KR20030047888A - 촉매적 성장 탄소 섬유 전장 이미터 및 그로부터 제조된전장 이미터 캐쏘드 - Google Patents

촉매적 성장 탄소 섬유 전장 이미터 및 그로부터 제조된전장 이미터 캐쏘드 Download PDF

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Abstract

본 발명은 작은 금속 입자상에서 탄소 함유 가스의 촉매적 분해에 의해 성장한 탄소 섬유로 구성된 전장 이미터 및 전장 이미터 캐쏘드를 제공한다. 각각의 탄소 섬유는 섬유 축에 대해 소정의 각으로 정렬된 그래핀 판을 가져서 상기 탄소 섬유 둘레가 필수적으로 상기 그래핀 판의 연부로 구성된다. 이들 전장 이미터 및 전장 이미터 캐쏘드는 컴퓨터, 텔레비젼 및 다른 종류의 평판 패널 디스플레이에 유용하다.

Description

촉매적 성장 탄소 섬유 전장 이미터 및 그로부터 제조된 전장 이미터 캐쏘드 {Catalytically Grown Carbon Fiber Field Emitters and Field Emitter Cathodes Made Therefrom}
전장 방출 물질 또는 전장 이미터로 종종 언급되는 전장 방출 전자원은 예를 들면 진공 전자 장치, 평판 패널 컴퓨터 및 텔레비젼 디스플레이, 방출 게이트 증폭기, 및 클라이스트론과 같은 다양한 전자 용도 및 발광에서 사용될 수 있다.
디스플레이 스크린은 가정 및 상업 텔레비젼, 랩탑 및 데스크탑 컴퓨터, 및 옥내 및 옥외 광고, 및 정보 표현과 같은 폭넓게 다양한 용도에서 사용된다. 평판 패널 디스플레이는 대부분의 텔레비젼 및 데스크탑 컴퓨터의 깊은 캐쏘드선 관 모니터와는 달리 단지 몇 인치 두께이다. 평판 패널 디스플레이는 랩탑 컴퓨터에 필수적이며 많은 다른 용도의 중량 및 크기에 있어서 이점을 제공한다. 현재, 랩탑 컴퓨터 평판 패널 디스플레이는 작은 전기 신호의 인가에 의해 투명한 상태에서 불투명한 상태로 전환될 수 있는 액정을 사용한다. 랩탑 컴퓨터에 적합한 디스플레이 보다 더 큰 크기로 상기 디스플레이를 신뢰할 수 있게 제조하는 것은 어렵다.
플라즈마 디스플레이는 액정 디스플레이의 또 다른 대안으로 제안되었다. 플라즈마 디스플레이는 화상 생성을 위해 하전된 기체의 작은 화소를 사용하고, 작동에 비교적 큰 전력이 필요하다.
전장 방출 전자원, 즉 전장 방출 재료 또는 전장 이미터를 사용하는 캐쏘드를 갖는 평판 패널 디스플레이, 및 전장 이미터에 의해 방출된 전자의 충돌시 빛을 방출할 수 있는 형광체가 제안되었다. 이러한 디스플레이는 통상적인 캐쏘드선 관의 영상 디스플레이 이점 이외에, 평판 패널 디스플레이의 깊이, 중량 및 전력 소비 이점을 제공하는 효과를 가진다. 미국 특허 제4,857,799호 및 제5,015,912호에는 텅스텐, 몰리브덴 또는 규소로 제조된 마이크로-팁 캐쏘드를 사용하는 매트릭스-어드레스된 평판 패널 디스플레이가 개시되어 있다. WO 94-15352호, WO 94-15350호 및 WO 94-28571호에는 캐쏘드가 비교적 평평한 방출 표면을 갖는 평판 패널 디스플레이가 개시되어 있다.
전장 방출은 2종류의 나노관 탄소 구조로 관찰되었다. 문헌[L. A. Chernozatonskii et al., Chem. Phys. Letters 233, 63 (1995)] 및 [Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 359, 99 (1995)]에서는 10-5내지 10-6Torr에서 흑연의 전자 발산에 의해 다양한 기판상에 나노관 탄소 구조막을 제조하였다. 이들 막은 서로 서로 이웃하게 위치한 정렬된 관형 탄소 분자로 구성된다. 2가지의 관형 분자로서, 필라멘트 번들을 형성하는 직경 10 내지 30 nm의 단층 흑연형 관을 포함하는구조를 갖는 A-튜벨라이트 (tubelite), 및 원뿔형 또는 돔형 캡을 갖는 직경 10 내지 30 nm의 다층 흑연형 관을 대부분 포함하는 B-튜벨라이트를 형성한다. 이들은 그들 구조체의 표면으로부터 상당한 전장을 방출하며, 나노치수 팁에서 전장의 고집중에 기여하는 것으로 보고되었다. 문헌[B. H. Fishbine et al., Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 359, 93 (1995)]에서는 벅키관 (buckytube, 즉, 탄소 나노관) 저온 전장 이미터 배열 캐쏘드의 개발에 관한 실험 및 이론이 논의되었다.
문헌[N. M. Rodriguez et al., J. Catal. 144, 93 (1993)] 및 [N. M. Rodriguez, J. Mater. Res. 8, 3233 (1933)]에서는 작은 금속 입자상에서 특정 탄화수소의 촉매적 분해에 의해 제조된 탄소 섬유의 성장 및 특성에 대해 논의되었다. 미국 특허 제5,149,584호, 제5,413,866호 제5,458,784호, 제5,618,875호 및 제5,653,951호에는 상기 섬유에 대한 용도가 추가로 개시되어 있다.
평판 패널 디스플레이에 사용하기에 매우 유용한 전장 이미터가 요구되고 있다.
<발명의 요약>
본 발명은 작은 금속 입자상에서 탄소 함유 가스의 촉매적 분해에 의해 성장한 탄소 섬유로 구성된 전장 이미터를 제공한다. 각각의 탄소 섬유는 섬유 축에 대해 소정의 각으로 정렬된 그래핀 판(graphene platelet)을 가져서 상기 탄소 섬유 둘레가 필수적으로 상기 그래핀 판의 연부로 구성된다.
본 발명은 또한 기판의 표면에 부착된 촉매적 성장 탄소 섬유, 즉 작은 금속 입자상에서 탄소 함유 가스의 촉매적 분해에 의해 성장한 탄소 섬유로 구성된 전장이미터 캐쏘드를 제공한다.
이들 전장 이미터 및 전장 이미터 캐쏘드는 평판 패널 컴퓨터, 텔레비젼 및 다른 종류의 디스플레이, 진공 전자 장치, 방출 게이트 증폭기, 클라이스트론에서, 및 발광 소자에서 유용하다. 평판 패널 디스플레이튼 평면형 또는 곡선형일 수 있다.
본 발명은 작은 금속 입자상에서 탄소 함유 가스의 촉매적 분해에 의해 성장한 탄소 섬유의 전장 이미터로서의 용도, 특히 디스플레이 스크린에서 전장 이미터 캐쏘드로서의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 신규 전장 이미터, 작은 금속 입자상에서 탄소 함유 가스의 촉매적 분해에 의해 성장한 탄소 섬유, 및 상기 촉매적 성장 탄소 섬유로 구성된 전장 이미터 캐쏘드를 제공한다. 상기 탄소 섬유는 문헌[N. M. Rodriguez et al., J. Catal. 144, 93 (1993)] 및 [N. M. Rodriguez, J. Mater. Res. 8, 3233 (1933)]에 기재된 바와 같이 제조할 수 있다. 간략하게, 분말상 금속 촉매를 600℃에서 10％ 수소-헬륨 스트림하에 환원시킨 다음, 목적하는 반응 온도로 이르게 한다. 수소, 탄화수소 및 불활성 가스의 예비 측정된 혼합물을 상기 시스템에 도입하고, 반응을 진행시킨다. 예를 들어, CO-H2(4:1) 혼합물을 600℃에서 철상에서 반응시킬 수 있다.
본원에 사용된 바와 같이 "촉매적 성장 탄소 섬유"는 탄소 섬유가 섬유 축에 대해 소정의 각으로 정렬된 그래핀 판을 가져서 상기 탄소 섬유 둘레가 필수적으로 상기 그래핀 판의 연부로 구성되는, 작은 금속 입자상에서 탄소 함유 가스의 촉매적 분해에 의해 성장한 탄소 섬유를 의미한다. 상기 각은 예각 또는 90°일 수 있다.
촉매적 성장 탄소 섬유는 양호한 전장 이미터이며, 기판에 부착될 경우 전장 이미터 캐쏘드로서 매우 유용하다.
다양한 방법을 이용하여 촉매적 성장 탄소 섬유를 기판에 부착시킬 수 있다. 부착 수단은 전장 방출기 캐쏘드가 위치할 장치의 제조 공정 조건 및 그의 이용과 관련된 주변 조건, 예를 들어 전형적으로 진공 상태 및 약 450℃까지의 온도하에 그대로 유지되고 보존되어야 한다. 결과적으로, 유기 재료는 일반적으로 입자를 기판에 부착시키는 데 적합하지 않으며, 또한 여러 무기 재료도 탄소에 불량하게 부착하여 사용할 수 있는 재료의 선택에 한계가 있다.
바람직한 방법은 촉매적 성장 탄소 섬유, 및 유리 프릿, 금속성 분말 또는 금속성 페인트 또는 이들의 혼합물로 구성된 페이스트를 목적하는 패턴으로 기판상에 스크린 프린팅한 다음, 목적하는 패턴의 페이스트를 발화시키는 것이다. 보다 미세한 해상도를 요구하는 것과 같이 광범위한 적용을 위해, 바람직한 공정은 광개시체 및 광경화가능한 단량체를 추가로 포함하는 페이스트를 스크린 프린팅시키고, 목적하는 페이스트를 광패턴화시키고, 패턴화된 페이스트를 발화시키는 것을 포함한다.
기판은 페이스트 조성물을 부착시키고자 하는 임의의 재료일 수 있다. 페이스트가 비전도성이고 비전도성 기판이 사용되는 경우에는, 캐쏘드 전극으로 기능하고, 촉매적 성장 탄소 섬유에 전압을 인가하고 전자를 공급하는 수단을 제공하는 전기 전도체막이 필요하게 된다. 규소, 유리, 금속 또는 내화성 재료, 예컨대 알루미나는 기판으로서 기능할 수 있다. 디스플레이 제품의 경우, 바람직한 기판은 유리이고, 소다 석회 유리가 특히 바람직하다. 유리에 대한 최적 전도성을 위해, 은 페이스트를 500 내지 550℃에서 공기 또는 질소하에 유리상에서 예비 발화시킬 수 있다. 다음, 형성된 전도성층을 이미터 페이스트로 과프린팅시킬 수 있다.
스크린 프린팅에 사용되는 이미터 페이스트는 전형적으로 촉매적 성장 탄소 섬유, 유기 매질, 용매, 계면활성제, 및 저연화점 유리 프릿, 금속성 분말 또는 금속성 페인트중 하나 또는 이들의 혼합물을 함유한다. 상기 매질 및 용매의 역할은 스크린 프린팅과 같은 전형적인 패턴화 공정에 적절한 유동성을 갖도록 입자상 성분들, 즉 고체를 페이스트에 현탁 및 분산시키는 것이다. 당업자에게 공지된 수많은 매질이 있다. 사용될 수 있는 수지의 예로는 에틸 셀룰로즈와 같은 셀룰로즈 수지 및 다양한 분자량을 갖는 알키드 수지가 있다. 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 디부틸 카르비톨, 디부틸 프탈레이트 및 테르핀올은 유용한 용매의 예이다. 이들 및 다른 용매는 목적하는 점도 및 휘발성 요구를 충족시키도록 제제화된다. 계면활성제는 입자의 분산성을 개선시키기 위해 사용될 수 있다. 유기산, 예컨대 올레산 및 스테아르산, 및 유기 포스페이트, 예컨대 레시틴 또는 가팍크(Gafac(등록상표)) 포스페이트가 전형적인 계면활성제이다.
발화 온도에서 충분히 연화되어 기판 및 촉매적 성장 탄소 섬유에 부착하는 유리 프릿이 요구된다. 납유리 프릿 뿐만 아니라, 저연화점을 갖는 다른 유리, 예컨대 붕규산칼슘 및 붕규산아연도 이용할 수 있다. 보다 높은 전기 전도성을 갖는 스크린 프린팅가능한 조성물이 바람직한 경우에는, 페이스트가 금속, 예를 들어 은또는 금도 함유한다. 페이스트는 전형적으로 페이스트의 총 중량을 기준으로 약 40 중량％ 내지 약 60 중량％의 고체를 함유한다. 이들 고체는 촉매적 성장 탄소 섬유 및 유리 프릿 및(또는) 금속성 성분을 포함한다. 프린팅된 재료의 점도 및 최종 두께를 조정하기 위해 다양한 조성을 이용할 수 있다.
이미터 페이스트는 전형적으로 촉매적 성장 탄소 섬유, 유기 매질, 계면활성제, 용매, 및 저연화점 유리 프릿, 금속성 분말 또는 금속성 페인트중 하나 또는 이들의 혼합물의 혼합물을 분쇄하여 제조한다. 널리 공지된 스크린 프린팅 기술, 예를 들어 165 내지 400 메쉬 스테인리스 스틸 스크린을 이용하여 페이스트 혼합물을 스크린 프린팅시킬 수 있다. 페이스트를 연속막으로서 또는 목적하는 패턴 형태로 침착시킬 수 있다. 기판이 유리인 경우, 페이스트를 약 350 내지 약 500℃, 바람직하게는 약 450℃의 온도에서 약 10분 동안 질소하에 발화시킨다. 대기가 산소를 함유하지 않는다면 보다 높은 발화 온도하에 그에 견딜 수 있는 기판을 이용할 수 있다. 그러나, 페이스트중 유기 성분은 350 내지 450℃에서 효과적으로 휘발되어, 촉매적 성장 탄소 섬유 및 유리 및(또는) 금속성 전도체로 구성된 복합체층을 남긴다. 촉매적 성장 탄소 섬유는 질소하에 발화되는 동안 유의한 산화반응, 또는 다른 화학적 또는 물리적 변화를 전혀 겪지 않는다.
스크린 프린팅된 페이스트를 광패턴화시키는 경우, 페이스트는 광개시제, 및 예를 들어 1종 이상의 중합가능한 에틸렌기를 갖는 1종 이상의 부가 중합가능한 에틸렌성 불포화 화합물로 구성된 광경화가능한 단량체를 함유한다.
하나는 애노드 또는 콜렉터로서 다른 하나는 캐쏘드로서 기능하는 2개의 전극으로 구성된 평판 방출 측정 장치를 이용하여, 생성된 샘플에 대해 전장 이미터 시험을 수행하였다. 캐쏘드는 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE) 홀더에 탑재된 구리 블록으로 구성되었다. 구리 블록은 PTFE에서 1 인치 ×1 인치 (2.5 cm ×2.5 cm) 면적의 우묵한 곳에 위치하고, 샘플 기판은 구리 테입에 의한 구리 블록과 샘플 기판 사이의 전기 접촉을 이용하여 구리 블록에 탑재시켰다. 고전압 납은 구리 블록에 부착시켰다. 애노드는 다양한 소정 거리에서 샘플에 평행하게 유지되나, 일단 선택되면 샘플에 대해 주어진 일련의 측정에서 고정된 채 유지시켰다. 달리 언급하지 않는 한, 1.25 mm의 간격을 이용하였다. 애노드는 화학 증착에 의해 침착된 인듐 주석 산화물로 코팅된 유리 플레이트로 구성되었다. 다음, 표준 ZnS 기재 백린인 포스포어 (Phosphor) P-31 유형 139 (일렉트로닉 스페이스 프로덕츠 인터내셔널 (Electronic Space Products International))로 코팅시켰다. 전극은 인듐 주석 산화물 코팅에 부착시켰다.
시험 장치를 진공 시스템에 삽입시키고, 상기 시스템을 1 ×10-6torr (1.3 ×10-4Pa) 미만의 기저 압력으로 배기시켰다. 음의 전압이 캐쏘드에 인가되었고, 방출 전류는 인가된 전압의 함수로서 측정되었다.
촉매적 성장 탄소 섬유는 카탈리틱 머티리얼즈 리미티드 (Catalytic Materials Ltd, 매릴랜드주 맨스필드 올드 스테이블 드라이브 12)로부터 분말로서 입수하였다. 이들 촉매적 성장 탄소 섬유 0.1513 g을 유리 (바이엘 (Bayer) PK8701, CAS 등록 번호 제65997-18-4) 0.1502 g 및 테르핀올중 에틸셀룰로즈를 주성분으로 하여 구성된 전형적인 유기 매질 1.5012 g에 첨가하였다. 이들 성분을 유리 플레이트 분쇄기상에서 75 회전으로 혼합하여 이미터 페이스트를 형성하였다. 예비 발화된 은도금 유리 기판은 은 분말 및 저융점 유리 프릿의 혼합물을 전형적인 유기 에틸셀룰로즈 기재 매질에서 스크린 프린팅한 후, 525℃에서 발화시켜 제조하였다. 다음, 이미터 페이스트 1 ㎠ 패턴을 325 메쉬 스크린을 이용하여 예비 발화된 은도금 유리 기판상에 스크린 프린팅한 후, 샘플을 120℃에서 10분 동안 건조시켰다. 다음, 건조된 샘플을 질소하에 450℃에서 10분 동안 발화시켰다. 발화시킨 후, 페이스트는 기판상에 접착성 코팅을 형성하였다. 발화된 샘플을 명세서에 기재된 바와 같이 전장 방출에 대해 시험하였다. 방출 전류는 4500V의 인가 전압에서 10-9amp 초과이었다.

Claims (4)

  1. 탄소 섬유가 섬유 축에 대해 소정의 각으로 정렬된 그래핀 판(graphene platelet)을 가져서 상기 탄소 섬유 둘레가 필수적으로 상기 그래핀 판의 연부로 구성되는, 작은 금속 입자상에서 탄소 함유 가스의 촉매적 분해에 의해 성장한 탄소 섬유로 구성된 전장 이미터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각이 예각인 전장 이미터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 각이 90°인 전장 이미터.
  4. 기판에 부착된 촉매적 성장 탄소 섬유로 구성된 전장 이미터 캐쏘드.
KR1020027015953A 2000-05-26 2001-05-22 촉매적 성장 탄소 섬유 전장 이미터 및 그로부터 제조된전장 이미터 캐쏘드 KR20030047888A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101142525B1 (ko) * 2011-03-17 2012-05-07 한국전기연구원 그래핀을 이용한 플렉시블 디스플레이의 제조방법 그리고 이를 이용한 디스플레이

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3658342B2 (ja) 2000-05-30 2005-06-08 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像形成装置、並びにテレビジョン放送表示装置
US7449081B2 (en) 2000-06-21 2008-11-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
JP3880595B2 (ja) * 2000-09-01 2007-02-14 キヤノン株式会社 電子放出素子の製造方法、画像表示装置の製造方法
JP3639809B2 (ja) 2000-09-01 2005-04-20 キヤノン株式会社 電子放出素子，電子放出装置，発光装置及び画像表示装置
JP3981568B2 (ja) * 2001-03-21 2007-09-26 守信 遠藤 電界電子エミッタ用炭素繊維および電界電子エミッタの製造方法
JP4382311B2 (ja) * 2001-03-21 2009-12-09 守信 遠藤 気相成長法による炭素繊維の製造方法
JP3768908B2 (ja) 2001-03-27 2006-04-19 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像形成装置
US7276844B2 (en) 2001-06-15 2007-10-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
JP3768937B2 (ja) 2001-09-10 2006-04-19 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法
JP3710436B2 (ja) 2001-09-10 2005-10-26 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法
JP3619240B2 (ja) 2002-09-26 2005-02-09 キヤノン株式会社 電子放出素子の製造方法及びディスプレイの製造方法
JP3625467B2 (ja) 2002-09-26 2005-03-02 キヤノン株式会社 カーボンファイバーを用いた電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
EP3933881A1 (en) 2020-06-30 2022-01-05 VEC Imaging GmbH & Co. KG X-ray source with multiple grids

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3740295B2 (ja) * 1997-10-30 2006-02-01 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
US6087765A (en) * 1997-12-03 2000-07-11 Motorola, Inc. Electron emissive film
JP2000191302A (ja) * 1998-12-28 2000-07-11 Toshiba Corp 水素吸蔵体及び水素吸蔵体の製造方法
US20020017854A1 (en) * 1999-03-08 2002-02-14 Paul Von Allmen Electron emissive surface and method of use
JP2000327317A (ja) * 1999-05-20 2000-11-28 Ise Electronics Corp グラファイト質ナノ繊維、その製造方法および製造装置
JP3953276B2 (ja) * 2000-02-04 2007-08-08 株式会社アルバック グラファイトナノファイバー、電子放出源及びその作製方法、該電子放出源を有する表示素子、並びにリチウムイオン二次電池

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101142525B1 (ko) * 2011-03-17 2012-05-07 한국전기연구원 그래핀을 이용한 플렉시블 디스플레이의 제조방법 그리고 이를 이용한 디스플레이

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Publication number Publication date
JP2004519066A (ja) 2004-06-24
EP1285450A1 (en) 2003-02-26
AU2001264766A1 (en) 2001-12-11
CN1465086A (zh) 2003-12-31
WO2001093292A1 (en) 2001-12-06

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