JP4861946B2 - 高速焼成による膜状導体の製造方法 - Google Patents
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Description
上記のような膜状導体を形成する一つの代表的な方法は、導電性金属粉末を適当な媒体(ビヒクル)に分散させた導体ペーストをセラミックグリーンシート(未焼成のセラミック基材)に付与した後、その付与された導体ペーストを上記グリーンシートとともに焼成(同時焼成)して膜状導体を有する焼結体を得る方法である。MLCCの内部電極を形成する導体ペーストとしては、上記導電性金属粉末が主としてニッケル粉末(ニッケルまたはニッケルを主成分とする合金からなる金属粉末をいう。以下「Ni粉末」と表記することもある。)であるものが好ましく用いられる。MLCCの製造に用いられる導体ペーストに関する従来技術文献として特許文献1〜4が挙げられる。
かかる構成の導体ペーストによると、従来の条件で焼成されるペーストでは十分な添加効果が得られないか或いは多量に添加する必要があった小粒径のBT粉末を少量のみ使用し且つ所定以上の昇温速度で焼成することにより、所望の添加効果(焼成収縮抑制効果)を発揮するとともに高性能な(例えば、低抵抗率等の電気的特性に優れた)膜状導体が形成され得る。
ここで開示される一つの導体ペーストは、セラミックグリーンシートに付与されて該グリーンシートとともに室温から最高焼成温度までの昇温速度が600℃/hr以上の高速昇温条件で焼成される高速焼成用導体ペーストであって、導体形成用粉末材料と、有機媒質とを含み、該導体形成用粉末材料は、ニッケル粉末を主成分とする導電性金属粉末と、添加剤としての平均粒径20nm〜40nmのチタン酸バリウム粉末とから構成されており、該チタン酸バリウム粉末の含有量は上記導電性金属粉末100質量部に対して5〜20質量部である。
以下の式:
(焼成後のセラミック基材を膜状導体が覆っている部分の面積)/(セラミックグリーンシートに導体ペーストを付与した面積)×100;
で表される被覆率[%]が75%以上となるように構成された導体ペーストである。
かかる被覆率を実現する導体ペーストは、昇温速度600℃/hr以上を満たす条件(上記温度プロファイルと同じ焼成条件であってもよく、異なる焼成条件であってもよい。)で焼成されて、優れた焼成収縮抑制効果を発揮するとともに、より高性能な(例えば、電気抵抗等の電気的特性に優れた)膜状導体を形成するものであり得る。
上記導体ペーストにおける導体形成用粉末材料を構成する導電性金属粉末は、該導電性金属粉末のうち50質量%以上がNi粉末であり、好ましくは75質量%以上がNi粉末である。ここに開示される導体ペーストの好ましい一態様では、上記導電性金属粉末が実質的にNi粉末からなる。かかる導電性金属粉末を構成する粒子の平均粒径は、0.05μm〜0.5μmであることが好ましく、より好ましくは0.1μm〜0.4μm、特に好ましくは0.15μm〜0.3μm(例えば凡そ0.2μm)である。上述した好ましい平均粒径を有するNi粉末その他の導電性金属粉末は、公知の方法により容易に作製することができ、あるいは市販品を容易に入手することができる。
ここに開示される導体ペーストは、かかる平均粒径を有するBT粉末を、導電性金属粉末100質量部に対して5〜25質量部(好ましくは5〜20質量部、例えば12.5〜17.5質量部であり、あるいは5〜15質量部であってもよい。)の割合で含む。かかる範囲よりもBT粉末の含有量が多すぎると、該導体ペーストを所定の高速昇温条件で焼成して形成される膜状導体または該膜状導体を有するセラミック電子部品(例えばMLCC)の電気的特性に好ましくない影響が生じる場合がある。一方、BT粉末の含有量が上記範囲よりも少なすぎると、該BT粉末の添加効果(焼成収縮を防止する効果)が不十分となり、該導体ペーストを所定の高速昇温条件で焼成して形成される膜状導体において構造欠陥や断線等の不具合が生じやすくなる場合がある。また、使用するBT粉末の平均粒径が上記範囲よりも大きすぎると、上述した好ましい使用量では十分な添加効果が得られ難くなることがある。
上記被覆率は、前記導体ペーストをセラミックグリーンシート(好ましくはチタン酸バリウム系セラミックを主成分とするセラミックグリーンシート)に付与し、
その導体ペースト付きグリーンシートを、典型的には後述する脱バインダ処理を行った後に、以下の温度プロファイル:
室温から最高焼成温度まで昇温速度3600℃/hrで昇温し、該最高焼成温度に40〜60分間保持した後に室温まで冷却する;
により焼成してセラミック基材上に膜状導体が形成された焼成物を得、
上記セラミックグリーンシートに導体ペーストを付与した面積(A1)と上記焼成物において膜状導体がセラミック基材(焼成後のセラミック基材)を覆っている部分の面積(A2)とを次式:
被覆率[%]=(A2/A1)×100;
に代入することにより求められる。上記面積は、例えば、上記焼成物を好ましくはSEM等の電子顕微鏡を用いて観察して得られた画像を解析することにより測定することができる。上記画像解析は例えば目視により行うことができる。また、必要に応じて適当な画像解析ソフトを利用することができる。
通常は、上記速度ΔT1での昇温(高速昇温)に先立って脱バインダ(脱脂)処理を行っておくことが好ましい。かかる脱バインダ処理は、導体ペースト(好ましくは、該導体ペーストおよび該ペーストとともに焼成されるセラミックグリーンシート)に含まれるバインダ成分(典型的には有機バインダ等の有機質成分)が適切に除去されるように行われればよく、一般的な脱バインダ処理と同様にして行うことができる。特に限定するものではないが、例えば、上記導体ペースト付きグリーンシートを所定のガス雰囲気(好ましくは非酸化性雰囲気、例えばN2等の不活性ガス雰囲気)中で300℃〜400℃程度の温度に8〜12時間程度保持する脱バインダ方法(条件)を採用することができる。このような脱バインダ処理を行った後、典型的にはいったん室温まで冷却し、その後に上記温度プロファイルで焼成する。あるいは、脱バインダ処理後、室温まで冷めるのを待たずに引き続き上記温度プロファイルで(例えば、脱バインダ温度から上記最高焼成温度までの昇温速度が600℃/hr以上の高速昇温条件で)焼成してもよい。
2.上記1に続いて、上記最高焼成温度に所定の保持時間H[分]保持する。
3.上記2に続いて、上記最高焼成温度から室温まで冷却する。
ここで、最高焼成温度Tmax=1250℃、昇温速度ΔT1=200℃、保持時間H=60分とした。
この図2から明らかなように、いずれのBT粉末量においても、平均粒径30nmのBT粉末を用いて得られた膜状導体の被覆率は、平均粒径100nmのBT粉末を用いた場合の被覆率に比べて大きく劣るものであった。また、使用するBT粉末の量が増すにつれて被覆率は向上する傾向にはあるものの、平均粒径30nmのBT粉末ではNi粉末100g当たり20.0gのBT粉末を使用しても被覆率が60%に満たなかった。
図3に示されるように、昇温速度200℃/hrの場合と比較して、昇温速度600℃/hr以上(600℃/hrまたは3600℃/hr)の高速昇温条件では、使用するBT粉末の平均粒径の大小と得られるNi粉末の被覆率との関係が全く逆転した。すなわち、昇温速度600℃/hrおよび3600℃/hrでは、昇温速度200℃/hrの場合とは逆に、平均粒径30nmのBT粉末を用いることにより平均粒径100nmのBT粉末を用いた場合に比べて顕著に高い被覆率が実現された。より具体的には、昇温速度600℃/hr以上の焼成条件では、Ni粉末100部に対して15部という少量のBT粉末の添加により、75%以上という高い被覆率が達成された。
図4から明らかなように、例4に係るNiペーストを昇温速度200℃/hrで焼成して得られた従来技術による膜状導体(被覆率60%)に対して、例1に係るNiペーストを昇温速度600℃/hrで焼成して得られた膜状導体によると、例4と同じBT添加量(15部)でありながら顕著に高い被覆率が得られた。また、例7,8に係るNiペーストを昇温速度600℃/hrで焼成して得られた膜状導体によると、例4よりもBT添加量の少ない組成(したがって、より良好な導電性を示す)であるにも拘わらず、例4よりも明らかに高い被覆率が実現された。
図5から明らかなように、例4に係るNiペーストを昇温速度200℃/hrで焼成して得られた従来技術による膜状導体(被覆率60%)に対して、例1,9に係るNiペーストを昇温速度3600℃/hrで焼成して得られた膜状導体によると、例4と同じBT添加量(15部)でありながら顕著に高い被覆率が得られた。また、例7,8,10,11に係るNiペーストを昇温速度3600℃/hrで焼成して得られた膜状導体によると、例4よりもBT添加量の少ない組成(したがって、より良好な導電性を示す)であるにも拘わらず、例4よりも明らかに高い被覆率が実現された。
なお、平均粒径30nmのBT粉末を使用し、Ni粉末100部に対する該BT粉末の使用量を17.5部および20.0部とした点以外は例1と同様にして導体ペーストを調製し、それらの導体ペーストを昇温速度ΔT1を600℃/hrとして上記条件で焼成し、同様に被覆率を求めたところ、BT粉末量17.5部では被覆率79%、BT粉末量20.0部では被覆率80%という高い被覆率が実現された。
また、平均粒径50nmのBT粉末を使用し、Ni粉末100部に対する該BT粉末の使用量を17.5部および20.0部とした点以外は例1と同様にして導体ペーストを調製し、それらの導体ペーストを昇温速度ΔT1を3600℃/hrとして上記条件で焼成し、同様にして被覆率を求めたところ、BT粉末量17.5部では被覆率84%、BT粉末量20.0部では被覆率85%という特に高い被覆率が実現された。
12 誘電体層
14 内部電極(膜状導体)
16 端面電極
Claims (1)
- 導体形成用粉末材料としてニッケル粉末を主成分とする導電性金属粉末と、添加剤としての平均粒径10nm〜80nmのチタン酸バリウム系セラミック粉末とを含み、前記セラミック粉末の含有量は前記導電性金属粉末100質量部に対して5〜25質量部であることを特徴とする導体ペーストをセラミックグリーンシートに付与し、その付与された導体ペーストを前記グリーンシートとともに室温から最高焼成温度までの昇温速度600℃/hr以上かつ最高焼成温度1000℃〜1400℃の条件で高速焼成することにより前記グリーンシートの焼成物たるセラミック基材上に膜状導体を形成する、膜状導体の製造方法。
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