JP4905501B2 - 固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents
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Description
特にアナログ回路部の中でも画素部2については、フォトダイオード23から信号電荷(Qsig)を電荷検出部17に完全転送しなければならないため、低電圧化が難しい。
まず、図3において、フォトダイオード(PD)23に信号電荷24を蓄積している間、リセットトランジスタ16のドレイン端子15は電源電圧AVDD1になっている。図示の例では、AVDD1=2.5Vである(図中、26で示す)。この時、転送ゲート18のゲート電圧(ΦTG)は0Vである。
また、リセットトランジスタ16の“OFF”時のポテンシャル電位(ΦR)は、例えば1V程度である(図中、27で示す)。このリセットトランジスタ16は、ディープディプリーション(Deep Depletion)型トランジスタとなっている。
ここで、信号電荷(Qsig)24のうち、大部分の信号電荷(Qsig1)30がFD部17へ読み出されるが、一部の信号電荷(Qsig2)29はフォトダイオード23に残る。
この残った信号電荷は残像なり、画像特性を劣化させる。
ここで、残像が発生する原因は、転送ゲート18に印加する電圧が相対的に小さいため、転送ゲート18のゲート下にポテンシャルバリア31が発生し、フォトダイオード23の信号電荷を完全に読み出すことができないからである。
また、このような背景から画素部の動作マージンも大きくとれないという問題が生じ、さらに、画素部の構造等が制約を受け、製造工程が煩雑になったり、大きい電源電圧が必要となるといった問題も生じる。
本発明の第2の目的は、製造工程におけるマスク枚数の削減やプロセス工程の短縮を実現できる固体撮像装置の駆動方法を提供することにある。
したがって、各部の動作マージンが拡大し、画素部を含む回路部分の消費電力を削減することができ、さらに画素部における信号電荷の完全転送を図ることが可能となる。
また、通常はイオン注入マスクで打ち分けているトランジスタの閾値Vthの変更が不要となるので、イオン注入作業時におけるマスク枚数を大幅に削減でき、プロセス工程の短縮を実現できる。
したがって、各部の動作マージンが拡大し、画素部を含む回路部分の消費電力を削減することができ、さらに画素部における信号電荷の完全転送を図ることが可能となる。
また、本発明によれば、製造工程におけるマスク枚数の削減やプロセス工程の短縮を実現することができる。
なお、半導体チップ1には、基板コンタクト(VSUB)44が設けられている。
すなわち、図8において、DVDD1=DVDD2ではない。例えばDVDD1=3.3Vとすると、DVDD2=2.5Vである。このような電源電圧値を固体撮像装置の外部から半導体チップ1に供給することによって、特にフォトダイオード23からの信号電荷の完全転送が可能となる。
これにより、各部の動作マージンが拡大し、アナログ部分の消費電力を削減することができる。
なお、半導体チップ1には、基板コンタクト(VSUB)44が設けられている。
また、この結果、通常はイオン注入マスクで打ち分けているトランジスタの閾値Vthの変更が不要となるので、イオン注入作業時におけるマスク枚数を大幅に削減することが可能となる。
なお、半導体チップ1には、基板コンタクト(VSUB)44が設けられている。
このように、垂直駆動部6の構成は複雑になるが、電源電圧とGND電圧間の電圧差が大きいので、画素の動作マージンを大きくできる。
この結果、通常はイオン注入マスクで打ち分けているトランジスタの閾値Vthの変更が不要となるので、イオン注入作業時におけるマスク枚数を大幅に削減することが可能となる。
そして、図14においては、転送ゲート18とリセットトランジスタ16は、ΦTG=ΦR=“OFF”状態となっている。フォトダイオード23の領域には、信号電荷(Qsig)24が蓄積されている。
したがって、転送ゲート18に印加される電圧が大きいので、フォトダイオード23の信号電荷(Qsig)24を完全に電荷検出部17に読み出すことが可能となる。
また、垂直駆動部6は、垂直レジスタ部64、2つのレベルシフタ回路65、66等からなる。
これにより、選択トランジスタが活性化し、この画素が選択される(実際は行方向に複数配置されているので行方向の全ての画素が活性化する)。
その後、リセットトランジスタ16を活性化する。つまり、ΦR=DVDD1が印加され、電荷検出部17が画素部2の電源電圧(AVDD1)にリセットされる。
また、複数の電源電圧を用いることで、画素部2に用いるトランジスタの閾値Vthを1種類にでき、マスク枚数の削減が可能となる。
図23〜図28は、本実施形態におけるポテンシャル電位を示す説明図であり、縦軸がポテンシャル電位(V)、横軸が基板表面における各素子の形成位置に対応している。なお、既に説明した図3〜図7と共通の要素については、同一符号を付してある。
次に、昇圧回路52を活性化する。これによって、昇圧回路52が動作し、昇圧電圧(DVDD1)68、(DVDD2)69、(DVDD3)70が発生する。つまり、図22Bと図24に対応する。
この時、リセットトランジスタ16のドレイン端74の電圧はVDである。次に、選択トランジスタ57を選択するパルス(ΦA)60に電源電圧(DVDD2)を印加する。これによって画素が活性化される。
この後、転送ゲート(TG)18に電源電圧DVDD1を印加する。これは図22Eと図27が対応する。これにより、フォトダイオード23の信号電荷(Qsig)24が、電荷検出部18に読み出される。この時、電荷検出部18の電圧が大きいので、読み出される信号電荷量を大きくできる。つまり、信号のダイナミックレンジを大きくすることが可能である。
転送ゲート(TG)18を“OFF”する。これは図22Fと図28に対応する。
増幅トランジスタ56のドレイン端は、単位画素55の電源電圧(AVDD1)40に接続されており、リセットトランジスタ16のドレイン端は制御線(Φp)76に接続されている。
最初、ΦR1=“H”、Φp=“H”状態(第2の状態)から、Φp=“H”→“L”(第1の状態)に切り替る。その後、ΦR2=“L”→“H”とパルスが印加される。これによってリセットトランジスタ16のゲート電圧(VG)は接地電位GNDから上昇する。
これは、昇圧回路52や、ディプリーション型のトランジスタを使用しなくても、電荷検出部17を完全に電源電圧でリセットできるやり方であり、マスク枚数の削減などの手法に有利である。
このように、リセットするタイミング87を、画素を選択するタイミング88よりも先行させることによって、電荷検出部17の電位VFDを昇圧させることができる。
これは、駆動タイミングの工夫だけで実現できるので、閾値の異なるトランジスタを使わなくて良いし、昇圧回路も少なくて済む。
上述した第8実施形態では、図32Cの83に示すように、転送ゲートにパルスを印加しない場合の電圧を負電圧(DVSS3)とした。これによって、蓄積期間中のフォトダイオードに流れ込むリーク電流を抑圧することができる。
そこで、第9実施形態では、上述のような負電圧を実現するための具体的手段について説明する。
すなわち、このレベルシフト回路は、垂直レジスタ部64からの信号を受けるインバータ部(トランジスタ89、92)と、その後のGND側の電圧をDVSS1(=0V)からDVSS2(<0V)へシフトする回路(トランジスタ90、91、93、94)とを有するものである。
このような回路構成により、DVDD2に負電圧を印加すれば、このレベルシフト回路が“OFF”しているときに、画素部2への転送ゲートパルスΦTGには“負電圧”が印加されることになる。
また、このセンサPウェル領域98の周囲を取り囲むようにNウェル領域99が形成され、その外側に第2のPウェル領域100が形成されている。そして、この第2のPウェル領域100には、コンタクト104によってDVSS2が印加され、Pウェル電圧ごと負電源となっている。
このPウェル領域100に、図33に示した破線枠106の部分(トランジスタ93、94)が形成されることになる。
また、第2のPウェル領域100の外側には、さらにNウェル領域101が形成され、基板コンタクト44が形成される。
なお、さらに外側の周辺回路部は、Nウェル領域103、Pウェル領域102等で形成され、Pウェル領域102にはコンタクト105によってDVSS1が印加されている。このような構造によって、画素部2に負電圧を印加するためのウェル構造を形成することが可能となる。
また、通常はイオン注入マスクで打ち分けているトランジスタの閾値Vthの変更が不要となるので、イオン注入作業時におけるマスク枚数を大幅に削減でき、プロセス工程の短縮を実現できる効果がある。
また、本発明の固体撮像装置によれば、外部から電源電圧からレベルシフト手段を用いて複数の電源電圧を生成し、この複数の電源電圧を画素部及び周辺回路部に選択的に供給するようにしたことから、複数の電源電圧を使うことにより、各部分に最適な消費電力の設定が可能となり、特に画素部に必要なアナログ電源電圧を有効に設定できるため、各部の動作マージンが拡大し、画素部を含むアナログ部分の消費電力を削減することができ、さらに画素部における信号電荷の完全転送を図ることが可能となる効果がある。
また、通常はイオン注入マスクで打ち分けているトランジスタの閾値Vthの変更が不要となるので、イオン注入作業時におけるマスク枚数を大幅に削減でき、プロセス工程の短縮を実現できる効果がある。
Claims (6)
- 複数の単位画素から構成される画素部と、前記画素部を制御する周辺回路部とを有し、当該周辺回路部が第1の電源電圧の供給を受けて動作し、前記画素部が前記第1の電源電圧とは値が異なる第2の電源電圧の供給を受けて動作し、
前記単位画素が、
少なくとも受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を取り出すための電荷検出部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を前記電荷検出部に転送する転送手段と、
前記電荷検出部をリセットするリセット手段と、
前記電荷検出部の信号電荷を電気信号に変換して出力信号線に出力する増幅手段と、を含み、
前記リセット手段となるリセットトランジスタのソースが前記電荷検出部に接続され、前記リセットトランジスタのドレインが垂直駆動部により制御されるドレイン制御線に接続され、
前記リセットトランジスタのゲートをフローティング状態に制御する制御トランジスタを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記ドレイン制御線が第1の状態時に前記リセットトランジスタのゲートを第2の状態でホールドすることによって第1の電圧にセットし、
前記制御トランジスタにより前記リセットトランジスタのゲートをフローティング状態に制御し、
続けて前記ドレイン制御線を第2の状態にすることにより、前記リセットトランジスタのゲートとドレイン端の寄生容量によるカップリングによってリセットトランジスタのゲートを第1の電圧よりも大きい第2の電圧にセットする
固体撮像装置の駆動方法。 - 複数の単位画素から構成される画素部と、前記画素部を制御する周辺回路部とを有し、当該周辺回路部が第1の電源電圧の供給を受けて動作し、前記画素部が前記第1の電源電圧とは値が異なる第2の電源電圧の供給を受けて動作し、
前記画素部を駆動するための垂直駆動部を有し、
前記単位画素が、
少なくとも受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を取り出すための電荷検出部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を前記電荷検出部に転送する転送トランジスタと、
前記電荷検出部をリセットするリセットトランジスタと、
前記電荷検出部の信号電荷を電気信号に変換して出力信号線に出力する増幅トランジスタと、
画素行を選択するための選択トランジスタと、
少なくとも1個の電源電圧源と、
を含み、
前記リセットトランジスタのソースが前記電荷検出部に接続され、前記リセットトランジスタのドレインが電源電圧源に接続され、前記電荷検出部が前記増幅トランジスタのゲートに接続された
固体撮像装置の駆動方法であって、
単位画素内の接続順序が電源電圧源、選択トランジスタ、増幅トランジスタ、出力信号線の順であり、
前記垂直駆動部の駆動より、前記転送トランジスタをOFF状態に保持して、前記リセットトランジスタをON状態にすることで前記電荷検出部を第1の電圧にセットし、
前記リセットトランジスタをOFF状態にすることで前記電荷検出部をフローティング状態とし、
前記選択トランジスタをON状態にすることによって前記選択トランジスタのソースと前記電荷検出部の寄生容量により、前記電荷検出部を第2の電圧に昇圧する
固体撮像装置の駆動方法。 - 複数の単位画素から構成される画素部と、前記画素部を制御する周辺回路部とを有し、当該周辺回路部が第1の電源電圧の供給を受けて動作し、前記画素部が前記第1の電源電圧とは値が異なる第2の電源電圧の供給を受けて動作し、
前記画素部を駆動するための垂直駆動部を有し、
前記単位画素が、
少なくとも受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を取り出すための電荷検出部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を前記電荷検出部に転送する転送トランジスタと、
前記電荷検出部をリセットするリセットトランジスタと、
前記電荷検出部の信号電荷を電気信号に変換して出力信号線に出力する増幅トランジスタと、
画素行を選択するための選択トランジスタと、
少なくとも1個の電源電圧源と、
を含み、
前記リセットトランジスタのソースが前記電荷検出部に接続され、前記リセットトランジスタのドレインが電源電圧源に接続され、前記電荷検出部が前記増幅トランジスタのゲートに接続された
固体撮像装置の駆動方法であって、
単位画素内の接続順序が電源電圧源、選択トランジスタ、増幅トランジスタ、出力信号線の順であり、
前記垂直駆動部による前記画素部の駆動の順序が、前記転送トランジスタをOFF状態に保持して、先に前記リセットトランジスタを一度ONして前記電荷検出部を電源電圧にリセットした後、
当該リセットトランジスタをOFFして前記電荷検出部をフローティング状態とした後、
前記選択トランジスタをONすることにより前記選択トランジスタの前記増幅トランジスタとの接続側ノードを中間電圧とし、当該ノードと前記電荷検出部は寄生容量によりカップリングして前記電荷検出部の電位を昇圧し、
この状態で前記転送トランジスタをONして前記光電変換部の信号電荷を読み出す
固体撮像装置の駆動方法。 - 複数の単位画素から構成される画素部と、前記画素部を制御する周辺回路部とを有し、当該周辺回路部が第1の電源電圧の供給を受けて動作し、前記画素部が前記第1の電源電圧とは値が異なる第2の電源電圧の供給を受けて動作し、
入力された電源電圧のレベルを前記第1の電源電圧および/または第2の電源電圧に変換するレベルシフト手段を有し、
前記レベルシフト手段によって生成された第1の電源電圧を前記周辺回路部に選択的に供給し、生成された第2の電源電圧を前記画素部に選択的に供給し、
前記単位画素が、
少なくとも受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を取り出すための電荷検出部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を前記電荷検出部に転送する転送手段と、
前記電荷検出部をリセットするリセット手段と、
前記電荷検出部の信号電荷を電気信号に変換して出力信号線に出力する増幅手段と、を含み、
前記リセット手段となるリセットトランジスタのソースが前記電荷検出部に接続され、前記リセットトランジスタのドレインが垂直駆動部により制御されるドレイン制御線に接続され、
前記リセットトランジスタのゲートをフローティング状態に制御する制御トランジスタを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記ドレイン制御線が第1の状態時に前記リセットトランジスタのゲートを第2の状態でホールドすることによって第1の電圧にセットし、
前記制御トランジスタにより前記リセットトランジスタのゲートをフローティング状態に制御し、
続けて前記ドレイン制御線を第2の状態にすることにより、前記リセットトランジスタのゲートとドレイン端の寄生容量によるカップリングによってリセットトランジスタのゲートを第1の電圧よりも大きい第2の電圧にセットする
固体撮像装置の駆動方法。 - 複数の単位画素から構成される画素部と、前記画素部を制御する周辺回路部とを有し、当該周辺回路部が第1の電源電圧の供給を受けて動作し、前記画素部が前記第1の電源電圧とは値が異なる第2の電源電圧の供給を受けて動作し、
前記画素部を駆動する垂直駆動部と、
入力された電源電圧のレベルを前記第1の電源電圧および/または第2の電源電圧に変換するレベルシフト手段と、を有し、
前記レベルシフト手段によって生成された第1の電源電圧を前記周辺回路部に選択的に供給し、生成された第2の電源電圧を前記画素部に選択的に供給し、
前記単位画素が、
少なくとも受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を取り出すための電荷検出部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を前記電荷検出部に転送する転送トランジスタと、
前記電荷検出部をリセットするリセットトランジスタと、
前記電荷検出部の信号電荷を電気信号に変換して出力信号線に出力する増幅トランジスタと、
画素行を選択するための選択トランジスタと、
少なくとも1個の電源電圧源と、
を含み、
前記リセットトランジスタのソースが前記電荷検出部に接続され、前記リセットトランジスタのドレインが電源電圧源に接続され、前記電荷検出部が前記増幅トランジスタのゲートに接続された
固体撮像装置の駆動方法であって、
単位画素内の接続順序が電源電圧源、選択トランジスタ、増幅トランジスタ、出力信号線の順であり、
前記垂直駆動部の駆動より、前記転送トランジスタをOFF状態に保持して、前記リセットトランジスタをON状態にすることで前記電荷検出部を第1の電圧にセットし、
前記リセットトランジスタをOFF状態にすることで前記電荷検出部をフローティング状態とし、
前記選択トランジスタをON状態にすることによって前記選択トランジスタのソースと前記電荷検出部の寄生容量により、前記電荷検出部を第2の電圧に昇圧する
固体撮像装置の駆動方法。 - 複数の単位画素から構成される画素部と、前記画素部を制御する周辺回路部とを有し、当該周辺回路部が第1の電源電圧の供給を受けて動作し、前記画素部が前記第1の電源電圧とは値が異なる第2の電源電圧の供給を受けて動作し、
前記画素部を駆動する垂直駆動部と、
入力された電源電圧のレベルを前記第1の電源電圧および/または第2の電源電圧に変換するレベルシフト手段と、を有し、
前記レベルシフト手段によって生成された第1の電源電圧を前記周辺回路部に選択的に供給し、生成された第2の電源電圧を前記画素部に選択的に供給し、
前記単位画素が、
少なくとも受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を取り出すための電荷検出部と、
前記光電変換部によって生成された信号電荷を前記電荷検出部に転送する転送トランジスタと、
前記電荷検出部をリセットするリセットトランジスタと、
前記電荷検出部の信号電荷を電気信号に変換して出力信号線に出力する増幅トランジスタと、
画素行を選択するための選択トランジスタと、
少なくとも1個の電源電圧源と、
を含み、
前記リセットトランジスタのソースが前記電荷検出部に接続され、前記リセットトランジスタのドレインが電源電圧源に接続され、前記電荷検出部が前記増幅トランジスタのゲートに接続された
固体撮像装置の駆動方法であって、
単位画素内の接続順序が電源電圧源、選択トランジスタ、増幅トランジスタ、出力信号線の順であり、
前記垂直駆動部による前記画素部の駆動の順序が、前記転送トランジスタをOFF状態に保持して、先に前記リセットトランジスタを一度ONして前記電荷検出部を電源電圧にリセットした後、
当該リセットトランジスタをOFFして前記電荷検出部をフローティング状態とした後、
前記選択トランジスタをONすることにより前記選択トランジスタの前記増幅トランジスタとの接続側ノードを中間電圧とし、当該ノードと前記電荷検出部は寄生容量によりカップリングして前記電荷検出部の電位を昇圧し、
この状態で前記転送トランジスタをONして前記光電変換部の信号電荷を読み出す
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KR101145059B1 (ko) | 2004-12-30 | 2012-05-11 | 인텔렉츄얼 벤처스 투 엘엘씨 | Cmos 이미지센서 및 그 구동방법 |
JP4452199B2 (ja) | 2005-02-25 | 2010-04-21 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
KR100755662B1 (ko) * | 2005-06-23 | 2007-09-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적 회로 소자 및 그 제조 방법 |
JP4865267B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2012-02-01 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置及び内視鏡 |
JP4696788B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-06-08 | 日本ビクター株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4828914B2 (ja) | 2005-10-28 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP4898522B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2012-03-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮像システム、及び、撮像装置の制御方法 |
JP2008053286A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置チップセット及び画像ピックアップシステム |
KR100889483B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2009-03-19 | 한국전자통신연구원 | 저전압 동작 특성 향상을 위한 이미지 센서 |
EP1983742A1 (en) * | 2007-04-16 | 2008-10-22 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Image sensor power distribution |
US20090115878A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-07 | Micron Technology, Inc. | Method, system and apparatus to boost pixel floating diffusion node voltage |
SI2271938T1 (sl) * | 2008-04-11 | 2014-07-31 | Board Of Regents Of The University Of Texas System | Postopek in naprava za ojačenje električno generirane kemiluminiscence nanodelcev |
JP5332314B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2013-11-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP5266884B2 (ja) | 2008-05-30 | 2013-08-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、撮像装置、画素駆動方法 |
JP2010050710A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
TWI390487B (zh) * | 2008-08-29 | 2013-03-21 | Au Optronics Corp | 驅動積體電路晶片及平面顯示器之驅動電路 |
JP5257183B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2013-08-07 | セイコーエプソン株式会社 | センシング装置および電子機器 |
JP5218309B2 (ja) * | 2009-07-14 | 2013-06-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその制御方法、並びにカメラシステム |
WO2011064924A1 (ja) | 2009-11-26 | 2011-06-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP5489681B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
KR101898297B1 (ko) * | 2010-03-08 | 2018-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
JP5542091B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2014-07-09 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP5511541B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP5470181B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-04-16 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5646420B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2014-12-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP6052511B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2016-12-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
JP6242211B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-12-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
JP6171997B2 (ja) | 2014-03-14 | 2017-08-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器 |
JP6443667B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2018-12-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US9362320B2 (en) | 2014-06-03 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit having a level shifter and method of making the same |
FR3024788B1 (fr) | 2014-08-01 | 2017-05-19 | Sagem Defense Securite | Procede de verification de tracabilite de premieres instructions en un langage de programmation procedurale generees a partir de secondes instructions en un langage de modelisation |
JP6764572B2 (ja) | 2015-06-30 | 2020-10-07 | ソニー株式会社 | イメージセンサ、および電子機器 |
WO2017051451A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | オリンパス株式会社 | 固体撮像素子および内視鏡システム |
CN113099139A (zh) * | 2015-09-30 | 2021-07-09 | 株式会社尼康 | 摄像元件及电子相机 |
KR20220124484A (ko) * | 2021-03-03 | 2022-09-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63124685A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JP3313125B2 (ja) * | 1991-10-07 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | Ccd型固体撮像素子 |
JP3271086B2 (ja) | 1992-09-29 | 2002-04-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の駆動回路 |
JP2975973B2 (ja) * | 1993-08-10 | 1999-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3517278B2 (ja) * | 1994-06-10 | 2004-04-12 | ペンタックス株式会社 | 撮像素子の電圧制御装置 |
US5625210A (en) * | 1995-04-13 | 1997-04-29 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
JPH09121306A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ccd駆動装置 |
JP3998753B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2007-10-31 | 富士フイルム株式会社 | 画像読取装置 |
JP3573929B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2004-10-06 | 三洋電機株式会社 | 電源回路 |
US6127697A (en) * | 1997-11-14 | 2000-10-03 | Eastman Kodak Company | CMOS image sensor |
JPH11313256A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
JP3657780B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2005-06-08 | 株式会社東芝 | 撮像装置 |
JP3571226B2 (ja) * | 1998-09-10 | 2004-09-29 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP2000092395A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP2000224495A (ja) | 1998-11-24 | 2000-08-11 | Canon Inc | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
JP4307602B2 (ja) | 1998-11-24 | 2009-08-05 | オリンパス株式会社 | 撮像装置及び撮像装置の動作モード設定方法 |
JP3031367B1 (ja) | 1998-12-02 | 2000-04-10 | 日本電気株式会社 | イメージセンサ |
US6218656B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-04-17 | Eastman Kodak Company | Photodiode active pixel sensor with shared reset signal row select |
JP2000209508A (ja) | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2001085658A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP3796412B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP3724374B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2005-12-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
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