JP4925144B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
さらに、それらの固体電解質形成用材料より電気電導性に優れる導電性高分子材料を固体電解質として用いた固体電解コンデンサが広く実用化されている。
このEDOTは、重合の反応速度が穏やかであり、陽極の誘電体酸化皮膜との密着性に優れた導電性高分子層を形成するため、固体電解コンデンサの固体電解質層形成材料として有用である。
固体電解コンデンサの電気特性は、用いる固体電解質形成材料種や形成方法に大きく依存するが、従来公知であるEDOTを凌駕する優れた導電性高分子モノマーの開発や、新しい固体電解質層の形成方法に期待が持たれている。
この重合体を採用することにより、重合体中に残留する重合用酸化剤の結晶化を抑制でき、得られる固体電解コンデンサの漏れ電流を低減することが可能とされる(特許文献2)。
この一方、固体電解コンデンサは静電容量を大容量化するために、エッチングで拡面化したアルミニウム箔を巻回または積層して陽極素子に用いる箔タイプと、金属微粒子を焼結成形して多孔体となし大容量を得る焼結成形素子タイプがある。焼結成形素子タイプは大容量化を目的に、金属微粒子の粒子径がますます微粒子化されており、そのCV積(焼結成形素子1g当りの静電容量と電圧の積)は10万μFV/g以上に及ぶ。
また、近年高性能化のためにポリピロールやPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)が固体電解質に使用される。これらは化学酸化重合や電解重合で重合されるが、多孔質焼結成形素子の空隙は微細化する傾向にあり、この空隙内にポリピロールやPEDOTを重合して充填することは困難であった。
すなわち本発明は以下に示すものである。
〔2〕
〔3〕
により表わされる化合物の少なくとも1つを重合させて得られる高分子を、誘電体酸化皮膜が形成された弁作用金属上に形成する工程を有する固体電解コンデンサの製造方法であって、
(A)上記一般式〔2〕および〔3〕により表わされる化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つ、
(B)ドーパント、
および(C)酸化剤
を、液相にて接触させて重合を行う工程を含み、
前記(B)ドーパントおよび(C)酸化剤として、(B)ドーパントおよび(C)酸化剤の双方の性質を持つ化合物を使用し、
前記(B)ドーパントおよび(C)酸化剤の双方の性質を持つ化合物が、有機スルホン酸第二鉄塩であり、
前記液相が、有機スルホン酸第二鉄塩を40〜70重量%の範囲で含み、
前記弁作用金属が、アルミニウムであることを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法である。
また下記一般式〔2〕および〔3〕
〔2〕
〔3〕
により表わされる化合物の少なくとも一方を重合させて得られる高分子を固体電解質として使用した場合には、これらのモノマーの重合速度が比較的穏やかであるため、微細な多孔質を有する弁作用金属微粒子を焼結して得られた多孔性成形体の空隙に十分充填できる。
これにより、静電容量が高く、ESRが低く、さらには耐熱性に優れる固体電解コンデンサを提供することができる。
本発明は、下記一般式〔1〕により表わされる化合物を重合させて得られる高分子を固体電解質として含む固体電解コンデンサである。
炭素数が6を超える直鎖又は分岐鎖状のアルキル基の場合、得られる化合物の重合反応性が低下し、重合体が得られにくくなる。
2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)、
2−エチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−エチル−EDOT)、
が挙げられる。
本発明に使用する前記化合物は、公知の導電性高分子モノマー、例えばEDOTと比較して重合速度が改善されているものである。
すなわち、EDOTより重合速度が緩和であるにも関わらず、重合性に富むため、多孔質で複雑な形状を有している弁作用金属の孔奥深くまで浸透して重合することが可能となる。
よって、本発明に使用される化合物の高分子は、特に、固体電解コンデンサの固体電解質に適した導電性高分子材料となる。
〔3〕
例えば、上記化合物を、酸化剤を用いて化学酸化重合することによっても高分子を得ることができ、また、電気化学的な酸化重合によっても高分子を得ることができる。
5フッ化アンチモン、5塩化リン、5フッ化リン、塩化アルミニウム、塩化モリブデンなどの金属ハロゲン化物、
過マンガン酸塩、重クロム酸塩、無水クロム酸、第二鉄塩、第二銅塩などの高原子価状態遷移金属イオン又はその塩、
硫酸、硝酸、トリフルオロメタンスルホン酸などのプロトン酸、
三酸化硫黄、二酸化窒素などの酸素化合物、
過酸化水素、過硫酸アンモニム、過ホウ酸ナトリウムなどのペルオキソ酸及び塩、
モリブドリン酸、タングストリン酸、タングストモリブドリン酸等のヘテロポリ酸及び塩等が挙げられる。
メタンスルホン酸、ドデシルスルホン酸等のアルキル置換有機スルホン酸イオン、
カンファースルホン酸イオン等の環状スルホン酸イオン、
ベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸等のアルキル置換もしくは無置換のベンゼンモノもしくはジスルホン酸イオン、
2−ナフタレンスルホン酸、1,7−ナフタレンジスルホン酸等のスルホン酸基を1〜4個置換したナフタレンスルホン酸のアルキル置換もしくは無置換イオン、
アントラセンスルホン酸イオン、アントラキノンスルホン酸イオン、
アルキルビフェニルスルホン酸、ビフェニルジスルホン酸等のアルキル置換もしくは無置換のビフェニルスルホン酸イオン、
ポリスチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合体等の高分子スルホン酸イオン等、
モリブドリン酸、タングストリン酸、タングストモリブドリン酸等のヘテロポリ酸イオン等が挙げられ、これらの各種塩を支持電解質として用いることができる。
テトラヒドロフラン(THF)、ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル類、
アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、
ジメチルホルムアミド(DMF)、アセトニトリル、ベンゾニトリル、N−メチルピロリドン(NMP)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、γ−ブチロラクトン(GBL)、プロピレンカーボネート(PC)、エチレンカーボネート(EC)、ジメチルカーボネート(DMC)、ジエチルカーボネート(DEC)等の非プロトン性溶媒、
酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、
クロロホルム、塩化メチレン等の非芳香性の塩素化合物系溶媒、
ニトロメタン、ニトロエタン、ニトロベンゼン等のニトロ化合物系溶媒、
メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール等のアルコール類、
蟻酸、酢酸、プロピオン酸等の有機酸または該有機酸の酸無水物(無水酢酸等)等を挙げることができる。
上記溶媒は、単独で使用できるのはもちろんのこと、上記した溶媒の複数種を混合した混合溶媒として使用することもできる。
加えて、従来のポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェン(以下、「PEDOT」と略記する。)を固体電解質層とする固体電解コンデンサより、著しく耐熱性が向上したものとなる。
さらに、得られる高分子が鎖長の短いアルキル基を置換基として有していることによる誘起効果が生じ、電子分布がPEDOTより広がり(共役系が広がり)、その結果、導電性が高まることによるものと推測される。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、
誘電体酸化皮膜を形成させた弁作用金属上に、
上記一般式〔1〕により表わされる化合物を重合させて得られる高分子を、誘電体酸化皮膜が形成された弁作用金属上に形成する工程を有することを特徴とする。
これら弁作用金属の形態は、金属箔、あるいはこれを主成分とする粉末の焼結体等が好適に使用できる。
得られる固体電解コンデンサの電気特性や、より簡便な製造工程であるという面から、化学酸化重合により高分子を形成する工程であることが好ましい。
1.上記〔2〕〜〔3〕により表わされる化合物の少なくとも1つの化合物(A)、ドーパント(B)および酸化剤(C)を混合した溶液を調整し、この溶液を弁作用金属に塗布あるいは浸漬によって接触させ、高分子を得る方法
2.前記化合物液を準備し、別途ドーパントおよび酸化剤を含有する溶液を準備して、上記化合物液を含浸保持させた弁作用金属を、前記酸化剤溶液中に塗布あるいは浸漬し、接触させ高分子を得る方法
3.ドーパントおよび酸化剤を含有する溶液を、塗布あるいは含浸して保持させた弁作用金属に、前記化合物液を塗布あるいは浸漬し、接触させ重合体を得る方法等
が挙げられる。
これらの方法は、特に制限されるものでない。
ここで、所定温度とは、0℃から150℃の範囲で任意に選択することができ、所定時間とは1分から24時間の範囲で任意に選択することができる。
この様な濃度に溶解された(B)ドーパントおよび(C)酸化剤の双方の性質を持つ化合物を用いることにより、導電性及び耐久性に優れた高分子を、複雑な形状を有する弁作用金属上に、緻密に形成することが可能となる。
なお、実施例中、「%」は「質量%」を表す。また特に指定した場合を除き、静電容量(C)及び誘電損失(tanδ)は周波数120Hzで、等価直列抵抗(ESR)は周波数100kHzで測定した。
また、容量含浸率は、固体電解質層形成前のコンデンサ素子を15%アジピン酸二アンモニウム水溶液中で測定した静電容量に対し、得られた固体電解コンデンサの静電容量を百分率で示したものである。
また、LCは漏れ電流を示し、定格電圧を印加した後、60秒後に固体電解コンデンサに流れる直流電流を測定した値を示したものである。
アルミニウム箔の表面をエッチングして粗面化させた後、カシメ付けにより、陽極リードを接続させ、ついで、10%アジピン酸二アンモニウム水溶液中、電圧4Vで化成処理して、アルミニウム箔の表面に誘電体酸化皮膜を形成させた。
[2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(EDOT)を用いた固体電解コンデンサの作製方法]
実施例1と同様の重合前処理済みコンデンサ素子を準備し、重合に使用する化合物として実施例1の2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)に代えて、2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(EDOT)を用いた以外は実施例1と同様な方法で処理を行い、固体電解コンデンサを作製した。
それぞれ実施例1〜3および比較例1により得られた固体電解コンデンサの初期電気特性、容量含浸率および漏れ電流の電気特性を表1に示す。
特に、実施例1により得られた固体電解コンデンサは、ESRが著しく低減されていることがわかった。
次に重合に使用する化合物である2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)を0.1g取り、バイアルに添加して計測を開始した。
添加してから5秒経過後、10秒間、バイアル中の内容物をスパチェラにて激しく攪拌した。
攪拌を終了してからバイアル中に固形が析出し始めるまでの時間を測定した。この結果を表2にまとめた。
なお、表2中の重合速度とは固形が析出した秒数から10秒を引いた値である。
実施例4の場合で、2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)に代えて、2−ヘキシル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−ヘキシル−EDOT)を使用した他は実施例4の場合と全く同様に実験を行った。重合速度測定中、固形の析出を確認することができなかった。経時的に内容物の粘度が上昇し、内容物がタール状となった。液が動かなくなった時間を表2に示す。
実施例4の場合で、2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)に代えて、2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(EDOT)を使用した他は実施例4の場合と全く同様に実験を行った。結果を表2に示す。
図2より、EDOTに炭素数3以上のアルキル基が置換した場合には重合速度が大きく遅延することが判明した。
次にこの溶液に実施例1に使用したコンデンサ素子を120秒間浸漬後、グローブボックス中で密閉瓶に入れてから30分経過後、45℃で2時間加熱し、密閉瓶からコンデンサ素子を取り出して105℃で35分、125℃で1時間加熱して、化学酸化重合を行い、コンデンサ素子中にポリ−2−メチル−EDOTを形成させた。
結果を表3に示した。
実施例7の場合で、2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)に代えて、2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−ヘキシル−EDOT)を用いた以外は実施例7と同様な方法で処理を行い、固体電解コンデンサを作製した。結果を表3に示した。
実施例7の場合で、2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)に代えて、2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−2−ヒドロキシメチル−1,4−ジオキシン(2−ヒドロキシメチル−EDOT)を用いた以外は実施例7と同様な方法で処理を行い、固体電解コンデンサを作製した。結果を表3に示した。
実施例7の場合で、2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)に代えて、2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオセピン(2−メチル−PDOT)を用いた以外は実施例7と同様な方法で処理を行い、固体電解コンデンサの作製を試みたが十分な性能の固体電界コンデンサは得られなかった。
実施例7の場合で、2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)に代えて、2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(EDOT)を用いた以外は実施例7と同様な方法で処理を行い、固体電解コンデンサを作製した。結果を表3に示した。
図1より、EDOTに炭素数1または2のアルキル基が置換した場合にはESRが小さくなり、特にEDOTに炭素数1のアルキル基が置換した場合にはESRが小さくなることが判明した。
陽極として大きさが5×3×1mm3のタンタル焼結体を用い、陽極線としてタンタル線を用いた重量が約100mgの陽極体を0.05重量%燐酸水溶液中で80℃、25Vで150分陽極酸化し、脱イオン水の流水により洗浄して、乾燥を行いコンデンサ素子とした。なお、この状態をコンデンサと見立て化成液中の静電容量を測定した結果160μFであった。
[2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−メチル−EDOT)を用いた固体電解コンデンサの作製方法]
図3は本発明の実施例10に係る固体電解コンデンサの構造を説明するための模式断面図である。
タンタル金属微粒子を加圧成形し焼結した陽極11を形成し、これをリン酸水溶液の電解液中で化成処理し、その表面に誘電体酸化被膜12を形成させたコンデンサ素子を作成する。
[2−エチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−エチル−EDOT)を用いた固体電解コンデンサの作製方法]
実施例1と同様の重合前処理済みコンデンサ素子を準備し、モノマーに2−エチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−エチル−EDOT)を用いた以外は実施例10と同様の方法で処理を行い、固体電解コンデンサを作製した。
[2−プロピル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−プロピル−EDOT)を用いた固体電解コンデンサの作製方法]
実施例1と同様の重合前処理済みコンデンサ素子を準備し、モノマーに2−プロピル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(2−プロピル−EDOT)を用いた以外は実施例1と同様の方法で処理を行い、固体電解コンデンサを作製した。
[2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(EDOT)を用いた固体電解コンデンサの作製方法]
実施例9と同様の重合前処理済みコンデンサ素子を準備し、モノマーを2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b]−1,4−ジオキシン(EDOT)にした以外は実施例1と同様の方法で処理を行い、固体電解コンデンサを作製した。
2 実施例4
3 実施例5
4 実施例6
5 比較例2
6 比較例7
7 実施例7
8 実施例8
9 実施例9
10 比較例4
11 陽極
12 誘電体酸化被膜
13 固体電解質
14 グラファイト層
15 銀ペースト層
16 陽極リード
17 陰極リード
18 樹脂外装
19 導電性接着剤
Claims (2)
- 下記一般式〔2〕および〔3〕
〔2〕
〔3〕
により表わされる化合物の少なくとも1つを重合させて得られる高分子を、誘電体酸化皮膜が形成された弁作用金属上に形成する工程を有する固体電解コンデンサの製造方法であって、
(A)上記一般式〔2〕および〔3〕により表わされる化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つ、
(B)ドーパント、
および(C)酸化剤
を、液相にて接触させて重合を行う工程を含み、
前記(B)ドーパントおよび(C)酸化剤として、(B)ドーパントおよび(C)酸化剤の双方の性質を持つ化合物を使用し、
前記(B)ドーパントおよび(C)酸化剤の双方の性質を持つ化合物が、有機スルホン酸第二鉄塩であり、
前記液相が、有機スルホン酸第二鉄塩を40〜70重量%の範囲で含み、
前記弁作用金属が、アルミニウムであることを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記液相の溶媒が、n−ブタノールである、請求項1に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
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