JP4875389B2 - 半導体レーザモジュール - Google Patents
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Description
まず、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザモジュールについて説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。図2は、図1に示す半導体レーザモジュールのX1−X1線断面図である。
次に、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態2に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態1に係る半導体レーザモジュールとは、壁部材が光ファイバ保持手段の半導体レーザ素子側に固定されているなどの点で異なる。壁部材の孔の直径D、半導体レーザ素子と壁部材との間隔L、半導体レーザの活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおけるピーク強度の1/e2の強度となるビーム広がり角φ、光ファイバの先端部の開き角度θ、光ファイバ1の直径d、半導体レーザ素子と光ファイバの先端部との間隔zについて、式(1)が成り立つ点は、実施の形態1と同じである。
次に、本発明の実施の形態3に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態3に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態2に係る半導体レーザモジュールとは、壁部材が半導体レーザ素子と光ファイバ保持手段の間において基板に固定されているなどの点で異なる。壁部材の孔の直径D、半導体レーザ素子と壁部材との間隔L、半導体レーザの活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおけるピーク強度の1/e2の強度となるビーム広がり角φ、光ファイバの先端部の開き角度θ、光ファイバ1の直径d、半導体レーザ素子と光ファイバの先端部との間隔zについて、式(1)が成り立つ点は、実施の形態1と同じである。
次に、本発明の実施の形態4に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態4に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態2に係る半導体レーザモジュールとは壁部材が光ファイバ保持手段の半導体レーザ素子側に固定されているなどの点で同様であるが、光ファイバ保持手段が該光ファイバ保持手段を挟持する挟持手段を介して基板に固定されているなどの点で異なる。壁部材の孔の直径D、半導体レーザ素子と壁部材との間隔L、半導体レーザの活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおけるピーク強度の1/e2の強度となるビーム広がり角φ、光ファイバの先端部の開き角度θ、光ファイバ1の直径d、半導体レーザ素子と光ファイバの先端部との間隔zについて、式(1)が成り立つ点は、実施の形態1と同じである。
次に、本発明の実施の形態5に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態5に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態4に係る半導体レーザモジュールとは光ファイバ保持手段が挟持手段を介して基板に固定されているなどの点で同様であるが、光ファイバ保持手段が金属フェルールであるなどの点で異なる。壁部材の孔の直径D、半導体レーザ素子と壁部材との間隔L、半導体レーザの活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおけるピーク強度の1/e2の強度となるビーム広がり角φ、光ファイバの先端部の開き角度θ、光ファイバ1の直径d、半導体レーザ素子と光ファイバの先端部との間隔zについて、式(1)が成り立つ点は、実施の形態1と同じである。
次に、本発明の実施の形態6に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態6に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態5に係る半導体レーザモジュールとは光ファイバ保持手段が金属フェルールであるなどの点で同様であるが、壁部材が光ファイバ保持手段の一部に形成されているなどの点で異なる。壁部材の孔の直径D、半導体レーザ素子と壁部材との間隔L、半導体レーザの活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおけるピーク強度の1/e2の強度となるビーム広がり角φ、光ファイバの先端部の開き角度θ、光ファイバ1の直径d、半導体レーザ素子と光ファイバの先端部との間隔zについて、式(1)が成り立つ点は、実施の形態1と同じである。
次に、本発明の実施の形態7に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態7に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態5に係る半導体レーザモジュールとは光ファイバ保持手段が金属フェルールであるなどの点で同様であるが、光ファイバ保持手段を挟持する挟持手段が異なる。壁部材の孔の直径D、半導体レーザ素子と壁部材との間隔L、半導体レーザの活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおけるピーク強度の1/e2の強度となるビーム広がり角φ、光ファイバの先端部の開き角度θ、光ファイバ1の直径d、半導体レーザ素子と光ファイバの先端部との間隔zについて、式(1)が成り立つ点は、実施の形態1と同じである。
101〜701 半導体レーザ素子
101a 活性層
102〜702 光ファイバ
102a コア
102b クラッド
102c 先端部
103〜703、607a 壁部材
103a〜503a 孔
104〜704 保持部固定剤
105〜705 ヒートシンク
106〜706 サブマウント
107〜707 光ファイバ保持手段
108〜708 基板
109〜709 パッケージ
110〜710 蓋
111〜711 挿入部固定剤
113〜713 孔部固定剤
412〜712、 挟持手段
412a〜712a 基部
412b〜612b、412c〜612c 起立壁
414〜714 溶接部
712b 溝部
712c 凹部
712d 挟持部材
Claims (9)
- 活性層を有する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子に対向して配置され前記活性層に垂直方向での断面が楔形状である先端部を有するマルチモード光ファイバと、
保持部固定剤により前記マルチモード光ファイバを固定して保持する光ファイバ保持手段と、
前記半導体レーザ素子と前記光ファイバ保持手段とを固定する基板と、
前記マルチモード光ファイバが挿通されている孔を有し前記保持部固定剤と前記半導体レーザ素子との間に配置された、前記半導体レーザ素子の出射光を透過せず、かつ該出射光の吸収により温度上昇しない程度の吸収を有する高反射率の壁部材と、
を備え、前記壁部材の孔の直径をD、前記半導体レーザ素子と前記壁部材との間隔をL、前記半導体レーザ素子の出射光の前記活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおいてピーク強度の1/e2の強度となるビーム広がり角をφ、前記マルチモード光ファイバの先端部の開き角度をθ、前記マルチモード光ファイバの直径をd、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの先端部との間隔をzとすると、
tan(φ/2)>tan(θ/2)/[1+(2z/d)tan(θ/2)]、かつ tan(θ/2)/[1+(2z/d)tan(θ/2)]>D/(2L)
が成り立つことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記半導体レーザ素子の出射光は横マルチモードであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記壁部材は、該壁部材の孔に充填された孔部固定剤により前記マルチモード光ファイバに固定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記壁部材は、前記光ファイバ保持手段の前記半導体レーザ素子側に固定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記壁部材は、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバ保持手段の間において前記基板に固定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記壁部材は、前記光ファイバ保持手段の一部に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光ファイバ保持手段は、該光ファイバ保持手段を挟持する挟持手段を介して前記基板に固定されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記挟持手段は、基部と、該基部に立設され前記光ファイバ保持手段を挟持する2つの起立壁と、を有することを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記挟持手段は、前記光ファイバ保持手段を配置する溝部の両側に凹部を有する基部と、前記凹部に嵌め込まれ前記光ファイバ保持手段を挟持する挟持部材と、を有することを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザモジュール。
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