KR100919538B1 - 반도체 처리 챔버용 가스 배플 및 가스 분배기 - Google Patents

반도체 처리 챔버용 가스 배플 및 가스 분배기

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KR100919538B1
KR100919538B1 KR1020077020545A KR20077020545A KR100919538B1 KR 100919538 B1 KR100919538 B1 KR 100919538B1 KR 1020077020545 A KR1020077020545 A KR 1020077020545A KR 20077020545 A KR20077020545 A KR 20077020545A KR 100919538 B1 KR100919538 B1 KR 100919538B1
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옌-쿤 빅터 왕
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Abstract

본 발명의 기술은 기판 상으로 증착 가스를 분배시키는 것에 관한 것이다. 일 실시예에서, 처리 챔버(813)에 사용하기 위한 가스 분배기(200)가 제공된다. 가스 분배기는 가스 편향면(202)과 가스 분배기 표면(204)을 갖는 몸체를 포함한다. 가스 편향면은 세정 가스 통로를 형성한다. 가스 분배기 표면은 상기 가스 편향면으로부터 상기 몸체의 반대쪽에 배치되며 기판 지지 부재(818)쪽으로 지향되어 있다. 가스 분백기 표면은 상승된 스텝(212) 및 상기 상승된 스텝을 통과하는 적어도 한 세트의 구멍(210)을 포함한다. 상기 적어도 한 세트의 구멍은 기판 지지 부재 상에 위치된 기판(817) 위에 증착 가스를 분배시킨다.

Description

반도체 처리 챔버용 가스 배플 및 가스 분배기 {GAS BAFFLE AND DISTRIBUTOR FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER}
본 발명은 일반적으로 반도체 제조에 관한 것이며, 보다 더 구체적으로는 반도체 처리 챔버에 가스를 분배하기 위한 상부의 가스 배플 및 가스 분배기에 관한 것이다.
화학 기상 증착(CVD)은 기판 상에 소정 재료의 박층 또는 박막을 형성하기 위해 반도체 산업에서 사용되는 가스 반응 공정이다. 몇몇의 고밀도 플라즈마(HDP) 강화 CVD 공정들은 기판에 대해 수직에 가까운 각도로, 또는 기판 표면의 직접적인 편위에 의해 표면에 바람직한 각도로 양전하 플라즈마 이온을 음 편위된 기판 표면으로 흡인함으로써 박막 증착을 강화하기 위해 RF 발생 플라즈마의 사용을 통한 물리적 이온 발생과 함께 반응성 화학 가스를 사용한다. 집적 회로의 제작에 있어서 하나의 목표는 높은 생산성으로 매우 얇지만 균일한 박막을 기판 상에 형성하는 것이다. 동력원, 가스 분배 시스템 및 관련 배기 시스템, 기판 가열 및 냉각 시스템의 종류의 형상, 챔버의 구성, 설계, 및 대칭성, 챔버 표면의 조성 및 온도 제어, 그리고 챔버 내에서의 재료의 적층과 같은 많은 변수들이 처리 시스템 및 그 처리 시스템에 의해 수행되는 공정을 평가하는데 고려되어야 한다.
불균일한 가스 분배는 반도체 제작에 있어서 겪게 되는 하나의 문제점으로 증착 균일도에 영향을 끼치게 된다. 하나의 공지된 챔버의 구성에 있어서, 가스 플레넘(gas plenum)이 처리 영역(processing region)의 원주변에 제공되며 복수의 노즐이 내측 반경 방향으로 연장하여 기판 표면에 가스를 제공한다. 그러한 설계에 있어서의 문제점은 기판 표면 전체에 가스를 균일하게 분배하여 많은 가스들이 기판의 중심보다 기판의 가장자리 쪽으로 향하지 않게 하는 것이다. 기판 지지 부재 바로 위에 위치된 상부 가스 노즐이 증착 균일도를 개선하기 위해 사용될 수 있다.
상부 가스 노즐을 사용함으로써 얻을 수 있는 개선점들에도 불구하고, 기판 표면 상의 가스 분배 균일도를 증가시키기 위해 더 많은 개선점 및/또는 대체 기술들이 요구된다.
도 1은 공지된 가스 분배기의 횡단면도이며,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분배기의 횡단면도이며,
도 3a 및 도 3b는 세정 가스 통로를 갖는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분배기의 횡단면도이며,
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분배기의 횡단면도이며,
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분배기를 도시하는 다양한 도면과 횡단면도이며,
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3단계 가스 분배기를 도시하는 도면이며,
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분배기용 스텝의 횡단면도이며,
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분배기를 갖춘 예시적인 처리 챔버를 도시하는 도면이다.
본 발명은 가스를 챔버 내측으로 도입하는 방법 및 반도체를 처리하는 장치을 포함하는 기술들을 제공한다. 특히, 본 발명의 실시예들은 반도체 처리 챔버 내에 있는 기판 상에 처리 가스의 균일도를 증가시키는 것에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에서, 가스 분배기는 가스를 외측으로 지향시키는 상부면 및 상기 상부면과 대향하는 하부면을 갖춘 몸체를 포함한다. 하부면은 중심부 및 상기 중심부와 스텝 표면(step surface)에 의해 분리된 오목한 주변부를 가진다. 상기 몸체는 가스 입구, 상기 스텝 표면에 배열되는 복수의 가스 출구 및 상기 입구를 상기 복수의 가스 출구에 연결하는 가스 통로를 더 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 기판 처리 챔버는 천정과 측벽을 갖춘 외피(enclosure) 및 기판을 지지할 수 있는 기판 지지대를 포함한다. 가스 분배기는 기판 지지대 위의 중앙에 위치된다. 가스 분배기는 가스를 몸체의 외측과 외피 측벽 쪽으로 지향시키는 상부면, 및 상기 상부면과 대향되고 상기 기판 지지대와 이격되는 하부면을 갖춘 배플을 가지는 몸체를 포함한다. 상기 하부면은 하부면은 중심부 및 상기 중심부와 스텝 표면(step surface)에 의해 분리된 오목한 주변부를 가진다. 상기 몸체는 가스 입구, 상기 스텝 표면에 배열되는 복수의 가스 출구 및 상기 입구를 상기 복수의 가스 출구에 연결하는 가스 통로를 더 포함한다.
본 발명은 가스를 챔버 내측으로 도입하는 방법 및 반도체를 처리하는 장치을 포함하는 기술들을 제공한다. 특히, 본 발명의 실시예들은 반도체 처리 챔버 내에 있는 기판 상에 처리 가스의 균일도를 증가시키는 것에 관한 것이다.
도 1은 반도체 처리를 위한 공지된 가스 분배기의 횡단면도이다. 도 1은 가스 편향면(102) 및 가스 분배기면(104)을 갖춘 가스 분배기(100)를 도시한다. 가스 편향면(102)은 챔버 세정 공정 중에 가스를 세정하기 위한 통로를 제공한다. 세정 가스는 외형면(102)에 의해, 가스 분배기 바로 아래에 위치된 기판 지지 부재(도시 않음) 대신에 챔버벽으로 지향된다. 가스 분배기(100)는 기저부(106)에서 챔버 벽에 연결된다. 증착 가스는 기단부(108)에서 가스 분배기(100)로 공급될 수 있다. 일군의 구멍(110)들이 가스 분배기면(104) 상에 배열되어 CVD 공정 중에 증착 가스를 배분한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분배기의 횡단면도이다. 도 2는 본 발명의 청구의 범위의 범주를 부당하게 한정하는 것이 아닌, 단지 일 실시예에 불과하다. 본 기술분야의 당업자들은 다른 변경, 변형 및 대체 예들이 있을 수 있다고 이해할 것이다. 도시한 바와 같이, 본 발명은 가스를 반도체 처리 챔버로 도입하기 위한 가스 분배기(200)를 제공한다. 가스 분배기(200)는 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 탄화 실리콘(SiC), 지르코늄, 석영, 사파이어 등과 같은 임의의 적합한 재료로 제조될 수 있다. 이러한 예에 있어서, 가스 분배기(200)는 하나의 부품이다.
가스 분배기(200)는 가스 편향면(202)과 가스 분배기면(204)을 가진다. 가스 편향면(202)은 챔버 세정 공정 중에 가스를 세정하기 위한 통로를 제공한다. 세정 가스는 가스 분배기 바로 아래에 위치되는 기판 지지 부재(도시 않음) 대신에 챔버 벽으로 지향된다. 가스 분배기(200)는 기저부(206)에 있는 챔버 벽에 연결된다. CVD 공정 중에, 증착 가스는 기단부(208)에 있는 가스 분배기(200)로 공급된다. 증착 가스는 가스 분배기(200)를 통해 구멍(210)으로 빠져 나와서 기판 지지 부재 상의 기판 상으로 유동한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 구멍(210)은 스텝(212)의 상승면인 가스 분배면(204) 상에 배열된다. 스텝(212)은 예정된 직경을 갖는 가스 분배기면(204) 상에 타원형 레벨, 바람직하게 원형 레벨을 형성할 수 있다. 상기 직경은 약 0.01 인치 내지 약 3.00 인치 범위일 수 있다. 스텝(212)은 약 0.60 인치 내지 약 약 0.75 인치 범위의 수직 높이, 및 약 90°내지 약 15°범위의 경사도를 가질 수 있다. 스텝(212)은 가스 분배기(200)의 가스 분배를 개선한다. 특히, 증착 가스는 스텝(212)에 의해 중심부(214)로부터 분리되는 주변부(216)로 더 멀리 분배될 수 있다. 스텝(212)의 경사도를 감소시키는 것은 가스를 외측으로 더 멀리 분산시킬 수 있게 한다.
특정 실시예에서, 가스 분배기(200)는 4, 6, 8 또는 그 이상의 구멍(210)을 가질 수 있다. 이들 구멍(210)은 스텝(212)의 주변부(216)을 따라 균일하게 분포되거나, 이와는 달리 스텝의 특정 부위에 집중될 수 있다. 구멍(210)의 위치 및 수는 기판 상의 증착 가스의 균일한 분배를 달성하기 위한 특정 실시예를 위해 변경될 수 있다. 유사하게, 구멍(210)의 직경도 변경될 수 있다. 직경은 약 0.005 인치 내지 약 0.250 인치 범위일 수 있다. 특정 실시예에서, 구멍(210)의 직경은 0.060 인치이다.
도 3a(측면도) 및 도 3b(평면도)는 세정 가스 통로(314)를 갖는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분배기를 도시한다. 세정 가스 통로(314)는 챔버 세정 공정 중에 세정 가스의 일부분이 가스 분배기(300)를 통해 가스 분배기면(304)으로 통과할 수 있게 한다. 따라서, 가스 분배기면(304)은 더욱 용이하게 세정될 수 있다. 이러한 특정 실시예에서는 8 개의 세정 가스 통로(314)가 있다. 그러나, 대체 실시예에서, 세정 가스 통로의 수는 약 50개까지 될 수 있다. 각각의 세정 가스 통로(314)의 직경은 가스 분배면(204)의 효율적인 세정을 가능하게 하는 약 0.06 인치 내지 약 0.25 인치일 수 있다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분배기(400)의 횡단면도이다. 단일 부품의 가스 분배기(400)는 가스 편향면(402) 및 가스 분배기면(404)을 가진다. 가스 분배기(400)는 기저부(406)에서 챔버벽에 연결된다. CVD 공정 중에, 증착 가스는 기단부(408)에서 가스 분배기(400)로 공급된다. 이러한 증착 가스는 가스 분배기(400)를 통해 구멍(410)과 공급 구멍(416)을 빠져 나와서 기판 지지 부재(도시 않음) 상의 기판 위치로 유동된다. 도 4b에 도시한 바와 같이, 구멍(410)은 가스 분배기면(404) 상의 스텝(412)에 배치되며, 공급 구멍(416)은 가스 분배기(400)의 측단부에 배치된다. 공급 구멍(416)은 균일한 분배를 위해 구멍을 보충하도록 기판 가장자리에서의 증착을 증가시키기 위해 제공된다. 공급 구멍(416) 및 구멍(410)의 수, 위치 및 원주는 특정 적용을 위해 변경될 수 있다. 하나의 특정 실시예에서, 가스 분배기(400)는 8 개의 공급 구멍(416)과 4 개의 구멍(410)을 포함한다. 다른 실시예에서, 가스 분배기(400)는 구멍(410) 없이 공급 구멍(416)만을 가질 수 있다. 이와는 달리, 가스 분배기(400)는 공급 구멍(416) 없이 구멍(410)만을 가질 수 있다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 가스 분배기(500)를 도시하는 다양한 도면과 횡단면도이다. 가스 분배기(500)는 세정 가스 통로(514) 및 두 개의 스텝, 즉 스텝(512a,512b)을 포함한다. 가스 분배기면(504) 상의 스텝(512a,512b)은 각각 구멍 세트를 형성할 수 있다. 스텝의 수가 증가하면 가스 분배에 대한 더 많은 조정을 가능하게 하여 균일도 개선하게 된다. 스텝(512a)에 포함된 구멍의 수와 위치는 스텝(512b)과 상이하다. 예를 들어, 구멍(510a,510b)은 중앙 지점(518)으로부터 반경 방향으로 정렬되지 않는다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 3 개의 스텝을 갖춘 가스 분배기(600)를 도시한다. 가스 분배기면(604)은 스텝(612a,612b,612c)을 포함하며, 이들 각각은 구멍(610a,610b,610c)을 가진다. 3 개의 스텝은 가스 분배의 더욱 향상된 제어를 위한 3 개의 영역을 제공한다. 또한, 보다 짧은 길이의 구멍으로 인해, 구멍(612)의 직경은 개선된 가스 분배 제어를 위해 감소될 수 있다. 특정 실시예에서, 가스 분배기(600)는 두 개 부품의 플레넘이다. 본 발명의 다른 실시예들은 4, 5, 6, 또는 그 이상의 스텝을 포함할 수 있다는 점을 주목해야 한다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예들에 따른 가스 분배기 스텝을 도시하는 횡단면도이다. 도 7a에서, 가스 분배기 스텝은 가스 분배기면 상에 나사부와 라이저부(riser portion)를 포함한다. 라이저부는 나사부에 대해 수직일 수 있다. 각도(710)는 약 90°내지 약 180°일 수 있다. 특정 실시예에서, 각도(710)는 약 45°이다. 가스 분배기면 상의 구멍은 스텝의 라이저부에 배치된다. 구멍은 (작은 진동으로도 홀(hole)의 기계 가공을 더욱 정확히 할 수 있게 하는 라이저에 수직한 홀을 갖춘)라이저부에 수직하거나, 이와는 달리 도 7b에 도시한 바와 같이, 각도(720)를 형성할 수 있다. 각도(720)는 예를 들어, 약 15 내지 약 120°범위일 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분배기(811)를 갖춘 예시적인 처리 챔버 시스템을 도시한다. 도 8은 예시적인 HDP-CVD 시스템(810)의 구조에 대한 일 실시예를 개략적으로 도시한다. 상기 시스템(810)은 챔버(813), 진공 시스템(870), 소오스 플라즈마 시스템(880A), 바이어스 플라즈마 시스템(880B), 가스 분배 시스템(833), 및 원격 플라즈마 세정 시스템(850)을 포함한다.
챔버(813)의 상부는 알루미늄 산화물 또는 질화 알루미늄, 사파이어, SiC 또는 석영과 같은 세라믹 유전체 재료로 제조되는 돔(814)을 포함한다. 히터 판(823)과 냉각 판(824)은 돔(814) 위에 장착되며 돔에 열적으로 결합된다. 히터 판(823)과 냉각 판(824)은 약 100 내지 200℃ ±10℃ 범위로 돔의 온도를 제어할 수 있게 한다. 돔(814)은 플라즈마 처리 영역(816)의 상부 경계면을 형성한다. 플라즈마 처리 영역(816)은 기판(817)과 기판 지지 부재(818)의 상부면에 의해 바닥 경계면을 이룬다.
챔버(813)의 하부는 챔버를 진공 시스템에 결합하는 몸체 부재(822)를 포함한다. 기판 지지 부재(818)의 기저부(821)는 몸체 부재(822) 상에 장착되며 몸체 부재와 연속적인 내측면을 형성한다. 기판은 챔버(813) 측면에 있는 삽입/제거 개구(도시 않음)를 통해 로봇 블레이드(도시 않음)에 의해 챔버(813)의 내외측으로 이송된다. 리프트 핀(도시 않음)은 모터(도시 않음)의 제어 하에서 상승 후에 하강함으로써 상부 로딩 위치(857)에 있는 로봇 블레이드로부터, 기판이 기판 지지 부재(818)의 기판 수용부(819) 상에 놓이는 하부 처리 위치(856)로 기판을 이동시키게 된다. 기판 수용부(819)는 기판 처리 공정 중에 기판을 기판 지지 부재(818)에 고정하는 정전기 척(820)을 포함한다. 바람직한 실시예에서, 기판 지지 부재(818)는 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 세라믹 재료로 제조된다.
진공 시스템(870)은 트윈-블레이드(twin-blade) 드로틀 밸브(826)를 수납하고 있으며 게이트 밸브(827) 및 터보 분자펌프 (turbo-molecular pump)에 부착되는 드로틀 몸체(825)를 포함한다. 드로틀 몸체(825)는 가스 유동에 대한 장애를 최소화하며 대칭적인 펌핑을 가능하게 한다. 게이트 밸브(827)는 드로틀 밸브(825)와 펌프(825)를 격리시키며 드로틀 밸브(826)가 완전히 개방될 때 배기 유동 용량을 제한함으로써 챔버 압력도 제어한다. 드로틀 밸브, 게이트 밸브, 및 터보 분자 펌프의 배열은 챔버 압력을 약 1 밀리토르 내지 약 2 바아 범위로 정확하고 안정적인 제어를 가능하게 한다.
가스 분배 시스템(833)은 기판을 처리하기 위한 여러 소오스(834A-834E) 챔버로부터 가스 분배 라인(838; 단지 몇몇 개만 도시함)을 경유하여 가스를 제공한다. 본 기술 분야의 당업자들에게 이해될 수 있는 바와 같이, 소오스(834A-834E)에 사용되는 실제 소오스 및 챔버(813)에 대한 분배 라인(838)의 실제 접속은 챔버(813) 내에서 실행되는 증착 및 세정 공정에 따라 변화한다. 가스는 가스 링(837) 및/또는 가스 분배기(811)를 통해 챔버(813) 내측으로 도입된다.
몇몇 실시예에서, 제 1 및 제 2 가스 소오스(834A,834B), 및 제 1 및 제 2 가스 유동 제어기(835A',835B')는 가스 분배 라인(838; 단지 몇 개만이 도시됨)를 경유하여 가스 링(837) 내의 링 플레넘으로 가스를 제공한다. 가스 링(837)은 기판 전체에 균일한 가스 유동을 제공하는 복수의 소오스 가스 노즐(839; 단지 몇 개만이 도시됨)을 가진다. 노즐 길이 및 노즐 각도는 개개의 챔버 내부의 특정 공정에 대한 가스 이용 효율 및 균일한 프로파일의 제어를 가능하게 하도록 변경될 수 있다. 양호한 실시예에서, 가스 링(837)은 산화 알루미늄 세라믹으로 제조되는 12 개의 소오스 가스 노즐을 가진다.
가스 링(837)은 양호한 실시예에서 소오스 가스 노즐(839)과 공동 평면 상에 있고 일 실시예에서 몸체 플레넘으로부터 가스를 수용하는 복수의 산화기 가스 노즐(840; 단지 하나만이 도시됨)도 가진다. 몇몇 실시예에서, 가스를 챔버(813)로 분사하기 이전에 소오스 가스와 산화기 가스를 혼합하지 않는 것이 바람직하다. 다른 실시예에서, 산화기 가스와 소오스 가스는 몸체 플레넘과 가스 링 플레넘 사이에 구멍(도시 않음)을 제공함으로써 가스를 챔버(813) 내측으로 분사하기 이전에 혼합될 수 있다. 일 실시예에서, 제 3, 제 4 및 제 5 가스 소오스(834C,834D,834D'), 및 제 3 및 제 4 가스 유동 제어기(835C,835D')는 가스 분배 라인(838)을 경유하여 가스를 몸체 플레넘으로 공급한다. 밸브(843B; 다른 밸브들은 도시 않음)와 같은 추가의 밸브는 제어기로부터 챔버로의 가스를 차단할 수 있다.
가연성, 독성, 또는 부식성 가스가 사용되는 실시예에서, 증착 후에 가스 분배 라인에서 가스 잔류물을 제거하는 것이 바람직하다. 이는 예를 들어, 분배 라인(838A)을 챔버(813)와 격리시키고 분배 라인(838A)과 진공 전방라인(844)과 연통시키도록 밸브(843A)과 같은 3방 밸브를 사용하여 수행될 수 있다. 도 8에 도시한 바와 같이, 밸브(843A,843C)와 같은 다른 유사한 밸브가 다른 가스 분배 라인과 결합될 수 있다.
도 8을 다시 참조하면, 챔버(813)도 가스 분배기(811) 및 상부 통풍구(846)를 가진다. 가스 분배기(811) 및 상부 통풍구(846)는 가스의 상부 및 측면 유동의 독립적인 제어를 가능하게 하여 박막 균일도를 개선하고 박막의 증착 및 도핑 변수의 미세한 조절을 가능하게 한다. 상부 통풍구(846)는 가스 분배기(811) 주위의 환형 개구이다. 가스 분배기(811)는 가스 분배의 개선을 위한 본 발명의 실시예에 따라 스텝 내에 복수의 구멍을 포함함다. 일 실시예에서, 제 1 가스 소오스(834A)는 소오스 가스 노즐(839) 및 가스 분배기(811)를 공급한다. 소오스 노즐 MFC(835A')는 소오스 가스 노즐(839)로 분배되는 가스의 양을 제어하고 상부 노즐 MFC(835A)는 가스 분배기(811)로 분배되는 가스의 양을 제어한다. 유사하게, 두 개의 MFC(835B,835B')는 소오스(834B)와 같은 단일의 산소 소오스로부터 상부 통풍구(846) 및 산화기 가스 노즐(840)로의 산소 유동을 제어하는데 사용될 수 있다.가스 분배기(811) 및 상부 통풍구(846)로 공급되는 가스는 챔버(813) 내측으로의 가스 유동 이전에 별개로 유지되거나, 상기 가스는 챔버(813) 내측으로 유동되기 이전에 상부 플레넘(848) 내에서 혼합될 수 있다. 별개의 동일한 가스 소오스는 챔버의 다양한 부분들로 가스를 공급하는데 사용될 수 있다.
시스템 제어기(860)는 시스템(810)의 작동을 제어한다. 양호한 실시예에서, 제어기(860)는 프로세서(861)에 결합되는 하드 디스크 드라이브, 플로피 디스크 드라이브(도시 않음), 및 카드 랙(도시 않음)과 같은 메모리(862)를 포함한다. 카드 랙은 싱글-보오드 컴퓨터(SBC; 도시 않음), 아나로그 및 디지털 입/출력 보오드(도시 않음), 인터페이스 보오드(도시 않음), 및 스테퍼 모터 제어기 보오드(도시 않음)를 포함할 수 있다. 시스템 제어기는 보오드, 카드 케이지 및 커넥터의 칫수와 형태를 정의하는 "VME(versa modular european)" 표준을 만족한다. VME 표준은 또한, 16-비트 데이터 버어스 및 24-비트 어드레스 버어스와 같은 버어스 구조도 정의한다. 시스템 제어기(860)는 하드 디스크 드라이브 상에 저장된 컴퓨터 프로그램, 또는 제거가능한 디스크 상에 저장된 프로그램과 같은 다른 컴퓨터 프로그램의 제어하에서 작동한다. 컴퓨터 프로그램은 예를 들어, 타이밍, 가스 혼합, RF 동력값 및 특정 공정에 대한 기타 변수들을 지시한다. 유저와 시스템 제어기 사이의 인터페이스는 음극선 관(cathode ray tube)과 같은 모니터 및 라이트 펜을 경유한다.
전술한 장치와 방법의 배열은 단지 본 발명의 원리를 적용하기 위한 예시적인 예에 불과하며, 다른 실시예와 변경예들이 청구의 범위에 정의된 바와 같은 본 발명의 사상과 범부로부터 이탈함이 없이 구현될 수 있다. 그러므로, 본 발명의 범주는 전술한 설명들을 참조하지 않고 결정될 수 있으나, 동등한 모든 범주와 함께 첨부된 청구의 범위를 참조하여 결정되어야 한다.

Claims (22)

  1. 처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기로서,
    가스를 몸체로부터 외측으로 지향시키는 가스 편향면(202) 및 상기 가스 편향면(202)과 대향하는 가스 분배기면(204)을 가지는 몸체를 포함하며,
    상기 가스 분배기면(204)은 중심부(214) 및 스텝(212)에 의해 상기 중심부(214)로부터 분리된 오목한 주변부(216)를 가지며,
    상기 몸체는 가스 입구(208), 상기 스텝(212) 내에 배열되는 복수의 가스 출구(210) 및 상기 입구(208)를 상기 복수의 가스 출구(210)에 연결하는 가스 통로를 더 포함하는,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 분배기는 단일 부품인,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 분배기는 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 사파이어 및 실리콘 탄화물 중 하나 이상을 포함하는,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 스텝(212)은 상기 가스 분배기면(204) 상에 타원형을 형성하며, 상기 복수의 가스 출구(210)는 상기 스텝(212) 주위에 균일하게 분포되는,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 타원형은 원(circle)인,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 편향면(202)은 챔버의 벽쪽으로 세정 가스를 지향시키도록 곡선화되어 있는,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 편향면(202)은 기판 지지 부재로부터 이격되게 세정 가스의 방향을 바꾸도록 곡선화되어 있는,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 편향면(202)과 가스 분배기면(204) 사이로 연장하는 하나 이상의 세정 가스 통로(314)를 더 포함하는,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 출구(210)는 8 개 이상의 구멍을 포함하는,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 분배기는 상기 중심부(214) 아래에 추가의 스텝(512b) 및 상기 추가의 스텝(512b)을 통과하는 적어도 제 2 복수의 가스 출구(510b)를 더 포함하는,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  16. 기판 처리 챔버로서,
    천정과 측벽을 갖는 외피;
    상기 기판을 지지할 수 있는 기판 지지대; 및
    상기 기판 지지대 위의 중앙에 위치되며, 가스를 몸체로부터 상기 외피 측벽 쪽으로 외측으로 지향시키는 가스 편향면(202), 및 상기 가스 편향면(202)과 대향되고 상기 기판 지지대로부터 이격되는 가스 분배기면(204)을 가지는 몸체를 포함하는 가스 분배기를 포함하며;
    상기 가스 분배기면(204)은 중심부(214) 및 스텝(212)에 의해 상기 중심부(214)로부터 분리된 오목한 주변부(216)를 가지며, 상기 몸체는 가스 입구(208), 상기 스텝(212) 내에 배열되는 복수의 가스 출구(210) 및 상기 가스 입구(208)를 상기 복수의 가스 출구(210)에 연결하는 가스 통로를 더 포함하는,
    기판 처리 챔버.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 가스 편향면(202)을 향해 가스를 지향시키는 환형 가스 통로를 형성하는, 상기 몸체 일부분의 주위에 배치되는 상부 통풍구(846)를 더 포함하는,
    기판 처리 챔버.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 가스 분배기는 단일 부품인,
    기판 처리 챔버.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 편향면(202)은 오목하게 곡선화되어 있으며, 상기 중심부(214)는 상기 가스 분배기면(204)의 중심으로부터 스텝(212)으로 반경방향으로 연장하며, 상기 오목한 주변부(216)는 상기 중심부(214)에 비해 오목한,
    처리 챔버 내에 사용되는 가스 분배기.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 가스 편향면(202)은 오목하게 곡선화되어 있으며, 상기 중심부(214)는 상기 가스 분배기면(204)의 중심으로부터 스텝(212)으로 반경방향으로 연장하며, 상기 가스 분배기의 오목한 주변부(216)는 상기 중심부(214)에 비해 오목한,
    기판 처리 챔버.
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