JP4913376B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
2 クランプ制御回路
2a 分圧回路
2b 検出回路
2c タイマ回路
3 電源回路
4 内部回路
11 第1のnpn型バイポーラトランジスタ
12 クランプ電圧設定素子(ツェナダイオードなど)
13 抵抗
14 第2のnpn型バイポーラトランジスタ
31 Nチャネル電界効果トランジスタ
32 抵抗
33、34 ツェナダイオード
T1 外部端子(電源入力端子)
Claims (4)
- 外部端子と基準電位端との間に接続され、前記外部端子にクランプ電圧以上の電圧が印加されたときに、前記外部端子と前記基準電位端との間を短絡させるクランプ回路と;前記外部端子に前記クランプ電圧以上の電圧が印加されており、かつ、その印加期間が所定の閾値期間に達したとき、前記クランプ回路の動作を禁止するクランプ制御回路と;を有して成る半導体集積回路装置であって、
前記クランプ制御回路は、前記外部端子の端子電圧或いはその分圧電圧を監視し、前記外部端子に前記クランプ電圧以上の電圧が印加されているときにはイネーブルとなり、印加されていないときにはディセーブルとなる検出信号を生成する検出回路と;前記検出信号を監視し、そのイネーブル期間が所定の閾値期間に達したときに初めてイネーブルとなるクランプ禁止信号を生成するタイマ回路と;を有して成り、前記クランプ禁止信号のイネーブルに応じて、前記クランプ回路の動作を禁止することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記クランプ回路は、コレクタが前記外部端子に接続され、エミッタが前記基準電位端に接続され、ベースがクランプ電圧設定素子を介して前記外部端子に接続される一方、抵抗を介して前記基準電位端に接続された第1のnpn型バイポーラトランジスタと;コレクタが第1のnpn型バイポーラトランジスタのベースに接続され、エミッタが前記基準電位端に接続され、ベースが前記クランプ制御回路の禁止信号出力端に接続された第2のnpn型バイポーラトランジスタと;を有して成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記クランプ制御回路に電源電圧を供給する電源回路は、ドレインが前記外部端子に接続され、ソースが前記クランプ制御回路の電源入力端に接続され、ベースが抵抗を介して前記外部端子に接続される一方、ツェナダイオードを介して前記基準電位端に接続されたNチャネル電界効果トランジスタを有して成ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記外部端子は、外部電源から電力の供給を受けるための電源入力端子、或いは、外部負荷に対して駆動信号を出力するための信号出力端子であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体集積回路装置。
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