JP4891285B2 - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4891285B2 JP4891285B2 JP2008098477A JP2008098477A JP4891285B2 JP 4891285 B2 JP4891285 B2 JP 4891285B2 JP 2008098477 A JP2008098477 A JP 2008098477A JP 2008098477 A JP2008098477 A JP 2008098477A JP 4891285 B2 JP4891285 B2 JP 4891285B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- surface layer
- intermediate layer
- oxygen
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0525—Coating methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0564—Polycarbonates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06144—Amines arylamine diamine
- G03G5/061443—Amines arylamine diamine benzidine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
これらの有機感光層の表面層として、無色のIII族窒化物やIII族酸化物が提案されている。これらの表面層は無色で透明性に優れ、硬度が高く、化学的安定性にすぐれており、耐摩耗性に優れているものであるが、表面層と感光層との屈折率の違いにより表面層の膜厚に応じた光干渉が発生することが懸念されている。また、この表面層は耐刷性に優れているが、プリンターでの実機走行では、現像剤に含まれる電荷調節剤や流動性調節剤などで添加されている微粒子によって数nmから数10nmの摩耗が発生する場合がある。特に出力原稿のパターンが同一のフォームを使用するように画像の濃度が部分的に異なる場合などに、出力原稿の画像濃度によって摩耗量の差が生じる。このように表面層の摩耗量に差が生じた場合には表面層の光干渉の違いにより光入射量の違いが発生し、これにより感度の違いとして電位の違いが現れ、結果としてプリントされた画像に濃度ムラが発生する場合があった。
<1> 導電性基体上に、露光光が照射されることにより電荷発生する有機感光層、中間層及び表面層をこの順に積層して構成され、
前記中間層が、13族元素と酸素及び窒素のうちの少なくとも1つとを含み、
前記表面層が、13族元素と酸素とを含み、
前記中間層及び前記表面層における前記含有元素の種類及び組成比のうちの少なくとも一方が異なり、
前記中間層の層厚が2nm以上70nm以下であり、且つ前記感光層の屈折率n1と、前記中間層の屈折率n2と、前記表面層の屈折率n3と、の関係が下記式(1)の関係を満たす電子写真感光体と、
前記電子写真感光体を帯電する帯電手段と、
前記帯電手段によって帯電された前記電子写真感光体上に露光光を照射して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記静電潜像を、トナーを含む現像剤によりトナー像として現像する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
を少なくとも備えたことを特徴とする画像形成装置。
[数式(1)中、前記感光層の屈折率n1、前記中間層の屈折率n2、及び前記表面層の屈折率n3は、静電潜像を形成する際に電子写真感光体表面に照射される前記露光光の波長λ(nm)における屈折率を表す。]
<電子写真感光体>
本実施の形態に用いられる電子写真感光体(以下、単に「感光体」と称する場合がある)は、導電性基体上に、露光光が照射されることにより電荷発生する感光層と、中間層と、表面層とをこの順に積層して構成され、中間層及び表面層が、13族元素と酸素及び窒素のうちの少なくとも1つとを含み、該中間層及び該表面層における含有元素の種類及び組成比のうちの少なくとも一方が異なり、この中間層の層厚が2nm以上70nm以下であり、且つ感光層の屈折率n1と、中間層の屈折率n2と、表面層の屈折率n3と、の関係が下記式(1)の関係を満たすことを特徴としている。
但し、本実施の形態に用いられる電子写真感光体では、感光層が有機感光層であり、前記中間層が13族元素と酸素及び窒素のうちの少なくとも1つとを含み、前記表面層が、13族元素と酸素とを含むものが適用される。
[数式(1)中、前記感光層の屈折率n1、前記中間層の屈折率n2、及び前記表面層の屈折率n3は、静電潜像を形成する際に電子写真感光体表面に照射される前記露光光の波長λ(nm)における屈折率を表す。]
しかし、本実施の形態に用いられる電子写真感光体によれば、感光層上と表面層との間に中間層を設け、中間層の層厚を2nm以上70nm以下という非常に薄い層とし、且つ感光層、表面層、及び中間層の屈折率の関係が上記式(1)の関係を満たすことによって、画像濃度ムラが抑制されることを見いだした。
一方、感光層と表面層との間に、感光層及び表面層より屈折率の高い中間層を極く薄層で設けた場合表面の反射強度は感光層のみと変わらなくなる。この上に中間層より屈折率の小さい表面層を設けた場合には、表面層から中間層へは反射が小さくなる条件となり結果として、感光体に照射された露光光の、表面層により反射された反射光の光量と、中間層により反射された反射光の光量と、の合計反射光量が、感光層上に直接表面層が設けられた構成である場合における反射光の光量に比べて小さくなる。また、本実施の形態に用いられる感光体では、中間層が層厚2nm以上70nm以下の範囲内という非常に薄い膜であることから、中間層の層厚がこの範囲を超える値である場合に比べて感光体に照射された光の反射光の干渉による強度変動は小さくなる。
このように、本実施の形態においては、感光体を、感光層上に上記層厚条件を満たす中間層及び表面層を順に積層した構成とすると共に、屈折率が上記式(1)の関係を満たすように構成したため、感光体に照射された光の合計反射光量が、中間層及び表面層の設けられていない構成の感光体に照射された光の反射光量と略同一となる。このため、表面層の層厚のバラツキに起因する、感光体に照射された光の感光層への入射光量のバラツキが抑制され、結果的に、画像濃度ムラの発生が抑制されると考えられる。
また、中間層の屈折率n2と、表面層の屈折率n3と、の屈折率差が0.01以上0.7以下の範囲内であることが好ましく、0.03以上0.5以下の範囲内であることが更に好ましい。
図1は、本実施の形態に用いられる電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図であり、図1中、1は導電性基体、2は感光層、2Aは電荷発生層、2Bは電荷輸送層、3は表面層、5は中間層を表す。4は下引層である。図1に示す感光体は、導電性基体1上に、電荷発生層2A、電荷輸送層2B、中間層5、表面層3がこの順に積層された層構成を有し、感光層2は電荷発生層2Aおよび電荷輸送層2Bの2層から構成される。
図2に示す感光体は、導電性基体1上に、感光層6、中間層5、表面層3がこの順に積層された層構成を有し、感光層6は、図1や図2に示す電荷発生層2Aおよび電荷輸送層2Bの機能が一体となった層である。
なお、感光層2、感光層6は、有機高分子から形成されたものでも良いし、無機材料から形成されたものでも良いし、それらが組み合わされたものでも良い。
本実施の形態に用いられる電子写真感光体の中間層5は感光層2と表面層3との間に設置されており、層厚が2nm以上70nmの範囲内であり、且つ、屈折率が上記式(1)を満たす値とされている。
また、本実施の形態に用いられる電子写真感光体中間層は、13族元素と窒素及び酸素のうちの少なくとも1つとを含む構成であることが好ましい。中間層を、このような構成とすることで、表面層3と感光層2の硬度と膨張率の差による機械的ストレスが減少され、また成膜時のプラズマの電子やイオンUVなどの照射による電荷輸送層(CTL)等の疲労が防止される。また電気特性と機械的および化学的安定性とが機能分離され、残留電位を低下させ、サイクル特性や環境変動などが改善される。
その結果、表面の機械的耐久性や耐酸化性に優れ、放電生成物の付着に起因する画像欠陥も抑制されると共に感度にも優れ、さらに均一性に優れた画像出力等の特性を経時的に高いレベルで維持することが容易な電子写真有機感光体が提供される。
いずれにしても、上記本実施の形態に用いられる電子写真感光体の中間層5は、硬度も高く、透明性にも優れることが望まれるが、表面層3及び感光層2の中間の熱膨張係数を有し、また、感光層2と接着性の良いものが好ましい。
なお、表面層3がGa、酸素及び窒素の化合物を含む場合には、中間層5は同様の元素を含む化合物であることが好ましい(ただし、この場合両層の組成比は異なる)。
同様に、中間層5に酸素及び13族元素が含まれる場合、これらの含有原子数比は、酸素:13族元素=0.1:1乃至3:1であることが好ましい。この範囲内であれば、潜像を保持するに充分な電気抵抗が実現され、且つ十分な化学的安定性や硬さが得られる。
水素の含有量が上記範囲内であると、電気的な安定性、及び機械的に良好な特性が得られ、また、硬度や化学的安定性(特に耐水性)等が得られる。
なお、本実施の形態に用いられる電子写真感光体において、中間層中の水素含有量はハイドロジェンフォワードスキャタリング(HFS)により求められた値を意味する。測定法については後述する。
なお、中間層5は、安定性や望ましい硬度の点から微結晶が含まれた非晶質、非晶質が含まれた微結晶/多結晶であっても良いが、中間層表面の平滑性や摩擦の点からは非晶質であることが好ましい。結晶性/非晶質性は、RHEED(反射高速電子線回折)測定により得られた回折像の点や線の有無により判別する。また、非晶質性は、X線回折スペクトル測定によっても回折角に固有の鋭いピークが現れないことによっても判別される。
本実施の形態に用いられる電子写真感光体における表面層3は、前記中間層上に形成され、且つ、屈折率が上記式(1)を満たす値とされている。
また、本実施の形態に用いられる電子写真感光体の表面層3は、13族元素と窒素及び酸素のうちの少なくとも1つとを含む構成であることが好ましい。中間層を、このような構成とすることで、硬度も高く、透明性にも優れた表面層が提供される。また、中間層5と同様、酸素を含む場合には、大気中の酸素や酸化雰囲気中においても耐酸化性に優れ、経時的な物性変化が極めて小さい。
表面層3に含まれる化合物としては、大きくは13族元素及び酸素を含む化合物、13族元素及び窒素を含む化合物、13族元素、酸素及び窒素を含む化合物が挙げられる。
なお、耐酸化性の確保という観点からは酸素の含有量が多い方が好ましいが表面層膜中の元素間の分子結合が二次元的な配置となるものが多くなるために、硬さに欠けもろい膜となる場合がある。また13族元素と酸素のみから形成する場合には15原子%以下では電気抵抗が低く静電潜像の保持が出来なくなる。
表面の中心平均粗さ(Ra)が上記範囲内であれば、電子写真装置(画像形成装置)内でのクリーニング工程でブレードやブラシなどによるクリーニング不良が抑制されると共に、下層側の中間層へのダメージも抑制される。また、剥離やひび割れが抑制され、機械的強度が得られる。
この表面層3の中心平均粗さ(Ra)は0.07μm以下であることが好ましく、0.05μm以下であることがより好ましい。
また、表面層の厚さは、触針式の段差測定装置(東京精密社製、表面粗さ計)と走査型電子顕微鏡(日立社製、S−400)により撮影した半導体膜の断面写真とを併用して測定する。
表面層3の厚み方向の組成は、均一であってもよいが、13族元素と酸素を含むものであれば、膜の厚み方向において組成に傾斜構造を有していたり、多層構成からなるものであってもよい。また、表面層3の厚み方向において窒素の濃度分布を有するものであり、基体側に向かって増加し、酸素の濃度分布は基材側に向かって減少していても良いし、反対に窒素の濃度分布は基材側に向かって減少し酸素の濃度分布は基材側に向かって増加していても良い。
酸素の含有量が上記範囲内であると、表面層が酸素を含む雰囲気下であっても安定であり、経時的な電気特性や機械的特性の物性変化が抑制される。なお、耐酸化性の確保という観点からは、酸素の含有量が多い方が好ましいが、表面層中の元素間の分子結合が二次元的な配置となるものが多くなるために、堅さに欠けるもろい膜となる場合がある。それゆえ、酸素の含有量は、実用上は65原子%以下であることが好ましい。
水素の含有量が上記範囲内であれば、電気的な安定正及び機械的に良好な特性が得られ、硬度や化学的安定性(特に耐水性)にも優れる。
また、表面層膜に含まれる水素量は、表面層膜を構成する主たる2つの元素(13族元素及び酸素あるいは13族元素及び窒素)全体に対して、0.1原子%以上50原子%以下の範囲が好ましく、1原子%以上40原子%以下の範囲であることがより好ましい。
HFSは、加速器としてNEC社 3SDH Pelletron、エンドステーションとしてCE&A社 RBS−400を用い、システムとして3S−R10を用いた。解析にはCE&A社のHYPRAプログラムを用いた。HFSの測定条件は、以下の通りである。
・He++イオンビームエネルギー:2.275eV
・検出角度:160°入射ビームに対してGrazing Angle30°
参照用試料としてSi中にHをイオン注入した試料と白雲母を使用した。白雲母は水素濃度が約6.5atomic%であることが知られている。なお、最表面に吸着しているHは、清浄なSi表面に吸着しているH量を差し引くことによって行う。
例えばGaN吸収の半値巾は1100cm−1と800cm−1の吸収の谷を結んで低波数側に外挿した直線をベースラインとしてGaN吸収ピークから垂直に下ろした線との交点とピークの頂点までの吸収を全吸収強度として、この半分の強度の位置での吸収の横方向の線巾を半値巾と定義する。
RBSは、加速器としてNEC社 3SDH Pelletron、エンドステーションとしてCE&A社 RBS−400、システムとして3S−R10を用いる。解析にはCE&A社のHYPRAプログラム等を用いる。
なお、RBSの測定条件は、He++イオンビームエネルギーは2.275eV、検出角度160°、入射ビームに対してGrazing Angleは約109°である。
まず、He++イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、160°にセットし、後方散乱されたHeのシグナルを測定する。検出したHeのエネルギーと強度から組成比と層厚を決定する。組成比及び層厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定しても良い。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度が向上される。
ターゲット原子によって後方散乱されるHe原子の数は、1)ターゲット原子の原子番号、2)散乱前のHe原子のエネルギー、3)散乱角度の3つの要素のみにより決まる。
測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて層厚を算出する。密度の誤差は20%以内である。
また、表面層全体中における各元素の含有量については、二次電子質量分析法やXPS(X線光電子分光法)で測定される。
なお、表面層膜は、安定性や硬度から微結晶が含まれた非晶質、非晶質が含まれた微結晶/多結晶であっても良いが、表面層膜表面の平滑性や摩擦の点からは非晶質であることが好ましい。結晶性/非晶質性は、RHEED(反射高速電子線回折)測定により得られた回折像の点や線の有無により判別される。また、非晶質性は、X線回折スペクトル測定によっても回折角に固有の鋭いピークが現れないことによっても判別される。
表面層3は、既述したように非晶性あるいは結晶性のいずれでもよいが、感光層(あるいは中間層)との密着性を高めかつ感光体表面の滑りを良くするためには、表面層3は非晶質性であることが好ましい。また表面層3の下層(感光層側)が微結晶性であり、上層(感光体表面側)が非晶質性であっても良い。
表面層3が電荷注入層としても機能する場合には、中間層5や感光層2の表面(表面層側の面)で電荷がトラップされる。負帯電の場合にn型の表面層3は電荷注入層として機能し、p型の表面層は電荷注入阻止層として機能する。正帯電の場合にはn型の表面層3は電荷注入阻止層として機能し、p型の表面層は電荷注入層として機能する。
また、静電潜像を維持するため、高抵抗としたi型の表面層膜を表面層として形成しても良い。
次に、本実施の形態に用いられる電子写真感光体における表面層と中間層との形成方法について説明する。表面層と中間層の形成には、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用されるが有機金属気相成長法を用いることが好ましい。
これにより、感光層が有機材料を含む場合において、感光層に熱的なダメージを与えることなく、感光体の表面層として上述したような特性を有する表面層と中間層とが形成される。なお、表面層及び中間層の形成に際しては、感光層の表面を予めプラズマによりクリーニングしてもよい。
これにより、13族元素を含む有機金属化合物が導入された位置よりも上流側で活性化された窒素を含む物質および酸素を含む物質が、活性化手段の下流側で合流するため、活性化していない13族元素を含む有機金属化合物と活性化した窒素を含む物質および/または酸素を含む物質とが反応する。
図3は、本実施の形態に用いられる電子写真感光体の中間層、表面層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図であり、図3(A)は、成膜装置を側面から見た場合の模式断面図を表し、図3(B)は、図3(A)に示す成膜装置のA1−A2間における模式断面図を表す。図3中、10は成膜室、11は排気口、12は基体回転部、13は基体ホルダー、14は基材、15はガス導入管、16はガス導入管15から導入したガスを噴射する開口を有するシャワーノズル、17はプラズマ拡散部、18は高周波電力供給部、19は平板電極、20はガス導入管、21は高周波放電管部である。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部21と、高周波放電管部21内に配置され、放電面が排気口11側に設けられた平板電極19と、高周波放電管部21外に配置され、平板電極19の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部18とから構成されたものである。なお、高周波放電管部21には、高周波放電管部21内にガスを供給するためのガス導入管20が接続されており、このガス導入管20のもう一方の端は、不図示の第1のガス供給源に接続されている。
また、成膜室10内には、基体回転部12が設けられており、円筒状の基材14が、シャワーノズルの長手方向と基材14の軸方向とが略平行に対面するように基体ホルダー13を介して基体回転部12に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部12が回転することによって、基材14が周方向に回転される。なお、基材14としては、予め感光層まで積層された感光体、あるいは、感光層上に中間層までが積層された感光体が用いられる。
次に、水素をキャリアガスとして用いて希釈したトリメチルガリウムガスをガス導入管15、活性化手段である平板電極19の下流側に位置するシャワーノズル16を介して成膜室10に導入することによって、基材14表面にガリウムと窒素と酸素とを含む非単結晶膜が成膜される。
有機感光体を作製する場合において、表面層等の成膜時の基材14表面の温度は、100℃以下が好ましく、80℃以下がより好ましく、50℃以下が特に好ましい。基材14表面の温度が成膜開始当初は100℃以下であっても、プラズマの影響で150℃より高くなる場合には感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、このような影響を考慮して基材14の表面温度を制御することが好ましい。
放電による基材14表面の温度の上昇を避けたい場合には、基材14表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
例えば、表面層等の形成の初期において、トリメチルインジウムをガス導入管15、シャワーノズル16を介して成膜室10内に導入することにより、基材14上にチッ素とインジウムとを含む膜を成膜すれば、この膜が、継続して成膜する場合に発生し、感光層を劣化させる紫外線が吸収される。このため、成膜時の紫外線の発生による感光層へのダメージが抑制される。
具体的には、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管15、シャワーノズル16を介して成膜室10内に導入することによってn型、p型等任意の導電型の表面層が得られる。
例えば、図3に示すような成膜装置において、水素ガスと窒素ガスまたは酸素ガスとを別々の位置から成膜装置内に導入する場合には、水素ガスの活性化状態と、窒素ガスまたは酸素ガスの活性化状態とを各々独立して制御するように、複数のプラズマ発生装置を設けてもよい。また、これに対して、装置の簡素化という点では、水素および窒素または酸素ガスの供給材料としてNH3のようなチッ素原子と水素原子とを同時に含むガスを用いたり、窒素ガスと水素ガスとを混合したガスまたはH2Oのような酸素と水素とを同時に含むガスを用いて、これをプラズマにより活性化することが好ましい。
このような硬質膜は、シリコンカーバイトに含まれるsp2結合性の炭素原子とは異なり、ダイヤモンドを構成する炭素原子のように、GaとN,Oとがsp3結合を形成するため透明となる。さらに、この膜は透明且つ硬質である上に、膜の表面は撥水性を有すると共に低摩擦となる。
さらに、これらの装置を2種類以上組み合わせて用いてもよく、あるいは、同種の装置を2つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基材14表面の温度が上昇しないようにするためには高周波発振装置が好ましいが、熱の照射を防止する装置を設けても良い。
また、異なる2種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍で行っても良い。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてHeを使用することが望ましい。
中間層及び表面層の成膜条件は同一としてもよいが、例えば中間層形成を低温で行うため出力をやや低めとし、表面層形成を、出力を高めにして行ってもよい。
本実施の形態に用いられる電子写真感光体は、その層構成が導電性基体上に感光層と中間層と表面層とがこの順に積層されたものであれば特に限定されず、導電性基体と感光層の間に必要に応じて下引層等を設けてもよい。また、感光層は、2層以上であってもよく、更に、機能分離型であってもよい。
感光層を形成する有機高分子化合物は熱可塑性であっても熱硬化性のものであっても、また2種類の分子を反応させて形成するものでも良い。感光層と表面層との間に設けられる中間層は、硬度や膨張係数、弾力性の調整、密着性の向上などの観点から、表面層の物性および感光層(機能分離型の場合は電荷輸送層)の物性の両者に対して、中間的な特性を示すものが好適である。また、中間層は、電荷をトラップする層として機能しても良い。
このように、表面層等を形成する前に感光体表面に保護層を設けることで、表面層等を形成するときの紫外線や、画像形成装置内で感光体が使用された場合のコロナ放電や各種の光源からの紫外線などの短波長光による感光層への影響が抑制される。
導電性基体としては、アルミニウム、銅、鉄、ステンレス、亜鉛、ニッケル等の金属ドラム;シート、紙、プラスチック、ガラス等の基材上にアルミニウム、銅、金、銀、白金、パラジウム、チタン、ニッケル−クロム、ステンレス鋼、銅−インジウム等の金属を蒸着したもの;酸化インジウム、酸化スズ等の導電性金属化合物を上記基材に蒸着したもの;金属箔を上記基材にラミネートしたもの;カーボンブラック、酸化インジウム、酸化スズ−酸化アンチモン粉、金属粉、ヨウ化銅等を結着樹脂に分散し、上記基材に塗布することによって導電処理したもの等が挙げられる。また、導電性基体の形状は、ドラム状、シート状、プレート状のいずれであってもよい。
次に、下引層について説明する。下引層を構成する材料としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂;ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、シリコン原子などを含有する有機金属化合物などが挙げられる。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いられる。これらの中でも、ジルコニウムもしくはシリコンを含有する有機金属化合物は、残留電位が低く環境による電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化が少ないため好ましく使用される。また、有機金属化合物は、これを単独または2種以上を混合したり、さらに上述の結着樹脂と混合して用いられる。
なお、樹脂粒子としては、シリコーン樹脂粒子、架橋型PMMA樹脂粒子等が用いられる。また、表面粗さの調整のために下引層表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、ウエットホーニング、研削処理等が用られる。なお、正帯電構成の画像形成装置に用いられる感光体では、レーザ入射光は感光体の極表面近傍で吸収され、さらに感光層中で散乱されるため、下引層の表面粗さの調整は強くは必要とされない。
乾式法を用いる場合においては、まず、金属酸化物微粒子を加熱乾燥して表面吸着水を除去する。表面吸着水を除去することによって、金属酸化物微粒子表面に均一にカップリング剤が吸着される。次に、金属酸化物微粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接あるいは有機溶媒または水に溶解させたカップリング剤を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に処理される。カップリング剤を添下あるいは噴霧する際には、50℃以上の温度で行われることが好ましい。カップリング剤を添加あるいは噴霧した後、さらに100℃以上で焼き付けを行うことが好ましい。焼き付けの効果によりカップリング剤を硬化させ金属酸化物微粒子と堅固な化学反応が起こされる。焼き付けは、所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施される。
中でも下引層上に形成される層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好ましく用いられ、特にフェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂などが好ましく用いられる。分散型下引層形成用塗布液中の金属酸化物微粒子と結着樹脂との比率は所望する感光体特性を得られる範囲で任意に設定される。
この分散型下引層用塗布剤により下引層を形成する方法は、上述した下引層用塗布剤を用いて下引層を形成する方法と同様に行われる。
次に、感光層について、電荷輸送層と電荷発生層とに分けてこの順に以下に説明する。
電荷輸送層に用いられる電荷輸送材料としては、下記に示すものが例示される。即ち2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール誘導体、1,3,5−トリフェニル−ピラゾリン、1−[ピリジル−(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノスチリル)ピラゾリンなどのピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリ(p−メチル)フェニルアミン、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ビフェニル−4−アミン、ジベンジルアニリン、9,9−ジメチル−N,N−ジ(p−トリル)フルオレノン−2−アミンなどの芳香族第3級アミノ化合物、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミンなどの芳香族第3級ジアミノ化合物、3−(4’−ジメチルアミノフェニル)−5,6−ジ−(4’−メトキシフェニル)−1,2,4−トリアジンなどの1,2,4−トリアジン誘導体、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン、[p−(ジエチルアミノ)フェニル](1−ナフチル)フェニルヒドラゾン、1−ピレンジフェニルヒドラゾン、9−エチル−3−[(2メチル−1−インドリニルイミノ)メチル]カルバゾール、4−(2−メチル−1−インドリニルイミノメチル)トリフェニルアミン、9−メチル−3−カルバゾールジフェニルヒドラゾン、1,1−ジ−(4,4’−メトキシフェニル)アクリルアルデヒドジフェニルヒドラゾン、β,β−ビス(メトキシフェニル)ビニルジフェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン誘導体、2−フェニル−4−スチリル−キナゾリンなどのキナゾリン誘導体、6−ヒドロキシ−2,3−ジ(p−メトキシフェニル)−ベンゾフランなどのベンゾフラン誘導体、p−(2,2−ジフェニルビニル)−N,N−ジフェニルアニリンなどのα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、N−エチルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾールおよびその誘導体などの正孔輸送物質が用いられる。あるいは、上記化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体などが挙げられる。これらの電荷輸送材料は、単独又は2種以上を組み合せて使用される。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン又はそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物などが挙げられる。
有機燐系酸化防止剤では、トリスノニルフェニルフォスフィート、トリフェニルフォスフィート、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)−フォスフィートなどが挙げられる。
ベンゾフェノン系光安定剤として、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベンゾフェノン、2,2’−ジ−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。
ベンゾトリアゾール系光安定剤として、2−(−2’−ヒドロキシ−5’メチルフェニル−)−ベンゾトリアゾール、2−[2’−ヒドロキシ−3’−(3’’,4’’,5’’,6’’−テトラ−ヒドロフタルイミド−メチル)−5’−メチルフェニル]−ベンゾトリアゾール、2−(−2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル 5’−メチルフェニル−)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−5’−メチルフェニル−)−5−クロロ ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−t−ブチルフェニル−)−ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−t−オクチルフェニル)−ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−アミルフェニル−)−ベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
その他の光安定剤としては、2,4,ジ−t−ブチルフェニル−3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシベンゾエート、ニッケルジブチル−ジチオカルバメートなどがある。
また電荷輸送層形成用塗布液には、塗布形成される塗膜の平滑性向上のためのレベリング剤としてシリコーンオイルを微量添加してもよい。
電荷発生層は、電荷発生材料を真空蒸着法により蒸着させて形成するか、有機溶剤及び結着樹脂を含む溶液を塗布することにより形成される。
また、これらの有機顔料は一般に数種の結晶型を有しており、特にフタロシアニン化合物ではα型、β型などをはじめとしてさまざまな結晶型が知られているが、目的にあった感度その他の特性が得られる顔料であるならば、これらのいずれの結晶型でも用いることが可能である。
(1)電荷発生材料としてCukα線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも7.6°,10.0°,25.2°,28.0°の位置に回折ピークを有する結晶型のヒドロキシガリウムフタロシアニン。
(2)電荷発生材料としてCukα線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも7.3°,16.5°,25.4°,28.1°の位置に回折ピークを有する結晶型のクロルガリウムフタロシアニン。
(3)電荷発生材料としてCukα線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも9.5°,24.2°,27.3°の位置に回折ピークを有する結晶型のチタニルフタロシアニン。
電荷発生層を形成する為の塗布液の溶媒として公知の有機溶剤、例えば、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n―ブタノール等の脂肪族アルコール系溶剤、アセトン、シクロヘキサノン、2−ブタノン等のケトン系溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール、ジエチルエーテル等の環状あるいは直鎖状エーテル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル等のエステル系溶剤等が挙げられる。
次に、本実施の形態に用いられるプロセスカートリッジおよび本実施の形態の画像形成装置について説明する。
本実施の形態に用いられるプロセスカートリッジは、本実施の形態に用いられる感光体を用いたものであれば特に限定されないが、具体的には、本実施の形態に用いられる感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から選択された少なくとも1つとを一体として有するものであり、本実施の形態の画像形成装置本体に脱着自在である構成を有するものであることが好ましい。
<実施例1>
(電子写真感光体の作製)
(実施例1)
まず、以下に説明する手順により、Al基体上に、下引層と電荷発生層と電荷輸送層とをこの順に積層形成した有機感光体を作製した。
平均粒径70nmの酸化亜鉛100質量部をテトラヒドラフラン500質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤(KBM603:信越化学社製)1.25質量部を添加し、2時間攪拌した。その後、焼き付けを行いシランカップリング剤表面処理酸化亜鉛顔料を得た。
前記表面処理した酸化亜鉛60質量部とアリザリン0.6質量部と硬化剤ブロック化イソシアネート(スミジュール3173:住友バイエルンウレタン社製)13.5質量部とブチラール樹脂(BM−1:積水化学社製)15質量部をメチルエチルケトン85質量部に溶解した溶液38質量部とメチルエチルケトン25質量部とを混合し、1mmΦのガラスビーズを用いてサンドミルにて2時間の分散を行い分散液を得た。得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジウラレート0.005質量部、シリコーン樹脂粒子(トスパール145:GE東芝シリコーン社製)4.0質量部を添加し、下引き層塗布液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にてアルミニウム基材上に塗布し、170℃40分の乾燥硬化を行い厚さ5μmの下引き層を得た
次に、電荷発生材料としてクロロガリウムフタロシアニン1質量部を、ポリビニルブチラール(商品名:積水化学社製エスレックBM−S)1質量部および酢酸n−ブチル100質量部と混合して得られた混合物をガラスビーズとともにペイントシェーカーで1時間分散し、電荷発生層形成用分散液を得た。
この分散液を浸漬法により下引層の上に塗布した後、100℃で10分間乾燥させ、膜厚0.15μmの電荷発生層を形成した。
次に、下記構造式(1)で表される化合物を2質量部、および、繰り返し単位が下記構造式(2)で表される高分子化合物(粘度平均分子量:39000)3質量部をクロロベンゼン20質量部に溶解させて電荷輸送層形成用塗布液を得た。
ノンコート感光体表面への中間層の形成は、図3に示す構成を有する成膜装置を用いて行った。
まず、ノンコート感光体を、成膜装置の成膜室10内の基体ホルダー13に載せ、排気口11を介して成膜室10内を、圧力が 0.1 Pa程度になるまで真空排気した。次に、窒素ガスとH2ガスとを1:10の割合で混合したガスをガス導入管20から、直径50mmの平板電極19が設けられた高周波放電管部21内に300sccm(窒素ガス500sccm、水素ガス500sccm)導入し、高周波電力供給部18およびマッチング回路(図3中不図示)により、13.56MHzのラジオ波を出力200Wにセットしチューナでマッチングを取り平板電極19から放電を行った。この時の反射波は0Wであった。
次に、水素ガスをキャリアガスとしたトリメチルガリウムガスを含む混合ガスを、ガス導入管15を介してシャワーノズル16から成膜室10内のプラズマ拡散部17に、トリメチルガリウムガスの流量が0.2sccmとなるように導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室10内の反応圧力は40Paであった。
膜厚の測定は同じ条件ではあるが、別の実験で、一部に東レ・デュポン社製、カプトンテープ(膜厚50μm)にてマスクをした10mmx5mmのSi基板上に2時間成膜し、東京精密社のサーフコム113Aにて段差測定を行い膜厚を求めた。この結果は180nmであった。中間層の厚さは成膜時間の割合で比例計算をした。
中間層の形成に続いて、Heガスと水素ガスとHeガスで4%に希釈した酸素ガスとを図示しない混合装置にて混合したガスを、ガス導入管15を介して、長さ350mmの電極15内に約450sccm(Heガス150sccm、水素200sccm、酸素2sccm)導入し、高周波電力供給部18およびマッチング回路により、13.56MHzのラジオ波を出力80Wにセットしチューナでマッチングを取り平板電極19で放電を行った。この時の反射波は0Wであった。
次に、トリメチルガリウムガスをガス導入管15を介してシャワーノズル16から成膜室10内に、1.0sccmとなるように導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室10内の反応圧力は30Paであった。
ノンコート感光体表面への成膜に際し、同様の条件でSi基板に成膜したサンプル膜の赤外線吸収スペクトル測定を実施したところ、Ga−H結合、Ga−N結合、N−H結合結合に起因するピークが確認された。これらのことから、表面層中には、ガリウムと窒素と水素が含まれていることがわかった。
また、サンプル膜の組成をラザフォード・バック・スキャタリングとハイドロジェン・フォワードスキヤタリングを用いて測定した。結果からガリウムと窒素と水素とがそれぞれ1:0.5:0.8でGaとNの化学量論比(1:1)より窒素が少ないことが分った。
RHEED(反射高速電子線回折)測定により得られた回折像にはハローパターンの中にぼやけたリングが見え、膜は非晶質性の微結晶膜であることがわかった。
・初期接触角
初期接触角は、接触角測定装置CA−Xロール型(協和界面科学社製)を用いて、23℃・55%RHの環境下において成膜直後のSi基板上に形成されたサンプル膜に純水を滴下することにより測定した。なお、場所を変えて3回繰り返し測定した際の平均値を接触角として求めた。
ライン分光装置を用い感光体表面に照射した白色光(波長400−800nm)に対する反射光について、分光強度スペクトルを測定した。
最初に標準の有機感光体(ノンコート感光体)の反射分光強度スペクトルを測定して各波長に対して反射強度を基準100として装置を校正した。その結果を図7−1に示した。次に上記ノンコート感光体に中間層のみを形成した状態で反射分光強度スペクトルを測定した。その結果を図7−2に示した。100はノンコート感光体の反射と同じことを示し、200はノンコート感光体の反射率の2倍であることを示している。
G1:比較感光体B1で求められた強度差に対する強度差が、1/3以下。
G2:比較感光体B1で求められた強度差に対する強度差が、1/3を超え3/5以下。
G3:比較感光体B1で求められた強度差に対する強度差が、3/5を超える。
次に、この表面層を設けた有機感光体の電子写真特性を評価した。まず、上述の中間層及び表面層形成前のノンコート感光体と、上記中間層及び表面層を設けた感光体A1とに対して、露光用の光(光源:半導体レーザー、波長780nm、出力5mW)を用い、感光体の表面を走査しながら40rpmで回転させながら、スコロトロン帯電器により−700Vに負帯電させた状態で照射した後の、表面の残留電位をトレック社のモデル344表面電位計を用い20℃50%で測定した。その結果、ノンコート感光体が−20Vであるの対し、上記中間層及び表面層を設けた感光体A1は−40V以下で、かつ温度湿度依存性が少なく良好なレベルであることがわかった。
さらに、上記中間層及び表面層を設けた感光体の表面に対して、貼りつけた粘着テープを剥がす剥離試験を行ったが、表面層は全く剥離せず、接着性は良好であることがわかった。
評価に際しては、上述した感光体を取り付けた後、A4サイズの用紙(富士ゼロックス社製、P紙)を短手方向が給紙方向となるようにして、20℃50RH%環境下にて図8で示す画像パターンを連続的にプリントした。
上記帯状画像を50000枚連続して形成した後に、2枚目の画像について、画像濃度ムラの有無を確認し、画像濃度ムラを下記評価基準で評価した。
G1:全画像領域において、画像濃度ムラが見られない。
G2:全画像領域の30%の長さを有するベタ画像部で画像濃度ムラは見られないが、90%の長さを有するベタ画像部で帯状に画像濃度ムラがかすかに見られる。
G3:全画像領域の30%の長さを有するベタ画像部でも画像濃度ムラがかすかに見られる。90%の長さを有するベタ画像部で帯状に画像濃度ムラがはっきりと見られる。
上記実施例1において、表1に示したように、含有元素の種類や組成比、及び成膜時間を変えた以外は、実施例1と同様にしてノンコート感光体上に中間層及び表面層を順に積層させた感光体A2〜A6を作製し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表1に示した。さらにGaとNとOを含む中間層を形成した例(感光体A7〜A10)を作製し、実施例7〜実施例10として実施例1と同様にして評価した。
上記実施例1において、中間層を設けずに、ノンコート感光体上に表面層を直接積層させた比較感光体B1を作製した以外は、実施例1と同様にして比較感光体B1を作製し、実施例1と同様にして評価を行った。評価結果を表1に示した。
上記実施例1において、表1に示したように、含有元素の種類や組成比、及び成膜時間を変えた以外は、実施例1と同様にしてノンコート感光体上に中間層及び表面層を順に積層させた比較感光体B2〜B3を作製し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表1に示した。
2、6 感光層
2A 電荷発生層
2B 電荷輸送層
3 表面層
5 中間層
107、207 電子写真感光体
108、208 帯電手段
111、211 現像手段
112、212 転写手段
113、213 クリーニング装置
210 露光手段
Claims (1)
- 導電性基体上に、露光光が照射されることにより電荷発生する有機感光層、中間層及び表面層をこの順に積層して構成され、
前記中間層が、13族元素と酸素及び窒素のうちの少なくとも1つとを含み、
前記表面層が、13族元素と酸素とを含み、
前記中間層及び前記表面層における前記含有元素の種類及び組成比のうちの少なくとも一方が異なり、
前記中間層の層厚が2nm以上70nm以下であり、且つ前記感光層の屈折率n1と、前記中間層の屈折率n2と、前記表面層の屈折率n3と、の関係が下記式(1)の関係を満たす電子写真感光体と、
前記電子写真感光体を帯電する帯電手段と、
前記帯電手段によって帯電された前記電子写真感光体上に露光光を照射して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記静電潜像を、トナーを含む現像剤によりトナー像として現像する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
を少なくとも備えたことを特徴とする画像形成装置。
n2>n3>n1 ・・・・数式(1)
[数式(3)中、前記感光層の屈折率n1、前記中間層の屈折率n2、及び前記表面層の屈折率n3は、静電潜像を形成する際に電子写真感光体表面に照射される前記露光光の波長λ(nm)における屈折率を表す。]
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008098477A JP4891285B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 画像形成装置 |
US12/332,092 US7906261B2 (en) | 2008-04-04 | 2008-12-10 | Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge using the same |
CN2009100048974A CN101551604B (zh) | 2008-04-04 | 2009-02-04 | 电子照相感光体及使用该感光体的成像装置和处理盒 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008098477A JP4891285B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 画像形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009251241A JP2009251241A (ja) | 2009-10-29 |
JP4891285B2 true JP4891285B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=41133582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008098477A Expired - Fee Related JP4891285B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 画像形成装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7906261B2 (ja) |
JP (1) | JP4891285B2 (ja) |
CN (1) | CN101551604B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090041500A1 (en) * | 2006-03-30 | 2009-02-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Image forming apparatus |
JP4840271B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2011-12-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置 |
JP4305574B1 (ja) * | 2009-01-14 | 2009-07-29 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物基板、それを備える半導体デバイス、及び、表面処理されたiii族窒化物基板を製造する方法 |
JP5473542B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
JP5607499B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
JP5623212B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2014-11-12 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
JP5581761B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-09-03 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
JP5929042B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2016-06-01 | 株式会社沖データ | 画像形成装置 |
JP5888661B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2016-03-22 | 株式会社リコー | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
CN105518534A (zh) * | 2014-02-24 | 2016-04-20 | 富士电机株式会社 | 电子照相感光体以及使用该电子照相感光体的图像形成装置 |
JP6593063B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2019-10-23 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび画像形成装置 |
JP2017062399A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02110470A (ja) | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH0572783A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-03-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
JP3794142B2 (ja) | 1997-12-19 | 2006-07-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 非単結晶光半導体およびその製造方法ならびに電子写真感光体 |
US6238832B1 (en) * | 1997-12-25 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
US6627367B2 (en) * | 2000-03-15 | 2003-09-30 | Fuji Electric Imaging Device Co., Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
JP2003027238A (ja) | 2001-07-09 | 2003-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
JP3766642B2 (ja) | 2002-04-26 | 2006-04-12 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体 |
DE60309253T2 (de) * | 2002-08-09 | 2007-05-24 | Canon K.K. | Elektrophotographisches lichtempfindliches element |
JP2004151519A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Canon Inc | 画像形成装置 |
JP4456953B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-04-28 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
US7678518B2 (en) * | 2006-09-19 | 2010-03-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, and process cartridge and image-forming apparatus using the same |
JP4910595B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-04-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、並びにこれを用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
JP4910851B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2012-04-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
-
2008
- 2008-04-04 JP JP2008098477A patent/JP4891285B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-10 US US12/332,092 patent/US7906261B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-04 CN CN2009100048974A patent/CN101551604B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101551604A (zh) | 2009-10-07 |
US20090253061A1 (en) | 2009-10-08 |
JP2009251241A (ja) | 2009-10-29 |
CN101551604B (zh) | 2012-06-20 |
US7906261B2 (en) | 2011-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4600111B2 (ja) | 電子写真感光体、並びに、これを用いたプロセスカートリッジおよび画像形成装置 | |
JP4891285B2 (ja) | 画像形成装置 | |
JP4910595B2 (ja) | 電子写真感光体、並びにこれを用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
JP4730202B2 (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法、並びにプロセスカートリッジ、画像形成装置 | |
JP4910591B2 (ja) | 電子写真感光体、並びにこれを用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
JP4946156B2 (ja) | 半導体膜及びその製造方法、並びに、該半導体膜を用いた受光素子、電子写真用感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 | |
JP4910851B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
JP4506805B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
JP4692648B2 (ja) | 画像形成装置 | |
JP4743000B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
US7678518B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor, and process cartridge and image-forming apparatus using the same | |
JP4735724B2 (ja) | 電子写真感光体、並びにこれを用いたプロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
JP5447062B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
JP5087979B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
JP4910596B2 (ja) | 電子写真感光体、画像形成装置およびプロセスカートリッジ | |
JP5655288B2 (ja) | 酸化物膜、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
JP5125393B2 (ja) | 電子写真用感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 | |
JP5817615B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
JP5447063B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
JP5157156B2 (ja) | 感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
JP2023142264A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
JP2009237114A (ja) | 画像形成装置、及び感光体の処理方法 | |
JP2010231019A (ja) | 受光素子、プロセスカートリッジおよび画像形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100830 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101221 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110104 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110128 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4891285 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |