JP4863599B2 - 電気抵抗を低下させた誘電体組成物 - Google Patents

電気抵抗を低下させた誘電体組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP4863599B2
JP4863599B2 JP2002589422A JP2002589422A JP4863599B2 JP 4863599 B2 JP4863599 B2 JP 4863599B2 JP 2002589422 A JP2002589422 A JP 2002589422A JP 2002589422 A JP2002589422 A JP 2002589422A JP 4863599 B2 JP4863599 B2 JP 4863599B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
conductive oxide
oxide
paste
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002589422A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005512924A (ja
JP2005512924A5 (ja
Inventor
ブーシヤード,ロバート・ジヨセフ
チエング,ラプ−タク・アンドリユー
ハング,ケネス・ウオレン
ローチ,デイビツド・ハーバート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JP2005512924A publication Critical patent/JP2005512924A/ja
Publication of JP2005512924A5 publication Critical patent/JP2005512924A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4863599B2 publication Critical patent/JP4863599B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/12Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/006Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
    • C03C17/008Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character comprising a mixture of materials covered by two or more of the groups C03C17/02, C03C17/06, C03C17/22 and C03C17/28
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/25Oxides by deposition from the liquid phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62625Wet mixtures
    • C04B35/6264Mixing media, e.g. organic solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632Organic additives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/002Inhomogeneous material in general
    • H01B3/004Inhomogeneous material in general with conductive additives or conductive layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/185Substances or derivates of cellulose
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/40Traps for removing or diverting unwanted particles, e.g. negative ions, fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/23Mixtures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3201Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C04B2235/3222Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3239Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3241Chromium oxides, chromates, or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3289Noble metal oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3293Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3294Antimony oxides, antimonates, antimonites or oxide forming salts thereof, indium antimonate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3298Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3409Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9646Optical properties
    • C04B2235/9661Colour
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/88Coatings
    • H01J2229/882Coatings having particular electrical resistive or conductive properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the electron beams
    • H01J2329/4669Insulation layers
    • H01J2329/4691Insulation layers characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86Vessels
    • H01J2329/8605Front or back plates
    • H01J2329/8615Front or back plates characterised by the material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

【技術分野】
【0001】
本発明は電気抵抗の小さい誘電体組成物を提供するものであり、電界放出素子において電子エミッタの近傍における誘導体の帯電および静電荷誘導電界放出効果を除去するのに有用である。
【背景技術】
【0002】
電界放出素子、たとえば電界放出ディスプレイのためのカソード電極の設計によっては、カソード表面のレイアウトにおいて、エミッタラインを、電気的に絶縁した誘電体表面に境界を接するか、ごく近傍にを設ける必要がある。電界放出の間、これら隣接している誘電体表面は浅い入射角で、高エネルギー電子によるボンバードを受ける。その結果、誘電体表面から2次電子の放出が起こり、後に静電荷の正の帯電が残る。このようにして正に帯電した表面は、エミッタからの距離がほとんど離れていないので、エミッタに大きな正の電界を作用させることになり、その結果誘電体表面の方向により強い放出が起きる。したがってこの効果は、自己増強性で、どのようなゲートコントロールやアノードコントロールも効かなくなる。静電荷は経時的にますます形成されるので、非常に低い連続アノード電圧でもコントロール不能な帯電誘導放出が起こり得る。この問題のために、アノードの電圧が厳しく制限を受ける。1つの解決法は、カソードのレイアウトを変更して、この帯電効果を最小限に抑えることである。好適な解決法は、低い2次放出特性を持たせるかまたは電界が大きくなるにつれて電荷を効果的に放散させる結果として、帯電しないような単層または多層の誘電体システムを開発することである。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0003】
本発明は誘電体および導電性酸化物を含む誘電体組成物を提供するものであって、前記誘電体は、空気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成可能であり、前記導電性酸化物は、アンチモンでドーピングした酸化スズ、スズでドーピングした酸化インジウム、混合原子価状態であるかまたは窒素雰囲気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成した後に混合原子価状態をとる遷移金属酸化物、および二酸化ルテニウムのような導電性貴金属酸化物からなる群より選択される。存在する導電性酸化物の量は、誘電体および導電性酸化物の全量を基準にして約0.25重量%〜約25重量%、好ましくは約0.5重量%〜約15重量%である。この誘電体組成物は、電子エミッタカソードアセンブリーを形成させるのに必要な処理に適合させるために、まず空気中で焼成した後で窒素中で焼成が可能でなければならない。
【0004】
本発明はまた、誘電体および導電性酸化物を含む誘電体組成物をスクリーン印刷するためのペーストを提供するものであって、前記誘電体は、空気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成可能であり、前記導電性酸化物は、アンチモンでドーピングした酸化スズ、スズでドーピングした酸化インジウム、混合原子価状態であるかまたは窒素雰囲気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成した後に混合原子価状態をとる遷移金属酸化物、および二酸化ルテニウムのような導電性貴金属酸化物からなる群より選択される。存在する導電性酸化物の量は、誘電体および導電性酸化物の全量を基準にして約0.25重量%〜約25重量%、好ましくは約0.5重量%〜約15重量%である。
【0005】
そのような誘電体組成物は、電気抵抗が低下していて、電界放出素子において有用である。
【0006】
本発明の誘電体組成物中で使用するために好適な誘電体もまた提供される。この誘電体は、約1〜約26重量%のSiO、約0.5〜約6重量%のAl、約6〜約24重量%のB、約2〜約24重量%のZnO、約0.1〜約5重量%のNaOおよび約20〜約75重量%のBiを含む固溶体である。好ましくはこの固溶体には、約1〜約9重量%のSiO、約0.6〜約6重量%のAl、約6〜約14重量%のB、約2〜約13重量%のZnO、約0.1〜約2重量%のNaOおよび約65〜約72重量%のBiを含む。より好ましくは、この固溶体には、約2重量%のSiO、約3重量%のAl、約13重量%のB、約9重量%のZnO、約1重量%のNaOおよび約72重量%のBiを含む。
【0007】
好適な導電性酸化物は、アンチモンでドーピングした酸化スズである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0008】
本発明は、少量の半導体物質または金属物質を導入することによって誘電体上の電荷の蓄積を低下または除去させる、電気抵抗を低下させた誘電体組成物を提供する。半導体物質または金属物質をある濃度にすると、隣接するエミッタ線または点の間でのショートを防ぐために必要な絶縁は依然として保ちながらも、高電界で効果的に静電荷を消失させるのに充分な範囲に電気抵抗が低下する。そのような誘電体組成物は、全体として完全な誘電体としても役立つし、あるいは、良好な層間絶縁および効果的な表面電荷の消失をもたらす多層誘電体システムでの表面層としても使用できる。
【0009】
本発明によって提供される誘電体組成物に含まれるのは、温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成可能誘電体、およびアンチモンでドーピングした酸化スズ、スズでドーピングした酸化インジウム、混合原子価状態であるかまたは窒素雰囲気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成した後に混合原子価状態をとる遷移金属酸化物、および二酸化ルテニウムのような通常は導電性の貴金属酸化物からなる群より選択される導電性酸化物である。存在する導電性酸化物の量は、誘電体および導電性酸化物の全量を基準にして約0.25重量%〜約25重量%、好ましくは約0.5重量%〜約15重量%である。所望の電気抵抗性を達成するために必要な導電性酸化物の最適量は、使用したその特定の導電体の種類とその分散状態によって決まってくる。その誘電体組成物の所望の電気抵抗性は、エミッタの特定の構成、すなわち、エミッタ線または点のサイズおよびエミッタ線または点の分離によって決まる。導電性酸化物の量は、使用したその特定の構成に合わせて調節することができる。
【0010】
本発明の誘電体組成物をスクリーン印刷するためのペーストには典型的には、誘電体粉体、導電性酸化物、有機媒体、溶媒、および界面活性剤が含まれる。媒体および溶媒の役割は、スクリーン印刷のような典型的なパターン作製プロセスのために適したレオロジーを有していて、粒子構成要素、すなわち固形物をペースト中に懸濁、分散させることである。当業者には公知のそのような媒体は、数多く存在する。使用可能な樹脂の例を挙げれば、エチルセルロースのようなセルロース系樹脂および各種の分子量のアルキド樹脂などがある。ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ジブチルカルビトール、ジブチルフタレートおよびテルピネオールなどが有用な溶媒の例である。これらおよび他の溶媒類を配合して、所望の粘度および必要とされる揮発性を得る。界面活性剤を用いて、粒子の分散性を改良することもできる。有機酸たとえばオレイン酸およびステアリン酸および、有機ホスフェートたとえばレシチンまたはガファック(Gafac、登録商標)ホスフェートなどが典型的な界面活性剤である。スクリーン印刷したペーストを光を用いてパターン化するのなら、そのペーストには、光重合開始剤、現像可能なバインダー、および少なくとも1種の付加重合可能なエチレン性不飽和化合物のような光硬化性のモノマーが含まれる。ペーストには典型的には、誘電体フリットおよび導電性酸化物、有機媒体、溶媒および界面活性剤が含まれる。
【0011】
誘電体にスクリーン印刷するためのペーストに使用されるフリットは、典型的には適当な酸化物の混合物である。当業者には周知のことであるが、いくつかの物性たとえばフリットの流動特性、焼成した組成物の強度、熱膨張係数などを変更させるために、フリットに不活性フィラーを添加することもできる。そのようなペーストおよび焼成した結果得られる誘電体組成物すべてにおいて、0〜35重量%の無機フィラーを含むことができる。そのようなフィラーの典型例を挙げれば、アルミナ、シリカ、ジルコン酸カルシウムおよびジルコンなどがある。本明細書の目的においては、誘電体とは、どのようなフィラーを含んでいたとしてもすべての誘電体を意味する。
【0012】
本発明の誘電体組成物をスクリーン印刷するためのペースト中に使用するのに好適な誘電体フリットには、約1〜約26重量%のSiO、約0.5〜約6重量%のAl、約6〜約24重量%のB、約2〜約24重量%のZnO、約0.1〜約5重量%のNaOおよび約20〜約75重量%のBiが含まれる。より好ましくは、この誘電体フリットには、約1〜約9重量%のSiO、約0.6〜約6重量%のAl、約6〜約14重量%のB、約2〜約13重量%のZnO、約0.1〜約2重量%のNaOおよび約65〜約72重量%のBiが含まれる。最も好ましくは、この誘電体フリットには、約2重量%のSiO、約3重量%のAl、約13重量%のB、約9重量%のZnO、約1重量%のNaOおよび約72重量%のBiを含む。
【0013】
焼成した後にはこのペーストは、SiO、Al、B、ZnO、NaOおよびBiを上記の重量%で含む固溶体の誘電体となる。
【実施例】
【0014】
参考例1および実施例〜4
これらの実施例は、誘電体組成物のための各種の導電性酸化物を比較するためのものである。
【0015】
ビスマス系の誘電体フリットならびにCr、V、V、およびSnO:Sbを使用して4種類のペーストを調製した。はじめの3種類の酸化物は標準的な粉体の試薬であった。アンチモンでドーピングした酸化スズ、SnO:Sbは、ゼレック(Zelec、登録商標)ECP3010−XCで、これはデラウェア州ウィルミントン(Wilmington、DE)のE.I.デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー(E.I.du Pont de Nemours and Company)から入手可能である。
【0016】
これらの実施例で使用したビスマス系のフリット(Bi−フリット)は、表Iに示した組成を有している:
【0017】
【表1】
Figure 0004863599
【0018】
4種類のペーストは表IIに示す組成で調製した:
【0019】
【表1】
表II
Figure 0004863599
【0020】
このビヒクルは、ベータテルピネオール溶媒中に10%のエチルセルロースを混合したものからなる標準的な厚膜ペースト成分である。この界面活性剤は、有機ホスフェートのガファック(Gafac)RE−610である。この顔料は、標準的な顔料グレードのアルミン酸コバルトである。
【0021】
この4種類のペースのそれぞれを、ガラススライドの上に0.25インチ(0.6cm)×1インチ(2.5cm)の大きさのパッドの形状に印刷した。それぞれのパッドの厚みは約10μmであった。それぞれのパッドの上に、デラウェア州ウィルミントン(Wilmington、DE)のE.I.デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー(E.I.du Pont de Nemours and Company)から入手可能な、銀ペースト組成物7095を使用して銀電極をスクリーン印刷し、電気抵抗を測定した。抵抗を測定した銀電極相互の間隔は約1mmであった。空気中525℃で焼成し、さらに窒素中で510℃で後焼成してから、それぞれの試料の抵抗を測定した。この4種類の焼成したペーストの電気的性質を以下の表IIIに示す:
【0022】
【表2】
表III
Figure 0004863599
【0023】
導電性酸化物はいずれも、誘電体の電気抵抗を低下させた。SnO:Sbは、空気中での焼成で最大の低下を示し、窒素中での第2の焼成を行った後ではその変化が最も小さかった。
【0024】
実施例5〜11、比較実験A〜C
これらの実施例および比較実験では、導電性酸化物のSnO:Sbの量を変化させたときの、誘電体の帯電と、その結果としての好ましくない電子放出の除去についての、効果を示す。
【0025】
参考例1のペーストを表IVに示した組成を有するペーストとブレンドした:
【0026】
【表4】
Figure 0004863599
【0027】
ここで、Bi−フリット、ビヒクル、界面活性剤および顔料は、参考例1のペーストのために使用したものと同じである。SnO:Sb含量を、ペーストの全重量を基準にして0から10重量%までにわたって、10種類のペーストを作った。それぞれの実施例および比較実験におけるSnO:Sb含量を以下の表Vに示す:
【0028】
【表5】
Figure 0004863599
【0029】
実施例および比較実験のそれぞれの誘電体組成物を、図1に見られるように、ガラススライド2の上に0.75インチ(1.9cm)四方のパッド1として印刷した。ついでこの誘電体組成物を空気中525℃で焼成した。その誘電体組成物の上に15本のバー3からなるテストパターンを、幅20ミル(0.51mm)、バー相互の間隔20ミル(0.51mm)となるようにスクリーン印刷した。このバーはスクリーン印刷した銀ペーストからなり、次いで空気中525℃で焼成し、さらにエミッタペーストを銀のラインの上にスクリーン印刷して、窒素中510℃で焼成した。この銀ペーストは組成物7095で、デラウェア州ウィルミントン(Wilmington、DE)のE.I.デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー(E.I.du Pont de Nemours and Company)から入手したものである。これらの実施例のためのエミッタペーストは、3つの成分を混合して調製した:1つが単一壁カーボンナノチューブを含む懸濁液、1つが10%のエチルセルロースおよび90%のベータ−テルピネオールを含む典型的な有機媒体、そして1つが銀を含む典型的なペーストである。レーザーアブレーションで生長させた単一壁カーボンナノチューブは、テキサス州ヒューストン(Houston、TX)のライス大学(Rice University)のチューブス・アト・ライス(Tubes@Rice)から入手したもので、レーザーアブレーションで製造した未精製のものである。ナノチューブ懸濁液は、超音波法、すなわち超音波で混合して調製したもので、この混合物にはナノチューブ粉体が1重量%、トリメチルベンゼンが99重量%の割合で含まれている。使用した超音波ミキサーは、1/4インチのホーンを用いたデュカン(Dukane)92196型で、40kHz、20ワットで使用した。このエミッタペーストは、ナノチューブ懸濁液/有機媒体/銀ペーストを重量比で27/40/33で組み合わせて調製した。そのように組み合わせたものを、3本ロールで10パスさせて、エミッタペーストを作った。
【0030】
バーを交互に4に示したように電気的に接続する。このようなラインパターンにした誘電体組成物の電気抵抗値は、電位計5を用いて測定することができる。データからは、この配置では、ペースト中の濃度を約3%にすると導電性酸化物の効果が出始めて、電気抵抗が約200GΩにまで低下することがわかった。すべての実施例および比較実験についての電気抵抗値は表Vに示した。
【0031】
すべての実施例および比較実験について、2つの電極を有する平板放出測定ユニットを使用して電界放出試験を実施したが、その電極の一方はアノードまたはコレクタとして、他方はカソードとして機能させた。このカソードは、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)ホルダーに搭載した銅ブロックでできている。この銅ブロックは、PTFEの1インチ×1インチ(2.5cm×2.5cm)の領域中にはめ込まれていて、試料の基板をこの銅ブロックの乗せ、銅ブロックと試料基板の間を電気的に接続するには銅テープの手段を用いる。銅ブロックには高電圧リード線を取り付ける。アノードをある距離を置いて試料に平行に保持するが、その距離を変更することは可能であるが、ただし、一度決めたら試料についての一連の測定が済むまでは変えなかった。間隔は、1.25mmとした。このアノードは、化学蒸着法によって蒸着させたインジウム酸化スズによってコーティングしたガラスプレートでできている。次いでそれに、標準のZnS系の燐光体であるホスフォル(Phosphor)P−31タイプ139(エレクトロニック・スペース・プロダクツ・インターナショナル(Electronic Space Products International)から入手)をコーティングする。電極はインジウム酸化スズコーティングに取り付けた。この試験装置を真空システムの中に入れて、その系を真空にして1×10-5トル(1.3×10-3Pa)未満のベース圧力にまで下げた。典型的な周波数60Hz、パルス幅3μ秒の負電圧パルスをこのカソードにかけることもできるし、あるいは、一定電圧をかけることもできる。放出電流の結果として燐光体によって発光される像をカメラで記録する。
【0032】
電界放出の間での帯電の問題および本発明の誘電体組成物による顕著な改良を、これらの試料を用いて実証することができる。対照として、SnO2:Sbフィラーを含まない比較実験Aのエミッタセルについて、アノードにパルス電圧および一定電圧を印可した両方の場合について検討した。図2aは、アノードとカソードの間に、60Hzで持続時間3マイクロ秒の高電圧パルスを印可した時のダイオード発光像を示したものである。図2で明るいパッチとして見ることができる帯電誘導放出の開始が、2kVで観察された。この明るいパッチは、時間とともに急速に拡がり、その開始後数秒の間にこの帯電誘導放出をコントロールすることが不能となった。連続アノード電圧を印可した場合には、図2bに見られるように、帯電誘導放出はアノード電圧1kVのところで発生した。図3aおよび3bは、本発明の誘電体組成物を使用すれば、電界放出の帯電を除去するのに有効であることを示している。3.5%のSnO2:Sbを含む実施例5のエミッタセルについて同様のダイオード発光試験を実施すると、パルスアノード電圧3kV、連続アノード電圧1.5kVのいずれにおいても、それぞれ図3aおよび3bに見られるように、帯電誘導放出はまったく観察されなかった。
本発明の好適な実施の態様は次のとおりである。
1.誘電体および導電性酸化物を含む誘電体組成物であって、前記誘電体が、空気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成可能であり、前記導電性酸化物が、アンチモンでドーピングした酸化スズ、スズでドーピングした酸化インジウム、混合原子価状態であるかまたは窒素雰囲気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成した後に混合原子価状態をとる遷移金属酸化物、および二酸化ルテニウムのような導電性貴金属酸化物からなる群より選択され、そして、存在する前記導電性酸化物の量が、前記誘電体および前記導電性酸化物の全量の約0.25重量%〜約25重量%である、誘電体組成物。
2.空気中で温度範囲約450℃〜約550℃で焼成し、次いで窒素中で温度範囲約450℃〜約550℃で焼成する、上記1に記載の誘電体組成物。
3.存在する前記導電性酸化物の量が、前記誘電体および前記導電性酸化物の全量の約0.5重量%〜約15重量%である、上記1に記載の誘電体組成物。
4.前記導電性酸化物がアンチモンでドーピングした酸化スズである、上記1に記載の誘電体組成物。
5.前記誘電体が、約1〜約26重量%のSiO2、約0.5〜約6重量%のAl23、約6〜約24重量%のB23、約2〜約24重量%のZnO、約0.1〜約5重量%のNa2Oおよび約20〜約75重量%のBi23を含む固溶体である、上記1に記載の誘電体組成物。
6.前記誘電体が、約1〜約9重量%のSiO2、約0.6〜約6重量%のAl23、約6〜約14重量%のB23、約2〜約13重量%のZnO、約0.1〜約2重量%のNa2Oおよび約65〜約72重量%のBi23を含む固溶体である、上記5に記載の誘電体組成物。
7.前記誘電体が、約2重量%のSiO2、約3重量%のAl23、約13重量%のB23、約9重量%のZnO、約1重量%のNa2Oおよび約72重量%のBi23を含む固溶体である、上記1〜4のいずれか1項に記載の誘電体組成物。
8.誘電体組成物をスクリーン印刷するためのペーストであって、誘電体および導電性酸化物を含み、前記誘電体が、空気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成可能であり、前記導電性酸化物が、アンチモンでドーピングした酸化スズ、スズでドーピングした酸化インジウム、混合原子価状態であるかまたは窒素雰囲気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成した後に混合原子価状態をとる遷移金属酸化物、および二酸化ルテニウムのような導電性貴金属酸化物からなる群より選択され、そして、存在する前記導電性酸化物の量が、前記誘電体および前記導電性酸化物の全量の約0.25重量%〜約25重量%である、ペースト。
9.存在する前記導電性酸化物の量が、前記誘電体および前記導電性酸化物の全量の約0.5重量%〜約15重量%である、上記8に記載のペースト。
10.前記導電性酸化物がアンチモンでドーピングした酸化スズである、上記8に記載のペースト。
11.前記誘電体が、約1〜約26重量%のSiO2、約0.5〜約6重量%のAl23、約6〜約24重量%のB23、約2〜約24重量%のZnO、約0.1〜約5重量%のNa2Oおよび約20〜約75重量%のBi23を含む固溶体である、上記8に記載のペースト。
12.前記誘電体が、約1〜約9重量%のSiO2、約0.6〜約6重量%のAl23、約6〜約14重量%のB23、約2〜約13重量%のZnO、約0.1〜約2重量%のNa2Oおよび約65〜約72重量%のBi23を含む固溶体である、上記11に記載のペースト。
13.前記誘電体が、約2重量%のSiO2、約3重量%のAl23、約13重量%のB23、約9重量%のZnO、約1重量%のNa2Oおよび約72重量%のBi23を含む固溶体である、上記8〜10のいずれか1項に記載のペースト。
14.前記ペーストが光によるパターン化が可能である、上記8〜12のいずれか1項に記載のペースト。
15.前記ペーストが光によるパターン化が可能である、上記13に記載のペースト。
16.誘電体および導電性酸化物を含む誘電体組成物を使用した電界放出素子であって、前記誘電体が、空気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成可能であり、前記導電性酸化物が、アンチモンでドーピングした酸化スズ、スズでドーピングした酸化インジウム、混合原子価状態であるかまたは窒素雰囲気中温度約450℃〜約550℃の範囲で焼成した後に混合原子価状態をとる遷移金属酸化物、および二酸化ルテニウムのような導電性貴金属酸化物からなる群より選択され、そして、存在する前記導電性酸化物の量が、前記誘電体および前記導電性酸化物の全量の約0.25重量%〜約25重量%である、電界放出素子。
17.存在する前記導電性酸化物の量が、前記誘電体および前記導電性酸化物の全量の約0.5重量%〜約15重量%である、上記16に記載の電界放出素子。
18.前記導電性酸化物がアンチモンでドーピングした酸化スズである、上記16に記載の電界放出素子。
19.前記誘電体が、約1〜約26重量%のSiO2、約0.5〜約6重量%のAl23、約6〜約24重量%のB23、約2〜約24重量%のZnO、約0.1〜約5重量%のNa2Oおよび約20〜約75重量%のBi23を含む固溶体である、上記16に記載の電界放出素子。
20.前記誘電体が、約1〜約9重量%のSiO2、約0.6〜約6重量%のAl23、約6〜約14重量%のB23、約2〜約13重量%のZnO、約0.1〜約2重量%のNa2Oおよび約65〜約72重量%のBi23を含む固溶体である、上記19に記載の電界放出素子。
21.前記誘電体が、約2重量%のSiO2、約3重量%のAl23、約13重量%のB23、約9重量%のZnO、約1重量%のNa2Oおよび約72重量%のBi23を含む固溶体である、上記16〜18のいずれか1項に記載の電界放出素子。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1】実施例5〜1および比較実験A〜Cで使用した電子エミッタ構成の模式図である。
【図2】比較実験Aの試料で得られた放出結果を示す。
【図3】実施例5の試料で得られた放出結果を示す。

Claims (3)

  1. 誘電体(a)および導電性酸化物(b)を含む誘電体組成物であって、
    前記誘電体(a)が、1〜26重量%のSiO 、0.5〜6重量%のAl 、6〜24重量%のB 、2〜24重量%のZnO、0.1〜5重量%のNa Oおよび20〜75重量%のBiO を含むビスマス系誘電体フリットであり、
    前記導電性酸化物(b)が、(i)アンチモンでドーピングした酸化スズ、(ii)スズでドーピングした酸化インジウム、(iii)Cr、V 、およびV、ならびに(iv)導電性貴金属酸化物からなる群より選択され、
    そして、存在する前記導電性酸化物(b)の量が、前記導電性酸化物(b)が(i)である場合には前記誘電体(a)および前記導電性酸化物(b)の全量の3.5重量%〜15重量%であり、前記導電性酸化物(b)が(ii)、(iii)または(iv)である場合には前記誘電体(a)および前記導電性酸化物(b)の全量の3.5重量%〜25重量%である、誘電体組成物。
  2. 誘電体組成物をスクリーン印刷するためのペーストであって、誘電体(a)および導電性酸化物(b)を含み、
    前記誘電体(a)が、1〜26重量%のSiO 、0.5〜6重量%のAl 、6〜24重量%のB 、2〜24重量%のZnO、0.1〜5重量%のNa Oおよび20〜75重量%のBiO を含むビスマス系誘電体フリットであり、
    前記導電性酸化物(b)が、(i)アンチモンでドーピングした酸化スズ、(ii)スズでドーピングした酸化インジウム、(iii)Cr、V 、およびV、ならびに(iv)導電性貴金属酸化物からなる群より選択され、
    そして、存在する前記導電性酸化物(b)の量が、前記導電性酸化物(b)が(i)である場合には前記誘電体(a)および前記導電性酸化物(b)の全量の3.5重量%〜15重量%であり、前記導電性酸化物(b)が(ii)、(iii)または(iv)である場合には前記誘電体(a)および前記導電性酸化物(b)の全量の3.5重量%〜25重量%である、ペースト。
  3. 誘電体(a)および導電性酸化物(b)を含む誘電体組成物を使用した電界放出素子であって、
    前記誘電体(a)が、1〜26重量%のSiO 、0.5〜6重量%のAl 、6〜24重量%のB 、2〜24重量%のZnO、0.1〜5重量%のNa Oおよび20〜75重量%のBiO を含むビスマス系誘電体フリットであり、
    前記導電性酸化物(b)が、(i)アンチモンでドーピングした酸化スズ、(ii)スズでドーピングした酸化インジウム、(iii)Cr、V 、およびV、ならびに(iv)導電性貴金属酸化物からなる群より選択され、
    そして、存在する前記導電性酸化物(b)の量が、前記導電性酸化物(b)が(i)である場合には前記誘電体(a)および前記導電性酸化物(b)の全量の3.5重量%〜15重量%であり、前記導電性酸化物(b)が(ii)、(iii)または(iv)である場合には前記誘電体(a)および前記導電性酸化物(b)の全量の3.5重量%〜25重量%である、電界放出素子。
JP2002589422A 2001-05-16 2002-05-14 電気抵抗を低下させた誘電体組成物 Expired - Fee Related JP4863599B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US29140801P 2001-05-16 2001-05-16
US60/291,408 2001-05-16
PCT/US2002/018398 WO2002092533A1 (en) 2001-05-16 2002-05-14 Dielectric composition with reduced resistance

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005512924A JP2005512924A (ja) 2005-05-12
JP2005512924A5 JP2005512924A5 (ja) 2006-01-05
JP4863599B2 true JP4863599B2 (ja) 2012-01-25

Family

ID=23120169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002589422A Expired - Fee Related JP4863599B2 (ja) 2001-05-16 2002-05-14 電気抵抗を低下させた誘電体組成物

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7763189B2 (ja)
EP (1) EP1390319A1 (ja)
JP (1) JP4863599B2 (ja)
KR (1) KR100924425B1 (ja)
CN (1) CN100379704C (ja)
BR (1) BR0209453A (ja)
WO (1) WO2002092533A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1740113A (zh) * 2004-08-25 2006-03-01 日本碍子株式会社 电子发射元件
KR20070002934A (ko) * 2005-06-30 2007-01-05 삼성전자주식회사 페이스트 조성물
JP2007115675A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Toray Ind Inc 電子放出源用ペースト
KR100752013B1 (ko) * 2006-06-28 2007-08-28 제일모직주식회사 전자 방출원 형성용 조성물, 전자 방출원의 제조방법,이로부터 제조되는 전자 방출원 및 이를 포함하는 평면표시 소자
KR20100086468A (ko) * 2007-10-05 2010-07-30 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전하 소산층을 갖는 언더게이트 전계 방출 트라이오드
WO2009108226A2 (en) * 2007-11-15 2009-09-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Protection of carbon nanotubes
JP5314969B2 (ja) * 2008-09-03 2013-10-16 富士フイルム株式会社 光学ガラス
EP3728172A2 (en) * 2017-12-18 2020-10-28 King Abdullah University Of Science And Technology Indium-based catalysts and pre-catalysts
JP2019125481A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 トヨタ自動車株式会社 全固体リチウムイオン二次電池用の負極合材及びその製造方法
CN111627698B (zh) * 2020-06-08 2022-05-17 江苏国瓷泓源光电科技有限公司 一种mlcc用镍内电极浆料

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10251018A (ja) * 1997-03-13 1998-09-22 Nissan Chem Ind Ltd 導電性酸化スズ微粉末及び導電性酸化スズゾルの製造方法
JPH1140054A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Canon Inc ペーストの塗布方法および画像表示装置
WO1999031700A1 (en) * 1997-12-15 1999-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Ion-bombarded graphite electron emitters
JP2000251629A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Canon Inc 電子放出素子、電子源及び画像形成装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2288106A (en) * 1938-08-06 1942-06-30 North American Rayon Corp Viscose spinning solution
US3723175A (en) * 1967-10-09 1973-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Nonlinear resistors of bulk type
US3673117A (en) * 1969-12-19 1972-06-27 Methode Dev Co Electrical resistant material
JPS5366561A (en) * 1976-11-26 1978-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thick film varistor composition
US4415624A (en) * 1981-07-06 1983-11-15 Rca Corporation Air-fireable thick film inks
NL8800559A (nl) 1988-03-07 1989-10-02 Philips Nv Keramische meerlaagscondensator.
US5096619A (en) * 1989-03-23 1992-03-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film low-end resistor composition
JPH02288106A (ja) 1989-04-28 1990-11-28 Asahi Glass Co Ltd 抵抗体ペースト及びセラミックス基板
US5202292A (en) 1989-06-09 1993-04-13 Asahi Glass Company Ltd. Resistor paste and ceramic substrate
US5580496A (en) * 1993-04-05 1996-12-03 Sumitomo Metal Mining Company Limited Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting
JP3294705B2 (ja) 1994-02-24 2002-06-24 住友金属鉱山株式会社 高温焼成用導電ペーストおよび透光性導電膜
US5378408A (en) * 1993-07-29 1995-01-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lead-free thick film paste composition
US5631311A (en) * 1994-08-18 1997-05-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent static dissipative formulations for coatings
US5491118A (en) * 1994-12-20 1996-02-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film paste composition
JPH09115334A (ja) * 1995-10-23 1997-05-02 Mitsubishi Materiais Corp 透明導電膜および膜形成用組成物
JP2986094B2 (ja) 1996-06-11 1999-12-06 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
US5851732A (en) * 1997-03-06 1998-12-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Plasma display panel device fabrication utilizing black electrode between substrate and conductor electrode
DK0975464T3 (da) * 1997-03-21 2004-04-19 Electro Science Lab Inc Siliciumnitridcoatingsammensætninger
JP3941201B2 (ja) * 1998-01-20 2007-07-04 株式会社デンソー 導体ペースト組成物及び回路基板
US6146230A (en) * 1998-09-24 2000-11-14 Samsung Display Devices Co., Ltd. Composition for electron emitter of field emission display and method for producing electron emitter using the same
JP2001181039A (ja) 1999-12-28 2001-07-03 Ngk Insulators Ltd 複合焼結体およびその製造方法
JP2004525485A (ja) * 2001-01-29 2004-08-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー フラットパネルディスプレイ中の構造の製造に使用するためのファイバーまたはリボン
US6951666B2 (en) * 2001-10-05 2005-10-04 Cabot Corporation Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features
US20040163034A1 (en) * 2002-10-17 2004-08-19 Sean Colbath Systems and methods for labeling clusters of documents
JP2004172250A (ja) 2002-11-19 2004-06-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 厚膜抵抗体組成物、これを用いた厚膜抵抗体及びその形成方法
US7147804B2 (en) * 2003-01-24 2006-12-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors
KR100480644B1 (ko) * 2003-02-28 2005-03-31 삼성전자주식회사 셀 구동 전류가 증가된 상 변화 메모리
JP4092699B2 (ja) 2003-09-26 2008-05-28 日立金属株式会社 回路パターン形成用トナー及びその製造方法、回路パターン形成方法
US7794629B2 (en) 2003-11-25 2010-09-14 Qinetiq Limited Composite materials
US7462217B2 (en) 2003-12-08 2008-12-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Method of preparation for the high performance thermoelectric material indium-cobalt-antimony
JP2005231961A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Taiyo Ink Mfg Ltd 半導電性ガラスペースト及びその焼成物
EP1735846A2 (en) 2004-04-14 2006-12-27 E.I.Du pont de nemours and company High performance thermoelectric materials and their method of preparation
JP2005302607A (ja) 2004-04-14 2005-10-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 高温焼成用導電ペーストと導電性接着膜およびフィールドエミッションディスプレイ
TW200612443A (en) 2004-09-01 2006-04-16 Tdk Corp Thick-film resistor paste and thick-film resistor
US7214466B1 (en) * 2005-12-14 2007-05-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cationically polymerizable photoimageable thick film compositions, electrodes, and methods of forming thereof
JP4591705B2 (ja) 2006-01-20 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 ターゲット材料

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10251018A (ja) * 1997-03-13 1998-09-22 Nissan Chem Ind Ltd 導電性酸化スズ微粉末及び導電性酸化スズゾルの製造方法
JPH1140054A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Canon Inc ペーストの塗布方法および画像表示装置
WO1999031700A1 (en) * 1997-12-15 1999-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Ion-bombarded graphite electron emitters
JP2000251629A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Canon Inc 電子放出素子、電子源及び画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7763189B2 (en) 2010-07-27
US20040169166A1 (en) 2004-09-02
US20110006271A1 (en) 2011-01-13
KR100924425B1 (ko) 2009-10-29
US8298449B2 (en) 2012-10-30
WO2002092533A1 (en) 2002-11-21
KR20040030613A (ko) 2004-04-09
JP2005512924A (ja) 2005-05-12
CN1511122A (zh) 2004-07-07
BR0209453A (pt) 2004-07-06
CN100379704C (zh) 2008-04-09
EP1390319A1 (en) 2004-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8298449B2 (en) Dielectric composition with reduced resistance
US6489718B1 (en) Spacer suitable for use in flat panel display
KR100369565B1 (ko) 전기발열체용 저항 페이스트 조성물
KR101392455B1 (ko) Esd 보호 디바이스 및 그 제조 방법
US8436522B2 (en) Carbon nanotube slurry and field emission device
KR100887013B1 (ko) 양이온 중합성 광화상형성가능 후막 조성물, 전극, 및 이를형성하는 방법
US20160029483A1 (en) Copper particulate dispersion, conductive film forming method, and circuit board
TWI487226B (zh) 靜電放電保護裝置及其製造方法
JP7353185B2 (ja) 熱安定性が改善された分子インク
KR20030047888A (ko) 촉매적 성장 탄소 섬유 전장 이미터 및 그로부터 제조된전장 이미터 캐쏘드
JPH09180541A (ja) 導電ペースト並びにそれを用いた導電体及びセラミック基板
GB2156334A (en) Dielectric composition
KR20100086468A (ko) 전하 소산층을 갖는 언더게이트 전계 방출 트라이오드
JP2009117735A (ja) 静電気対策部品およびその製造方法
CN102714119B (zh) 电子发射源用膏料、使用该电子发射源用膏料的电子发射源和电子发射元件以及它们的制造方法
US10057970B2 (en) ESD protection device
JP2019102241A (ja) 厚膜導電ペースト及びこれを用いて作製された角型チップ抵抗器
KR100562916B1 (ko) 평판 디스플레이 패널
JPH04236269A (ja) 導電性コーティング材料
JPH04236270A (ja) 導電性コーティング材料
KR20140141812A (ko) Ito 소결체의 제조방법 및 이를 이용한 ito 소결체
JP2725563B2 (ja) 導電膜及び導電膜を有する蛍光表示管
JP2004273254A (ja) 低温焼成用導体ペースト及びその製造方法
JPH0513149A (ja) 放電装置
JP2005231961A (ja) 半導電性ガラスペースト及びその焼成物

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050513

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050513

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080303

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080507

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080807

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080814

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080919

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080919

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080924

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090804

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091104

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091111

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091204

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091211

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091225

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100803

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110520

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110817

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111101

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111108

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees