JPH09181065A - 堆積チャンバ - Google Patents
堆積チャンバInfo
- Publication number
- JPH09181065A JPH09181065A JP8313898A JP31389896A JPH09181065A JP H09181065 A JPH09181065 A JP H09181065A JP 8313898 A JP8313898 A JP 8313898A JP 31389896 A JP31389896 A JP 31389896A JP H09181065 A JPH09181065 A JP H09181065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- deposition chamber
- substrate support
- manifold
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Abstract
(57)【要約】
【課題】 堆積物の厚さの均一性を向上させる。
【解決手段】 付加的ないし第２のガスディストリビュ
ータを基板支持面の上方の中心に配置させることによ
り、堆積物の厚さの均一性を向上させることができるよ
うになる。また、共通マニホールドに与えられるプロセ
スガスを一連のガスディストリビュータに供給する圧力
を、等しくすることにより、堆積物の厚さの均一性が向
上する。
ータを基板支持面の上方の中心に配置させることによ
り、堆積物の厚さの均一性を向上させることができるよ
うになる。また、共通マニホールドに与えられるプロセ
スガスを一連のガスディストリビュータに供給する圧力
を、等しくすることにより、堆積物の厚さの均一性が向
上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、堆積プロセスに用
いるチャンバに関する。
いるチャンバに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在行われている半導体デバイスの製造
の基本的なステップの１つとして、気体の化学反応によ
に半導体基板上に薄膜を形成することが挙げられる。こ
のような堆積のプロセスは、化学気相堆積（ＣＶＤ：ch
emical vapor deposition） と称されている。従来から
の熱ＣＶＤプロセスでは、反応性のガスを基板表面に供
給し、そこでは、熱に誘発された化学反応が生じて、所
望の膜を形成することができる。高密度プラズマＣＶＤ
プロセスでは、基板表面近隣の反応領域に高周波（Ｒ
Ｆ）を印加して、反応物ガスの分解を促進し、反応性の
高いイオン種を生成する。放出されるイオン種の反応性
は高く、このため、化学反応が生じるために必要なエネ
ルギーは低くてもよく、従って、このようなＣＶＤプロ
セスに要する温度を低くすることができる。
の基本的なステップの１つとして、気体の化学反応によ
に半導体基板上に薄膜を形成することが挙げられる。こ
のような堆積のプロセスは、化学気相堆積（ＣＶＤ：ch
emical vapor deposition） と称されている。従来から
の熱ＣＶＤプロセスでは、反応性のガスを基板表面に供
給し、そこでは、熱に誘発された化学反応が生じて、所
望の膜を形成することができる。高密度プラズマＣＶＤ
プロセスでは、基板表面近隣の反応領域に高周波（Ｒ
Ｆ）を印加して、反応物ガスの分解を促進し、反応性の
高いイオン種を生成する。放出されるイオン種の反応性
は高く、このため、化学反応が生じるために必要なエネ
ルギーは低くてもよく、従って、このようなＣＶＤプロ
セスに要する温度を低くすることができる。
【０００３】高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ−Ｃ
ＶＤ）チャンバの設計では、一般に、真空チャンバは、
カソードとして機能する、底部に沿う平坦な基板支持体
と、頂部に沿った平坦なアノードと、底面から上向きに
伸びる比較的短い側壁と、側壁を上部に接続する誘電体
のドームとにより画成される。ドームの周囲には、誘導
コイルが設置され、これは供給高周波（ＲＦ）ジェネレ
ータに接続されている。アノードとカソードとは典型的
には、バイアス高周波（ＲＦ）ジェネレータに接続され
ている。等間隔に配置された一連のガスディストリビュ
ータ、典型的には一連のノズルが、側壁に設置され、基
板支持面のエッジの上方の領域の中にまで伸びている。
これらガスノズルの全ては、アルゴン、酸素、シラン、
ＴＥＯＳ(tetraethoxysilane) 、四弗化珪素(silicon t
etrafluoride:ＳｉＦ4 ） 等のガスをガスノズルに供給
する共通マニホールドにつながっている。ここで、これ
らのガスは主に、基板にどのタイプの膜を形成するかに
よって決められる。ノズルの先端には出口が設けられ、
これは典型的にはオリフィスであり、これらノズルの先
端は、基板支持体の外周外縁の上方に円形のパターンで
間隔をおいて配置され、プロセスガスはこれらを通って
流入する。
ＶＤ）チャンバの設計では、一般に、真空チャンバは、
カソードとして機能する、底部に沿う平坦な基板支持体
と、頂部に沿った平坦なアノードと、底面から上向きに
伸びる比較的短い側壁と、側壁を上部に接続する誘電体
のドームとにより画成される。ドームの周囲には、誘導
コイルが設置され、これは供給高周波（ＲＦ）ジェネレ
ータに接続されている。アノードとカソードとは典型的
には、バイアス高周波（ＲＦ）ジェネレータに接続され
ている。等間隔に配置された一連のガスディストリビュ
ータ、典型的には一連のノズルが、側壁に設置され、基
板支持面のエッジの上方の領域の中にまで伸びている。
これらガスノズルの全ては、アルゴン、酸素、シラン、
ＴＥＯＳ(tetraethoxysilane) 、四弗化珪素(silicon t
etrafluoride:ＳｉＦ4 ） 等のガスをガスノズルに供給
する共通マニホールドにつながっている。ここで、これ
らのガスは主に、基板にどのタイプの膜を形成するかに
よって決められる。ノズルの先端には出口が設けられ、
これは典型的にはオリフィスであり、これらノズルの先
端は、基板支持体の外周外縁の上方に円形のパターンで
間隔をおいて配置され、プロセスガスはこれらを通って
流入する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】堆積膜ウエハの厚さは
完全に均一になっていることが理想的であるが、実際は
こうなることはない。堆積の均一性は、ソースの構成、
ガスの流入や流量の変化、ソース高周波ジェネレータの
電流、バイアス高周波ジェネレータの電流、基板支持体
からのノズルの高さ、基板支持体に対するノズルの相対
的な位置などにより、大きく影響を受ける。この堆積の
均一性は、様々な要因によって制約を受ける。例えば、
基板支持体からのノズルの高さは、高いほど好ましいこ
とがしばしばである。しかし、実際上の問題より、ノズ
ルを誘電体ドームの中に配置させることが不可能であ
る。また、プロセス条件毎にノズルの基板からの高さを
調節することは、基板が垂直方向に可動でもない限り現
実的ではない。更に、ノズルオリフィスと基板との間の
距離が長くなれば堆積の均一性が向上する傾向があるも
のの、ガスの効率が低くなり、ガスの消費が大きくな
り、あるいは、時間がかかるようになる。加えて、アル
ゴンは通常、プロセスガスの一部として、マニホールド
及びノズルの中に流され、アルゴンを流入させること
が、スパッタリング速度及びスパッタリング均一性の効
率化に寄与する。しかし、アルゴンを用いることによ
り、プロセスガスのノズル内の流量を変化させようとし
た場合のフレキシビリティが制約されてしまう。
完全に均一になっていることが理想的であるが、実際は
こうなることはない。堆積の均一性は、ソースの構成、
ガスの流入や流量の変化、ソース高周波ジェネレータの
電流、バイアス高周波ジェネレータの電流、基板支持体
からのノズルの高さ、基板支持体に対するノズルの相対
的な位置などにより、大きく影響を受ける。この堆積の
均一性は、様々な要因によって制約を受ける。例えば、
基板支持体からのノズルの高さは、高いほど好ましいこ
とがしばしばである。しかし、実際上の問題より、ノズ
ルを誘電体ドームの中に配置させることが不可能であ
る。また、プロセス条件毎にノズルの基板からの高さを
調節することは、基板が垂直方向に可動でもない限り現
実的ではない。更に、ノズルオリフィスと基板との間の
距離が長くなれば堆積の均一性が向上する傾向があるも
のの、ガスの効率が低くなり、ガスの消費が大きくな
り、あるいは、時間がかかるようになる。加えて、アル
ゴンは通常、プロセスガスの一部として、マニホールド
及びノズルの中に流され、アルゴンを流入させること
が、スパッタリング速度及びスパッタリング均一性の効
率化に寄与する。しかし、アルゴンを用いることによ
り、プロセスガスのノズル内の流量を変化させようとし
た場合のフレキシビリティが制約されてしまう。
【０００５】堆積に影響を与えるもう１つの要因は、ノ
ズルオリフィスのクリーンさに関するものである。シラ
ン等、一部のプロセスガスは、熱により分解し、ノズル
の内側にシリカを堆積させてしまうことがある。更に、
酸素の一部がノズルオリフィスに逆流して拡散してプロ
セスガスと反応し、ノズルオリフィスの内側に堆積物を
形成することもある。チャンバを「ドライクリーニン
グ」（チャンバをクローズドにしたままで、弗素化合物
等のクリーニングガスをチャンバ内に流入させることに
より）しようとすれば、更に余計な問題を生じさせるこ
とになる。例えば、堆積したシリカの一部分と弗素ガス
が反応してポーラスな物質を形成し、これが成長してオ
リフィスの閉塞を更に悪化させる。
ズルオリフィスのクリーンさに関するものである。シラ
ン等、一部のプロセスガスは、熱により分解し、ノズル
の内側にシリカを堆積させてしまうことがある。更に、
酸素の一部がノズルオリフィスに逆流して拡散してプロ
セスガスと反応し、ノズルオリフィスの内側に堆積物を
形成することもある。チャンバを「ドライクリーニン
グ」（チャンバをクローズドにしたままで、弗素化合物
等のクリーニングガスをチャンバ内に流入させることに
より）しようとすれば、更に余計な問題を生じさせるこ
とになる。例えば、堆積したシリカの一部分と弗素ガス
が反応してポーラスな物質を形成し、これが成長してオ
リフィスの閉塞を更に悪化させる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、付加的ないし
第２のガスディストリビュータ（典型的には、ノズル）
を、基板支持面の上方の中心に配置させて、堆積物の厚
さの均一性を向上させる、堆積チャンバに関するもので
ある。また、共通マニホールドに与えられるプロセスガ
スを一連のガスディストリビュータ（典型的には、ノズ
ル）に供給する圧力を、等しくすることにより、堆積物
の厚さの均一性が向上する。
第２のガスディストリビュータ（典型的には、ノズル）
を、基板支持面の上方の中心に配置させて、堆積物の厚
さの均一性を向上させる、堆積チャンバに関するもので
ある。また、共通マニホールドに与えられるプロセスガ
スを一連のガスディストリビュータ（典型的には、ノズ
ル）に供給する圧力を、等しくすることにより、堆積物
の厚さの均一性が向上する。
【０００７】この改善に係る堆積チャンバは、真空チャ
ンバを画成するハウジングを有している。基板支持体
が、真空チャンバの中に収容される。複数の、典型的に
は１２個の、第１のガスディストリビュータ（典型的に
は、ノズル）が、従来技術と同様に、基板支持面の外周
外縁から間隔をおき且つこの外周外縁のほぼ上に配置さ
れる円形のパターンで真空チャンバの中に開いているオ
リフィス又はその他の出口を有している。本発明に関し
ては、第２のガスディストリビュータを用いられ、これ
が、基板支持面の中心から間隔をおき且つこの中心のほ
ぼ上に配置される。第２のガスディストリビュータを用
いて真空チャンバ内にプロセスガスを注入することによ
り、堆積物の厚さの均一性は、第２のガスディストリビ
ュータを用いないで得られる均一性に比べて、改善され
る。
ンバを画成するハウジングを有している。基板支持体
が、真空チャンバの中に収容される。複数の、典型的に
は１２個の、第１のガスディストリビュータ（典型的に
は、ノズル）が、従来技術と同様に、基板支持面の外周
外縁から間隔をおき且つこの外周外縁のほぼ上に配置さ
れる円形のパターンで真空チャンバの中に開いているオ
リフィス又はその他の出口を有している。本発明に関し
ては、第２のガスディストリビュータを用いられ、これ
が、基板支持面の中心から間隔をおき且つこの中心のほ
ぼ上に配置される。第２のガスディストリビュータを用
いて真空チャンバ内にプロセスガスを注入することによ
り、堆積物の厚さの均一性は、第２のガスディストリビ
ュータを用いないで得られる均一性に比べて、改善され
る。
【０００８】また、堆積物の厚さの均一性は、複数の位
置でマニホールドにプロセスガスを供給することによっ
ても改善される。プロセスガスのマニホールドへの供給
は、ガスディストリビュータそれぞれに、同じ圧力でプ
ロセスガスを供給する方法により行われる。これを行う
ことにより、第１のガスディストリビュータのそれぞれ
からの流量を等しくすることが確保される。
置でマニホールドにプロセスガスを供給することによっ
ても改善される。プロセスガスのマニホールドへの供給
は、ガスディストリビュータそれぞれに、同じ圧力でプ
ロセスガスを供給する方法により行われる。これを行う
ことにより、第１のガスディストリビュータのそれぞれ
からの流量を等しくすることが確保される。
【０００９】ガスディストリビュータの出口は、有効な
ドライクリーニングの操作を可能にするようなサイズを
有していることが好ましい。状況によっては、ドライク
リーニングの操作は、出口の内面のクリーニングに有効
ではない場合がある。このような状況では、ガスディス
トリビュータを選択して真空ポンプに接続し、真空チャ
ンバ内のクリーニングガスを、チャンバからガスディス
トリビュータの中を通る反対方向に、また、システムか
ら真空ポンプへと、ゆっくりと引くことにより、ガスデ
ィストリビュータを更に有効にクリーニングすることが
可能である。
ドライクリーニングの操作を可能にするようなサイズを
有していることが好ましい。状況によっては、ドライク
リーニングの操作は、出口の内面のクリーニングに有効
ではない場合がある。このような状況では、ガスディス
トリビュータを選択して真空ポンプに接続し、真空チャ
ンバ内のクリーニングガスを、チャンバからガスディス
トリビュータの中を通る反対方向に、また、システムか
ら真空ポンプへと、ゆっくりと引くことにより、ガスデ
ィストリビュータを更に有効にクリーニングすることが
可能である。
【００１０】本発明の重要な利点は、プロセスガスを独
立して第２の（ないし上側の）ガスディストリビュータ
に供給することにより、様々な操作条件の下でも、更に
均一性の高い堆積物の厚さが実現できることであり、こ
れにより、第１の（ないし下側の）ガスディストリビュ
ータの中を通るプロセスガスの分布を変化させることが
できる。
立して第２の（ないし上側の）ガスディストリビュータ
に供給することにより、様々な操作条件の下でも、更に
均一性の高い堆積物の厚さが実現できることであり、こ
れにより、第１の（ないし下側の）ガスディストリビュ
ータの中を通るプロセスガスの分布を変化させることが
できる。
【００１１】出口を１つ有する第２のガスディストリビ
ュータを、８インチ（約２０ｃｍ）基板に用いれば有効
であることが見出された。しかし、１２インチ（約３０
ｃｍ）のようなもっと大きな基板に対しては、複数の出
口を有する１つ以上の第２のガスディストリビュータを
用いることにより、堆積物の厚さの均一性を最も良好に
することができるであろう。
ュータを、８インチ（約２０ｃｍ）基板に用いれば有効
であることが見出された。しかし、１２インチ（約３０
ｃｍ）のようなもっと大きな基板に対しては、複数の出
口を有する１つ以上の第２のガスディストリビュータを
用いることにより、堆積物の厚さの均一性を最も良好に
することができるであろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】この他の本発明の特徴及び利点に
ついては、以下の好適な具体例を添付の図面と共に説明
する中で明らかにする。
ついては、以下の好適な具体例を添付の図面と共に説明
する中で明らかにする。
【００１３】図１に例示される堆積チャンバ２は、ハウ
ジング４を備えており、このハウジング４は、ＲＦ誘導
コイル８に囲まれている誘電ドーム６を有している。コ
イル８は、整合回路１２を介してソースＲＦジェネレー
タ１０により電力が与えられる。また、チャンバ２は、
ハウジング４の中で規定される真空チャンバ１８の中で
基板支持面１６を有する基板支持体１４を有している。
表面１６は、チャンバ１８内で基板２０の支持に用いら
れる。基板支持体１４はカソードとしても機能し、整合
回路２４を介してバイアスＲＦジェネレータ２２に接続
される。ハウジング４の上部２５はアノードとして機能
し、整合回路２８を介して第２のバイアスＲＦジェネレ
ータ２６によりバイアス電力が与えられる。ハウジング
４の略円筒状の側壁３０が、ハウジング４の底部３２を
誘電ドーム６に接続する。プロセスガス、典型的にはシ
ラン、ＴＥＯＳ、四弗化珪素（ＳｉＦ4 ）その他の反応
性堆積ガスは、チャンバ１８内での寿命が短いが、アル
ゴンと共に、等間隔に並んだノズル３４の一連１２を介
して真空チャンバ１８に導入される。図４に示されるよ
うに、ノズル３４はリング状に配置され、ガスマニホー
ルド３６に流動可能に結合されている。ノズル３４それ
ぞれが、末端にオリフィス３８を有している。ノズル３
４のオリフィス３８は、基板支持体１４の外縁４０の上
方に配置され、即ち、基板２０の外縁４２上方に配置さ
れるが、これは、これら２つの外縁がおよそ調心されて
いるからである。真空チャンバ１８は、排気ポート４４
を介して排気される。
ジング４を備えており、このハウジング４は、ＲＦ誘導
コイル８に囲まれている誘電ドーム６を有している。コ
イル８は、整合回路１２を介してソースＲＦジェネレー
タ１０により電力が与えられる。また、チャンバ２は、
ハウジング４の中で規定される真空チャンバ１８の中で
基板支持面１６を有する基板支持体１４を有している。
表面１６は、チャンバ１８内で基板２０の支持に用いら
れる。基板支持体１４はカソードとしても機能し、整合
回路２４を介してバイアスＲＦジェネレータ２２に接続
される。ハウジング４の上部２５はアノードとして機能
し、整合回路２８を介して第２のバイアスＲＦジェネレ
ータ２６によりバイアス電力が与えられる。ハウジング
４の略円筒状の側壁３０が、ハウジング４の底部３２を
誘電ドーム６に接続する。プロセスガス、典型的にはシ
ラン、ＴＥＯＳ、四弗化珪素（ＳｉＦ4 ）その他の反応
性堆積ガスは、チャンバ１８内での寿命が短いが、アル
ゴンと共に、等間隔に並んだノズル３４の一連１２を介
して真空チャンバ１８に導入される。図４に示されるよ
うに、ノズル３４はリング状に配置され、ガスマニホー
ルド３６に流動可能に結合されている。ノズル３４それ
ぞれが、末端にオリフィス３８を有している。ノズル３
４のオリフィス３８は、基板支持体１４の外縁４０の上
方に配置され、即ち、基板２０の外縁４２上方に配置さ
れるが、これは、これら２つの外縁がおよそ調心されて
いるからである。真空チャンバ１８は、排気ポート４４
を介して排気される。
【００１４】上述の堆積チャンバ２の構成は、１９９４
年４月２６日に米国に出願された米国特許出願番号０８
／２３４,７４６ 号に詳細が記載されている。
年４月２６日に米国に出願された米国特許出願番号０８
／２３４,７４６ 号に詳細が記載されている。
【００１５】図２は、上述の従来技術の堆積チャンバに
対する典型的な堆積物の厚さの変化のプロットを例示す
る。平均厚さが、ベースライン４８で示される。プロッ
ト４６で示されるように、基板２０の外縁４２に対応す
るプロット４６の両側の終点５０及び５２で、厚さが比
較的急激に上昇していることがわかる。プロット４６の
中心５４も、実質的に急に降下している。
対する典型的な堆積物の厚さの変化のプロットを例示す
る。平均厚さが、ベースライン４８で示される。プロッ
ト４６で示されるように、基板２０の外縁４２に対応す
るプロット４６の両側の終点５０及び５２で、厚さが比
較的急激に上昇していることがわかる。プロット４６の
中心５４も、実質的に急に降下している。
【００１６】本発明は、第２のガスコントローラ６０及
び第２のガス供給ライン６２を介して第２のガスソース
５８につながっている中心ノズル５６を用いることによ
り、プロット４６を改善するものである。図１及び図４
を参照すれば、中心ノズル５６は、基板支持面１６の上
方にその中心が配置されるオリフィス６４を有してい
る。オリフィス６４は、表面１６からは、ノズル３４の
オリフィス３８までの距離の少なくとも２倍の距離にあ
るように配置される。中心ノズル５６を用いることによ
り、図２の堆積物厚さの変化のプロット４６を、図３の
模範的なプロット６８へと修正することが可能となる。
模範的な堆積物厚さ変化のプロット６８は、充分フラッ
トであり、堆積物の標準偏差が１シグマのおよそ１〜２
％となっている。これが実現されたのは主に、両端５
０、５２でのプロットの急な傾斜が小さくなった事と、
プロット４６の中心の低い点が上がった事とによる。
び第２のガス供給ライン６２を介して第２のガスソース
５８につながっている中心ノズル５６を用いることによ
り、プロット４６を改善するものである。図１及び図４
を参照すれば、中心ノズル５６は、基板支持面１６の上
方にその中心が配置されるオリフィス６４を有してい
る。オリフィス６４は、表面１６からは、ノズル３４の
オリフィス３８までの距離の少なくとも２倍の距離にあ
るように配置される。中心ノズル５６を用いることによ
り、図２の堆積物厚さの変化のプロット４６を、図３の
模範的なプロット６８へと修正することが可能となる。
模範的な堆積物厚さ変化のプロット６８は、充分フラッ
トであり、堆積物の標準偏差が１シグマのおよそ１〜２
％となっている。これが実現されたのは主に、両端５
０、５２でのプロットの急な傾斜が小さくなった事と、
プロット４６の中心の低い点が上がった事とによる。
【００１７】好ましい具体例では、１２本の同一のノズ
ル３４を、基板支持体１４の外縁４０を包囲する領域に
用いる。オリフィス３８は、直径が約０．０１４インチ
（約０．３６ｍｍ）、深さないしスロートが約０．０２
０インチ（約０．５１ｍｍ）である。オリフィスの直径
を大きくし且つオリフィス３８の深さないしスロートを
制限することが、ドライクリーニングの操作中にクリー
ニングガスをノズルに逆拡散することを確保するために
重要であることが見出されている。図５を参照して説明
されるノズルクリーニングシステムを用いる場合は、こ
のような考慮は必要ないだろう。
ル３４を、基板支持体１４の外縁４０を包囲する領域に
用いる。オリフィス３８は、直径が約０．０１４インチ
（約０．３６ｍｍ）、深さないしスロートが約０．０２
０インチ（約０．５１ｍｍ）である。オリフィスの直径
を大きくし且つオリフィス３８の深さないしスロートを
制限することが、ドライクリーニングの操作中にクリー
ニングガスをノズルに逆拡散することを確保するために
重要であることが見出されている。図５を参照して説明
されるノズルクリーニングシステムを用いる場合は、こ
のような考慮は必要ないだろう。
【００１８】オリフィス３８のそれぞれに等しい量のプ
ロセスガスを通過させることを確保するためには、ノズ
ル３４それぞれに同じ圧力でプロセスガスを供給するこ
とが有用である。これを促進するため、図４に示される
ように、マニホールド３６の反対の側からプロセスガス
をマニホールドに供給する。図４に示されるように、第
１のガスコントローラ７４及び第１のガスソース７６に
つながった１対のガス供給ライン７０、７２により、マ
ニホールド３６に供給がなされる。ガス供給ライン７
０、７２は、マニホールド３６に流入するプロセスガス
の流動の抵抗を等しくするため、等しい長さと等しい直
径を有するように構成する。ノズル３４の中を通るプロ
セスガスの流れの量が同じになるように確保することを
促進するためには、他の方法を用いてもよい。例えば、
マニホールド３６が実際に２つのマニホールドとなるよ
うに変形してもよく、これらは、ガス供給ライン７０、
７２の１つ以上につながる外側マニホールド（図示せ
ず）と、第１のノズル３４が設置される内側マニホール
ド（図示せず）であり、外側マニホールドは、内側マニ
ホールドの中へと開く開口を有している。内側マニホー
ルドと外側マニホールドをつなぐ開口は、ガス供給ライ
ン７０、７２の入口近くで小さくなり入口から遠くなれ
ば大きくなり、第１のノズル３４それぞれの流量を等し
くすることを補助する。
ロセスガスを通過させることを確保するためには、ノズ
ル３４それぞれに同じ圧力でプロセスガスを供給するこ
とが有用である。これを促進するため、図４に示される
ように、マニホールド３６の反対の側からプロセスガス
をマニホールドに供給する。図４に示されるように、第
１のガスコントローラ７４及び第１のガスソース７６に
つながった１対のガス供給ライン７０、７２により、マ
ニホールド３６に供給がなされる。ガス供給ライン７
０、７２は、マニホールド３６に流入するプロセスガス
の流動の抵抗を等しくするため、等しい長さと等しい直
径を有するように構成する。ノズル３４の中を通るプロ
セスガスの流れの量が同じになるように確保することを
促進するためには、他の方法を用いてもよい。例えば、
マニホールド３６が実際に２つのマニホールドとなるよ
うに変形してもよく、これらは、ガス供給ライン７０、
７２の１つ以上につながる外側マニホールド（図示せ
ず）と、第１のノズル３４が設置される内側マニホール
ド（図示せず）であり、外側マニホールドは、内側マニ
ホールドの中へと開く開口を有している。内側マニホー
ルドと外側マニホールドをつなぐ開口は、ガス供給ライ
ン７０、７２の入口近くで小さくなり入口から遠くなれ
ば大きくなり、第１のノズル３４それぞれの流量を等し
くすることを補助する。
【００１９】堆積チャンバ２はドライクリーニングの操
作に適しているが、図５のに示されるシステムを用い
て、ノズルの適正なクリーニングを確保することを促進
することができる。最終バルブとして機能するプロセス
ガスバルブ７８を共通ガス供給ライン８０に用いて、ク
リーニング操作中に第１のガスコントローラから真空チ
ャンバ１８を遮断する。プロセスガスバルブ７８の下
流、即ちプロセスガスバルブ７８とマニホールド３６の
間にはクリーニングガスライン８２があり、これには、
共に流動制御組立体９０として機能する流動制御バルブ
８６及び遮断バルブ８８を介して、真空ポンプ８４を共
通ガス供給ライン８０へとつなげている。クリーニング
ノズル３４に対しては、バルブ７８は閉じており、クリ
ーニングガスは真空チャンバ１８内に導入され、遮断バ
ルブ８８を開き流動制御バルブ８６を調節して、真空ポ
ンプ８４を動作させたとき、真空ポンプ８４がクリーニ
ングガスをマニホールド３６及びライン８２に逆流させ
て、オリフィス３８を介してノズル３４内にゆっくりと
引っ張ることができるようにする。この方法では、ノズ
ル３４内のクリーニングには、クリーニングガスをオリ
フィス３８を介してノズルの内側まで拡散させる能力は
残っていないものの、真空ポンプ８４によってゆっくり
ではあるが能動的にオリフィスを介してノズルに引っ張
っている。
作に適しているが、図５のに示されるシステムを用い
て、ノズルの適正なクリーニングを確保することを促進
することができる。最終バルブとして機能するプロセス
ガスバルブ７８を共通ガス供給ライン８０に用いて、ク
リーニング操作中に第１のガスコントローラから真空チ
ャンバ１８を遮断する。プロセスガスバルブ７８の下
流、即ちプロセスガスバルブ７８とマニホールド３６の
間にはクリーニングガスライン８２があり、これには、
共に流動制御組立体９０として機能する流動制御バルブ
８６及び遮断バルブ８８を介して、真空ポンプ８４を共
通ガス供給ライン８０へとつなげている。クリーニング
ノズル３４に対しては、バルブ７８は閉じており、クリ
ーニングガスは真空チャンバ１８内に導入され、遮断バ
ルブ８８を開き流動制御バルブ８６を調節して、真空ポ
ンプ８４を動作させたとき、真空ポンプ８４がクリーニ
ングガスをマニホールド３６及びライン８２に逆流させ
て、オリフィス３８を介してノズル３４内にゆっくりと
引っ張ることができるようにする。この方法では、ノズ
ル３４内のクリーニングには、クリーニングガスをオリ
フィス３８を介してノズルの内側まで拡散させる能力は
残っていないものの、真空ポンプ８４によってゆっくり
ではあるが能動的にオリフィスを介してノズルに引っ張
っている。
【００２０】使用に際しては、オペレータは、中心ノズ
ル５６の排気を、ノズル３４を介した同じプロセスガス
又は別のプロセスガスの通路とは独立に制御することに
より、基板２０上に生じる堆積物の厚さの均一性を制御
することが可能となる。また、真空チャンバ１８に通じ
るオリフィス３８それぞれの中を通る流量を等しくする
ことを促進することによっても、厚さの均一性を向上す
ることが可能である。これは、共通ガスソース７６から
の共通の流動抵抗を示すような２つ以上のガス供給ライ
ン７０、７２などを用いて、マニホールド３６にガスを
供給することによることが好ましい。所定の時間の後、
真空チャンバ１８内に様々なクリーニングガスを用い
て、堆積チャンバ２のクリーニングを行うことが好まし
い。オリフィス３８及びノズル３４の内側の残りの部分
は、真空ポンプ８４、典型的には粗引きポンプを用い
て、オリフィス３８からノズル３４の内側へ、マニホー
ルド３６へと、最終的にはチャンバ２から、逆流の方法
でクリーニングガスを引くことにより、効果的にクリー
ニングすることができる。
ル５６の排気を、ノズル３４を介した同じプロセスガス
又は別のプロセスガスの通路とは独立に制御することに
より、基板２０上に生じる堆積物の厚さの均一性を制御
することが可能となる。また、真空チャンバ１８に通じ
るオリフィス３８それぞれの中を通る流量を等しくする
ことを促進することによっても、厚さの均一性を向上す
ることが可能である。これは、共通ガスソース７６から
の共通の流動抵抗を示すような２つ以上のガス供給ライ
ン７０、７２などを用いて、マニホールド３６にガスを
供給することによることが好ましい。所定の時間の後、
真空チャンバ１８内に様々なクリーニングガスを用い
て、堆積チャンバ２のクリーニングを行うことが好まし
い。オリフィス３８及びノズル３４の内側の残りの部分
は、真空ポンプ８４、典型的には粗引きポンプを用い
て、オリフィス３８からノズル３４の内側へ、マニホー
ルド３６へと、最終的にはチャンバ２から、逆流の方法
でクリーニングガスを引くことにより、効果的にクリー
ニングすることができる。
【００２１】好ましい具体例では、２つのガスコントロ
ーラ６０、７４及び２つの別々のガスソース５８、７６
を用いることにより最大のフレキシビリティが実現され
るが、それは、ノズル３４及び５６の中を通るガスの組
成及び流量を独立に変えることができるからである。ノ
ズル３４及び５６に同じ組成のガスを用いる場合は、ガ
スをライン６２及び８０に供給するために、１つのガス
ソース、１つのガスコントローラおよび１つの流れ分割
器を用いればよい。
ーラ６０、７４及び２つの別々のガスソース５８、７６
を用いることにより最大のフレキシビリティが実現され
るが、それは、ノズル３４及び５６の中を通るガスの組
成及び流量を独立に変えることができるからである。ノ
ズル３４及び５６に同じ組成のガスを用いる場合は、ガ
スをライン６２及び８０に供給するために、１つのガス
ソース、１つのガスコントローラおよび１つの流れ分割
器を用いればよい。
【００２２】上述の具体例は、直径８インチ（約２０ｃ
ｍ）の基板のために設計されたものである。基板の直径
が大きくなり、例えば１２インチ（約３０ｃｍ）となっ
た場合は、図１（ａ）に例示するマルチ中心ノズル５６
ａを用いることが必要である。このような具体例では、
堆積物の厚さの変化のプロットは、（図３に示すよう
な）３つ山、４つ山、又は５つ山の形状となるだろう。
堆積物の厚さのプロットの形状は、中心ノズル５６ａ及
びオリフィス６４のタイプ、数、方向及び間隔に影響を
受けるだろう。
ｍ）の基板のために設計されたものである。基板の直径
が大きくなり、例えば１２インチ（約３０ｃｍ）となっ
た場合は、図１（ａ）に例示するマルチ中心ノズル５６
ａを用いることが必要である。このような具体例では、
堆積物の厚さの変化のプロットは、（図３に示すよう
な）３つ山、４つ山、又は５つ山の形状となるだろう。
堆積物の厚さのプロットの形状は、中心ノズル５６ａ及
びオリフィス６４のタイプ、数、方向及び間隔に影響を
受けるだろう。
【００２３】本発明から離れることなく、ここに開示し
た具体例の変形を行うことができる、例えば、中心ノズ
ル５６は、多数の出口を有するシャワーヘッドタイプの
ガスディストリビュータに置き換えてもよい。同様に、
ノズル３４又はノズル５６ａは、例えば、チャンバ１８
にプロセスガスを供給するガス出口又はオリフィスを有
するリング状の構造体に置き換えてもよい。
た具体例の変形を行うことができる、例えば、中心ノズ
ル５６は、多数の出口を有するシャワーヘッドタイプの
ガスディストリビュータに置き換えてもよい。同様に、
ノズル３４又はノズル５６ａは、例えば、チャンバ１８
にプロセスガスを供給するガス出口又はオリフィスを有
するリング状の構造体に置き換えてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、付加的ないし第２のガスディストリビュータを基板
支持面の上方の中心に配置させることにより、堆積物の
厚さの均一性を向上させることができるようになる。ま
た、共通マニホールドに与えられるプロセスガスを一連
のガスディストリビュータに供給する圧力を、等しくす
ることにより、堆積物の厚さの均一性が向上する。
ば、付加的ないし第２のガスディストリビュータを基板
支持面の上方の中心に配置させることにより、堆積物の
厚さの均一性を向上させることができるようになる。ま
た、共通マニホールドに与えられるプロセスガスを一連
のガスディストリビュータに供給する圧力を、等しくす
ることにより、堆積物の厚さの均一性が向上する。
【図１】本発明に従った堆積チャンバの断面図である。
（ａ）は、図１本図に示されたものとは異なる、直径の
大きな（例えば１２インチないし３０ｃｍ）基板に特に
有用であることが見出された３つのオリフィスを有する
中心ノズルの外観図である。
（ａ）は、図１本図に示されたものとは異なる、直径の
大きな（例えば１２インチないし３０ｃｍ）基板に特に
有用であることが見出された３つのオリフィスを有する
中心ノズルの外観図である。
【図２】従来技術による堆積物の厚さの変化を表すＭ字
型の特性を誇張した描いた図である。
型の特性を誇張した描いた図である。
【図３】本発明に従った装置及び方法を用いた場合の、
図２と同様の堆積の厚さの変化を表す図である。
図２と同様の堆積の厚さの変化を表す図である。
【図４】プロセスガスを等しい圧力でマニホールドに供
給するために用いられる、１対の等しい長さのガス供給
ラインの構成図である。
給するために用いられる、１対の等しい長さのガス供給
ラインの構成図である。
【図５】真空ポンプを用いてノズルからチャンバ内のク
リーニングガスを引き出す方法を例示する装置の構成図
である。
リーニングガスを引き出す方法を例示する装置の構成図
である。
２…堆積チャンバ、４…ハウジング、６…誘電ドーム、
８…ＲＦ誘導コイル、１０…ソースＲＦジェネレータ、
１２…整合回路、１４…基板支持体、１６…基板支持
面、１８…真空チャンバ、２０…基板、２２…バイアス
ＲＦジェネレータ、２４…整合回路、２５…ハウジング
上部、２６…第２のバイアスＲＦジェネレータ、２８…
整合回路、３０…側壁、３２…ハウジング底部、３４…
ノズル、３６…ガスマニホールド、３８…オリフィス、
４０…基板支持体外縁、４２…基板外縁、４４…排気ポ
ート、４６…プロット、４８…ベースライン、５０，５
２…プロット両端、５４…プロット中心、５６…中心ノ
ズル、５８…第２のガスソース、６０…第２のガスコン
トローラ、６２…第２のガス供給ライン、６４…オリフ
ィス、６８…プロット、７０，７２…ガス供給ライン、
７４…第１のガスコントローラ７４、７６…第１のガス
ソース、７８…プロセスガスバルブ、８０…共通ガス供
給ライン、８２…クリーニングガスライン、８４…真空
ポンプ、８６…流動制御バルブ、８８…遮断バルブ。
８…ＲＦ誘導コイル、１０…ソースＲＦジェネレータ、
１２…整合回路、１４…基板支持体、１６…基板支持
面、１８…真空チャンバ、２０…基板、２２…バイアス
ＲＦジェネレータ、２４…整合回路、２５…ハウジング
上部、２６…第２のバイアスＲＦジェネレータ、２８…
整合回路、３０…側壁、３２…ハウジング底部、３４…
ノズル、３６…ガスマニホールド、３８…オリフィス、
４０…基板支持体外縁、４２…基板外縁、４４…排気ポ
ート、４６…プロット、４８…ベースライン、５０，５
２…プロット両端、５４…プロット中心、５６…中心ノ
ズル、５８…第２のガスソース、６０…第２のガスコン
トローラ、６２…第２のガス供給ライン、６４…オリフ
ィス、６８…プロット、７０，７２…ガス供給ライン、
７４…第１のガスコントローラ７４、７６…第１のガス
ソース、７８…プロセスガスバルブ、８０…共通ガス供
給ライン、８２…クリーニングガスライン、８４…真空
ポンプ、８６…流動制御バルブ、８８…遮断バルブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フレッド シー． レデカー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フレモント， スー ドライヴ 1801 (72)発明者 石川 哲也 アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， ブラッサム ドライヴ 873
Claims (30)
- 【請求項１】 堆積チャンバであって、 真空チャンバを画成するハウジングと、 中心領域と外縁とを有する基板支持面を、前記真空チャ
ンバの中に有する、基板支持体と、 前記真空チャンバの中に開いている第１の出口であって
前記基板支持面の前記外縁と間隔をおき且つその略上方
にあるように配置される前記第１の出口を有する、複数
の第１のガスディストリビュータと、 少なくとも前記基板支持面の前記中心領域と間隔をおき
且つその略上方にあるように配置される第２の出口を有
する第２にガスディストリビュータとを備える堆積チャ
ンバ。 - 【請求項２】 前記ハウジングに設置され高周波（Ｒ
Ｆ）ジェネレータにつながっている誘導コイルを更に備
える請求項１に記載の堆積チャンバ。 - 【請求項３】 前記外縁が略円形である請求項１に記載
の堆積チャンバ。 - 【請求項４】 前記第１のガスディストリビュータが、
前記基板支持面の中心の周囲に等間隔に配置される複数
のノズルを有する請求項１に記載の堆積チャンバ。 - 【請求項５】 前記第２のガスディストリビュータが第
２の出口を有し、前記第２の出口がオリフィスを１つ有
する請求項１に記載の堆積チャンバ。 - 【請求項６】 前記第２のガスディストリビュータが複
数の第２のノズルを有し、前記第２の出口が複数のオリ
フィスを有する請求項１に記載の堆積チャンバ。 - 【請求項７】 前記第２のガスディストリビュータが、
前記基板支持面といずれかの第１のガスディストリビュ
ータとの間の距離の少なくとも２倍長い距離で、前記基
板支持面から間隔をおいて配置される請求項１に記載の
堆積チャンバ。 - 【請求項８】 前記第１のガスディストリビュータに流
動可能につながるガスマニホールドを更に備える請求項
１に記載の堆積チャンバ。 - 【請求項９】 実質的に同じ圧力で複数の前記第１のガ
スディストリビュータにガスを供給することを促進する
ための手段を更に備える請求項８に記載の堆積チャン
バ。 - 【請求項１０】 前記手段が、マニホールドの別々の位
置でマニホールドに流動可能につながる、直径が等しく
長さが等しい複数のガス供給ラインを備える請求項９に
記載の堆積チャンバ。 - 【請求項１１】 前記手段が、マニホールドの別々の位
置でマニホールドに流動可能につながる複数のガス供給
ラインであって、前記ガス供給ラインのそれぞれは流体
の流動に対して等しい抵抗を与えるように構成された、
前記ガス供給ラインを備える請求項９に記載の堆積チャ
ンバ。 - 【請求項１２】入口と出口とを有する真空ポンプと、 前記第１のガスディストリビュータと前記第２のガスデ
ィストリビュータとの少なくとも一方を、前記入口に流
動可能に接続する通路と、 真空チャンバ内のクリーニングガスが制御された状態
で、真空チャンバから、前記第１のガスディストリビュ
ータと前記第２のガスディストリビュータとの少なくと
も一方を通って引かれて、前記ディストリビュータの有
効なクリーニングを確保するように、前記通路の流体の
流動を制御する、流動制御組立体とを更に備える請求項
１に記載の堆積チャンバ。 - 【請求項１３】 前記真空ポンプが粗引きポンプである
請求項１２に記載の堆積チャンバ。 - 【請求項１４】 前記流動制御組立体が、前記通路に設
置される遮断バルブと、前記通路の前記遮断バルブと前
記真空ポンプとの間に設置される流動コントローラとを
備える請求項１２に記載の堆積チャンバ。 - 【請求項１５】 堆積チャンバ内で基板上に膜を堆積す
るための方法であって、 （ａ）第１のプロセスガスを、前記チャンバ内の基板の
周囲の略上方に配置する複数の位置で、前記チャンバ内
に注入するステップと、 （ｂ）第２のプロセスガスを、前記基板から間隔をおき
且つ前記基板の中心に配置される領域で、前記チャンバ
内に注入するステップとを有し、前記ステップ（ｂ）が
堆積物の均一性の制御を促進する方法。 - 【請求項１６】前記第１のプロセスガス及び前記第２の
プロセスガスが、選択された比で注入される請求項１５
に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記ステップ（ａ）と前記ステップ
（ｂ）とが、同時に行われる請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記ステップ（ａ）が、シランと、Ｔ
ＥＯＳと、四弗化珪素(silicon tetrafluoride)とから
なる群より少なくとも１つ選択されるガスを用いて行わ
れる請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１９】 前記ステップ（ａ）と前記ステップ
（ｂ）のそれぞれが、前記堆積チャンバ内で寿命の短い
少なくとも１つの反応性堆積ガスを用いて行われる請求
項１５に記載の方法。 - 【請求項２０】 前記ステップ（ａ）と前記ステップ
（ｂ）とが、同じ組成のガスを用いて行われる請求項１
５に記載の方法。 - 【請求項２１】 前記ステップ（ａ）と前記ステップ
（ｂ）とが、組成の異なるガスを用いて行われる請求項
１５に記載の方法。 - 【請求項２２】 前記ステップ（ｂ）が、オリフィスを
１つ有するノズルを用いて行われる請求項１５に記載の
方法。 - 【請求項２３】 前記ステップ（ｂ）が、複数のオリフ
ィスを有するノズルを用いて行われる請求項１５に記載
の方法。 - 【請求項２４】前記ステップ（ｂ）を前記ステップ
（ａ）と独立に制御するステップを更に有する請求項１
５に記載の方法。 - 【請求項２５】前記第１のプロセスガスを共通マニホー
ルドを介して前記第１のガスディストリビュータに供給
するステップを更に有する請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２６】前記第１のプロセスガスを前記マニホー
ルドの複数の位置に供給するステップを更に有する請求
項２５に記載の方法。 - 【請求項２７】前記第１のプロセスガスを、等しい流動
抵抗特性を有する複数のガス供給ラインを介して、マニ
ホールドの複数の位置に供給するステップを更に有する
請求項２６に記載の方法。 - 【請求項２８】 中心領域を有する基板支持体と、前記
基板支持体の外縁の略上方に配置されるガス出口を有す
る複数のプロセスガスディストリビュータとを収容する
真空チャンバを備える堆積チャンバであって、 少なくとも前記基板支持体の前記中心領域から間隔をお
き且つ前記中心領域の略上方に配置される付加的な出口
を備える堆積チャンバ。 - 【請求項２９】 基板支持体と、マニホールドに流動可
能につながり前記基板支持体の外縁の略上方に配置され
るガス出口を有する複数のガスディストリビュータとを
収容する真空チャンバを備える堆積チャンバであって、 別々の位置で前記マニホールドに流動可能につながる少
なくとも２つのガス供給ラインと、 プロセスガスを実質的に同じ圧力で、前記ガス供給ライ
ンを介して前記ガスディストリビュータに供給すること
を促進するための手段とを備える堆積チャンバ。 - 【請求項３０】 基板支持体と、前記基板支持体の上方
に配置されるガス出口を有する複数のガスディストリビ
ュータとを収容する真空チャンバを備える堆積チャンバ
であって、 入口と出口とを有する真空ポンプと、 前記入口を前記ガスディストリビュータに流動可能につ
なげる通路と、 真空チャンバ内のクリーニングガスが制御された状態
で、真空チャンバから、前記ガスディストリビュータを
通って引かれて、前記ディストリビュータの有効なクリ
ーニングを確保するように、前記通路の流体の流動を制
御する、流動制御組立体とを備える堆積チャンバ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/571618 | 1995-12-13 | ||
| US08/571,618 US5772771A (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181065A true JPH09181065A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=24284424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8313898A Pending JPH09181065A (ja) | 1995-12-13 | 1996-11-25 | 堆積チャンバ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5772771A (ja) |
| JP (1) | JPH09181065A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100406173B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 촉매 분사 수단을 구비한 히터 블록 |
| JP2008007838A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Horiba Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
Families Citing this family (100)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165311A (en) * | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US5772771A (en) * | 1995-12-13 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity |
| US5976993A (en) * | 1996-03-28 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method for reducing the intrinsic stress of high density plasma films |
| US6070551A (en) * | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
| US6184158B1 (en) * | 1996-12-23 | 2001-02-06 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma CVD |
| US6673673B1 (en) * | 1997-04-22 | 2004-01-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains |
| JPH10330932A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-15 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| US6042687A (en) * | 1997-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing |
| US6090457A (en) * | 1997-10-21 | 2000-07-18 | Sanyo Vaccum Industries Co. Ltd. | Process of making a thin film |
| US5964520A (en) * | 1997-12-15 | 1999-10-12 | Lee; Hung Wen | Christmas tree light |
| US6041735A (en) * | 1998-03-02 | 2000-03-28 | Ball Semiconductor, Inc. | Inductively coupled plasma powder vaporization for fabricating integrated circuits |
| US6112696A (en) * | 1998-02-17 | 2000-09-05 | Dry Plasma Systems, Inc. | Downstream plasma using oxygen gas mixture |
| US6123776A (en) * | 1998-03-04 | 2000-09-26 | United Microelectronics Corp. | Gas delivering apparatus for chemical vapor deposition |
| US6015465A (en) * | 1998-04-08 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Temperature control system for semiconductor process chamber |
| US6185839B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber having improved gas distributor |
| US6230651B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
| KR100331544B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2002-04-06 | 윤종용 | 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드 |
| US6620289B1 (en) * | 1999-04-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc | Method and apparatus for asymmetric gas distribution in a semiconductor wafer processing system |
| US6432259B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates |
| US6426280B2 (en) | 2000-01-26 | 2002-07-30 | Ball Semiconductor, Inc. | Method for doping spherical semiconductors |
| JP4222707B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2009-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、ガス供給リング及び誘電体 |
| TW521386B (en) * | 2000-06-28 | 2003-02-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Hexagonal boron nitride film with low dielectric constant, layer dielectric film and method of production thereof, and plasma CVD apparatus |
| US6450117B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Directing a flow of gas in a substrate processing chamber |
| US6333272B1 (en) | 2000-10-06 | 2001-12-25 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| KR100436941B1 (ko) * | 2000-11-07 | 2004-06-23 | 주성엔지니어링(주) | 박막 증착 장치 및 그 방법 |
| US6363624B1 (en) | 2000-11-21 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning a semiconductor process chamber |
| US20020129768A1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-19 | Carpenter Craig M. | Chemical vapor deposition apparatuses and deposition methods |
| US6902622B2 (en) * | 2001-04-12 | 2005-06-07 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate |
| EP1399789A1 (en) * | 2001-05-24 | 2004-03-24 | Unit Instruments, Inc. | Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids |
| US6676760B2 (en) | 2001-08-16 | 2004-01-13 | Appiled Materials, Inc. | Process chamber having multiple gas distributors and method |
| US6677250B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-01-13 | Micron Technology, Inc. | CVD apparatuses and methods of forming a layer over a semiconductor substrate |
| US20030070620A1 (en) | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Cooperberg David J. | Tunable multi-zone gas injection system |
| US6590344B2 (en) * | 2001-11-20 | 2003-07-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Selectively controllable gas feed zones for a plasma reactor |
| US6787185B2 (en) * | 2002-02-25 | 2004-09-07 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods for improved delivery of metastable species |
| US6730367B2 (en) * | 2002-03-05 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition method with point of use generated reactive gas species |
| EP2050839A3 (en) * | 2002-03-08 | 2009-05-13 | Canon Anelva Corporation | Method and apparatus for production of metal film |
| JP4338355B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2009-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US6838114B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7150789B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition methods |
| US6887521B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices |
| US7534363B2 (en) * | 2002-12-13 | 2009-05-19 | Lam Research Corporation | Method for providing uniform removal of organic material |
| US7169231B2 (en) * | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
| US20040112540A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Lam Research Corporation | Uniform etch system |
| US6926775B2 (en) | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| KR100500246B1 (ko) * | 2003-04-09 | 2005-07-11 | 삼성전자주식회사 | 가스공급장치 |
| US7037376B2 (en) * | 2003-04-11 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | Backflush chamber clean |
| US6890597B2 (en) * | 2003-05-09 | 2005-05-10 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD uniformity control |
| US6829056B1 (en) | 2003-08-21 | 2004-12-07 | Michael Barnes | Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates |
| US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US7072743B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-07-04 | Mks Instruments, Inc. | Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method |
| US7282158B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-10-16 | Aviza Technology Limited | Method of processing a workpiece |
| GB2412382B (en) * | 2004-03-26 | 2007-08-01 | Trikon Technologies Ltd | Method of processing a workpiece |
| US7584942B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| KR101309334B1 (ko) * | 2004-08-02 | 2013-09-16 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 화학적 기상 증착 반응기용 멀티 가스 분배 인젝터 |
| US7722737B2 (en) | 2004-11-29 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for improved transient phase deposition |
| US7510624B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-03-31 | Applied Materials, Inc. | Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications |
| US7722719B2 (en) | 2005-03-07 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| US7972441B2 (en) | 2005-04-05 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal oxidation of silicon using ozone |
| JP2007051002A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Kyocera Mita Corp | 用紙カセット |
| US8216374B2 (en) | 2005-12-22 | 2012-07-10 | Applied Materials, Inc. | Gas coupler for substrate processing chamber |
| US8097120B2 (en) * | 2006-02-21 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Process tuning gas injection from the substrate edge |
| KR101501426B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2015-03-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어 |
| KR100849929B1 (ko) * | 2006-09-16 | 2008-08-26 | 주식회사 피에조닉스 | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
| US20080099450A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with backside optical sensors and multiple frequency control of etch distribution |
| US7967930B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode |
| US8002946B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate |
| US8017029B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside |
| US9218944B2 (en) | 2006-10-30 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors |
| US8012366B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-06 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a transparent workpiece including backside endpoint detection steps |
| US20080099437A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Richard Lewington | Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection |
| US7976671B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution |
| US7740706B2 (en) | 2006-11-28 | 2010-06-22 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| US20080121177A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Applied Materials, Inc. | Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber |
| US7758698B2 (en) | 2006-11-28 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber |
| US20080124944A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| US20080226838A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Plasma CVD apparatus and film deposition method |
| WO2008114958A1 (en) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Sosul Co., Ltd. | Apparatus for plasma processing and method for plasma processing |
| US8137463B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Dual zone gas injection nozzle |
| JP4533926B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2010-09-01 | 財団法人高知県産業振興センター | 成膜装置及び成膜方法 |
| US8298338B2 (en) * | 2007-12-26 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| JP5233734B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、成膜装置及び成膜方法 |
| US20090221149A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Hammond Iv Edward P | Multiple port gas injection system utilized in a semiconductor processing system |
| WO2010041213A1 (en) * | 2008-10-08 | 2010-04-15 | Abcd Technology Sarl | Vapor phase deposition system |
| WO2010048076A2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma source for chamber cleaning and process |
| MY165356A (en) * | 2009-09-10 | 2018-03-21 | Lam Res Corp | Replaceable upper chamber parts of plasma processing apparatus |
| TWI369251B (en) * | 2010-02-01 | 2012-08-01 | Ind Tech Res Inst | Gas distribution module and gas distribution scanning apparatus using the same |
| US9512520B2 (en) * | 2011-04-25 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate processing system |
| US9941100B2 (en) * | 2011-12-16 | 2018-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle |
| US20140038421A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deposition Chamber and Injector |
| WO2014119177A1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | 京セラ株式会社 | ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置 |
| CN107424901B (zh) * | 2013-03-12 | 2019-06-11 | 应用材料公司 | 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件 |
| US10465288B2 (en) * | 2014-08-15 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Nozzle for uniform plasma processing |
| CN106876299B (zh) * | 2015-12-11 | 2019-08-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备 |
| KR102553629B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| CN110885973A (zh) * | 2018-09-11 | 2020-03-17 | 上海引万光电科技有限公司 | 化学气相沉积设备 |
| JP6922959B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-08-18 | 株式会社明電舎 | 酸化膜形成装置 |
| US20220285133A1 (en) * | 2021-03-02 | 2022-09-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3717439A (en) * | 1970-11-18 | 1973-02-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Vapour phase reaction apparatus |
| JPS61231716A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Hitachi Ltd | 成膜装置 |
| JPS61263118A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-21 | Sharp Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS61283118A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体装置の製造方法 |
| JPH0830273B2 (ja) * | 1986-07-10 | 1996-03-27 | 株式会社東芝 | 薄膜形成方法及び装置 |
| FR2614317B1 (fr) * | 1987-04-22 | 1989-07-13 | Air Liquide | Procede de protection de substrat polymerique par depot par plasma de composes du type oxynitrure de silicium et dispositif pour sa mise en oeuvre. |
| DE3885833T2 (de) * | 1987-09-22 | 1994-03-24 | Nec Corp | Chemischer Dampfabscheidungsapparat für die Herstellung von hochqualitativen epitaktischen Schichten mit gleichmässiger Dichte. |
| DE3833232A1 (de) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von bei raumtemperatur fluessigen monomeren |
| JPH0394069A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| FR2653633B1 (fr) * | 1989-10-19 | 1991-12-20 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de traitement chimique assiste par un plasma de diffusion. |
| US5200232A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-06 | Lam Research Corporation | Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors |
| JP2580928Y2 (ja) * | 1991-08-22 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
| US5716494A (en) * | 1992-06-22 | 1998-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method, chemical vapor deposition method, and apparatus for processing semiconductor substrate |
| US5346578A (en) * | 1992-11-04 | 1994-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Induction plasma source |
| US5292554A (en) * | 1992-11-12 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus using a perforated pumping plate |
| US5427625A (en) * | 1992-12-18 | 1995-06-27 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Method for cleaning heat treatment processing apparatus |
| US5304398A (en) * | 1993-06-03 | 1994-04-19 | Watkins Johnson Company | Chemical vapor deposition of silicon dioxide using hexamethyldisilazane |
| US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
| US5525159A (en) * | 1993-12-17 | 1996-06-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus |
| US5620523A (en) * | 1994-04-11 | 1997-04-15 | Canon Sales Co., Inc. | Apparatus for forming film |
| US5522934A (en) * | 1994-04-26 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another |
| GB9410567D0 (en) * | 1994-05-26 | 1994-07-13 | Philips Electronics Uk Ltd | Plasma treatment and apparatus in electronic device manufacture |
| TW356554B (en) * | 1995-10-23 | 1999-04-21 | Watkins Johnson Co | Gas injection system for semiconductor processing |
| US5772771A (en) * | 1995-12-13 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity |
| US6070551A (en) * | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
-
1995
- 1995-12-13 US US08/571,618 patent/US5772771A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-11-25 JP JP8313898A patent/JPH09181065A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-13 US US09/023,500 patent/US6015591A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-11-03 US US09/433,086 patent/US6251187B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100406173B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 촉매 분사 수단을 구비한 히터 블록 |
| US6846364B2 (en) | 2000-06-13 | 2005-01-25 | Hynix Semiconductor Inc. | Heater block having catalyst spray means |
| JP2008007838A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Horiba Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6251187B1 (en) | 2001-06-26 |
| US5772771A (en) | 1998-06-30 |
| US6015591A (en) | 2000-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09181065A (ja) | 堆積チャンバ | |
| US20200149166A1 (en) | Flow control features of cvd chambers | |
| US7452827B2 (en) | Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures | |
| US5895530A (en) | Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber | |
| JP4590071B2 (ja) | 基板表面上に誘電体層を形成するための方法及び装置 | |
| KR100919538B1 (ko) | 반도체 처리 챔버용 가스 배플 및 가스 분배기 | |
| US7829145B2 (en) | Methods of uniformity control for low flow process and chamber to chamber matching | |
| US6586343B1 (en) | Method and apparatus for directing constituents through a processing chamber | |
| US20060096540A1 (en) | Apparatus to manufacture semiconductor | |
| US20080121179A1 (en) | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber | |
| EP1204783A1 (en) | A method of forming a silicon nitride layer on a semiconductor wafer | |
| US11948813B2 (en) | Showerhead device for semiconductor processing system | |
| US20040173150A1 (en) | Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces | |
| KR101548347B1 (ko) | 반도체 제조에 사용되는 원자층 증착 방법 | |
| JP4087923B2 (ja) | 堆積チャンバ及び低誘電性膜のための方法 | |
| US6194030B1 (en) | Chemical vapor deposition velocity control apparatus | |
| KR100422398B1 (ko) | 박막 증착 장비 | |
| WO2018164807A1 (en) | Diffuser design for flowable cvd | |
| JP2023504829A (ja) | 堆積チャンバ用のガス分配セラミックヒータ | |
| KR100697267B1 (ko) | 화학기상 증착장치 | |
| CN113493905A (zh) | 用于喷淋头的冲洗固定装置 | |
| JP2000252215A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| KR20060001082A (ko) | 증착 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060612 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060920 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060925 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080401 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080619 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080624 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081007 |