TW201838299A - 電壓調節器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠抑制電路規模的增加並且將輸出端子的電壓自內部電壓切換為外部電壓的電壓調節器。電壓調節器具備：電壓輸出電路，自輸入至輸入端子的外部電壓生成低於外部電壓的固定的內部電壓，並將所述內部電壓輸出至輸出端子；感溫電路，根據溫度上升而使輸出節點的輸出電壓下降；過熱檢測電路，連接於感溫電路的輸出節點及測試端子；電壓檢測電路，連接於感溫電路的輸出節點及測試端子，電壓輸出電路於感溫電路的輸出電壓及測試端子的電壓低於第一電壓時，基於過熱檢測電路所輸出的輸出停止信號而停止輸出，於測試端子的電壓高於較感溫電路的輸出電壓及第一電壓高的第二電壓時，基於電壓檢測電路所輸出的測試模式信號而向輸出端子輸出外部電壓。

Description

電壓調節器
本發明是有關於一種電壓調節器（voltage regulator）。
先前，於自輸入至外部端子（輸入端子）的外部電壓生成低於該外部電壓的固定的內部電壓，並將所述內部電壓輸出至輸出端子的電壓調節器中，為了進行連接於輸出端子的外部電路的壓力測試（stress test）或為了將大電壓（外部端子-接地端子間電壓）施加至電壓調節器的輸出電晶體而進行輸出電晶體的壓力測試，而將輸出端子的電壓自內部電壓切換為外部電壓者，例如於專利文獻1中有所揭示。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平4-274504號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，於專利文獻1所示的電壓調節器中，存在為了能夠將輸出端子的電壓自內部電壓切換為外部電壓，而需要追加專用的測試（test）端子，從而導致電路面積的增加這一課題。
因此，本發明的目的在於提供一種能夠抑制電路規模的增加並且將輸出端子的電壓自內部電壓切換為外部電壓的電壓調節器。 [解決課題之手段]
本發明的電壓調節器具備：電壓輸出電路，自輸入至輸入端子的外部電壓生成低於所述外部電壓的固定的內部電壓，並將所述內部電壓輸出至輸出端子；感溫電路，根據溫度上升而使輸出節點的輸出電壓下降；過熱檢測電路，連接於感溫電路的所述輸出節點及測試端子；以及電壓檢測電路，連接於所述感溫電路的所述輸出節點及測試端子，所述電壓調節器的特徵在於，所述電壓輸出電路：於所述感溫電路的輸出電壓及所述測試端子的電壓低於第一電壓時，基於所述過熱檢測電路所輸出的輸出停止信號而停止輸出，於所述測試端子的電壓高於較所述感溫電路的輸出電壓及所述第一電壓高的第二電壓時，基於所述電壓檢測電路所輸出的測試模式信號而向所述輸出端子輸出所述外部電壓。 [發明的效果]
根據本發明，具備電壓調節器中普遍所搭載的過熱保護電路（包括上述的感溫電路及過熱檢測電路的電路）及用以測試所述過熱保護電路的測試端子的電壓調節器進而具備連接於該測試端子的電壓檢測電路，於輸入至測試端子的電壓高於較用以測試過熱保護電路的第一電壓高的第二電壓時，電壓檢測電路輸出測試模式（test mode）信號，電壓輸出電路基於測試模式信號而向輸出端子輸出外部電壓，藉由採用如上構成，能夠不設置專用的端子而向輸出端子輸出外部電壓。如此，因無需追加專用的端子，從而能夠抑制電路規模的增加並且將輸出端子的電壓自內部電壓切換為外部電壓。
以下，參照圖式來說明本發明的實施形態。
圖1是用以說明本發明的實施形態的電壓調節器10的方塊圖。
本實施形態的電壓調節器10具備：輸入端子20、輸出端子21、測試端子22、電壓輸出電路11、感溫電路12、過熱檢測電路13及電壓檢測電路14。
電壓輸出電路11自輸入至輸入端子20的外部電壓Vin生成低於外部電壓Vin的固定的內部電壓，並將所述內部電壓輸出至輸出端子21。
測試端子22中輸入測試信號TE。
感溫電路12根據溫度上升而使輸出節點（node）的輸出電壓下降。而且，感溫電路12的輸出節點連接於測試端子22。
過熱檢測電路13的輸入節點連接於感溫電路12的輸出節點及測試端子22，向電壓輸出電路11輸出輸出停止信號ST。
電壓檢測電路14的輸入節點連接於感溫電路12的輸出節點及測試端子22，向電壓輸出電路11輸出測試模式信號TM。
而且，藉由感溫電路12、過熱檢測電路13以及電壓輸出電路11內的輸出停止電路（未圖示）而構成過熱保護電路。
以下，對所述構成的電壓調節器10的動作進行說明。
首先，對與電壓調節器10的過熱保護電路有關的動作進行說明。
當於正常動作時，當電壓調節器10的溫度上升時，感溫電路12的輸出電壓根據其溫度而下降。並且，當感溫電路12的輸出電壓變為低於第一電壓時，過熱檢測電路13使輸出停止信號ST有效。
藉此，電壓輸出電路11內的輸出停止電路停止向輸出端子21的輸出。如此，可保護電壓調節器10免於過熱狀態。
於為了決定所述第一電壓而對過熱保護電路進行測試的情況下，對測試端子22輸入所述第一電壓附近的電壓作為測試信號TE，調查過熱保護電路（過熱檢測電路13）開始動作（向輸出端子21的輸出停止）的電壓。將藉由所述測試的結果而獲得的過熱保護電路的動作開始電壓重新作為第一電壓，設定於過熱檢測電路13。
接下來，對將電壓調節器10的輸出端子21的電壓自內部電壓切換為輸入至輸入端子20的外部電壓Vin的測試模式的動作進行說明。所述測試模式是用以例如進行連接於輸出端子21的外部電路（未圖示）的壓力測試或對電壓調節器10的電壓輸出電路11內的輸出電晶體（未圖示）施加大電壓而進行輸出電晶體的壓力測試者。
於設為測試模式的情況下，將高於較感溫電路12的輸出電壓及過熱檢測電路13中所設的第一電壓高的第二電壓的電壓作為測試信號TE而輸入至測試端子22。
藉此，電壓檢測電路14使測試模式信號TM有效。基於此，電壓輸出電路11將輸入至外部端子20的外部電壓Vin輸出至輸出端子21。
如此根據本實施形態，可將通常於過熱保護電路的測試用中使用的測試端子22兼用作輸入用以設為測試模式的信號的端子，所述測試模式是指將電壓調節器10的輸出端子21的電壓自內部電壓切換為外部電壓Vin。因此，可抑制端子的追加、即電路規模的增加並且實現所述測試模式。
以上，對本實施形態的構成及動作進行了說明，但為了對本實施形態進行更詳細的說明，以下，對圖1所示的各電路的具體例進行說明。
圖2是示出圖1所示的電壓調節器10的感溫電路12的一具體例即感溫電路121 的電路圖。
感溫電路121 具有：電流源121，一端連接於輸入外部電壓Vin的輸入端子20，另一端連接於輸出節點即測試端子22；以及二極體元件120，正向連接於測試端子22與接地端子之間。二極體元件120作為感溫元件而發揮功能。
根據所述構成，當溫度上升時，測試端子22的電壓下降。
另外，於本例中，示出了將外部電壓Vin作為電源電源而供給至電流源121的一端的示例，但並不限於此，亦可將電壓調節器10的內部所生成的電壓作為電源電壓。
圖3是示出圖1所示的電壓調節器10的電壓輸出電路11及電壓檢測電路14各自的第1具體例即電壓輸出電路111 及電壓檢測電路141 、與過熱檢測電路13的一具體例即過熱檢測電路131 的電路圖。另外，對與圖1所示的電壓調節器10相同的構成要素標注相同的符號，適當省略重複的說明。
電壓輸出電路111 具有：輸出電晶體110、誤差放大器（error amplifier）111、電阻分壓電路112、參考電壓源113、P型金屬氧化物半導體（P-Metal-Oxide-Semiconductor，PMOS）電晶體114及N型金屬氧化物半導體（N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS）電晶體115。
輸出電晶體110的源極連接於輸入端子20，汲極連接於輸出端子21。
電阻分壓電路112連接於輸出端子21與接地端子之間。
誤差放大器111的非反相輸入端子中輸入藉由電阻分壓電路112分壓的分壓電壓，反相輸入端子中輸入參考電壓源113的參考電壓。
PMOS電晶體114的閘極中輸入輸出停止信號ST，源極連接於輸入端子20，汲極連接於輸出電晶體110的閘極。另外，PMOS電晶體114作為圖1的說明中所記載的輸出停止電路而發揮功能。
NMOS電晶體115的閘極中輸入測試模式信號TM，源極連接於接地端子，汲極連接於輸出電晶體110的閘極。
關於電壓輸出電路111 ，根據所述構成，其輸出電晶體110的閘極基於輸入基於輸出端子21的電壓的電壓及參考電壓源113的參考電壓的誤差放大器111所輸出的電壓而得到控制，藉此，可將低於輸入至輸入端子20的外部電壓Vin的固定的內部電壓輸出至輸出端子21。
過熱檢測電路131 具有比較器（comparator）130及參考電壓源131。
比較器130的非反相輸入端子連接於感溫電路12的輸出節點及測試端子22，反相輸入端子接受參考電壓源131的電壓即第一電壓，比較器130的輸出信號成為輸出停止信號ST。
電壓檢測電路141 具有比較器140及參考電壓源141。
比較器140的非反相輸入端子連接於感溫電路12的輸出節點及測試端子22，反相輸入端子接受參考電壓源141的電壓即第二電壓，比較器140的輸出信號成為測試模式信號TM。
並且，輸出停止信號ST輸入至電壓輸出電路111 內的PMOS電晶體114的閘極，測試模式信號TM輸入至電壓輸出電路111 內的NMOS電晶體115的閘極。
而且，測試模式信號TM亦輸入至電壓輸出電路111 內的誤差放大器111。
於本例中，藉由感溫電路12、過熱檢測電路131 以及電壓輸出電路111 內的PMOS電晶體114（輸出停止電路）而構成過熱保護電路。
於正常動作時過熱保護電路發揮功能的情況下，或於進行過熱保護電路的測試的情況下，當感溫電路12的輸出電壓變為低於參考電壓源131的電壓即第一電壓，或將低於第一電壓的電壓作為測試信號TE而輸入至測試端子22時，比較器130的輸出即輸出停止信號ST成為低位準（low level）（有效位準）。藉此，PMOS電晶體114接通。
此時，比較器140的輸出即測試模式信號TM亦成為低位準，因此NMOS電晶體115斷開。
從而，輸出電晶體110的閘極成為高位準，因此輸出電晶體110斷開。藉此，電壓輸出電路111 的輸出停止。
如此，可於正常動作時使過熱保護電路發揮功能或使過熱保護電路為測試狀態。
另一方面，於將電壓調節器10的輸出端子21的電壓自內部電壓切換為外部電壓Vin的測試模式的情況下，對測試端子22輸入高於參考電壓源141的電壓即第二電壓的電壓。藉此，比較器140的輸出即測試模式信號TM成為高位準（有效位準）。藉此，NMOS電晶體115接通。
而且，誤差放大器111中亦輸入高位準的測試模式信號TM，基於此，誤差放大器111停止動作。
而且，此時，比較器130的輸出即輸出停止信號ST亦成為高位準，因此PMOS電晶體114斷開。
從而，輸出電晶體110的閘極成為低位準（接地電壓），於輸出電晶體110的閘極-源極間施加電壓調節器10的最大電壓。藉此，可進行輸出電晶體110的壓力測試。
而且，將輸入端子20中所輸入的外部電壓Vin作為輸出電壓而輸出至輸出電晶體110的汲極即輸出端子21。藉此，亦能夠進行連接於輸出端子21的外部電路（未圖示）的壓力測試。
接下來，使用圖4，對圖1所示的電壓調節器10的電壓檢測電路14的第2具體例即電壓檢測電路142 進行說明。
如圖4所示，本例的電壓檢測電路142 具有：NMOS電晶體142，閘極及汲極連接於測試端子22；以及電阻143，連接於NMOS電晶體142的源極與接地端子之間。並且，NMOS電晶體142的源極的電壓成為測試模式信號TM。
關於其他方面，因與圖3所示的電壓調節器10相同，故對相同的構成要素標注相同的符號，並適當省略重複的說明。
於本例中，電壓檢測電路142 以如上方式構成，因此，第二電壓藉由NMOS電晶體142的臨限值電壓與電壓輸出電路111 內的NMOS電晶體115的臨限值電壓而決定。
於如圖2所示，感溫電路12使用二極體元件而構成的情況下，感溫電路12的輸出電壓的上限成為大約0.9 V。
因此，第二電壓必須為0.9 V以上。此時，較佳為採用具有P型閘極的異極閘極MOS電晶體作為NMOS電晶體142。異極閘極MOS電晶體的臨限值電壓容易較通常的MOS電晶體的臨限值電壓設定得高，因此藉由採用所述異極閘極MOS電晶體，容易使第二電壓切實地為0.9 V以上。
接下來，使用圖5，對圖1所示的電壓調節器10的電壓輸出電路11的第2具體例即電壓輸出電路112 進行說明。
本例的電壓輸出電路112 較佳地用於輸入端子20中所輸入的外部電壓Vin特別高的情況。即，於圖3及圖4所示的電壓輸出電路111 中，於外部電壓Vin為高電壓的情況下，若發生輸出電晶體110的閘極的電壓大幅振動，下降至接近接地電壓的電壓這一情況，則有輸出電晶體110的閘極-源極間的電壓超過耐壓，輸出電晶體110毀壞之虞。
與此相對，根據電壓輸出電路112 ，可避免所述問題。
本例的電壓輸出電路112 如圖5所示，相對於圖3及圖4所示的電壓輸出電路111 進而具有串聯連接於輸入端子20與輸出電晶體110的閘極之間的箝位（clamp）電路200及開關201。開關201當測試模式信號TM成為高位準（有效位準）時斷開。
其他方面與圖3及圖4所示的電壓輸出電路111 相同，因此對於相同的構成要素標註相同的符號，並適當省略重複說明。
根據所述構成，於開關201接通的正常狀態，箝位電路200以輸出電晶體110的閘極的電壓不低於規定電壓的方式對閘極的電壓進行箝制（clamp）。從而，可防止輸出電晶體110的閘極-源極間電壓超過耐壓。
另一方面，於將電壓調節器10設為測試模式的情況下，測試模式信號TM成為高位準，開關201斷開，停止箝制。
如此，根據本例，測試模式時不產生影響，正常動作時可防止大電壓施加至輸出電晶體110的閘極-源極間。
接下來，使用圖6，對圖1所示的電壓調節器10的電壓輸出電路11的第3具體例即電壓輸出電路113 進行說明。本例的電壓輸出電路113 追加了抑制輸出端子21的電壓的過衝（over shoot）的功能。
本例的電壓輸出電路113 如圖6所示，相對於圖3及圖4所示的電壓輸出電路111 ，進而具有比較器300、OR電路（邏輯電路）301及作為過衝抑制電路而發揮功能的PMOS電晶體302。
比較器300的非反相輸入端子中輸入參考電壓源113的電壓，反相輸入端子中輸入藉由電阻分壓電路112分壓的分壓電壓。比較器300的非反相輸入端子中設有偏移（offset）。
OR電路301輸入比較器300的輸出及測試模式信號TM。
PMOS電晶體302的源極連接於輸入端子20，汲極連接於輸出電晶體110的閘極，閘極連接於OR電路301的輸出節點。
其他方面與圖3及圖4所示的電壓輸出電路111 相同，因此對於相同的構成要素標註相同的符號，並適當省略重複說明。
根據所述構成，當輸出端子21的電壓產生過衝時，比較器300的反相輸入端子的電壓上升，因此比較器300的輸出成為低位準。當由OR電路301接收到時，OR電路301的輸出成為低位準。從而，PMOS電晶體302的閘極成為低位準，PMOS電晶體302接通。藉此，輸出電晶體110斷開，因此，可抑制過衝。
另一方面，於將電壓調節器10設為測試模式的情況下，測試模式信號TM成為高位準，並由OR電路接收，因此OR電路301的輸出成為高位準。從而，PMOS電晶體302的閘極成為高位準，PMOS電晶體302斷開。即，過衝抑制電路停止。
如此根據本例，能夠於測試模式時不產生影響而具備過衝抑制功能。
接下來，使用圖7，對圖1所示的電壓調節器10的電壓輸出電路11的第4具體例即電壓輸出電路114 進行說明。
本例的電壓輸出電路114 如圖7所示，成為圖5所示的電壓輸出電路112 的變形例。
即，電壓輸出電路114 與圖5所示的電壓輸出電路112 同樣地具備箝位電路200及開關201，於開關201接通的正常狀態，箝位電路200以輸出電晶體110的閘極不低於規定電壓的方式進行箝制。藉此，可防止輸出電晶體110的閘極-源極間電壓超過耐壓。
另一方面，電壓輸出電路114 相對於圖5所示的電壓輸出電路112 ，成為如下構成，即，將電阻分壓電路112自輸出端子21切離，相應地連接於與輸出端子21單獨設置的電壓調整端子400，並且削除NMOS電晶體115，進而不對誤差放大器111輸入測試模式信號TM。
從而，於將電壓調節器10設為測試模式的情況下，測試模式信號TM成為高位準，開關201斷開，停止箝制。
此時，於本例中，對電壓調整端子400輸入低於內部電壓的電壓，例如接地電壓。藉此，誤差放大器111的輸出成為低位準（接地電壓）。從而，輸出電晶體110的閘極成為低位準（接地電壓），於使用本例的電壓輸出電路114 的電壓調節器10中，亦與使用其他例的電壓輸出電路111 ~電壓輸出電路113 的電壓調節器10同樣地，可將外部端子20中所輸入的外部電壓Vin輸出至輸出端子21。
以上，對本發明的實施形態進行了說明，但本發明當然不限定於所述實施形態，可在不脫離本發明主旨的範圍內進行各種變更。
例如，電壓輸出電路11亦可構成為具備圖5所示的用以箝制輸出電晶體的閘極的電壓的構成及圖6所示的用以控制過衝的構成這兩者。
10‧‧‧電壓調節器
11、111、112、113、114 ‧‧‧電壓輸出電路
12、121‧‧‧感音電路
13、131‧‧‧過熱檢測電路
14、141、142‧‧‧電壓檢測電路
20‧‧‧輸入端子
21‧‧‧輸出端子
22‧‧‧測試端子
110‧‧‧輸出電晶體
111‧‧‧誤差放大器
112‧‧‧電阻分壓電路
113‧‧‧參考電壓源
114‧‧‧輸出停止電路（PMOS電晶體）
115‧‧‧NMOS電晶體
120‧‧‧二極體元件
121‧‧‧電流源
130、140、300‧‧‧比較器
131、141‧‧‧參考電壓源
142‧‧‧NMOS電晶體
143‧‧‧電阻
200‧‧‧箝位電路
201‧‧‧開關
301‧‧‧OR電路（邏輯電路）
302‧‧‧過衝抑制电路（PMOS電晶體）
400‧‧‧電壓調整端子
ST‧‧‧輸出停止信號
TE‧‧‧測試信號
TM‧‧‧測試模式信號
Vin‧‧‧外部電壓
圖1是用以說明本發明的實施形態的電壓調節器的方塊圖。 圖2是示出圖1所示的電壓調節器的感溫電路的一具體例的電路圖。 圖3是示出圖1所示的電壓調節器的電壓輸出電路及電壓檢測電路各自的第1具體例、與過熱檢測電路的一具體例的電路圖。 圖4是示出圖1所示的電壓調節器的電壓檢測電路的第2具體例的電路圖。 圖5是示出圖1所示的電壓調節器的電壓輸出電路的第2具體例的電路圖。 圖6是示出圖1所示的電壓調節器的電壓輸出電路的第3具體例的電路圖。 圖7是示出圖1所示的電壓調節器的電壓輸出電路的第4具體例的電路圖。

Claims (11)

  1. 一種電壓調節器，具備： 電壓輸出電路，自輸入至輸入端子的外部電壓生成低於所述外部電壓的固定的內部電壓，並將所述內部電壓輸出至輸出端子； 感溫電路，根據溫度上升而使輸出節點的輸出電壓下降； 過熱檢測電路，連接於所述感溫電路的所述輸出節點及測試端子；以及 電壓檢測電路，連接於所述感溫電路的所述輸出節點及所述測試端子， 所述電壓調節器的特徵在於，所述電壓輸出電路： 於所述感溫電路的輸出電壓及所述測試端子的電壓低於第一電壓時，基於所述過熱檢測電路所輸出的輸出停止信號而停止輸出， 於所述測試端子的電壓高於較所述感溫電路的輸出電壓及所述第一電壓高的第二電壓時，基於所述電壓檢測電路所輸出的測試模式信號而向所述輸出端子輸出所述外部電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器，其中，所述過熱檢測電路具有第一比較器，所述第一比較器的非反相輸入端子連接於所述感溫電路的所述輸出節點及所述測試端子，反相輸入端子中輸入所述第一電壓，並且輸出信號成為所述輸出停止信號。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器，其中，所述電壓檢測電路具有第二比較器，所述第二比較器的非反相輸入端子連接於所述感溫電路的所述輸出節點及所述測試端子，反相輸入端子中輸入所述第二電壓，並且輸出信號成為所述測試模式信號。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器，其中，所述電壓檢測電路具備：N型金屬氧化物半導體電晶體，閘極與汲極連接於所述測試端子；以及電阻，連接於所述N型金屬氧化物半導體電晶體的源極與接地端子之間， 所述N型金屬氧化物半導體電晶體的源極的電壓成為所述測試模式信號。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電壓調節器，其中，所述N型金屬氧化物半導體電晶體是具有P型閘極的異極閘極金屬氧化物半導體電晶體。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器，其中，所述電壓輸出電路具有： 誤差放大器，輸入基於所述輸出端子的電壓的電壓及參考電壓； 輸出電晶體，源極連接於所述輸入端子，汲極連接於所述輸出端子，閘極基於所述誤差放大器所輸出的電壓而得到控制； P型金屬氧化物半導體電晶體，閘極中輸入所述輸出停止信號，源極連接於所述輸入端子，汲極連接於所述輸出電晶體的閘極；以及 N型金屬氧化物半導體電晶體，閘極中輸入所述測試模式信號，源極連接於接地端子，汲極連接於所述輸出電晶體的閘極。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的電壓調節器，其中， 所述電壓輸出電路進而具有串聯連接於所述輸入端子與所述輸出電晶體的閘極之間的箝位電路以及開關， 於所述開關接通時，所述箝位電路以所述輸出電晶體的閘極的電壓不低於規定電壓的方式對所述閘極的電壓進行箝制， 所述開關當接收到所述測試模式信號時斷開。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的電壓調節器，其中，所述電壓輸出電路進而具有： 比較器，輸入基於所述輸出端子的電壓的電壓及參考電壓； 邏輯電路，輸入所述比較器的輸出及所述測試模式信號；以及 過衝抑制電路，連接於所述輸入端子與所述輸出電晶體的閘極之間，藉由所述邏輯電路的輸出而受到控制， 所述邏輯電路當接收到所述測試模式信號時，輸出停止所述過衝抑制電路的信號。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器，其中，所述電壓輸出電路具有： 誤差放大器，輸入基於與所述輸出端子單獨設置的電壓調整端子的電壓的電壓及參考電壓； 輸出電晶體，源極連接於所述輸入端子，汲極連接於所述輸出端子，閘極基於所述誤差放大器所輸出的電壓而得到控制； P型金屬氧化物半導體電晶體，閘極中輸入所述輸出停止信號，源極連接於所述輸入端子，汲極連接於所述輸出電晶體的閘極；以及 箝位電路及開關，串聯連接於所述輸入端子與所述輸出電晶體的閘極之間， 於所述開關接通時，所述箝位電路以所述輸出電晶體的閘極不低於規定電壓的方式進行箝制， 所述開關當接收到所述測試模式信號時斷開， 於所述電壓檢測電路輸出所述測試模式信號時，所述電壓調整端子中輸入低於所述內部電壓的電壓。
  10. 如申請專利範圍第6項所述的電壓調節器，其中，所述誤差放大器當接收到所述測試模式信號時停止動作。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器，其中，所述感溫電路具有：電流源，一端接受電源電壓，另一端連接於所述測試端子；以及二極體元件，正向連接於所述測試端子與接地端子之間。
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