
| CN107424901B (zh) * | 2013-03-12 | 2019-06-11 | 应用材料公司 | 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件 |
| CN104103483B (zh) * | 2013-04-10 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种进气装置及等离子体加工设备 |
| CN103266307A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-08-28 | 光垒光电科技（上海）有限公司 | 反应腔 |
| US9275869B2 (en) * | 2013-08-02 | 2016-03-01 | Lam Research Corporation | Fast-gas switching for etching |
| US11015244B2 (en) | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
| US10450649B2 (en) | 2014-01-29 | 2019-10-22 | Gtat Corporation | Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance |
| JP5840268B1 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-01-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| US9951421B2 (en) * | 2014-12-10 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Inlet for effective mixing and purging |
| US9865437B2 (en) * | 2014-12-30 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | High conductance process kit |
| US9758868B1 (en) | 2016-03-10 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure |
| US10403474B2 (en) | 2016-07-11 | 2019-09-03 | Lam Research Corporation | Collar, conical showerheads and/or top plates for reducing recirculation in a substrate processing system |
| CN106711066A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 干蚀刻反应设备及用于干蚀刻反应的气体喷嘴 |
| US11521884B2 (en) * | 2018-06-29 | 2022-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electrostatic chuck sidewall gas curtain |
| KR102386545B1 (ko) * | 2018-09-03 | 2022-04-15 | 주식회사 원익아이피에스 | 밸브 조립체 및 기판 처리 장치 |
| JP7313269B2 (ja) * | 2019-12-23 | 2023-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN114075660B (zh) * | 2020-08-14 | 2022-09-27 | 长鑫存储技术有限公司 | 喷淋头、化学气相沉积设备及其工作方法 |
| US20220064797A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Applied Materials, Inc. | Showerhead design to control stray deposition |
| CN114242551B (zh) * | 2020-09-09 | 2023-12-08 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 进气组件及其等离子体处理装置 |
| CN114664620A (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其处理方法 |
| US20220307129A1 (en) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | Applied Materials, Inc. | Cleaning assemblies for substrate processing chambers |
| US20240055230A1 (en) * | 2022-08-15 | 2024-02-15 | Applied Materials, Inc. | System and method of cleaning process chamber components |
Family Cites Families (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2608417C3 (de) * | 1976-03-01 | 1981-02-12 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von russ |
| JPS5841658B2 (ja) | 1979-06-15 | 1983-09-13 | パイオニア株式会社 | ドライエッチング装置 |
| GB2125937B (en) * | 1982-08-26 | 1986-06-25 | Metal Box Plc | Dispensing volatile liquids |
| US5188672A (en) * | 1990-06-28 | 1993-02-23 | Applied Materials, Inc. | Reduction of particulate contaminants in chemical-vapor-deposition apparatus |
| US5865896A (en) * | 1993-08-27 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
| US5441568A (en) * | 1994-07-15 | 1995-08-15 | Applied Materials, Inc. | Exhaust baffle for uniform gas flow pattern |
| US5643394A (en) | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| TW356554B (en) * | 1995-10-23 | 1999-04-21 | Watkins Johnson Co | Gas injection system for semiconductor processing |
| US5772771A (en) | 1995-12-13 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity |
| US6070551A (en) * | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| US6013155A (en) * | 1996-06-28 | 2000-01-11 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
| US6170428B1 (en) * | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
| US5804259A (en) * | 1996-11-07 | 1998-09-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film |
| JP3753526B2 (ja) * | 1996-12-18 | 2006-03-08 | サクラ精機株式会社 | 顕微鏡標本のカバーガラス貼着方法と装置 |
| US5994662A (en) * | 1997-05-29 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Unique baffle to deflect remote plasma clean gases |
| US6083344A (en) * | 1997-05-29 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone RF inductively coupled source configuration |
| US5937323A (en) * | 1997-06-03 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Sequencing of the recipe steps for the optimal low-k HDP-CVD processing |
| US6143078A (en) * | 1998-11-13 | 2000-11-07 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for a CVD processing chamber |
| JP3808245B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2006-08-09 | 京セラ株式会社 | 半導体製造用チャンバ構成部材 |
| US6383964B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Kyocera Corporation | Ceramic member resistant to halogen-plasma corrosion |
| KR100302609B1 (ko) * | 1999-05-10 | 2001-09-13 | 김영환 | 온도가변 가스 분사 장치 |
| DE19922355A1 (de) | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Helmut Swars | Katalysatorträgerkörper |
| US6413871B2 (en) * | 1999-06-22 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen treatment of polished halogen-doped silicon glass |
| JP4487338B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置及び成膜処理方法 |
| US6287643B1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for injecting and modifying gas concentration of a meta-stable or atomic species in a downstream plasma reactor |
| US6444039B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-09-03 | Simplus Systems Corporation | Three-dimensional showerhead apparatus |
| AU2001288225A1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-02-05 | The University Of Maryland College Park | Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation |
| US6450117B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Directing a flow of gas in a substrate processing chamber |
| US6302965B1 (en) * | 2000-08-15 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces |
| US6335288B1 (en) * | 2000-08-24 | 2002-01-01 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry cycling to achieve high aspect ratio gapfill with HDP-CVD |
| DE10064944A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-04-11 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten, Gaseinlassorgan sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| AU2001283944A1 (en) * | 2000-09-22 | 2002-04-02 | Aixtron Ag | Gas inlet mechanism for cvd-method and device |
| US6596653B2 (en) * | 2001-05-11 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD |
| US6740601B2 (en) * | 2001-05-11 | 2004-05-25 | Applied Materials Inc. | HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps |
| US6676760B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-01-13 | Appiled Materials, Inc. | Process chamber having multiple gas distributors and method |
| JP2003100717A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US20030070620A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Cooperberg David J. | Tunable multi-zone gas injection system |
| DE10153463A1 (de) * | 2001-10-30 | 2003-05-15 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten |
| US20040060514A1 (en) * | 2002-01-25 | 2004-04-01 | Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation | Gas distribution showerhead |
| JP4074461B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2008-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置、半導体装置の製造方法 |
| JP4292777B2 (ja) * | 2002-06-17 | 2009-07-08 | ソニー株式会社 | 薄膜形成装置 |
| US6884296B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Reactors having gas distributors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7141138B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
| US20040231798A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-11-25 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
| US7316761B2 (en) * | 2003-02-03 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for uniformly etching a dielectric layer |
| US6989061B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-01-24 | Kastalon, Inc. | Nozzle for use in rotational casting apparatus |
| US20060048707A1 (en) | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Applied Materials, Inc. | Anti-clogging nozzle for semiconductor processing |
| US20050218115A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-10-06 | Applied Materials, Inc. | Anti-clogging nozzle for semiconductor processing |
| US7183227B1 (en) * | 2004-07-01 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Use of enhanced turbomolecular pump for gapfill deposition using high flows of low-mass fluent gas |
| US20060075967A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-13 | Applied Materials, Inc. | Magnetic-field concentration in inductively coupled plasma reactors |
| US7510624B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-03-31 | Applied Materials, Inc. | Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications |
| JP2007182360A (ja) * | 2005-02-16 | 2007-07-19 | Nissan Motor Co Ltd | ウィスカー形成体及びこれを用いた電気化学キャパシタ |
| KR100854995B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2008-08-28 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
| US7722719B2 (en) | 2005-03-07 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| JP2006310481A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Elpida Memory Inc | Ｃｖｄ装置 |
| CN100502106C (zh) * | 2006-05-12 | 2009-06-17 | 盐光科技（嘉兴）有限公司 | 二次电池正极材料及制备方法 |
| JP2007305890A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Elpida Memory Inc | 半導体製造装置 |
| US20080124944A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| US7758698B2 (en) * | 2006-11-28 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber |
| US7740706B2 (en) * | 2006-11-28 | 2010-06-22 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| US20080121177A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Applied Materials, Inc. | Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber |
| US20080188090A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Applied Materials, Inc. | Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber |
| US7572647B2 (en) * | 2007-02-02 | 2009-08-11 | Applied Materials, Inc. | Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber |
| US7789993B2 (en) * | 2007-02-02 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber |
-
2005
- 2005-03-07 US US11/075,527 patent/US7722719B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-06 CN CN200680007381XA patent/CN101138065B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-06 JP JP2008500824A patent/JP4964223B2/ja active Active
- 2006-03-06 WO PCT/US2006/008003 patent/WO2006096674A1/en active Application Filing
- 2006-03-07 TW TW095107650A patent/TWI343593B/zh active
-
2007
- 2007-09-07 KR KR1020077020545A patent/KR100919538B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060196603A1 (en) | 2006-09-07 |
| CN101138065A (zh) | 2008-03-05 |
| TWI343593B (en) | 2011-06-11 |
| TW200636809A (en) | 2006-10-16 |
| US7722719B2 (en) | 2010-05-25 |
| WO2006096674A1 (en) | 2006-09-14 |
| JP2008532331A (ja) | 2008-08-14 |
| KR20070110337A (ko) | 2007-11-16 |
| CN101138065B (zh) | 2012-11-28 |
| KR100919538B1 (ko) | 2009-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4964223B2 (ja) | ガス分配装置及び基板処理チャンバ | |
| US7740706B2 (en) | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber | |
| US20200149166A1 (en) | Flow control features of cvd chambers | |
| TWI713525B (zh) | 用以達成改良的流動均勻性之具有面板孔的小體積噴淋頭 | |
| TWI731078B (zh) | 下游反應器中之邊緣蝕刻率控制用可調整側邊氣體充氣部 | |
| US7452827B2 (en) | Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures | |
| US7799704B2 (en) | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber | |
| TWI681820B (zh) | 使用於半導體處理設備中的噴淋頭、半導體處理站及半導體處理工具 | |
| TWI662993B (zh) | 噴頭組件及處理腔室 | |
| US7510624B2 (en) | Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications | |
| US20060196420A1 (en) | High density plasma chemical vapor deposition apparatus | |
| US20080283086A1 (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method therefor | |
| JPH09181065A (ja) | 堆積チャンバ | |
| JP2006324610A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| US20050126484A1 (en) | Edge flow faceplate for improvement of CVD film properties | |
| US20210292892A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US20060196417A1 (en) | Gas distribution systems for deposition processes | |
| JP3485505B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP3111544U (ja) | 半導体処理の為のガス送出システム | |
| TW202407127A (zh) | 供應模組及包含該供應模組的基板處理裝置 | |
| TW202339551A (zh) | 用於改善沉積厚度均勻性的噴淋頭組件及基板處理系統 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090226 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101130 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101210 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110624 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20110624 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110929 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20110930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20120131 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120327 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4964223 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |