JPH01321413A - 光電子装置 - Google Patents

光電子装置

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JPH01321413A
JPH01321413A JP63154717A JP15471788A JPH01321413A JP H01321413 A JPH01321413 A JP H01321413A JP 63154717 A JP63154717 A JP 63154717A JP 15471788 A JP15471788 A JP 15471788A JP H01321413 A JPH01321413 A JP H01321413A
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JP
Japan
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hole
optical fiber
optical
laser diode
diode chip
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JP63154717A
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English (en)
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Koichi Kozu
孝一 神津
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光電子装置、たとえば、レーザ光を発光(出射
)する半導体レーザ素子(レーザダイオードチツプ)、
あるいは半導体レーザ部を有する集積化光デバイス(O
EIC)等のチップをパッケージ内に組み込み、かつパ
ッケージ周壁に貫通固定された光ファイバによって前記
レーザダイオードチップから発光されるレーザ光をパン
ケージの外部に伝送する構造の光電子装置に関する。
〔従来の技術〕
光通信用光源の一つとして、半導体レーザ装置が使用さ
れている。この光通信用レーザモジュール(半導体レー
ザ装置)については、たとえば、日立評論社発行「日立
評論J 1983年第10号、昭和58年10月25日
発行、P39〜P44に記載されている。この半導体レ
ーザ装置は半導体レーザ素子の共振器端面に光ファイバ
の先端が対向する、いわゆる直接対向方式として組み立
てられ、パッケージが箱型となる偏平形モジュールとし
て提供されている。この半導体レーザ装置は金属製ステ
ムの主面中央部を金属板からなるキャップで封止した構
造となっていて、内部に半導体レーザ素子(レーザダイ
オードチップ)およびこのレーザダイオードチップの共
振器端面から発光されるレーザ光の光出力を検出する受
光素子が内臓されている。また、この半導体レーザ装置
においては、1.3μm帯のレーザ光を発生するレーザ
ダイオードチップを内蔵させ、かつ光ファイバとしてシ
ングルモードファイバを使用していることによって、長
距離大容量の通信も可能となっている。
また、このような半導体レーザ装置におけるレーザダイ
オードチップと光ファイバとの間の光結合効率を向上さ
せる目的で、本出願人は、光ファイバの光結合端近傍部
分を支持する支持体(!PI整棒)をあらかじめ可撓性
構造としておき、レーザダイオードチップの固定および
光ファイバの固定後に、前記調整棒の頭部に外力を加え
て調整棒を動かして光フアイバ先端の位置を修正するこ
とによって、レーザダイオードチップと光ファイバとの
光軸を一致させる技術を提案(特開昭60−43889
0号に記載されている技術)している。
この構造は、第6図に示される味うに、半導体レーザ装
置のパッケージを構成するステム1の主面中央の台座部
2上に鑞材3を介してサブマウント4が固定されている
。また、このサブマウント4の上には鑞材5を介してレ
ーザダイオードチップ6が固定されている。このレーザ
ダイオードチップ6の両端の出射面からは、それぞれレ
ーザ光7を発光する。また、前記ステムlのリング状封
止壁(周壁)8にはファイバガイド9が銀鑞10を介し
て固定されている。このファイバガイド9は筒体となり
、その中心を貫く孔に光ファイバllを案内している。
この図では、光ファイバ11としては、石英のコア12
と、このコアI2を被覆する石英のクラッド13とから
なる芯線14がファイバガイド9に挿入されている。ま
た、前記光ファイバ11は固定材15によってファイバ
ガイド9の内端に固定されている。また、前記台座部2
には支持体(!11整捧)16が銀鑞17を介して固定
されている。この調整棒16には、前記芯線14を案内
する孔18が設けられている。そして、この孔18には
芯線14が挿入され、かつ前記孔18に充填された固定
材19によって固定されている。また、前記孔18を貫
通した芯線14の先端の光結合端は、前記レーザダイオ
ードチップ6の出射面に対峙している。前記調整棒16
は、その上端に外力を加えることによって下部の変形部
20で変形するため、調整棒16に支持されている芯線
14の先端の光結合端の位置も変化する。
そこで、レーザダイオードチップ6に対する芯線I4の
先端の光結合端の最終的な位置調整は、前記調整棒16
の変形調整によって行われる。
〔発明が解決しようとする課題〕
光フアイバ付半導体レーザ装置等の光電子装置にあって
は、レーザダイオードチップから発光されるレーザ光を
できるだけ高い効率で光ファイバに取り込むことが要求
される。この光結合効率を高くする構造として、前述の
ように光ファイバの光結合端近傍部分を変形調整ができ
る支持体(調整棒)で支持する構造が開発されている。
一方、本発明者は光フアイバ付半導体レーザ装置の信鯨
性向上の目的で、各種め試験や測定を行っている。そし
て、前記芯線14をレジンを使用して調整棒16に固定
した構造における温度サイクル試験において、芯線14
の固定位置がずれ、レーザダイオードチップ6と光ファ
イバ11の光結合端との間隔が変動し、これにより光結
合率が変動することを突き止めた。すなわち、芯線14
は調整棒16の孔18に充填された固定材19としての
レジンによって調整棒16に固定されているが、繰り返
し発注する熱応力によって前記レジンと調整棒16との
接着性が悪くなり、ついにはレジンが孔18の内壁から
剥離し、固定材19全体がずれてしまうことが判明した
本発明の目的は、光素子と光ファイバとの光結合状態が
変化し難い信鯨性が高い光電子装置を提供することにあ
る。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりであすなわち、本発
明の半導体レーザ装置にあっては、レーザダイオードチ
ップに先端の光結合端を対峙させる光ファイバは、その
光結合端近傍部分を調整棒に穿たれた孔に挿入されかつ
孔に充填されたレジンで固定されている。そして、前記
調整棒に設けられた孔は、その両端部分では外方向に徐
々に拡大するテーパ孔部となっている。孔に充填された
レジンは、このテーパ孔部にも充填されて硬化するため
、レジンの硬化によって形成された固定材の両端には外
径の大きな係止部がそれぞれ形成されることになる。
(作用〕 上記した手段によれば、本発明の半導体レーザ装置にあ
っては、レーザダイオードチップに先端の光結合端を対
峙させる光ファイバは、その光結合端近傍部分を調整棒
に穿たれた孔に挿入されかつ孔に充填されたレジンで固
定されているが、前記調整棒に設けられた孔は、その嘴
端部分では外゛ 方向に徐々に拡大するテーパ孔部とな
っているため、孔に充填されたレジンは、凹部となる前
記テーパ孔部では側方に突出した係止部となる。また、
この係止部は前記孔の軸方向にそれぞれ逆の方向に対し
て抜けない形状となっていることから、光ファイバ、す
なわち、芯線に熱応力が作用しても、また、レジンが孔
内壁から剥離しても、前記係止部が機械的なストッパー
となり、光ファイバの調整棒での支持位1が変動するよ
うなことは防止でき、レーザダイオードチップと光ファ
イバの光結合端との間隔を常に一定にすることができる
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
第1図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置の要
部を示す断面図、第2図は同じく光ファイバの先端部の
支持状態を示す拡大断面図、第3回は同じく調整棒の正
面図、第4図は同じくキャップを取り外した半導体レー
ザ装置の平面図である。
この実施例ではシングルモードファイバ付半導体レーザ
装置(光電子装置)に本発明を適用した例について説明
する。
半導体レーザ装置は、第4図に示されるように、偏平形
モジュールとなっていて、パッケージ21は、各部品を
その主面側窪みに組み込んだ箱型金属製のステム1と、
このステム1の窪み部分を塞ぐ金属製のキャップ22と
によって形成されている。このパッケージ21からは、
−本の光フアイバケーブル23と、一対2&l1合計4
本のり一ド24が突出した構造となっている。前記リー
ド24のうち2本のリードはレーザダイオード用リード
となり、他の2本のリードはモニター用リードとなる。
前記レーザダイオード用リードのうち1本のリードはス
テム1の周壁8に機械的かつ電気的に固定されている。
また、残りのリードはすべて周壁8を貫通し、かつステ
ム1とは絶縁体を介して固定されている。なお、ステム
lの少なくとも二隅には取付孔25が設けられている。
前記ステム1の窪み底中央には(、第1図にも示される
ように、導電性の支持ブロック26が鑞材27を介して
固定されている。また、この支持ブロック26の上面に
は絶縁体からなるサブマウント4が鑞材3を介して固定
されている。このサブマウント4はその上面全域に導体
層28が設けられている。そして、この導体層2日上に
は、レーザダイオードチップ6および導電性のペデスタ
ル29が鑞材5を介して固定されている。また、前記レ
ーザダイオードチップ6の上部電極はワイヤ30を介し
て前記支持ブロック26に電気的に接続されている。こ
の支持ブロック26は電気的にステム1に接続されてい
ることから、前記レーザダイオードチップ6の上部電極
は、前記ステム1の周壁8に固定されたリード24と電
気的に接続される。また、前記ペデスタル29とレーザ
ダイオード用リード24の先端とはワイヤ31で接続さ
れている。したがって、前記レーザダイオードチップ6
の上部電極は、導体層28.ペデスタル29、ワイヤ3
Iを介してレーザダイオード用リード24に電気的に接
続されることになる。
一方、前記光フアイバケーブル23は、ステム■の周壁
8に貫通状態で固定されたファイバガイド9に挿入され
ている。このファイバガイド9に挿入された光フアイバ
ケーブル23は、ファイバガイド9の外端部分ではジャ
ケットが付いたままで保持されているが、ファイバガイ
ド9の内部ではジャケットが除去されて、コア12およ
びクラッド13からなる芯線14だけの状態となってい
る。この芯線14は、前記クラッド13の直径が125
μmとなることから、外径が125μmとなる。また、
コア12は7μm程度となり、シングルモードファイバ
を構成している。なお、光ファイバとは、狭義には前記
芯線14を指し、広義には前記光フアイバケーブルを指
す場合があるが、この実施例では特に特定せず用いるこ
とにする。
他方、前記芯線14は、第1図に示されるように、半田
等の固定材15を介してファイバガイド9の内端に固定
されている。また、前記ファイバガイド9の内端とレー
ザダイオードチップ6との間には、調整棒16が銀鑞等
のd材32を介して固定されている。この調整棒16に
は、第2図および第3図に示されるように、前記芯線1
4の延在方向に沿って孔18が設けられている。そして
、この孔18内に芯線14が挿入されている。前記孔1
8はその中央部分は内径が一定となるストレート孔とな
っているが、その両端では外方向に向かって徐々に大き
くなるいわゆるテーバ孔部33となっている。また、こ
の孔18内にはレジンからなる固定材19が充填硬化さ
れている。この硬化した固定材19は、前記両端の凹部
となるテーパ孔部33内にも充填される結果、固定材1
9はその両端に外径が大きくなる突出した係止部34を
構成することになる。この一対の係止部34は、前記孔
18のテーパ孔部33がそれぞれ逆の方向に拡開してい
ることから、芯線14の軸方向にあっては、相互に逆の
方向に対するストッパーとして作用するため、レジンが
硬化した後は、芯線14が調整棒16に対して光ファイ
バの延在方向、すなわち、光軸方向に変動するようなこ
とは防止できる。なお、この調整棒16の下部には変形
部20としてのくびれ部が設けられ、調整棒16の上端
に外力を加えると比較的容易にそのくびれ部で曲がるよ
うになっている。したがって、この調整棒16の変形調
整によって、芯線14の先端の光結合端の位置を変動調
整できる。なお、前記調整棒16においては、前記変形
部20のくびれ部の直径、孔18が設けられた箇所の機
械的強度は、調整棒16が調整時簡単かつ確実に変形部
20で変形し、かつ孔18の部分で折れたりしないよう
にする必要がある。
また、前記ファイバガイド9に対して反対側に位置する
周壁8部分には、貫通状態で2本のモニター用リード2
4が取り付けられている。そして、この一対のモニター
用リード24の先端には、セラミックからなるブロック
35から延在する導体36.37が接合材38を介して
電気的に接続されている。前記導体36は前記レーザダ
イオードチップ6に対面する主面に延在している。そし
て、この延在部分には受光素子39が固定されている。
この受光素子39は、前記レーザダイオードチップ6か
ら発光されたレーザ光7を受光し、その光出力をモニタ
ーするようになっている。また、前記導体37もその先
端はブロック35の主面にまで延在している。そして、
この延在部分と前記受光素子39の電極とは、ワイヤ4
0を介して電気的に接続されている。
このような半導体レーザ装置にあっては、一対のレーザ
ダイオード用リード24に所定の電圧を印加してレーザ
ダイオードチップ6を動作させ、レーザ光7を発光させ
る。レーザ光7の一方は光ファイバ11に取り込まれて
光フアイバケーブル23で所定部にガイドされる。また
、レーザダイオードチップ6から発光される他のレーザ
光7は受光素子39で受光され、発光されたレーザ光7
の光出力がモニターされる。
ところで、この半導体レーザ装置にあっては、その組立
において、芯線14の先端の光結合端のレーザダイオー
ドチップ6に対する位置が決定された後、調整棒16の
孔18に充填されたレジンの硬化によって調整棒16に
固定されるが、硬化したレジン、すなわち、固定材19
は、それぞれが光軸の反対方向に移動できない一対の係
止部34をその一部に有しているため、熱応力等が芯線
14に作用しても芯線14は調整棒16に対して変動せ
ず、レーザダイオードチップ6と芯線14の光結合端と
の間隔は常時一定に維持されることになる。また、芯線
14を調整棒16に固定した後、調整捧16を変動させ
ることによって、光結合端のレーザダイオードチップ6
に対する光軸に直交する方向の位置の微調整が可能とな
り、高精度な光結合が達成できる。
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。
(1)本発明の半導体レーザ装置は、光ファイバの光結
合端近傍部分が調整棒によって支持されていることと、
組立後この調整棒の変形調整によってレーザダイオード
チップと光ファイバとの光軸合わせが行われるため、高
精度な光結合が達成できるという効果が得られる。
(2)上記(1)により、本発明め半導体レーザ゛ 装
置は、光ファイバの光結合端近傍部分が調整棒の孔内に
挿入されかつこの孔に充填されたレジンによる固定材に
よって調整棒に固定されるが、前記孔の両端部分は相互
に逆方向に拡開するテーパ孔部となっていることから、
レジンによる固定材の両端には係止部が形成されるため
、光ファイバに熱応力が加わっても、これら係止部がス
トッパーとして作用する結果、光ファイバが調整棒部分
で光軸方向にずれたりしなくなり、レーザダイオードチ
ップと光ファイバの光結合端との間隔は常に一定に維持
されるという効果が得られる。
(3)上記(1)および(2)により、本発明の半導体
レーザ装置は、レーザダイオードチップと光ファイバと
の光軸合わせが行われた後は、光ファイバに繰り返して
熱が作用しても、光ファイバは調整棒部分で光軸に沿う
方向は勿論のこととして、光軸に直交する方向に対して
も変動しないため、常に設定時の光結合状態を維持でき
ることになり信鯨性が高いという効果が得られる。
(4)上記(1)〜(3)により、本発明によれば、高
精度な光結合調整が可能でかつ設定時の光結合状態を変
動させることなく維持できる信鯨性が高い半導体レーザ
装置を提供することができるという相乗効果が得られる
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、光ファイバと
して、コア径が50μmと太いマルチモードファイバを
用いても前記実施例同様な効果が得られる。また、第5
図は本発明の他の実施例による光ファイバの支持状態を
示す図である。この例では、前記調整棒16の孔18は
その全長が同一径となるストレート孔となっているが、
この孔18の内壁には雌ネジ41が設けられている。こ
の結果、前記孔18内に光ファイバ11を挿入し、かつ
孔18内にレジンを充填しかつ硬化させた場合、レジン
が前記雌ネジ41の谷間に入り込み係止部34を構成す
ることから、硬化したレジンからなる固定材19には、
雌ネジ41が食い込む状態となるため、光ファイバ11
に熱応力が作用しても、光ファイバ11は光ファイバ1
1の延在方向、すなわち、光軸方向にずれるようなこと
はなく、レーザダイオードチップ6と光ファイバ11の
光結合端との間隔は変動しない、なお、前記調整棒16
の孔18には、前記実施例以外の凹部または凸部を形成
しても前記実施例同様な効果が得られる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光通信用技術に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、たとえば、光集積回路(OEIC)等による光
通信技術、あるいは光による計測技術等にも適用できる
。また、発光ダイオードや受光素子等の他の光素子と光
ファイバとの光結合にも適用できる。
本発明は少なくとも光素子と光ファイバとを有する光電
子装置には適用できる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明の半導体レーザ装置にあっては、レーザダイオー
ドチップに先端の光結合端を対峙させる光ファイバは、
その光結合端近傍部分を調整棒に穿たれた孔に挿入され
かつ孔に充填されたレジンで固定されているが、前記調
整棒に設けられた孔は、その両端部分では外方向に徐々
に拡大するテーパ孔部となっているため、孔に充填され
たレジンは、凹部となる前記テーパ孔部では側方に突出
した係止部となる。また、この係止部は前記孔の軸方向
にそれぞれ逆の方向に対して抜けない形状となっている
ことから、光ファイバ、すなわち、芯線に熱応力が作用
しても、また、レジンが孔内壁から剥離しても、前記係
止部が機械的なストッパーとなり、光ファイバの調整棒
での支持位置が変動するようなことは防止でき、レーザ
ダイオードチップと光ファイバの光結合端々の間隔を常
に一定にすることができ、光結合状態の劣化のない信頼
性が高い半導体レーザ装置となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置の要
部を示す断面図、 第2図は同じく光ファイバの先端部の支持状態を示す拡
大断面図、 第3図は同じく調整棒の正面、図、 第4図は同じくキャップを取り外した半導体レーザ装置
の平面図、 第5図は本発明の他の実施例による光ファイバの支持状
態を示す断面図、 第6図は従来の半導体レーザ装置の要部を示す断面図で
ある。 l・・・ステム、2・・・台座部、3・・・鑞材、4・
・・サブマウント、5・・・鑞材、6・・・レーザダイ
オードチップ、7・・・レーザ光、8・・・周壁、9・
・・ファイバガイド、!O・・・SaW、11・・・光
ファイバ、12・・・コア、13・・4・クラッド、1
4・・・芯綿、15・・・固定材、16・・・支持体、
17・・・銀鑞、1B、・・孔、19・・・固定材、2
0・・・変形部、21・・・パッケージ、22・・・キ
ャップ、23・・・光フアイバケーブル、24・・・リ
ード、25・・・取付孔、26・・・支持ブロック、2
7・・・鑞材、28・・・導体層、29・・・・ペデス
タル、30.31・・・ワイヤ、32・・・鑞材、33
・・・テーパ孔部、34・・・係止部、35・・・ブロ
ック、36.37・・・導体、38・・・接合材、39
・・・受光素、第4 図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光素子と、この光素子に先端を対峙させる光ファイ
    バと、前記光ファイバが挿入できる孔を有しかつ孔に充
    填した接合材を介して孔に挿入された光ファイバを固定
    支持する調整棒とを有する光電子装置であって、前記調
    整棒の孔は充填された前記接合材が孔の延在方向に移動
    できないような係止部を形成するための凹部または凸部
    を有していることを特徴とする光電子装置。 2、レーザダイオードチップと、シングルモードファイ
    バとを光学的に結合したことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の光電子装置。
JP63154717A 1988-06-24 1988-06-24 光電子装置 Pending JPH01321413A (ja)

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JP63154717A JPH01321413A (ja) 1988-06-24 1988-06-24 光電子装置

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JP (1) JPH01321413A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303508A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Hitachi Ltd パッケージケースと半導体モジュール
JP2007256665A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール
JP2007258479A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュールおよびその製造方法

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JP2007256665A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール
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