JP4901604B2 - アレイ基板及びその製造方法、並びにそれを備えた液晶表示装置 - Google Patents
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Description
次に、前記金属膜20a上にフォトレジストレジンを形成して、感光性膜(photoresest film)90を形成する。
前記基板10を現像して、硬化領域90aを除いた感光性膜90を除去する。したがって、硬化領域90aを有する感光性パターンが形成される。
本発明は、フォトリソグラフィ方式を使用しないことで、工程費用を顕著に減らすことができ、かつ工数が減って工程が単純になりえる。
本発明は、モールドを利用してそのまま基板にパターンを転写させることによって、高解像度のパターンを得ることができ、かつ、歩留まりを向上させることができる。
前記第1ER層190aは、パターン形成のためのマスク物質であって、polyethylene glycol、hexandiol diacylate、1,4−butanediol diglycidyl etherのうちの何れか一つの物質からなることができる。これらの物質の表面エネルギーは、約33〜40mJ/cm2である。
前記硬化過程を経た後、前記第1モールド300aを基板110から脱着させる。
したがって、前記基板110上に第1ERパターン190bが形成される。
したがって、前記第2段差148を補償するために、前記半導体層118を含む前記第1平坦膜120上に平坦膜220を形成する。
前記第3モールド300bはマスターモールドから製造され、上述の第1モールド300aの製造方法により容易に理解され得る。
前記第4ER層190fは、パターン形成のためのマスク物質であって、polyethylene glycol、hexandiol diacylate、1,4−butanediol diglycidyl etherのうちの何れか一つの物質からなることができる。
112 ゲートライン
114 ゲート電極
115 共通ライン
116 ゲート絶縁膜
120 第1平坦膜
118 半導体層
122 第2平坦膜
124 データライン
126a ソース電極
126b ドレイン電極
128 薄膜トランジスタ
130 保護膜
132a 第1コンタクトホール
132b 第2コンタクトホール
134 画素電極
134a、134b、134c 画素電極棒
136 共通電極
136a、136b、136c、136d 共通電極棒
Claims (26)
- In−plane printing方式を利用し、第1モールドを利用して、基板上にゲートライン、ゲート電極及び共通ラインを形成するステップと、
前記ゲートライン、前記ゲート電極及び前記共通ラインを含む前記基板上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲートライン及びゲート電極によってゲート絶縁膜上に形成される段差を平坦化するために前記ゲート絶縁膜上に配置された第1平坦膜を形成するステップと、
In−plane printing方式を利用し、第2モールドを利用して、前記ゲート電極と対応するゲート絶縁膜及び前記ゲート電極と対応する前記第1平坦膜上に半導体層を形成するステップと、
前記第1平坦膜上に第2平坦膜を形成するステップと、
In−plane printing方式を利用し、第3モールドを利用して、第2平坦膜上にデータライン、前記半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成するステップと、
In−plane printing方式を利用し、第4モールドを利用して、第1及び第2コンタクトホールを有する保護膜を形成するステップと、
In−plane printing方式を利用し、第5モールドを利用して、前記保護膜上に前記第1コンタクトホールを介して前記ドレイン電極に電気的に接続した画素電極、及び前記保護膜上に前記第2コンタクトホールを介して前記共通ラインと電気的に接続した共通電極を形成するステップと、を含み、
前記第1平坦膜を形成するステップは、
前記ゲート絶縁膜上に第1物質を蒸着するステップと、
前記ゲート電極、ゲートライン及び共通ラインに対応するゲート絶縁膜が露出するように前記第1物質を平坦化するステップと、を含み、
前記第2平坦膜を形成するステップは、
前記第1平坦膜及び前記半導体層上に第2物質を蒸着するステップと、
前記半導体層が露出するように前記第2物質を平坦化するステップと、を含み、
前記第1平坦膜は、前記ゲートライン、前記ゲート電極及び前記共通ラインに対応していない前記ゲート絶縁膜上に形成されることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
- 前記共通電極は、前記共通電極から伸びた複数の共通電極バーを含むことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記共通電極を形成するステップは、
前記保護膜上に透明な導電物質を形成するステップと、
前記第5モールドを利用して、前記透明な導電物質上に第4エッチングレジストパターンを形成するステップと、
前記第4エッチングレジストパターンを利用して、前記透明な導電物質をパターニングするステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極は、前記画素電極から伸びた複数の画素電極バーを含むことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第1平坦膜は、有機絶縁物質及び無機絶縁物質のうちの何れか一つで形成されることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第1平坦膜は、前記ゲート絶縁膜と同じ物質から形成されることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第1平坦膜は、前記ゲート絶縁膜と異なる物質から形成されることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第2平坦膜は、前記第1平坦膜と同じ物質から形成されることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第2平坦膜は、前記第1平坦膜と異なる物質から形成されることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲートライン、前記ゲート電極及び前記共通ラインを形成するステップは、
前記基板上に第1金属膜を形成するステップと、
第1モールドを利用して、前記第1金属膜上に第1エッチングレジストパターンを形成するステップと、
前記第1エッチングレジストパターンを利用して、第1金属膜をパターニングするステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第1モールドのパターンの厚さは、前記第1エッチングレジストパターンの厚さより大きいことを特徴とする請求項10に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第1エッチングレジストパターンは、前記第1モールドより大きい表面エネルギーを有するレジスト物質から形成されることを特徴とする請求項10に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記レジスト物質は、polyethylene glycol、hexandiol diacylate及び1,4−butanediol diglycidyl etherのうちの何れか一つを含むことを特徴とする請求項12に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記半導体層を形成するステップは、
前記ゲート絶縁膜及び前記第1平坦膜上に半導体物質を形成するステップと、
前記第2モールドを利用して、前記半導体物質上に第2エッチングレジストパターンを形成するステップと、
前記第2エッチングレジストパターンを利用して、前記半導体物質をパターニングするステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第2モールドのパターンの厚さは、前記第2エッチングレジストパターンの厚さより大きいことを特徴とする請求項14に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第2エッチングレジストパターンは、前記第2モールドより大きい表面エネルギーを有するレジスト物質から形成されることを特徴とする請求項14に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記レジスト物質は、polyethylene glycol、hexandiol diacylate及び1,4−butanediol diglycidyl etherのうちの何れか一つを含むことを特徴とする請求項16に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記データライン、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するステップは、
前記半導体層及び前記第2平坦膜上に第2金属膜を形成するステップと、
前記第3モールドを利用して、前記第2金属膜上に第3エッチングレジストパターンを形成するステップと、
前記第3エッチングレジストパターンを利用して、第2金属膜をパターニングするステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第3モールドのパターンの厚さは、前記第3エッチングレジストパターンの厚さより大きいことを特徴とする請求項18に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第3エッチングレジストパターンは、前記第3モールドより大きい表面エネルギーを有するレジスト物質から形成されることを特徴とする請求項18に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記レジスト物質は、polyethylene glycol、hexandiol diacylate及び1,4−butanediol diglycidyl etherのうちの何れか一つを含むことを特徴とする請求項20に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第1及び第2コンタクトホールを有する前記保護膜を形成するステップは、
前記第2平坦膜上に絶縁物質を形成するステップと、
前記第4モールドを利用して、前記ドレイン電極が露出した前記第1コンタクトホールと所定のホールを形成するステップと、
前記ホールを介して前記第1及び第2平坦膜をパターニングして、前記共通ラインが露出した前記第2コンタクトホールを形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極を形成するステップは、
前記保護膜上に透明な導電物質を形成するステップと、
前記第5モールドを利用して、前記透明な導電物質上に第4エッチングレジストパターンを形成するステップと、
前記第4エッチングレジストパターンを利用して、前記透明な導電物質をパターニングするステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第5モールドのパターンの厚さは、前記第4エッチングレジストパターンの厚さより大きいことを特徴とする請求項23に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記第4エッチングレジストパターンは、前記第5モールドより大きい表面エネルギーを有するレジスト物質から形成されることを特徴とする請求項23に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記レジスト物質は、polyethylene glycol、hexandiol diacylate及び1,4−butanediol diglycidyl etherのうちの何れか一つを含むことを特徴とする請求項25に記載のアレイ基板の製造方法。
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