JP5686197B2 - 内燃機関用点火装置 - Google Patents

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Description

本発明は、点火コイルの一次電流を制御する内燃機関用点火装置に関する。
この種の内燃機関用点火装置としては、たとえば、特許文献1に記載された内燃機関用点火装置が知られている。この特許文献1に記載された従来例では、点火コイルの一次電流を通電/遮断制御するスイッチング回路をコレクタ−ゲート間に電圧クランプ用ツェナーダイオードを有する縦構造の絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ(IGBT)で構成している。そして、IGBTと同一チップ内に誘電体分離基板を用いて制御回路を構成する。この制御回路は、駆動信号が入力される入力ヒステリシス回路と、この入力ヒステリシス回路の出力信号に基づいてIGBTのゲートを制御するドライブ回路と、IGBTを流れる電流を検出して当該電流が一定値となるようにIGBTのゲートを制御する電流制限回路とを備えている。そして、入力ヒステリシス回路及びドライブ回路にバッテリ電圧が供給される定電圧回路から定電圧を供給する。
また、特許文献2に記載されたエンジンの点火回路が知られている。この従来例では、マイクロコンピュータが出力する所定の点火信号に基づいて電源電流を点火コイルの一次電流オンオフ用点火信号としてパワートランジスタに出力する点火駆動回路を備えている。そして、第一の定電圧回路により電源の24Vを12Vに降下させて点火駆動回路に供給することにより、点火駆動回路の高電圧による過熱を生じないようにしている。さらに、第二の定電圧回路で12Vをマイクロコンピュータのための5Vに降下させている。
特開平11−201013号公報 特開平7−35012号公報
ところで、上記特許文献1に記載された従来例にあっては、1つの定電圧回路で電源電圧を降圧するようにしているので、例えば電源電圧が24Vである場合には、電源電圧の変動幅が大きい定電圧回路で電源電圧24Vから入力ヒステリシス回路及びドライブ回路で使用する5Vまで低下させる。この場合に、電源電圧の電圧降下と安定化とを一つの定電圧回路で行うので、入力ヒステリシス回路及びドライブ回路で使用する電圧を正確に生成することができないという未解決の課題がある。
また、特許文献2に記載された従来例にあっては、第一及び第二の定電圧回路を備え、第一の定電圧回路で電源電圧を24Vから12Vに降圧し、第2の定電圧回路で12Vから5Vに降圧させて、5Vまで低下させるのに2つの定電圧回路で行うようにしている。
このため、各定電圧回路での降圧電圧が少なくなり、定電圧回路の発熱を低減することができる。しかしながら、この特許文献2に記載された発明では、定電圧回路で電源電圧の降圧と安定化との双方の機能を果たすので、上述した特許文献1に記載された発明と同様に、点火駆動回路及びマイクロコンピュータへ供給する電源を正確に安定化することが困難であるという未解決の課題がある。また、特許文献2に記載された発明では、電源電圧24Vを12Vという正確な電圧に降下させる定電圧回路を用いていて、回路構成が比較的複雑となるという未解決の課題がある。
そこで、本発明は、上記第1の従来例及び第2の従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、電源電圧を回路の必要電圧に降圧する場合に、必要電圧を正確に安定化することができる内燃機関用点火装置を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明に係る内燃機関用点火装置の第1の態様は、点火信号を生成する点火信号生成部から出力される点火信号に基づいて点火コイルの一次側に接続された半導体スイッチング素子の制御端子を制御する制御回路を有する内燃機関用点火装置である。前記制御回路は、前記半導体スイッチング素子の制御端子に駆動信号を供給するドライブ回路と、前記半導体スイッチング素子を流れる電流を検出して当該半導体スイッチング素子に流れる電流を制限する電流制限回路と、前記ドライブ回路及び前記電流制限回路に電源を供給する電源回路とを少なくとも備えている。また、前記電源回路は、電源電圧を前記ドライブ回路及び前記電流制限回路で必要とする必要電圧に降圧する少なくとも1つの一次降圧回路と、該一次降圧回路で降圧した必要電圧を安定化する少なくとも1つのレギュレータとを備え、前記一次降圧回路を構成する半導体スイッチング素子は、オフセットドレイン構造を有する高耐圧素子で構成され、前記レギュレータを構成する半導体スイッチング素子は、オフセットドレイン構造を有さない低耐圧素子で構成されている。
また、本発明に係る内燃機関用点火装置の第2の態様は、前記一次降圧回路は、電源端子及びグランド間に直列に接続されたオフセットドレイン構造を有する半導体スイッチング素子及び抵抗と、前記半導体スイッチング素子のゲートに定電圧を与えるバイアス回路とで構成され、前記半導体スイッチング素子及び前記抵抗間から降圧電圧を出力する。
また、本発明に係る内燃機関用点火装置の第の態様は、前記電源回路は、前記一次降圧回路及び前記レギュレータを一つずつ備え、前記レギュレータの安定化電圧を前記ドライブ回路及び前記電流制限回路の双方に供給する。
また、本発明に係る内燃機関用点火装置の第の態様は、前記電源回路は、前記一次降圧回路及び前記レギュレータを一つずつ備え、前記レギュレータの安定化電圧を前記ドライブ回路及び前記電流制限回路の双方に供給する。
また、本発明に係る内燃機関用点火装置の第の態様は、前記電源回路が、前記一次降圧回路と前記レギュレータとの直列回路を少なくとも二組備え、各直列回路のレギュレータを前記ドライブ回路及び前記電流制限回路に個別に接続した。
また、本発明に係る内燃機関用点火装置の第6の態様は、前記電流制限回路が、シャント抵抗を用いて前記半導体スイッチング素子を流れる電流を検出する。
また、本発明に係る内燃機関用点火装置の第7の態様は、前記電流制限回路が、前記半導体スイッチング素子に設けた電流センス端子を流れる電流を検出する。
本発明によれば、少なくとも一次降圧回路とレギュレータとを組合せて電源回路を構成し、一次降圧回路で電源電圧変動の影響を受けないように電力供給を必要とするドライブ回路及び電流制限回路の必要電圧に降圧する。この一降圧回路から出力される必要電圧をレギュレータで定電圧化してドライブ回路及び電流制限回路に電源として供給する。このため、電源電圧の変動を一次降圧回路で吸収し、さらにレギュレータで安定化することにより、正確な必要電圧を形成することができる。
本発明の内燃機関用点火装置の一実施形態の全体構成を示す回路図である。 電源回路の一次降圧回路の一実施形態を示す回路図である。 電源回路の一次降圧回路の別の実施形態を示す回路図である。 本発明の変形例の全体構成を示す回路図である。 本発明の他の変形例の全体構成を示す回路図である。 電流検出部にシャント抵抗を使用した場合の変形例を示す図1と同様の回路図である。 電流検出部にシャント抵抗を使用した場合の変形例を示す図4と同様の回路図である。 電流検出部にシャント抵抗を使用した場合の変形例を示す図5と同様の回路図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は本発明に係る内燃機関用点火装置の一実施形態の全体構成を示す回路図である。
図中、2は半導体スイッチング素子としての絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下、IGBTと称す)である。このIGBT2は、ゲートに接続された制御回路3によって駆動制御される。また、IGBT2には、制御回路3内のセンス抵抗RsにIGBT2のエミッタ電流に対応する電流を流す電流検出用パワートランジスタ4が並列に接続されている。この電流検出用パワートランジスタ4は、IGBT2に設けた電流センス端子に相当するものであり、IGBT2のエミッタ電流の例えば1/6000〜1/10000程度の微小電流をエミッタ電流として出力する。
IGBT2は点火コイル50を駆動し、点火コイルで発生した高圧電流がスパークプラグ52に送られる。なおここで一例としてIGBT2は縦型素子である。
制御回路3は、IGBT2のゲート信号を形成するドライブ回路32と、IGBT2の電流を制限する電流制限回路33と、ドライブ回路32及び電流制限回路33に電力を供給する電源回路35とを備えている。
ドライブ回路32は、外部から入力される点火信号であるオンオフ信号をゲート電圧に変換したゲート信号SgをIGBT2のゲートに供給するタイミング制御回路34を備えている。
電流制限回路33は、電流検出用パワートランジスタ4を流れるIGBT2のエミッタ電流の例えば1/6000〜1/10000程度の微小電流を電流検出用パワートランジスタ4のエミッタ及び接地間に接続されたセンス抵抗RsでIGBT2のコレクタ−エミッタ間電流として検出し、IGBT2のコレクタ−エミッタ電流を定電流制御する。この電流制限回路33は、ドライブ回路32のタイミング制御回路34から出力されるゲート信号Sgが非反転入力側に供給されるオペアンプで構成される比較回路33aと、センス抵抗Rsで検出した微小電流を増幅して検出電圧Vdとして比較回路33aの反転入力側に供給するオペアンプ33bとを備えている。したがって、比較回路33aから出力されるゲート信号は、ゲート信号Sgの電圧が検出電圧Vdより大きいときにハイレベルとなり、検出電圧Vdがゲート信号Sgの電圧より大きいときにローレベルとなる。
さらに、電源回路35は、エンジン始動時に発電機から入力される例えば14Vの電源電圧Vbを、制御回路3内にある電流制限回路33、及びタイミング制御回路34で必要とする5Vに降圧し且つ定電圧化した必要電圧を形成し、形成した必要電圧を各回路に電源として供給する。電源回路35は、一次降圧回路35aとレギュレータ35c及び35dとを備えている。
そして、レギュレータ35c及び35dから出力される安定化された必要電圧V5P及びV5Sがドライブ回路32及び電流制限回路33に電源として供給されている。
一次降圧回路35aは具体的には、図2に示すような抵抗44とツェナーダイオード45とを直列に接続し、抵抗44とツェナーダイオード45との接続点から降圧電圧を出力する定電圧回路構成とすることができる。ここで、ツェナーダイオード45のツェナー電圧は後段のレギュレータが動作するのに十分な電圧、例えば8Vである。また、一次降圧回路35aは、図3に示すような半導体スイッチング素子としてのNチャネルのMOS電界効果トランジスタ42のソースに抵抗43を接続し、MOSFET42のゲートに定電圧を与えるバイアス回路41を接続し、MOSFETのドレイン及び抵抗43間から降圧電圧を出力する回路構成としてもよい。バイアス回路41には具体的には図2に示す定電圧回路を用いることができる。
一次降圧回路35aは以上の構成を有するが、この一次降圧回路35aを構成するNMOS電界効果トランジスタはオフセットドレイン構造を有する高耐圧素子で構成できる。
次に、上記第1の実施形態の動作を説明する。
内燃機関用点火装置としての動作は通常の内燃機関用点火装置と同様の動作を行うので、ここでは詳細説明を割愛するが、ドライブ回路32に入力される点火信号であるオンオフ信号がオン状態となると、ドライブ回路32は、ハイレベルのゲート信号SgをIGBT2のゲートに供給することにより、IGBT2のコレクタが接続された点火コイル50の一次側コイル51が通電状態となって、一次電流が流れる。その後、点火信号がオフ状態となると、IGBT2がターンオフして、点火コイル50の一次側コイル51の一次電流が遮断されて点火コイルに高電圧が発生し、スパークプラグ52に火花を飛ばす。
この間に、IGBT2のエミッタ電流が増加して、センス抵抗Rsで検出されるエミッタ電流に対応するセンス電圧が電流制限回路33のオペアンプ33bで増幅した検出電圧Vdがゲート信号Sgの電圧を超える状態となると比較回路33aから出力されるゲート信号がローレベルとなってIGBT2がターンオフされて過電流状態となることを防止する。
一方、制御回路3では、エンジン始動前にはバッテリ(図示せず)から12Vの電源電圧Vbが供給され、エンジン始動時には発電機から14Vの電源電圧Vbが供給されている。この電源電圧Vbは、制御回路3の電源回路35に供給される。この電源回路35内で、電源電圧Vbが一次降圧回路35aに供給される。
この一次降圧回路35aでは、降下電圧が電源電圧Vbの変動にかかわらず概ね一定の電圧に制御される。
このときの電源電圧Vbの変動は、エンジン始動時に基準電圧の14Vに対して14Vから8V程度まで低下する場合があるが、一次降圧回路35aで電源電圧Vbの変動の影響をあらかた除去することができる。
そして、一次降圧回路35aから出力される必要電圧がレギュレータ35c及び35dに個別に供給される。レギュレータ35c及び35dはドライブ回路32のタイミング制御回路34及び電流制限回路33に精度の高い電圧を有する電源を供給する。
したがって、タイミング制御回路34及び電流制限回路33を電源電圧Vbの電圧変動の影響を受けることなく正確に動作させることができる。
なお、内燃機関用点火装置では、各種試験を行うようにしており、このなかにはロードダンプ試験のように例えば130Vもの高電圧を瞬間的にバッテリ端子Bに供給してサージ電圧波形を入力する場合がある。このとき、一次降圧回路35aが図3に示すものである場合でも、MOS電界効果トランジスタ42がオフセットドレイン構造を有する高耐圧素子で構成されているので、MOS電界効果トランジスタ42が損傷することはなく、確実に動作することができる。このため、ロードダンプ時の高電圧は一次降圧回路35aで吸収されることになり、この一次降圧回路35a以降のレギュレータ35c、35d、タイミング制御回路34、電流制限回路33等では高電圧変動の影響を受けることがない。
このため、一次降圧回路35a以降の各回路を構成する電界効果トランジスタを、オフセットドレイン構造を有さない低耐圧の通常の電界効果トランジスタを適用することができ、これによって、回路全体を小型化することができると共にコストダウンすることができる。また一次降圧回路35aは比較的簡単な構成の回路であることも回路全体を小型化及びにコストダウンに寄与する。
なお、上記第1の実施形態においては、電源回路35を1つの一次降圧回路35aと、2つのレギュレータ35c、35dとで構成する場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、図4に示すように、電源回路35を1つの一次降圧回路35aと、1つのレギュレータ35cとで構成し、レギュレータ35cから出力される安定化された必要電圧V5Sをタイミング制御回路34及び電流制限回路33に供給するようにしてもよい。この場合には、レギュレータ35cが1つで済むのでチップ面積を小さくして小型化できると共に、コストダウンを図ることができる。
また、逆に、図5に示すように、一次降圧回路35a及びレギュレータ35cの組を2組設け、一方の組のレギュレータ35cから出力される必要電圧V5Sをドライブ回路32に供給し、他方の組のレギュレータ35cから出力される必要電圧V5Sを電流制限回路33に供給するようにしてもよい。この場合に、タイミング制御回路34と電流制限回路33とに個別の電源系統で電源供給を行うので、タイミング制御回路34を電流制限回路33に流れる電流のノイズの影響を受けることなく駆動することができ、より正確な必要電源を形成することができる。
さらに、上記第1の実施形態においては、IGBT2に電流センス用エミッタを備えている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図1、図4及び図5に対応する図6〜図8に示すように、IGBT2に流れる電流をシャント抵抗Rsを使用して検出し、これを電流制限回路33に供給するようにしてもよい。
また、上記各実施形態にいては電流制限回路33として比較回路33aを使用した場合について説明したが、比較回路33aを省略してタイミング制御回路34から出力されるゲート信号Sgを接地に逃がす半導体スイッチング素子を配設し、この半導体スイッチング素子をオペアンプ33bの出力で駆動するようにしてもよい。
本発明によれば、電源電圧を回路の必要電圧に降圧する場合に、一次降圧回路及びレギュレータを使用して必要電圧を正確に安定化することができる内燃機関用点火装置を提供することができる。
2…IGBT、3…制御回路、4…電流検出用パワートランジスタ、32…ドライブ回路、33…電流制限回路、34…タイミング制御回路、35…電源回路、35a…一次降圧回路、35c,35d…レギュレータ、41…バイアス回路、42…MOS電界効果トランジスタ、43、44…抵抗、45…ツェナーダイオード

Claims (7)

  1. 点火信号を生成する点火信号生成部から出力される点火信号に基づいて点火コイルの一次側に接続された半導体スイッチング素子の制御端子を制御する制御回路を有する内燃機関用点火装置であって、
    前記制御回路は、前記半導体スイッチング素子の制御端子に駆動信号を供給するドライブ回路と、前記半導体スイッチング素子を流れる電流を検出して当該半導体スイッチング素子に流れる電流を制限する電流制限回路と、前記ドライブ回路及び前記電流制限回路に電源を供給する電源回路とを少なくとも備え、
    前記電源回路は、電源電圧を前記ドライブ回路及び前記電流制限回路で必要とする必要電圧に降圧する少なくとも1つの一次降圧回路と、該一次降圧回路で降圧した必要電圧を安定化する少なくとも1つのレギュレータとを備え、前記一次降圧回路を構成する半導体スイッチング素子は、オフセットドレイン構造を有する高耐圧素子で構成され、前記レギュレータを構成する半導体スイッチング素子は、オフセットドレイン構造を有さない低耐圧素子で構成されている
    ことを特徴とする内燃機関用点火装置。
  2. 前記一次降圧回路は、電源端子及びグランド間に直列に接続されたオフセットドレイン構造を有する半導体スイッチング素子及び抵抗と、前記半導体スイッチング素子のゲートに定電圧を与えるバイアス回路とで構成され、前記半導体スイッチング素子及び前記抵抗間から降圧電圧を出力することを特徴とする請求項1に記載の内燃機関用点火装置。
  3. 前記電源回路は、前記一次降圧回路及び前記レギュレータを一つずつ備え、前記レギュレータの安定化電圧を前記ドライブ回路及び前記電流制限回路の双方に供給することを特徴とする請求項1又は2に記載の内燃機関用点火装置。
  4. 前記電源回路は、一つの前記一次降圧回路と、該一次降圧回路から出力される必要電圧を前記ドライブ回路及び前記電流制限回路に個別に供給する二つのレギュレータとを少なくとも備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の内燃機関用点火装置。
  5. 前記電源回路は、前記一次降圧回路と前記レギュレータとの直列回路を少なくとも二組備え、各直列回路のレギュレータを前記ドライブ回路及び前記電流制限回路に個別に接続したことを特徴とする請求項1又は2に記載の内燃機関用点火装置。
  6. 前記電流制限回路は、シャント抵抗を用いて前記半導体スイッチング素子を流れる電流を検出することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の内燃機関用点火装置。
  7. 前記電流制限回路は、前記半導体スイッチング素子に設けた電流センス端子を流れる電流を検出することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の内燃機関用点火装置。
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