JP4894095B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に半導体記憶装置に関し、詳しくは信号遅延を模擬するタイミング制御回路を備えた半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体記憶装置を高速化するためには、半導体記憶装置の動作に関して緻密なタイミング制御技術が必要になる。一方、半導体記憶装置を高集積化する際に、より精細な構造をプロセスで製造しようとすると、より製造ばらつきが大きくなる傾向にある。このように製造ばらつきが存在する条件で、緻密なタイミング制御を行なうことは容易ではない。
【0003】
例えば、外部信号を元に遅延回路等を用いて、内部回路の動作タイミングを規定するタイミング制御信号を生成することが、従来から行なわれている。しかしこの手法では、配線に寄生する負荷容量や寄生抵抗が製造ばらつきによって異なると、タイミング制御信号のタイミングにずれが生じてしまう。従ってこのずれを見込んで余裕をもったタイミング設定をする必要があり、半導体記憶装置の高速化を妨げる要因となっている。
【0004】
これを解決するために、ある種の半導体記憶装置においては、半導体記憶装置内での信号遅延を模擬することによって、正確なタイミング制御信号を生成することが行われる。このようなタイミング制御回路は、セルフタイミング回路と呼ばれる。例えば、メモリアクセスに関して最もタイミングが遅くなる経路を考え、この経路による信号遅延を模擬する回路を設け、これによって内部回路の動作タイミングを規定するタイミング制御信号を生成する。この手法では、タイミング制御信号は実際のメモリアクセスを模擬するタイミングとなるために、製造ばらつきをある程度抑えることが可能になる。
【0005】
この手法において、タイミング制御信号を生成するための最もタイミングが遅い経路としては、入出力回路から最も遠く、またワードデコーダから最も遠いメモリセルをアクセスする経路を用いている。
【0006】
図1は、タイミング補償用に入出力回路及びワードデコーダから最も遠い経路を用いた場合のタイミングを説明するための図である。
【0007】
図1に示される半導体記憶装置は、コントロール回路11、デコーダ回路12、メモリセルアレイ13、リードライトアンプ14、ダミーワードデコーダ15、ダミーワード線16、ダミーメモリセル17、及びダミービット線18を含む。実際のデータ読み出し動作に関しては、外部からコントロール回路11に入力されるクロック信号CK及びアドレス信号ADDRESSに基づいて、デコーダ回路12によってメモリセルアレイ13のワード線を選択的に活性化することで、メモリセル19に対して読み出し信号を供給する。この場合の読み出し信号の伝達経路が、▲1▼、▲2▼、及び▲3▼の経路で示される。なおメモリセルアレイ13において読み出しの対象であるメモリセル19は、コントロール回路11から最も遠いセルとして示されている。セル19から読み出されたデータは、メモリセルアレイ13のビット線である経路▲4▼を介して、リードライトアンプ14に供給される。ここに示されるデータ読み出し経路▲1▼、▲2▼、▲3▼、及び▲4▼が、データ読み出しに最も長い時間がかかる経路であり、タイミング的に最も厳しいクリティカルパスである。
【0008】
また一方、外部からコントロール回路11に入力されるクロック信号CK及びアドレス信号ADDRESSに基づいて、ダミーワードデコーダ15によってダミーワード線16を活性化することで、ダミーメモリセル17に読み出し信号を供給する。この場合の読み出し信号の伝達経路が、▲1▼、▲6▼、及び▲7▼の経路で示される。ダミーメモリセル17から読み出されるダミーメモリセルの信号は、ダミービット線18を介してコントロール回路11に供給される。コントロール回路11は、このダミーメモリセルの信号に基づいて、リードライトアンプ14にセンスアンプ活性化信号を供給し、実際の読み出しデータを増幅する。このダミーメモリセル信号及びセンスアンプ活性化信号の伝達経路が、▲8▼、▲9▼、及び▲5▼の経路として示される。
【0009】
これによって、データ読み出し経路▲1▼、▲2▼、▲3▼、及び▲4▼を介して読み出された実際のデータが、リードライトアンプ14によって増幅されて、装置外部に経路(10)を介して出力される。ここで、ダミーメモリセル信号を読み出す経路は、最もタイミングの遅いクリティカルパスよりも更にタイミングの遅い経路に設定されており、これによって、クリティカルパスに対するデータ読み出しを確実に実行することが可能となる。このようにセルフタイミング回路においては、実際のメモリアクセスを模擬するタイミングでタイミング制御信号(センスアンプ活性化信号)を生成することによって、製造ばらつきによるタイミング誤差を相殺することが可能になる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上記手法において、ダミーメモリセル17は、コントロール回路11から最も遠いメモリセル19より、更に遠い位置に設けられている。従って、ダミーワードデコーダ15、ダミーワード線16、ダミービット線18等を駆動するための負荷は、メモリセルアレイ13に対するデータ読み出しの最大負荷より更に大きくなり、セルフタイミング回路における消費電力が大きくなるという問題がある。このセルフタイミング回路における消費電力は、消費電力の削減を重視するメモリにおいては、無視できない大きさである。
【0011】
以上を鑑み、本発明は、信号遅延を模擬するセルフタイミング回路を有し製造ばらつきに対する安定性に優れると共に、セルフタイミング回路による電力消費が比較的小さい半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体記憶装置は、メモリセルに対するデータアクセス経路と、該データアクセス系路上の信号線を駆動する信号駆動回路と、該データアクセス経路を模擬するダミー経路と、該駆動回路を模擬するダミー駆動回路と、該ダミー経路を伝播した信号に応じてタイミング制御信号を生成するコントロール回路と、該タイミング制御信号に応じたタイミングで信号増幅を行なう入出力回路とを含み、該データアクセス経路及び該信号駆動回路は、該コントロール回路により駆動されるデコーダ回路と、該デコーダ回路によって駆動されるワード線、該メモリセル、及びビット線を含むメモリセルアレイを含み、該ダミー経路及び該ダミー駆動回路は、該デコーダ回路を模擬するダミーワードデコーダと、
該ワード線を模擬するダミーワード線回路と、該メモリセルを模擬するダミーメモリセルと、該ビット線を模擬するダミービット線回路を含み、該メモリセルアレイの該デコーダ回路側及び該入出力回路側のコーナー付近に、該ダミーワードデコーダ、該ダミーワード線回路、該ダミーメモリセル、及び該ダミービット線回路が設けられ、該ダミーワード線回路のダミーワード線は該データアクセス経路の該ワード線より負荷が小さく、該ダミーワード線を駆動する該ダミー駆動回路は該データアクセス経路の該ワード線を駆動する該信号駆動回路より駆動能力が小さいことを特徴とする。
【0013】
上記半導体記憶装置においては、実際のデータアクセス経路より負荷が小さいダミー経路を、実際の信号駆動回路より駆動能力が小さいダミー駆動回路によって駆動することで、製造ばらつきによるタイミングの誤差を相殺するタイミング制御を可能としながらも、従来のセルフタイミング回路と比較して消費電力が削減された回路構成を実現することが出来る。
【0014】
また本発明のある側面によれば、上記半導体記憶装置においては、メモリセルアレイのデコーダ回路側及び入出力回路側のコーナー付近に、ダミーワードデコーダ、ダミーワード線回路、ダミーメモリセル、及びダミービット線回路が設けられる。また更に、ダミーワード線回路はメモリセルアレイのワード線と同一方向に延展し折り返されるダミーワード線を含み、ダミービット線回路はメモリセルアレイのビット線と同一方向に延展し折り返されるダミービット線を含むことを特徴とする。
【0015】
上記構成によれば、データアクセス経路を模擬するダミー経路を短い長さで容易に実現することが出来る。
【0016】
また本発明による半導体記憶装置は、メモリセルに対するデータアクセスを模擬してタイミング制御信号を生成する際に模擬対象の回路よりも相対的に小さい負荷を有するダミー経路を相対的に小さい駆動能力で駆動するセルフタイミング回路を含むことを特徴とする。
【0017】
上記半導体記憶装置においては、模擬対象の回路よりも相対的に小さい負荷を有するダミー経路を相対的に小さい駆動能力で駆動するセルフタイミング回路を用いることで、製造ばらつきによるタイミングの誤差を相殺するタイミング制御を可能としながらも、従来のセルフタイミング回路と比較して消費電力が削減された回路構成を実現することが出来る。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を添付の図面を用いて詳細に説明する。
【0019】
図2は、本発明によるセルフタイミング回路を有する半導体記憶装置の構成を示す図である。
【0020】
図1に示される半導体記憶装置は、コントロール回路11、デコーダ回路12、メモリセルアレイ13、リードライトアンプ14、ダミーワードデコーダ25、ダミーワード線回路26、ダミーメモリセル27、及びダミービット線回路28を含む。
【0021】
ダミーワードデコーダ25、ダミーワード線回路26、ダミーメモリセル27、及びダミービット線回路28が、本発明のセルフタイミング回路を構成する。このセルフタイミング回路のダミーワードデコーダ25は、デコーダ回路12よりコントロール回路11に近い位置に設けられている。またダミーワード線回路26、ダミーメモリセル27、及びダミービット線回路28は、メモリセルアレイ13よりもコントロール回路11に近い位置に設けられている。
【0022】
実際のデータ読み出し動作に関しては、外部からコントロール回路11に入力されるクロック信号CK及びアドレス信号ADDRESSに基づいて、デコーダ回路12によってメモリセルアレイ13のワード線を選択的に活性化することで、メモリセル19に対して読み出し信号を供給する。この場合の読み出し信号の伝達経路が、▲1▼、▲2▼、及び▲3▼の経路で示される。なおメモリセルアレイ13において読み出しの対象であるメモリセル19は、コントロール回路11から最も遠いセルとして示されている。セル19から読み出されたデータは、メモリセルアレイ13のビット線である経路▲4▼を介して、リードライトアンプ14に供給される。ここに示されるデータ読み出し経路▲1▼、▲2▼、▲3▼、及び▲4▼が、データ読み出しに最も長い時間がかかる経路であり、タイミング的に最も厳しいクリティカルパスである。
【0023】
また一方、外部から入力されるクロック信号CK及びアドレス信号ADDRESSに基づいて、コントロール回路11は、デコーダ回路12よりもコントロール回路11に近い側に設けられるダミーワードデコーダ25を制御する。ダミーワードデコーダ25は、メモリセルアレイ13のワード線と同一方向に延展し折り返されるダミーワード線回路26のダミーワード線を活性化することで、ダミーメモリセル27に読み出し信号を供給する。この場合の読み出し信号の伝達経路が、▲1▼、▲6▼、及び▲7▼の経路で示される。
【0024】
ダミーメモリセル27から読み出されるダミーメモリセルの信号は、メモリセルアレイ13のビット線と同一方向に延展し折り返されるダミービット線回路28のダミービット線を介して、コントロール回路11に供給される。コントロール回路11は、このダミーメモリセルの信号に基づいて、リードライトアンプ14にセンスアンプ活性化信号を供給し、実際の読み出しデータを増幅する。このダミーメモリセル信号及びセンスアンプ活性化信号の伝達経路が、▲8▼、▲9▼、及び▲5▼の経路として示される。
【0025】
これによって、データ読み出し経路▲1▼、▲2▼、▲3▼、及び▲4▼を介して読み出された実際のデータが、リードライトアンプ14によって増幅されて、装置外部に経路(10)を介して出力される。
【0026】
図3は、ダミーワードデコーダ25、ダミーワード線回路26、ダミーメモリセル27、及びダミービット線回路28の信号伝達経路を拡大して示す図である。
【0027】
図3に示されるように、コントロール回路11にはバッファ30が設けられており、このバッファ30から信号を供給することによって、ダミーワードデコーダ25内のダミーデコード線31が駆動される。ダミーデコード線31は、折り返されてバッファ32に接続される。これによって、バッファ30からの信号がバッファ32に供給される。バッファ32は、入力される信号に応答して、ダミーワード線回路26のダミーワード線33を駆動する。ダミーワード線33は、図示されるように折り返されてダミーメモリセル27に接続される。ダミーワード線33を活性化することでダミーメモリセル27から読み出したセル信号は、ダミービット線回路28のダミービット線34を伝播して次段のバッファ35に供給される。ダミービット線34は、図示されるように折り返された配置となっている。
【0028】
上記のように、本発明の構成では図2及び図3に示されるような回路配置とし、ダミーデコード線31、ダミーワード線33、及びダミービット線34を折り返すことで、メモリセルアレイ13のコントロール回路11に近い側のコーナー付近にセルフタイミング回路を設けている。
【0029】
また本発明においては、以下に説明するように、ダミーワードデコーダ25、ダミーワード線回路26、及びダミービット線回路28について、各ダミー回路の負荷と各ダミー回路を駆動するバッファの駆動能力とを適宜設定することで、適切な遅延時間を実現するようにしている。
【0030】
図4は、デコーダ回路12及びダミーワードデコーダ25に関するダミー負荷及びバッファ駆動能力の設定を説明するための図である。
【0031】
図4に示されるように、通常のデータ読み出し及びデータ書き込みのためのデコーダ回路12は、例えばNAND回路41乃至44及びインバータ45乃至48を含む。4本のデコード信号線S1乃至S4が夫々NAND回路41乃至44に接続され、何れがHIGHになるかによって、メモリセルアレイ13内に延展するワード線WL1乃至WL4の何れかを選択する。またコントロール回路11のバッファ30Aがデコード線49を駆動して、NAND回路を駆動することで、上記選択されたワード線を適切なタイミングで活性化する。
【0032】
またダミーワードデコーダ25は、NAND回路51及びインバータ32(図3のバッファ32)を含む。NAND回路51は、NAND回路41乃至44と同一の回路構成であり、インバータ32は、インバータ45乃至48と同一の回路構成である。コントロール回路11のバッファ30Aがデコード線49を駆動するのと同一のタイミングで、コントロール回路11のバッファ30がダミーデコード線31を駆動する。これによって、NAND回路51が適当なタイミングで駆動され、ダミーワード線33が適切なタイミングで活性化される。
【0033】
ここで例えば、バッファ30の駆動能力は、バッファ30Aの駆動能力の1/4に設定される。またダミーデコード線31の配線負荷は、デコード線49の配線負荷の1/4に設定され、更にダミーデコード線31には1ワード分の負荷が接続され、デコード線には4ワード分の負荷が接続されている。これによってダミーワードデコーダ25のダミー負荷は、デコーダ回路12の負荷の1/4となる。従って、ノードXからバッファ30A及びデコード線49を介したノードYまでの遅延時間と、ノードXからバッファ30及びダミーデコード線31を介したノードYYまでの遅延時間とを、同一に設定することが可能となる。なおノードYは、データ読み出し経路のうちで最大の遅延時間を有するクリティカルパスに対応する。
【0034】
図5は、メモリセルアレイ13のワード線及びダミーワード線回路26のダミーワード線33に関するダミー負荷及びバッファ駆動能力の設定を説明するための図である。
【0035】
図5に示されるように、メモリセルアレイ13は、ワード線WL1と複数のメモリセル61−1乃至61−nを含む。メモリセル61−1乃至61−nはワード線WL1に接続され、ワード線WL1が選択活性化することによって、メモリセル61−1乃至61−nに対するビット線を介してのアクセスが可能になる。ここでメモリセル61−1乃至61−nの個数nは、例えば256個である。ワード線WL1は、クリティカルパスに対応し、デコーダ回路12のインバータ45によって駆動される(図4参照)。
【0036】
ダミーワード線回路26は、ダミーワード線33と複数のダミーメモリセル62−1乃至62−m−1を含む。ダミーワード線33は更に、ダミーメモリセル27に接続される。従って、ダミーワード線33には、合計でm個のダミーメモリセルが接続されることになる。ダミーメモリセルの個数mは、例えば16個である。ダミーワード線33は、ダミーワードデコーダ25のインバータ32によって駆動される。
【0037】
ここで例えば、インバータ32の駆動能力は、インバータ45の駆動能力の1/16に設定される。またダミーワード線33の配線負荷は、ワード線WL1の配線負荷の1/16に設定され、更にダミーワード線33には16個のダミーメモリセルが負荷として接続され、ワード線WL1には256個のダミーメモリセルが接続されている。これによって、ダミーワード線回路26のダミー負荷は、ワード線の負荷の1/16となる。従って、ノードYからインバータ45及びワード線WL1を介したノードZまでの遅延時間と、ノードYYからインバータ32及びダミーワード線33を介したノードZZまでの遅延時間とを、同一に設定することが可能となる。なおノードZは、データ読み出し経路のうちで最大の遅延時間を有するクリティカルパスに対応する。
【0038】
図6は、メモリセルアレイ13のビット線及びダミービット線回路28のダミービット線34に関するダミー負荷及びバッファ駆動能力の設定を説明するための図である。
【0039】
図6に示されるように、メモリセルアレイ13は、ビット線BL及び/BLと複数のメモリセル71−1乃至71−kを含む。ここでメモリセル71−1は、図5においてワード線WL1により選択されるメモリセルのうちでクリティカルパスに対応するメモリセル61−nに相当する。メモリセル71−1乃至71−nはビット線BL及び/BLに接続され、選択メモリセル71−1のデータが、ビット線BL及び/BLを介してリードライトアンプ14に伝送される。ここでメモリセル71−1乃至71−kの個数kは、例えば256個である。
【0040】
ダミービット線回路28は、一対のダミービット線34と複数のダミーメモリセル72−1乃至72−l−1を含む。ダミービット線34は更に、ダミーメモリセル27に接続される。従って、ダミービット線34には、合計でl個のダミーメモリセルが接続されることになる。ダミーメモリセルの個数lは、例えば16個である。ダミービット線34は、ダミーメモリセル27のダミーデータ(ダミーメモリセル信号)を伝播し、図3に示されるバッファ35に供給する。バッファ35は例えばインバータであり、ダミーセンスアンプとして機能し、受け取った信号を増幅してコントロール回路11に供給する。
【0041】
ここで例えば、ダミービット線34の配線負荷は、ビット線BL及び/BLの配線負荷の1/16に設定され、更にダミービット線34には16個のダミーメモリセルが負荷として接続され、ビット線BL及び/BLには256個のダミーメモリセルが負荷として接続される。メモリセル71−1とダミーメモリセル27が同一の回路構成であるとすると、ダミーメモリセル27から読み出されたデータがダミービット線34上に現れる振幅は、メモリセル71−1から読み出されたデータがビット線BL及び/BL上に現れる振幅の16倍となる。
【0042】
ダミービット線34の信号は、ダミーセンスアンプとして機能するバッファ35により増幅され、コントロール回路11に供給される。コントロール回路11は、この信号に応答してリードライトアンプ14のセンスアンプを活性化するためのセンスアンプ活性化信号を生成する。このセンスアンプ活性化信号が、実際のメモリアクセスを模擬してタイミングを規定するタイミング制御信号として機能することで、製造ばらつきによるタイミング誤差を安定的に相殺することが可能になる。
【0043】
上記のように本発明においては、メモリセルアレイのワードデコーダ側及びリードライトアンプ側であるコーナー部分にセルフタイミング回路を設け、セルフタイミング回路の規模を小さくしてダミー負荷を小さくすると共に、各ダミー回路を駆動する駆動バッファの容量をダミー負荷に合わせて小さくすることで、製造ばらつきによるタイミングの誤差を相殺するタイミング制御が可能でありながらも、従来のセルフタイミング回路と比較して消費電力が削減された回路構成を実現することが出来る。
【0044】
なお例えば図4において、バッファ30及びバッファ30Aの負荷無し遅延も実際には考慮する必要があるが、負荷無し遅延は、同一テクノロジーのトランジスタを使用する場合には、トランジスタのゲート幅には依存せずにゲート長にのみ依存する。従って、同一ゲート長のトランジスタを使用すれば、各バッファの負荷無し遅延を同一に設定することが出来る。
【0045】
また負荷としては容量負荷だけでなく配線抵抗も考慮する必要があるが、例えばワード線負荷の場合、基本となる容量負荷の単位はメモリセル1個の配線容量+ゲート容量であり、全容量負荷に占める配線容量負荷の比率はメモリセルの数に関わらず一定である。同様に、配線抵抗成分による遅延への影響の比率もメモリセルの数に関わらず一定であるので、負荷容量のみを考慮すればよい。
【0046】
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能である。
【0047】
【発明の効果】
上述の半導体記憶装置においては、実際のデータアクセス経路より負荷が小さいダミー経路を、実際の信号駆動回路より駆動能力が小さいダミー駆動回路によって駆動することで、製造ばらつきによるタイミングの誤差を相殺するタイミング制御を可能としながらも、従来のセルフタイミング回路と比較して消費電力が削減された回路構成を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】タイミング補償用に入出力回路及びワードデコーダから最も遠い経路を用いた場合のセルフタイミング回路を説明するための図である。
【図2】本発明によるセルフタイミング回路を有する半導体記憶装置の構成を示す図である。
【図3】ダミーワードデコーダ、ダミーワード線回路、ダミーメモリセル、及びダミービット線回路の信号伝達経路を拡大して示す図である。
【図4】デコーダ回路及びダミーワードデコーダに関するダミー負荷及びバッファ駆動能力の設定を説明するための図である。
【図5】メモリセルアレイのワード線及びダミーワード線回路のダミーワード線に関するダミー負荷及びバッファ駆動能力の設定を説明するための図である。
【図6】メモリセルアレイのビット線及びダミービット線回路のダミービット線に関するダミー負荷及びバッファ駆動能力の設定を説明するための図である。
【符号の説明】
11 コントロール回路
12 デコーダ回路
13 メモリセルアレイ
14 リードライトアンプ
25 ダミーワードデコーダ
26 ダミーワード線回路
27 ダミーメモリセル
28 ダミービット線回路
Claims (7)
- メモリセルに対するデータアクセス経路と、
該データアクセス系路上の信号線を駆動する信号駆動回路と、
該データアクセス経路を模擬するダミー経路と、
該駆動回路を模擬するダミー駆動回路と、
該ダミー経路を伝播した信号に応じてタイミング制御信号を生成するコントロール回路と、
該タイミング制御信号に応じたタイミングで信号増幅を行なう入出力回路と、
を含み、
該データアクセス経路及び該信号駆動回路は、
該コントロール回路により駆動されるデコーダ回路と、
該デコーダ回路によって駆動されるワード線、該メモリセル、及びビット線を含むメモリセルアレイ
を含み、該ダミー経路及び該ダミー駆動回路は、
該デコーダ回路を模擬するダミーワードデコーダと、
該ワード線を模擬するダミーワード線回路と、
該メモリセルを模擬するダミーメモリセルと、
該ビット線を模擬するダミービット線回路
を含み、該メモリセルアレイの該デコーダ回路側及び該入出力回路側のコーナー付近に、該ダミーワードデコーダ、該ダミーワード線回路、該ダミーメモリセル、及び該ダミービット線回路が設けられ、
該ダミーワード線回路のダミーワード線は該データアクセス経路の該ワード線より負荷が小さく、該ダミーワード線を駆動する該ダミー駆動回路は該データアクセス経路の該ワード線を駆動する該信号駆動回路より駆動能力が小さいことを特徴とする半導体記憶装置。 - 該ダミーワードデコーダは該デコーダ回路のデコード線の1/n(nは2以上の整数)の負荷を有するダミーデコード線を含み、該コントロール回路は、
該デコーダ回路の該デコード線を駆動する第1のバッファと、
該第1のバッファの駆動能力の1/nの駆動能力を有し該ダミーデコード線を駆動する第2のバッファ
を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 該ダミーワード線回路は該ワード線の1/n(nは2以上の整数)の負荷を有するダミーワード線を含み、該デコーダ回路は該ワード線を駆動するバッファを含み、該ダミーワードデコーダは該バッファの駆動能力の1/nの駆動能力を有し該ダミーワード線を駆動するバッファを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 該ダミービット線回路は、該メモリセルアレイの該ビット線の負荷より小さな負荷を有するダミービット線を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 該ダミーワード線回路は該ワード線と同一方向に延展し折り返されるダミーワード線を含み、該ダミービット線回路は該ビット線と同一方向に延展し折り返されるダミービット線を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 該ダミー経路は該データアクセス経路の1/n(nは2以上の整数)の負荷を有し、該ダミー駆動回路は該信号駆動回路の略1/nの駆動能力を有することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 該ダミー経路の信号遅延時間は該データアクセス経路の信号遅延時間に略等しいことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
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