JP4692648B2 - 画像形成装置 - Google Patents
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Description
電子写真用感光体としては有機感光体や無機感光体が知られている。有機感光体は無機感光体と比較して、コストなどの点で優れるものの、有機感光層が磨耗するため寿命の点では劣る。
従って、この感光層へ入射する光の光量低下を抑制するために、感光層の屈折率n1と、最表層(表面層)の屈折率n2とが、1<n2≦n1なる関係を満たす感光体が提案されている(例えば、特許文献3参照)
請求項1に係る発明は、
露光光が照射されることにより電荷発生する感光層と、該感光層表面に設けられた表面層とを有し、前記表面層が、前記感光層側に設けられ且つ屈折率n1を有する第1の層と、該第1の層の前記感光層が設けた側と反対側に設けられ且つ屈折率n2を有する第2の層とを含み、前記第1の層および前記第2の層から選択される少なくとも1層が、Ga、酸素、及び水素を含む層または非晶質炭素からなる層であり、且つ、下式(1)〜(3)を満たすことを特徴とする電子写真用感光体である。
露光光が照射されることにより電荷発生する有機感光層と、該有機感光層表面に設けられた表面層とを有し、前記表面層が、前記有機感光層側に設けられ且つ屈折率n1を有する第1の層と、該第1の層の前記有機感光層が設けた側と反対側に設けられ且つ屈折率n2を有する第2の層とを含み、前記第1の層および前記第2の層が、Ga、酸素、及び水素を含む層または非晶質炭素からなる層であり、且つ、下式(1)〜(3)を満たす電子写真用感光体と、
該電子写真用感光体表面を帯電する帯電手段と、
帯電された前記電子写真用感光体表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記電子写真用感光体表面に現像剤を付与して前記静電潜像を現像し、トナー像を形成するトナー像形成手段と、
前記トナー像を前記電子写真用感光体表面から記録媒体表面に転写する転写手段と、前記トナー像が前記記録媒体表面に定着する定着手段と、
前記トナー像を前記電子写真用感光体表面から記録媒体表面に転写した後の前記電子写真用感光体表面をクリーニングするクリーニング手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置である。
・式(2) n0<n1<n2、又は、n0>n1>n2
・式(3)
λ/(8×n1)+ a×λ/(2×n1)≦d1≦3×λ/(8×n1)+ a×λ/(2×n1)
〔式(1)〜式(3)中、n0は前記有機感光層の屈折率、n1は前記第1の層の屈折率、n2は前記第2の層の屈折率、d1は前記第1の層の膜厚(nm)、aは0以上の整数、λは静電潜像を形成する際に、前記電子写真用感光体表面に照射される光の波長(nm)を表す。ただし、式(1)〜式(3)中、n0、n1、n2は、式(3)中のλにおける屈折率を表す。〕
前記帯電手段が、帯電ロールであることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置である。
請求項5に記載の発明によれば、感光体表面に接触する部材が設けられた構成を有していても感光体面内の露光電位ムラを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項6に記載の発明によれば、感光体表面に接触する部材が設けられた構成を有していても感光体面内の露光電位ムラを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項7に記載の発明によれば感光体表面に接触する部材が設けられた構成を有していても感光体面内の露光電位ムラを抑制する画像形成装置が提供される。
本実施形態に用いられる電子写真用感光体は、露光光が照射されることにより電荷発生する感光層と、該感光層表面に設けられた表面層とを有し、前記表面層が、前記感光層側に設けられ且つ屈折率n1を有する第1の層と、該第1の層の前記感光層が設けた側と反対側に設けられ且つ屈折率n2を有する第2の層とを含み、前記第1の層および前記第2の層が、Ga、酸素、及び水素を含む層または非晶質炭素からなる層であり、且つ、下式(1)〜(3)を満たすことを特徴とする。但し、本実施形態に用いられる電子写真用感光体では、感光層として有機感光層が適用される。
・式(1) |n0−n2|>0.1
・式(2) n0<n1<n2、又は、n0>n1>n2
・式(3)
λ/(8×n1)+ a×λ/(2×n1)≦d1≦3×λ/(8×n1)+ a×λ/(2×n1)
また、屈折率n0、n1、n2は、静電潜像形成時に感光体に照射される光の波長(通常は、レーザーや発光ダイオードなどの単色光源の波長を意味するが、波長に広がりがある場合は強度が最大となる波長)における屈折率であり、吸収を伴う媒質において、複屈折率n*=n+ikにおける実部nを意味する。
また、各層の膜厚は、感光体の断面を走査型電子顕微鏡で観察して得られた画像から求めた。
ここで、反射光成分R01の位相とR12の位相とが反位相であると仮定した場合、(1)反射光成分R2aの位相とR12の位相とが同位相であれば、これら両反射光成分に対してR01が反位相となり、(2)反射光成分R2aの位相とR01の位相とが同位相であれば、これら両反射光成分に対してR12が反位相となる。このため、表面層123の偏磨耗が進行しても、磨耗が第2の層122の範囲内に留まる限り、図8に例示した場合のように全ての反射光成分の位相が全て同位相となることがなく、いずれか1成分は干渉を抑制する方向に作用する。従って、n0とn2との差が大きくなったとしても、結果として感光体面内での露光電位ムラの発生が抑制されることになる。また、この効果は、反射光成分R01の位相とR12の位相とが完全に反位相でなくても、ある程度干渉を打ち消しあう関係であれば得られる。
なお、同様の考え方は、表面層が3層以上の多層構成からなる場合や、表面層の膜厚方向に対して感光層側から表面層表面側へと屈折率が連続的に変化(増加又は減少)する傾斜構造を有する層構成からなる場合にも適用してよい。
本実施形態に用いられる感光体においては、式(1)に示されるように感光層の屈折率n0と、第2の層の屈折率n2との絶対値の差(以下、「Δn」と称す場合がある)が0.1より大きいことが必要である。本実施形態の解決課題である表面層の膜厚ムラに起因して発生する感光体面内の露光電位ムラは、感光層および表面層間で屈折率にある程度の差がなければ生じ得ないためである。
ここで、式(1)を満たす屈折率差は、通常、第2の層が公知の表面層用材料から構成され、且つ、感光層も公知の感光層用材料から構成される場合、両者の組み合わせの殆どにおいて満たされる。代表的には、感光層が有機感光層用材料又は無機感光層用材料から構成され、第2の層が既述した表面層用の無機材料から構成される場合が挙げられる。
それゆえ、Δnは0.1より大きいことが必要であるが、0.2以上であることが好ましい。
(n0+n2)/2―|(n0−n2)/4|≦n1≦(n0+n2)/2+|(n0−n2)/4|
なお、n1は、(n0+n2)/2−|(n0−n2)/8|以上、(n0+n2)/2+|(n0−n2)/8|以下の範囲がより好ましい。
ここで、膜厚d1〔nm〕は、式(3)に示されるように、λ/(8×n1)+a×λ/(2×n1)≦d1≦3×λ/(8×n1)+ a×λ/(2×n1)の範囲であることが必要であるが、3×λ/(16×n1)+ a×λ/(2×n1)≦d1≦5×λ/(16×n1)+a×λ/(2×n1)の範囲が好ましく、λ/(4×n1)+a×λ/(2×n1)が最も好ましい。
一方、第2の層が樹脂や、樹脂マトリックス中にフィラーを分散させた構成からなる場合には、上述と同様の観点から、膜厚d1は100nm以上20000nm以下の範囲が好ましく、1000nm以上10000nm以下の範囲がより好ましい。
次に、本実施形態に用いられる感光体の層構成について説明する。
本実施形態に用いられる感光体は、感光層と、該感光層表面に設けられた表面層とを有し、この表面層が第1の層および第2の層を含むものであれば特に限定されない。なお、通常、感光層は導電性(電気抵抗が体積抵抗率で1013Ωcm未満の範囲。以下同様)を有する基体(以下、「導電性基体」と略す)上に設けられ、導電性基体および感光層間には必要に応じて下引層等の中間層を設けてもよい。
また、感光層は、2層以上であってもよく、更に、機能分離型であってもよい。さらに、本実施形態に用いられる感光体は、感光層が有機感光材料等の有機高分子を含むいわゆる有機感光体である。以下、本実施形態に用いられる感光体の層構成の具体例について、図面を用いてより詳細に説明する。
図2に示す感光体は、導電性基体1上に、電荷発生層2A、電荷輸送層2B、表面層3がこの順に積層された層構成を有し、感光層2は電荷発生層2Aおよび電荷輸送層2Bの2層から構成される。
図3は、本実施形態に用いられる感光体の層構成の他の例を示す模式断面図であり、図3中、6は感光層を表し、他は、図2中に示したものと同様である。
図3に示す感光体は、導電性基体1上に、下引層4、感光層6、表面層3がこの順に積層された層構成を有し、感光層6は、図2に示す電荷発生層2Aおよび電荷輸送層2Bの機能が一体となった層である。
なお、感光層2、及び感光層6は、有機高分子から形成されたものである。
次に、本実施形態に用いられる感光体としての有機感光体の概要を説明する。
有機感光層を形成する有機高分子化合物は熱可塑性であっても熱硬化性のものであっても、また2種類の分子を反応させて形成するものでも良い。
次に、表面層についてより詳細に説明する。
感光層表面に設けられる表面層は、記述したように第1の層と第2の層とを含むものであれば特に限定されない。
なお、本実施形態に用いられる感光体は、感光層、第1の層および第2の層の屈折率や膜厚を、上記式(1)〜式(3)を満たすように組み合わせることにより、これらの層間の界面からの反射光成分の干渉を抑制して、感光体面内の露光電位ムラの発生を抑制するものであるが、この効果の発揮を阻害しない範囲であれば、例えば、表面層の下層側(すなわち、感光層および表面層間)や、第1の層および第2の層間に中間層を設けることができる。この中間層の屈折率は特に限定されないが、上述した効果の発揮を阻害しないという観点からその膜厚は、中間層の屈折率にもよるが50nm以下であることが好ましく、25nm以下であることがより好ましい。
また、これらの材料の中でも、非晶質炭素や、Ga、酸素および水素を含む材料を用いることがより好ましい。これは、感光層が有機感光層からなる場合において、式(2)や式(4)を満たすことがより容易であるため、結果として感光体面内で露光電位ムラがより容易に抑制されるためである。さらに、感光体残留電位のサイクルアップも抑制する点も考慮すれば、特にGa、酸素および水素を含む材料を用いることが好ましい。また、これらの無機材料から構成される第2の層は、非晶性あるいは結晶性のいずれでもよい。
また、表面層を構成する第1の層および第2の層のうち、基本的に耐摩耗性や機械的耐久性が最も要求されるのは、表面層表面を構成する第2の層である。このため、第1の層としては、上述した耐摩耗性や機械的耐久性に優れる無機材料以外の材料も必要に応じて用いることができる。この材料としては、例えば樹脂材料が挙げられる。
Ga、酸素および水素を含む材料の組成としては特に限定されないが、(1)適度な電気伝導性を有することや、(2)表面層の膜厚が0.2μm程度を超えても感光体残留電位のサイクルアップが起こりにくいこと、(3)また、感光層が有機感光層(特にポリカーボネートを主成分とする有機感光層)である場合に、上記式(2)や上記式(4)に示す関係を満たすことが容易であることから、GaOx:H(x=1.1以上1.4以下)なる組成であることが特に好ましい。なお、この場合、上記式(2)や上記式(4)に示す関係を満たすことが容易である点から、感光層(多層構成の場合は表面層側の層)は、ポリカーボネートを主成分として含む有機感光層であることが好ましい。
なお、この場合、第1の層の電気抵抗が高くなるため、感光体の電気特性に悪影響を与えることも考えられるが、式(3)を満たす範囲で第1の層の膜厚d1をできる限り薄くすることで上述した問題の発生が抑制される。
なお、炭素量の増加は機械的強度や耐摩耗性の低下を招くことがあるが、この特性の低下は、表面層の表面を構成しない第1の層で起こるため、感光体の短寿命化を招くこともない。
RBSは、加速器としてNEC社 3SDH Pelletron、エンドステーションとしてCE&A社 RBS−400、システムとして3S−R10を用いた。解析にはCE&A社のHYPRAプログラム等を用いた。
なお、RBSの測定条件は、He++イオンビームエネルギーは2.275eV、検出角度160°、入射ビームに対してGrazing Angleは109°±2°である。
まず、He++イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、160°にセットし、後方散乱されたHeのシグナルを測定する。検出したHeのエネルギーと強度から組成比と膜厚を決定する。組成比及び膜厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定しても良い。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度を向上させる。
ターゲット原子によって後方散乱されるHe原子の数は、1)ターゲット原子の原子番号、2)散乱前のHe原子のエネルギー、3)散乱角度の3つの要素のみにより決まる。 測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて膜厚を算出する。密度の誤差は20%以内である。
HFSは、加速器としてNEC社 3SDH Pelletron、エンドステーションとしてCE&A社 RBS−400を用い、システムとして3S−R10を用いた。解析にはCE&A社のHYPRAプログラムを用いた。HFSの測定条件は、以下の通りである。
・He++イオンビームエネルギー:2.275eV
・検出角度:160°入射ビームに対してGrazing Angle30°
参照用試料としてSi中にHをイオン注入した試料と白雲母を使用した。白雲母は水素濃度が6.5原子%±1原子%であることが知られている。なお、最表面に吸着しているHは、清浄なSi表面に吸着しているH量を差し引くことによって行うことができる。
次に、表面層の形成方法についてより具体的に説明する。表面層の形成に際しては、プラズマCVD法、有機金属気相成長法、分子線エピタキシー法、スパッタリング法等の公知の気相成膜方法が利用できる。また、感光層側に設けられる第1の層が、硬質な無機材料から構成されない場合には、上述した成膜法以外にも浸漬塗布法などの公知の液相成膜法を利用することもできる。
また、表面層がその膜厚方向に対して屈折率が連続的に変化する構成を有する場合には、成膜時に時間と共に成膜条件を徐々に変化させることにより成膜を実施することができる。あるいは、膜厚方向に対する組成が同一である単層構成の表面層を形成した後に、表面層表面に対してイオン注入を行うことによって表面層膜厚方向に対して打ち込まれたイオンの濃度分布を設けることで、組成プロファイルを制御して膜厚方向に屈折率が連続的に変化する表面層を形成することができる。また、非晶質炭素は、He等のイオンや放射光を照射することによっても屈折率を変化させることができる。
図4は、本実施形態に用いられる感光体の表面層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図であり、図4(A)は、成膜装置を側面から見た場合の模式断面図を表し、図4(B)は、図4(A)に示す成膜装置のA1−A2間における模式断面図を表す。図4中、10は成膜室、11は排気口、12は基体回転部、13は基体ホルダー、14は基体、15はガス導入部、16はシャワーノズル、17はプラズマ拡散部、18は高周波電力供給部、19は平板電極、20はガス導入管、21は高周波放電部である。
このプラズマ発生装置は、高周波放電部21と、高周波放電部21内に配置され、放電面が排気口11側に設けられた平板電極19と、高周波放電部21外に配置され、平板電極19の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部18とから構成されたものである。なお、高周波放電部21には、高周波放電部21内にガスを供給するためのガス導入管20が接続されており、このガス導入管20のもう一方の端は、不図示の第1のガス供給源に接続されている。
また、成膜室10内には、基体回転部12が設けられており、円筒状の基体14が、シャワーノズルの長手方向と基体14の軸方向とが略平行に対面するように基体ホルダー13を介して基体回転部12に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部12が回転することによって、基体14が周方向に回転させられる。なお、基体14としては、予め感光層まで積層された感光体が用いられる。
この場合、まず、He希釈O2とH2の混合ガスをガス導入管20から高周波放電部21内に導入すると共に、高周波電力供給部18から平板電極19に、13.56MHzのラジオ波を供給する。この際、平板電極19の放電面側から排気口11側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部17が形成される。
次に、水素をキャリアガスとして用いて水素希釈したトリメチルガリウムガスをガス導入管15、シャワーノズル16を介して成膜室10に導入することによって、基体14表面に水素と酸素とガリウムとを含む膜を成膜することができる。
有機感光体を作製する場合において、表面層の成膜時の基体温度は、150℃以下が好ましく、100℃以下がより好ましい。基体温度が150℃以下であっても、プラズマの影響で150℃より高くなる場合には感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体温度を設定することが好ましい。
基体温度は図示していない方法で制御しても良いし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体14を加熱する場合にはヒータを基体14の外側や内側に設置しても良い。基体14を冷却する場合には基体14の内側に冷却用の気体または液体を循環させても良い。
放電による基体温度の上昇を避けたい場合には、基体14表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
成膜時におけるドーパントのドーピングの方法としてはn型用としてはSiH3,SnH4を、p型用としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロンチウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、などをガス状態で使用できる。また、ドーパント元素を表面層中にドーピングするには、熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用することもできる。
具体的には、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管15、シャワーノズル16を介して成膜室10内に導入することによってn型、p型等任意の導電型の表面層を得ることができる。
さらに、これらの装置を2種類以上組み合わせて用いてもよく、あるいは、同種の装置を2つ以上用いてもよい。
例えば、2種類のプラズマ発生手段をガス流に対して直列に設置する場合、図4に示す成膜装置を例に上げれば、シャワーノズル16を電極として成膜室10内に放電を起こさせる第2のプラズマ発生装置として利用できる。この場合、ガス導入管15を介して、シャワーノズル16に高周波電圧を印加して、シャワーノズル16を電極として成膜室10内に放電を起こさせることができる。
あるいは、シャワーノズル16を電極として利用する代わりに、成膜室10内の基体14およびプラズマ拡散部17間に円筒状の電極を設けて、この円筒状電極を利用して、成膜室10内に放電を起こさせることもできる。
また、異なる2種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍(70000Pa以上110000Pa以下)で行っても良い。
次に、本実施形態に用いられる電子写真感光体を構成する導電性基体および感光層の詳細や、必要に応じて設けられる下引層等の詳細について、本実施形態に用いられる感光体が機能分離型の感光層を有する有機感光体用である場合について説明する。
導電性基体としては、アルミニウム、銅、鉄、ステンレス、亜鉛、ニッケル等の金属ドラム;シート、紙、プラスチック、ガラス等の基材上にアルミニウム、銅、金、銀、白金、パラジウム、チタン、ニッケル−クロム、ステンレス鋼、銅−インジウム等の金属を蒸着したもの;酸化インジウム、酸化スズ等の導電性金属化合物を上記基材に蒸着したもの;金属箔を上記基材にラミネートしたもの;カーボンブラック、酸化インジウム、酸化スズ−酸化アンチモン粉、金属粉、ヨウ化銅等を結着樹脂に分散し、上記基材に塗布することによって導電処理したもの等が挙げられる。また、導電性基体の形状は、ドラム状、シート状、プレート状のいずれであってもよい。
次に、下引層について説明する。下引層を構成する材料としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂;ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、シリコン原子などを含有する有機金属化合物などが挙げられる。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いてもよい。これらの中でも、ジルコニウムもしくはシリコンを含有する有機金属化合物は、残留電位が低く環境による電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化が少ないため好ましく使用される。また、有機金属化合物は、これを単独または2種以上を混合したり、さらに上述の結着樹脂と混合して用いてもよい。
なお、樹脂粒子としては、シリコーン樹脂粒子、架橋型PMMA樹脂粒子等を用いることができる。また、表面粗さの調整のために下引層表面を研磨することもできる。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、ウエットホーニング、研削処理等を用いることができる。なお、正帯電構成の画像形成装置に用いられる感光体では、レーザ入射光は感光体の極表面近傍で吸収され、さらに感光層中で散乱されるため、下引層の表面粗さの調整は強くは必要とされない。
乾式法を用いる場合においては、まず、金属酸化物粒子を加熱乾燥して表面吸着水を除去する。表面吸着水を除去することによって、金属酸化物粒子表面にカップリング剤が吸着させられる。次に、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接あるいは有機溶媒または水に溶解させたカップリング剤を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって金属酸化物粒子表面が処理される。カップリング剤を添下あるいは噴霧する際には、50℃以上の温度で行われることが好ましい。カップリング剤を添加あるいは噴霧した後、さらに100℃以上で焼き付けを行うことが好ましい。焼き付けの効果によりカップリング剤を硬化させ金属酸化物粒子と堅固な化学反応を起こさせる。焼き付けは、所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で選択してよい。
中でも下引層上に形成される層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好ましく用いられ、特にフェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂などが好ましく用いられる。分散型下引層形成用塗布液中の金属酸化物粒子と結着樹脂との比率は所望する感光体特性を得られる範囲で任意に設定できる。
この分散型下引層用塗布剤により下引層を形成する方法は、上述した下引層用塗布剤を用いて下引層を形成する方法と同様に行うことができる。
次に、感光層について、電荷輸送層と電荷発生層とに分けてこの順に以下に説明する。
電荷輸送層に用いられる電荷輸送材料としては、下記に示すものが例示できる。即ち2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール誘導体、1,3,5−トリフェニル−ピラゾリン、1−[ピリジル−(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノスチリル)ピラゾリンなどのピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリ(P−メチル)フェニルアミン、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ビフェニル−4−アミン、ジベンジルアニリン、9,9−ジメチル−N,N−ジ(p−トリル)フルオレノン−2−アミンなどの芳香族第3級アミノ化合物、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミンなどの芳香族第3級ジアミノ化合物、3−(4’ジメチルアミノフェニル)−5,6−ジ−(4’−メトキシフェニル)−1,2,4−トリアジンなどの1,2,4−トリアジン誘導体、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン、[p−(ジエチルアミノ)フェニル](1−ナフチル)フェニルヒドラゾン、1−ピレンジフェニルヒドラゾン、9−エチル−3−[(2メチル−1−インドリニルイミノ)メチル]カルバゾール、4−(2−メチル−1−インドリニルイミノメチル)トリフェニルアミン、9−メチル−3−カルバゾールジフェニルヒドラゾン、1,1−ジ−(4,4’−メトキシフェニル)アクリルアルデヒドジフェニルヒドラゾン、β,β−ビス(メトキシフェニル)ビニルジフェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン誘導体、2−フェニル−4−スチリル−キナゾリンなどのキナゾリン誘導体、6−ヒドロキシ−2,3−ジ(p−メトキシフェニル)−ベンゾフランなどのベンゾフラン誘導体、p−(2,2−ジフェニルビニル)−N,N−ジフェニルアニリンなどのα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、N−エチルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾールおよびその誘導体などの正孔輸送物質が用いられる。あるいは、上記化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体などが挙げられる。これらの電荷輸送材料は、単独又は2種以上を組み合せて使用できる。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン又はそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物などが挙げられる。
有機燐系酸化防止剤では、トリスノニルフェニルフォスフィート、トリフェニルフォスフィート、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)−フォスフィートなどが挙げられる。
ベンゾフェノン系光安定剤として、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベンゾフェノン、2,2’−ジ−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。
ベンゾトリアゾール系光安定剤として、2−(−2’−ヒドロキシ−5’メチルフェニル−)−ベンゾトリアゾール、2−[2’−ヒドロキシ−3’−(3’’,4’’,5’’,6’’−テトラ−ヒドロフタルイミド−メチル)−5’−メチルフェニル]−ベンゾトリアゾール、2−(−2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル 5’−メチルフェニル−)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−5’−メチルフェニル−)−5−クロロ ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−t−ブチルフェニル−)−ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−t−オクチルフェニル)−ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−アミルフェニル−)−ベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
その他の光安定剤としては、2,4,ジ−t−ブチルフェニル−3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシベンゾエート、ニッケルジブチル−ジチオカルバメートなどがある。
また電荷輸送層形成用塗布液には、塗布形成される塗膜の平滑性向上のためのレベリング剤としてシリコーンオイルを微量添加することもできる。
電荷発生層は、電荷発生材料を真空蒸着法により蒸着させて形成するか、有機溶剤及び結着樹脂を含む溶液を塗布することにより形成される。
また、これらの有機顔料は一般に数種の結晶型を有しており、特にフタロシアニン化合物ではα型、β型などをはじめとしてさまざまな結晶型が知られているが、目的にあった感度その他の特性が得られる顔料であるならば、これらのいずれの結晶型を用いてもよい。
(1)電荷発生材料としてCukα線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも7.6°,10.0°,25.2°,28.0°の位置に回折ピークを有する結晶型のヒドロキシガリウムフタロシアニン。
(2)電荷発生材料としてCukα線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも7.3°,16.5°,25.4°,28.1°の位置に回折ピークを有する結晶型のクロルガリウムフタロシアニン、
(3)電荷発生材料としてCukα線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも9.5°,24.2°,27.3°の位置に回折ピークを有する結晶型のチタニルフタロシアニン。
電荷発生層を形成する為の塗布液の溶媒として公知の有機溶剤、例えば、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n―ブタノール等の脂肪族アルコール系溶剤、アセトン、シクロヘキサノン、2−ブタノン等のケトン系溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール、ジエチルエーテル等の環状あるいは直鎖状エーテル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル等のエステル系溶剤等が挙げられる。
次に、本実施形態に用いられる感光体を用いたプロセスカートリッジおよび画像形成装置について説明する。
本実施形態に用いられるプロセスカートリッジは、画像形成装置本体に対して脱着可能であり、かつ、本実施形態に用いられる感光体を用いたものであれば特に限定されないが、具体的には、本実施形態に用いられる感光体と、帯電手段、現像手段、クリーニング手段および除電手段からなる群より選択される少なくとも一つとを一体に有し、画像形成装置本体に脱着可能である構成を有するものであることが好ましい。
また、本実施形態の画像形成装置は、本実施形態に用いられる感光体を用いたものであれば特に限定されないが、具体的には、本実施形態に用いられる感光体と、この感光体表面を帯電する帯電手段と、帯電された感光体表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、感光体表面に現像剤を付与して静電潜像を現像し、トナー像を形成するトナー像形成手段と、トナー像を感光体表面から記録媒体表面に転写する転写手段と、トナー像が記録媒体表面に定着する定着手段とを、トナー像を感光体表面から記録媒体表面に転写した後の感光体表面をクリーニングするクリーニング手段と、備えたものであることが好ましい。
なお、本実施形態の画像形成装置は、各色のトナーに対応した感光体を複数有するいわゆるタンデム機であってもよく、この場合、全ての感光体が本実施形態に用いられる感光体であることが好ましい。また、中間転写ベルトや中間転写ドラムなどの中間転写体を備えていてもよい。この場合、トナー像は、感光体表面から中間転写体表面へと1次転写された後、中間転写体表面から記録媒体表面へと2次転写される。
図7に示すように、本実施形態の画像形成装置82は、所定方向(図7中、矢印D方向)に回転する電子写真用感光体80を備えている。電子写真用感光体80の周囲には、電子写真用感光体80の回転方向に沿って、帯電ロール(帯電手段)84、露光装置(露光手段)86、現像装置(現像手段)88、転写装置(転写手段)89、除電装置81、及びクリーニング装置87が設けられている。
転写装置89は、電子写真用感光体80上に形成されたトナー像を、電子写真用感光体80および転写装置89間で記録媒体83を挟持搬送することにより、記録媒体83に転写する。記録媒体83に転写されたトナー像は、図示を省略する定着装置によって記録媒体83表面に定着される。
なお、本実施形態に用いられる感光体は、電子写真用途以外の受光素子としても利用できる。この場合、表面層が摺擦に曝される態様で利用される用途であることが好適である。また、感光層は、既述した電子写真用に特化された構成を有するものでなくてもよい。
−下引層の形成−
酸化亜鉛(平均粒子径:70nm、テイカ社製試作品)100質量部をトルエン500質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤(商品名:KBM603、信越化学社製)1.5質量部を添加して2時間攪拌した。その後、減圧蒸留によりトルエンを留去し、150℃で2時間焼き付けを行った。
まず、電荷発生物質として、CuKα線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が少なくとも7.4゜,16.6゜,25.5゜,28.3゜の位置に回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン15質量部、結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂(商品名:VMCH、日本ユニカー社製)10質量部、及びn−ブチルアルコール300質量部からなる混合物を、直径1mmのガラスビーズを用いてサンドミルにて4時間分散処理し、電荷発生層用塗布液を得た。得られた分散液を下引層上に浸漬塗布し、乾燥させて、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成させた。
<第1の層>
続いて、図4に示す成膜装置を利用して、ノンコート感光体上にプラズマCVD法により表面層の形成を行った。
まず、ノンコート感光体を基体ホルダー13に取り付けて、成膜室10内に配置した後、成膜室10内を、圧力が1×10−2Paとなるまで真空排気した。次に、成膜室10に、表1に示す条件にてガスを供給した。ここで、H2、N2、He希釈酸素(4モル%)、CH4に関してはガス導入管20から、水素希釈トリメチルガリウム(以下、「水素希釈TMG」と称する場合がある、トリメチルガリウム濃度10モル%)に関してはガス導入管15、シャワーノズル16を介して導入される。
この状態で、コンダクタンスバルブ(図中、不図示)を調整することにより、成膜室10内の圧力を表1に示した値に調整し、さらに高周波電力供給部18及びマッチングボックス(図中、不図示)により、13.56MHzのラジオ波を表1に示す出力値にセットし、チューナーでマッチングを取り反射波を0Wとして平板電極19から放電を行った。
この状態で、ノンコート感光体を40rpmの速度で回転させながら、表1に示す成膜時間で成膜を行い、第1の層を形成した。同じ条件で合計5回成膜を行なった。うち4回はノンコート感光体にそのまま成膜した。1回はノンコート感光体の軸方向中央に、単結晶シリコン基板(5mm×10mm:以下「Si基板」という場合もある)を粘着テープで貼り付け第1の層を製膜したSi参照試料A1-1を作製した。
第1の層を成膜した感光体に、成膜条件を表1に示す条件に変更した以外は、第1の層を形成する場合と同様にして合計5回成膜を行い、第2の層を形成した。うち1回は、第1の層形成において、Si基板を貼り付けたものから、Si基板を取外し、さらに成膜させていない新しいSi基板を貼り付けて成膜を行なった。
これにより、感光体試料A1を4本と第1の層を製膜したSi参照試料、第2の層を製膜したSi参照試料を得た。
ノンコート感光体としては、感光体A1の作製に用いたものと同様のものを準備した。続いて、第1の層および第2の層を形成する際の成膜条件を表1に示す条件に変更した以外は、感光体A1の場合と同様にして表面層を形成し、感光体A2〜A11を各々4本と第1の層を製膜したSi参照試料、第2の層を製膜したSi参照試料を各々得た。
ノンコート感光体としては、感光体A1の作製に用いたものと同様のものを準備した。続いて、第1の層、第2の層、単層を形成する際の成膜条件を表1に示す条件に変更した以外は、感光体A1の場合と同様にして表面層を形成し、感光体B1〜B4を各々4本と第1の層を製膜したSi参照試料、第2の層を製膜したSi参照試料、単層を製膜したSi参照試料を得た。
評価には富士ゼロックス社製の画像形成装置(DocuCenter Colar a450)を用いた。この装置は、感光体に接触する部材として中間転写ベルト、帯電ロールおよびクリーニングブレードを備えたものである。
評価に際しては、上述した感光体を取り付けた後、A4サイズの用紙(富士ゼロックス社製、P紙)を短手方向が給紙方向となるようにして、20℃50RH%環境下にて図6に示す画像パターンを連続的にプリントした。
評価に用いた感光体の主要な特性値及び評価結果を表3に示す。
画像形成装置に取り付けて所定枚数をプリントした後の表面層が形成された感光体を画像形成装置から取り出し、この感光体を40rpmで回転させながらスコロトロン帯電器により−700Vに帯電させた状態で、露光用の光(光源:半導体レーザー、波長:780nm、出力:5mW)を、感光体の表面に走査しながら照射した。
なお、この際の露光光量は、表面層形成前のノンコート感光体の上述と同様の条件で露光したときに、露光電位が―350Vとなる条件に設定した。
電位測定後の感光体を表面と垂直方向に切り出し、高分子樹脂で表面を覆い埋め込んだ後にミクロトームにより切断し、その断面を走査型電子顕微鏡(SEM、日本電子社製、JSM6340F、倍率:2万倍)で観察し、各試料の表面層膜厚d1+d2、またはdsを求めた。ここで、感光体の周方向4点(0、90、180、270度の位置)で観察を行い平均値を表面層膜厚とした。初期状態の感光体試料との表面層膜厚との差からそれぞれの摩耗深さを得た。
2 感光層
2A 電荷発生層
2B 電荷輸送層
3 表面層
4 下引層
6 感光層
10 成膜室
11 排気口
12 基体回転部
13 基体ホルダー
14 基体
15 ガス導入管
16 シャワーノズル
17 プラズマ拡散部
18 高周波電力供給部
19 平板電極
20 ガス導入管
21 高周波放電部
22 高周波コイル
23 石英管
80 電子写真用感光体
81 除電装置
84 帯電ロール(帯電手段)
86 露光装置(露光手段)
88 現像装置(現像手段)
87 クリーニング装置
89 転写装置(転写手段)
100、102 感光体
110 感光層
120 表面層(単層表面層)
121 第1の層
122 第2の層
123 表面層(第1の層121および第2の層122から構成される2層表面層)
200 原稿画像
210、220 ベタ画像部
Claims (4)
- 露光光が照射されることにより電荷発生する有機感光層と、該有機感光層表面に設けられた表面層とを有し、前記表面層が、前記有機感光層側に設けられ且つ屈折率n1を有する第1の層と、該第1の層の前記有機感光層が設けた側と反対側に設けられ且つ屈折率n2を有する第2の層とを含み、前記第1の層および前記第2の層が、Ga、酸素、及び水素を含む層または非晶質炭素からなる層であり、且つ、下式(1)〜(3)を満たす電子写真用感光体と、
該電子写真用感光体表面を帯電する帯電手段と、
帯電された前記電子写真用感光体表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記電子写真用感光体表面に現像剤を付与して前記静電潜像を現像し、トナー像を形成するトナー像形成手段と、
前記トナー像を前記電子写真用感光体表面から記録媒体表面に転写する転写手段と、
前記トナー像が前記記録媒体表面に定着する定着手段と、
前記トナー像を前記電子写真用感光体表面から記録媒体表面に転写した後の前記電子写真用感光体表面をクリーニングするクリーニング手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
・式(1) |n0−n2|>0.1
・式(2) n0<n1<n2、又は、n0>n1>n2
・式(3)
λ/(8×n1)+ a×λ/(2×n1)≦d1≦3×λ/(8×n1)+ a×λ/(2×n1)
〔式(1)〜式(3)中、n0は前記有機感光層の屈折率、n1は前記第1の層の屈折率、n2は前記第2の層の屈折率、d1は前記第1の層の膜厚(nm)、aは0以上の整数、λは静電潜像を形成する際に、前記電子写真用感光体表面に照射される光の波長(nm)を表す。ただし、式(1)〜式(3)中、n0、n1、n2は、式(3)中のλにおける屈折率を表す。〕 - 前記帯電手段が、帯電ロールであることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
- 前記クリーニング手段が、クリーニングブレードであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の画像形成装置。
- 中間転写体を備え、前記トナー像が、前記電子写真用感光体表面から前記中間転写体表面へと1次転写された後、前記中間転写体表面から前記記録媒体表面へと2次転写されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の画像形成装置。
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JP5769724B2 (ja) * | 2009-11-24 | 2015-08-26 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インク.University Of Florida Reseatch Foundation,Inc. | 赤外線放射を感知する方法および装置 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007213085A (ja) * | 2001-11-30 | 2007-08-23 | Ricoh Co Ltd | 画像形成方法及びこの方法を用いる画像形成装置 |
JP2008076877A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成装置およびプロセスカートリッジ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61138258A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Canon Inc | 光導電積層構造部材 |
JPH0453962A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-21 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
US6255027B1 (en) * | 2000-05-22 | 2001-07-03 | Xerox Corporation | Blocking layer with light scattering particles having coated core |
MXPA02012553A (es) * | 2001-12-21 | 2004-09-03 | Canon Kk | Miembro electrofotografico fotosensible, cartucho de proceso y aparato electrofotografico. |
US20070275315A1 (en) * | 2006-05-23 | 2007-11-29 | Tsuneyasu Nagatomo | Toner, method for manufacturingthe toner, and developer, image forming method, image forming apparatus and process cartridge using the toner |
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Patent Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JP2007213085A (ja) * | 2001-11-30 | 2007-08-23 | Ricoh Co Ltd | 画像形成方法及びこの方法を用いる画像形成装置 |
JP2008076877A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成装置およびプロセスカートリッジ |
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