JP2001110233A - 内部電極形成用の導電体ペースト並びに積層セラミック電子部品 - Google Patents
内部電極形成用の導電体ペースト並びに積層セラミック電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層セラミック電子部品の構造欠陥，静電容
量の低下等を確実に防げる内部電極を形成し、価格的に
安価で品質的に良好な積層セラミック電子部品を得る。 【解決手段】 ニッケル粉末を主成分とし、平均粒径が
最大でも０．１μmの誘電体層と同じ組成物の共材を５
〜３０ｗｔ%添加し、また、平均粒径がプラズマ処理に
より最大でも０．１μmに微紛化された誘電体層と同じ
組成物の共材を５〜３０ｗｔ%添加し、それを導電体ペ
ーストとして内部電極を誘電体層と交互に積層形成す
る。
量の低下等を確実に防げる内部電極を形成し、価格的に
安価で品質的に良好な積層セラミック電子部品を得る。 【解決手段】 ニッケル粉末を主成分とし、平均粒径が
最大でも０．１μmの誘電体層と同じ組成物の共材を５
〜３０ｗｔ%添加し、また、平均粒径がプラズマ処理に
より最大でも０．１μmに微紛化された誘電体層と同じ
組成物の共材を５〜３０ｗｔ%添加し、それを導電体ペ
ーストとして内部電極を誘電体層と交互に積層形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ニッケル粉末を主
成分とする内部電極形成用の導電体ペースト、並びに、
積層セラミックコンデンサ，積層バリスタ，積層誘電体
共振器，積層圧電素子等を含む積層セラミック電子部品
の改良に関するものである。
成分とする内部電極形成用の導電体ペースト、並びに、
積層セラミックコンデンサ，積層バリスタ，積層誘電体
共振器，積層圧電素子等を含む積層セラミック電子部品
の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器等の小型化に伴って、積層セラ
ミックコンデンサ，積層バリスタ，積層誘電体共振器，
積層圧電素子等のデイスクリート部品は表面実装タイプ
の小型なものになっている。特に、高低電圧の集積回路
に用いられる積層セラミックコンデンサは極小化と共
に、多層化，低廉化が要求されている。
ミックコンデンサ，積層バリスタ，積層誘電体共振器，
積層圧電素子等のデイスクリート部品は表面実装タイプ
の小型なものになっている。特に、高低電圧の集積回路
に用いられる積層セラミックコンデンサは極小化と共
に、多層化，低廉化が要求されている。
【０００３】その積層セラミック電子部品を安価なもの
に構成するべく、内部電極はＰｄを主成分とするものか
ら価格的に安価なＮｉを主成分とする導電体ペーストで
形成することによりコストダウンを図ると共に、高品質
な製品として構成することが試みられている。然し、Ｎ
ｉを主成分とする導電体ペーストにより誘電体層と交互
に積層する内部電極を形成すると、内部欠陥が内部電極
と誘電体層との収縮差による歪で発生し易い。
に構成するべく、内部電極はＰｄを主成分とするものか
ら価格的に安価なＮｉを主成分とする導電体ペーストで
形成することによりコストダウンを図ると共に、高品質
な製品として構成することが試みられている。然し、Ｎ
ｉを主成分とする導電体ペーストにより誘電体層と交互
に積層する内部電極を形成すると、内部欠陥が内部電極
と誘電体層との収縮差による歪で発生し易い。
【０００４】この内部電極と誘電体層との収縮差を抑制
するため、Ｎｉ粉末を主成分とし、誘電体層と同じ組成
物の共材を添加した導電体ペーストにより内部電極を形
成することが行われている。その共材としては誘電体粉
末と添加材をボールミルで均一に混合，解碎した平均粒
径０．７μｍ程度のものを用い、添加量は収縮挙動を考
慮することから１．０μｍのＮｉ粉末に対して０．５ｗ
ｔ％程度に設定されている。
するため、Ｎｉ粉末を主成分とし、誘電体層と同じ組成
物の共材を添加した導電体ペーストにより内部電極を形
成することが行われている。その共材としては誘電体粉
末と添加材をボールミルで均一に混合，解碎した平均粒
径０．７μｍ程度のものを用い、添加量は収縮挙動を考
慮することから１．０μｍのＮｉ粉末に対して０．５ｗ
ｔ％程度に設定されている。
【０００５】この共材添加の導電体ペーストにより内部
電極を形成すると共に、誘電体層を３００層程度積層形
成すると、内部電極が平均粒径の大きな誘電体層と同じ
共材を含むことから収縮挙動に悪影響を与えて構造欠陥
率４０%も発生し、また、誘電体層の形成分を含めると
誘電体材料が大きな比率を占有することになり、静電容
量が９２．２μF程度にまで低下してしまうところから
好ましくない。
電極を形成すると共に、誘電体層を３００層程度積層形
成すると、内部電極が平均粒径の大きな誘電体層と同じ
共材を含むことから収縮挙動に悪影響を与えて構造欠陥
率４０%も発生し、また、誘電体層の形成分を含めると
誘電体材料が大きな比率を占有することになり、静電容
量が９２．２μF程度にまで低下してしまうところから
好ましくない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、内部電極形
成用としてＮｉ粉末を主成分とし、誘電体層と同じ組成
物の共材を添加するもので、積層セラミック電子部品の
構造欠陥，静電容量の低下等を生じない内部電極形成用
の導電体ペーストを提供することを目的とする。
成用としてＮｉ粉末を主成分とし、誘電体層と同じ組成
物の共材を添加するもので、積層セラミック電子部品の
構造欠陥，静電容量の低下等を生じない内部電極形成用
の導電体ペーストを提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明はＮｉ粉末を主成分とし、誘
電体層と同じ組成物の共材を添加した導電体ペーストか
ら内部電極を形成することにより安価で、構造欠陥，静
電容量の低下等のない積層セラミック電子部品を提供す
ることを目的とする。
電体層と同じ組成物の共材を添加した導電体ペーストか
ら内部電極を形成することにより安価で、構造欠陥，静
電容量の低下等のない積層セラミック電子部品を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
内部電極形成用の導電体ペーストにおいては、誘電体層
と交互に複数積層させて積層チップ素体を構成する内部
電極形成用としてニッケル粉末を主成分とし、平均粒径
が最大でも０．１μmの誘電体層と同じ組成物の共材を
５〜３０ｗｔ%添加することにより構成されている。
内部電極形成用の導電体ペーストにおいては、誘電体層
と交互に複数積層させて積層チップ素体を構成する内部
電極形成用としてニッケル粉末を主成分とし、平均粒径
が最大でも０．１μmの誘電体層と同じ組成物の共材を
５〜３０ｗｔ%添加することにより構成されている。
【０００９】本発明の請求項２に係る内部電極形成用の
導電体ペーストにおいては、ニッケル粉末を主成分と
し、平均粒径がプラズマ処理により最大でも０．１μm
に微紛化された誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０
ｗｔ%添加することにより構成されている。
導電体ペーストにおいては、ニッケル粉末を主成分と
し、平均粒径がプラズマ処理により最大でも０．１μm
に微紛化された誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０
ｗｔ%添加することにより構成されている。
【００１０】本発明の請求項３に係る積層セラミック電
子部品においては、内部電極と誘電体層とを交互に複数
積層させて積層チップ素体を形成し、その積層チップ素
体を部品本体として構成されるもので、ニッケル粉末を
主成分とし、平均粒径が最大でも０．１μmの誘電体層
と同じ組成物の共材を５〜３０ｗｔ%含有した導電体ペ
ーストにより内部電極を形成することにより構成されて
いる。
子部品においては、内部電極と誘電体層とを交互に複数
積層させて積層チップ素体を形成し、その積層チップ素
体を部品本体として構成されるもので、ニッケル粉末を
主成分とし、平均粒径が最大でも０．１μmの誘電体層
と同じ組成物の共材を５〜３０ｗｔ%含有した導電体ペ
ーストにより内部電極を形成することにより構成されて
いる。
【００１１】本発明の請求項４に係る積層セラミック電
子部品においては、ニッケル粉末を主成分とし、平均粒
径がプラズマ処理により最大でも０．１μmに微紛化さ
れた誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０ｗｔ%含有
した導電体ペーストにより内部電極を形成することによ
り構成されている。
子部品においては、ニッケル粉末を主成分とし、平均粒
径がプラズマ処理により最大でも０．１μmに微紛化さ
れた誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０ｗｔ%含有
した導電体ペーストにより内部電極を形成することによ
り構成されている。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は内部電極形成用の導電体
ペーストに係り、また、その導電体ペーストにより形成
した内部電極を有する積層セラミック電子部品に係る。
以下、本発明に係る積層セラミック電子部品の一実施の
形態として積層セラミックコンデンサを説明すると共
に、積層セラミックコンデンサの内部電極を形成するも
のとして導電体ペーストを説明する。
ペーストに係り、また、その導電体ペーストにより形成
した内部電極を有する積層セラミック電子部品に係る。
以下、本発明に係る積層セラミック電子部品の一実施の
形態として積層セラミックコンデンサを説明すると共
に、積層セラミックコンデンサの内部電極を形成するも
のとして導電体ペーストを説明する。
【００１３】積層セラミックコンデンサは内部電極と誘
電体層とを交互に複数積層させて積層チップ素体を形成
し、その積層チップ素体を部品本体として外部電極を両
端部に設けることにより構成する。この構成中で、誘電
体層は鉛系ベロブスカイト，チタン酸バリュウム系，チ
タン酸ストロンチウム系等の誘電体材料により形成す
る。また、内部電極はニッケル（Ｎｉ）を主成分とし、
誘電体層と同じ組成物の共材を添加したＮｉ導電体ペー
ストにより形成する。
電体層とを交互に複数積層させて積層チップ素体を形成
し、その積層チップ素体を部品本体として外部電極を両
端部に設けることにより構成する。この構成中で、誘電
体層は鉛系ベロブスカイト，チタン酸バリュウム系，チ
タン酸ストロンチウム系等の誘電体材料により形成す
る。また、内部電極はニッケル（Ｎｉ）を主成分とし、
誘電体層と同じ組成物の共材を添加したＮｉ導電体ペー
ストにより形成する。
【００１４】誘電体組成物共材はチタン酸塩及びまたは
ジルコン酸塩を含み、詳しくは、ＢａＴｉＯ３，ＣａＴ
ｉＯ３，ＳｒＴｉＯ3及びＭｇＴｉＯ3の少なくとも１種
以上及びまたはＢａＺｒＯ３，ＣａＺｒＯ３，ＳｒＺｒ
Ｏ3及びＭｇＺｒＯ3の少なくとも１種以上を含む。この
共材は、平均粒径が最大でも０．１μmの大きさのもの
とし、主成分となるＮｉ粉末に対して５〜３０ｗｔ%添
加することによりＮｉ導電体ペーストとする。
ジルコン酸塩を含み、詳しくは、ＢａＴｉＯ３，ＣａＴ
ｉＯ３，ＳｒＴｉＯ3及びＭｇＴｉＯ3の少なくとも１種
以上及びまたはＢａＺｒＯ３，ＣａＺｒＯ３，ＳｒＺｒ
Ｏ3及びＭｇＺｒＯ3の少なくとも１種以上を含む。この
共材は、平均粒径が最大でも０．１μmの大きさのもの
とし、主成分となるＮｉ粉末に対して５〜３０ｗｔ%添
加することによりＮｉ導電体ペーストとする。
【００１５】その共材としてチタン酸バリュウム（Ｂａ
ＴｉＯ３）を例示すると、他の添加材を含めてボールミ
ルで均一に混合し、この混合材をプラズマ処理で微紛化
する乾式解碎処理により、平均粒径が最大でも０．１μ
ｍのものとして容易に得られる。また、Ｎｉ粉末に対し
て５〜３０ｗｔ%添加し、有機バインダー及び溶剤等を
分散混合することによりＮｉ内部電極用の導電体ペース
トとして得られる。
ＴｉＯ３）を例示すると、他の添加材を含めてボールミ
ルで均一に混合し、この混合材をプラズマ処理で微紛化
する乾式解碎処理により、平均粒径が最大でも０．１μ
ｍのものとして容易に得られる。また、Ｎｉ粉末に対し
て５〜３０ｗｔ%添加し、有機バインダー及び溶剤等を
分散混合することによりＮｉ内部電極用の導電体ペース
トとして得られる。
【００１６】その導電体ペーストを用いては、誘電体層
となるセラミックグリーンシートのシート面上にＮｉ内
部電極として印刷形成する。この内部電極は誘電体層と
交互に所定数複数積層し、そのセラミックシート積層体
を乾燥処理してから部品単位に切断し、還元性雰囲気中
で１３００〜１４００℃で焼成処理することにより積層
チップ素体として得られる。
となるセラミックグリーンシートのシート面上にＮｉ内
部電極として印刷形成する。この内部電極は誘電体層と
交互に所定数複数積層し、そのセラミックシート積層体
を乾燥処理してから部品単位に切断し、還元性雰囲気中
で１３００〜１４００℃で焼成処理することにより積層
チップ素体として得られる。
【００１７】その積層チップ素体は、平均粒径が最大で
も０．１μmの大きさで主成分となるＮｉ粉末に対して
５〜３０ｗｔ%の共材を添加した導電体ペーストでＮｉ
内部電極を形成することから、積層数を３００層程度に
設定しても、Ｎｉ内部電極と誘電体層との収縮挙動差を
抑えられることにより、内部欠陥がなく所定の静電容量
を有するものとして得られる。
も０．１μmの大きさで主成分となるＮｉ粉末に対して
５〜３０ｗｔ%の共材を添加した導電体ペーストでＮｉ
内部電極を形成することから、積層数を３００層程度に
設定しても、Ｎｉ内部電極と誘電体層との収縮挙動差を
抑えられることにより、内部欠陥がなく所定の静電容量
を有するものとして得られる。
【００１８】その積層チップ素体には、Ｎｉ内部電極と
電気的に接続する下地層と、この下地層（５）に重ねて
ニッケル（Ｎｉ）等による中間メッキ層と、更に、その
電気メッキ層に重ねて錫（Ｓｎ）等による最外メッキ層
とを被覆形成することから、外部電極を両端部に設けた
積層セラミックコンデンサとして得られる。
電気的に接続する下地層と、この下地層（５）に重ねて
ニッケル（Ｎｉ）等による中間メッキ層と、更に、その
電気メッキ層に重ねて錫（Ｓｎ）等による最外メッキ層
とを被覆形成することから、外部電極を両端部に設けた
積層セラミックコンデンサとして得られる。
【００１９】上述したＮｉ導電体ペーストにより内部電
極を形成する積層セラミックコンデンサの有効性を確認
するべく、まず、チタン酸バリュウムを主成分とする誘
電体材料をボールミルで混合した後、その混合体をプラ
ズマ処理で微紛化し、ここで得られた凝集体を乾式解砕
処理で粒子化した。その処理条件を任意に変え、平均粒
径としては０．５μｍ、０．２μｍ、０．１μｍ、０．
０５μｍの誘電体粉末を作製した。
極を形成する積層セラミックコンデンサの有効性を確認
するべく、まず、チタン酸バリュウムを主成分とする誘
電体材料をボールミルで混合した後、その混合体をプラ
ズマ処理で微紛化し、ここで得られた凝集体を乾式解砕
処理で粒子化した。その処理条件を任意に変え、平均粒
径としては０．５μｍ、０．２μｍ、０．１μｍ、０．
０５μｍの誘電体粉末を作製した。
【００２０】次に、各平均粒径の誘電体粉末を共材と
し、各共材の添加量をＮｉ粉末に対して３．０ｗｔ％、
５．０ｗｔ％、１０．０ｗｔ％、２０．０ｗｔ％、３
０．０ｗｔ％、４０．０ｗｔ％に設定して各粉末を均一
に混合した。それに溶剤としてアルコール類のブチルカ
ルビトール２０ｗｔ％、有機バインダーとしてエチルセ
ルローズ２ｗｔ％、界面活性剤としてエチル型陰イオン
活性剤０．２ｗｔ％を夫々加え、ボールミルで混合分散
することにより回転粘度計の１００ｒｐｍ値が２５ｐ
ａ．sの導電体ペーストを作製した。
し、各共材の添加量をＮｉ粉末に対して３．０ｗｔ％、
５．０ｗｔ％、１０．０ｗｔ％、２０．０ｗｔ％、３
０．０ｗｔ％、４０．０ｗｔ％に設定して各粉末を均一
に混合した。それに溶剤としてアルコール類のブチルカ
ルビトール２０ｗｔ％、有機バインダーとしてエチルセ
ルローズ２ｗｔ％、界面活性剤としてエチル型陰イオン
活性剤０．２ｗｔ％を夫々加え、ボールミルで混合分散
することにより回転粘度計の１００ｒｐｍ値が２５ｐ
ａ．sの導電体ペーストを作製した。
【００２１】積層チップ素体としては、チタン酸バリュ
ウムを主成分とする誘電体材料と有機バインダー，分散
剤，消泡剤等を混合物したセラミックペーストを作製
し、ドクターブレード法により得た厚さ９μｍのセラミ
ックグリーンシート上に、内部電極となるＮｉを主成分
とする導電体ペーストを厚さ５．０μm印刷し、その内
部電極と交互になるよう誘電体層を３００層積層し、熱
圧着後、積層チップ単位に切断し、還元雰囲気中で１３
００℃の高温度で焼成し、外形寸法１．４１ｍｍ×０．
７７ｍｍ×０．７７ｍｍの試料を作製した。
ウムを主成分とする誘電体材料と有機バインダー，分散
剤，消泡剤等を混合物したセラミックペーストを作製
し、ドクターブレード法により得た厚さ９μｍのセラミ
ックグリーンシート上に、内部電極となるＮｉを主成分
とする導電体ペーストを厚さ５．０μm印刷し、その内
部電極と交互になるよう誘電体層を３００層積層し、熱
圧着後、積層チップ単位に切断し、還元雰囲気中で１３
００℃の高温度で焼成し、外形寸法１．４１ｍｍ×０．
７７ｍｍ×０．７７ｍｍの試料を作製した。
【００２２】各試料５０個分について、構造欠陥及び静
電容量（μＦ）を計測した。構造欠陥は、試料を樹脂に
埋め込み研磨し、金属顕微鏡にて欠陥有無を確認した。
その結果は、次の表１で示す通りであった。
電容量（μＦ）を計測した。構造欠陥は、試料を樹脂に
埋め込み研磨し、金属顕微鏡にて欠陥有無を確認した。
その結果は、次の表１で示す通りであった。
【００２３】
【表１】
【００２４】上記表１から、共材の添加量５．０ｗｔ％
を基準にした場合（従来例，試料１，試料３，試料５，
試料７）は共材の平均粒径が小さくなると、構造欠陥の
発生率が少なくなる。また、平均粒径が０．１μm以下
になると、構造欠陥の発生は全く見られなくなる（試料
５，試料７）と共に、静電容量も併せてよくなり、特
に、平均粒径が０．１μmを境に極端によくなることが
判る。
を基準にした場合（従来例，試料１，試料３，試料５，
試料７）は共材の平均粒径が小さくなると、構造欠陥の
発生率が少なくなる。また、平均粒径が０．１μm以下
になると、構造欠陥の発生は全く見られなくなる（試料
５，試料７）と共に、静電容量も併せてよくなり、特
に、平均粒径が０．１μmを境に極端によくなることが
判る。
【００２５】共材の添加量１０．０ｗｔ％を基準にした
場合（試料２，試料４，試料６，試料８）は、同様に、
共材の平均粒径が小さくなると構造欠陥が少なくなり、
平均粒径が０．１μｍ以下になると、構造欠陥の発生は
見られなくなる（試料６，試料８）と共に、静電容量も
併せて良くなることが判る。
場合（試料２，試料４，試料６，試料８）は、同様に、
共材の平均粒径が小さくなると構造欠陥が少なくなり、
平均粒径が０．１μｍ以下になると、構造欠陥の発生は
見られなくなる（試料６，試料８）と共に、静電容量も
併せて良くなることが判る。
【００２６】このことから、共材の平均粒径が０．１μ
ｍを超える場合は添加量を５．０ｗｔ％とするものより
１０．０ｗｔ％とするものが静電容量のよいものになる
が、共材の平均粒径が０．１μｍ以下の場合は殆ど変わ
らないことが理解できる。
ｍを超える場合は添加量を５．０ｗｔ％とするものより
１０．０ｗｔ％とするものが静電容量のよいものになる
が、共材の平均粒径が０．１μｍ以下の場合は殆ど変わ
らないことが理解できる。
【００２７】また、共材の平均粒径が０．１μｍを基準
にし、添加量を３．０ｗｔ％，５．０ｗｔ％，１０．０
ｗｔ％，２０．０ｗｔ％，３０．０ｗｔ％及び４０．０
ｗｔ％（試料９，試料５，試料６，試料１０，試料１
１，試料１２）と増加すると、３．０ｗｔ％（試料９）
を除いて構造欠陥の発生は見られないが、４０．０ｗｔ
％（試料１２）なると、静電容量が従来例と比較しても
極端に悪くなることが判る。これはＮｉ粉末成分が少な
く、内部電極の面積が少なくなることによる。また、
３．０ｗｔ％の場合は収縮挙動差が生じ、その抑制効果
を発揮できないことによる。
にし、添加量を３．０ｗｔ％，５．０ｗｔ％，１０．０
ｗｔ％，２０．０ｗｔ％，３０．０ｗｔ％及び４０．０
ｗｔ％（試料９，試料５，試料６，試料１０，試料１
１，試料１２）と増加すると、３．０ｗｔ％（試料９）
を除いて構造欠陥の発生は見られないが、４０．０ｗｔ
％（試料１２）なると、静電容量が従来例と比較しても
極端に悪くなることが判る。これはＮｉ粉末成分が少な
く、内部電極の面積が少なくなることによる。また、
３．０ｗｔ％の場合は収縮挙動差が生じ、その抑制効果
を発揮できないことによる。
【００２８】以上のことから、Ｎｉ粉末に対して平均粒
径が最大でも０．１μｍの共材を５．０ｗｔ％〜３０．
０ｗｔ％の添加量であれば、誘電体層との収縮挙動差を
抑制する効果が発揮でき、構造欠陥がなく、静電容量も
よい高品質の積層セラミック電子部品を得ることができ
る。また、共材は解砕処理においてプラズマ処理を施す
ことにより平均粒径が最大でも０．１μｍとして容易に
微紛化できて品質も格段と改善することができる。
径が最大でも０．１μｍの共材を５．０ｗｔ％〜３０．
０ｗｔ％の添加量であれば、誘電体層との収縮挙動差を
抑制する効果が発揮でき、構造欠陥がなく、静電容量も
よい高品質の積層セラミック電子部品を得ることができ
る。また、共材は解砕処理においてプラズマ処理を施す
ことにより平均粒径が最大でも０．１μｍとして容易に
微紛化できて品質も格段と改善することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上の如く、本発明に係る内部電極形成
用の導電体ペーストに依れば、ニッケル粉末を主成分と
し、平均粒径が最大でも０．１μmの誘電体層と同じ組
成物の共材を５〜３０ｗｔ%添加し、また、平均粒径が
プラズマ処理により最大でも０．１μmに微紛化された
誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０ｗｔ%添加する
ことにより、積層セラミック電子部品の構造欠陥，静電
容量の低下等を確実に防げる内部電極を形成することが
できる。
用の導電体ペーストに依れば、ニッケル粉末を主成分と
し、平均粒径が最大でも０．１μmの誘電体層と同じ組
成物の共材を５〜３０ｗｔ%添加し、また、平均粒径が
プラズマ処理により最大でも０．１μmに微紛化された
誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０ｗｔ%添加する
ことにより、積層セラミック電子部品の構造欠陥，静電
容量の低下等を確実に防げる内部電極を形成することが
できる。
【００３０】本発明に係る積層セラミック電子部品に依
れば、ニッケル粉末を主成分とし、平均粒径が最大でも
０．１μmの誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０ｗ
ｔ%含有し、また、平均粒径がプラズマ処理により最大
でも０．１μmに微紛化された誘電体層と同じ組成物の
共材を５〜３０ｗｔ%含有した導電体ペーストで内部電
極を誘電体層と交互に形成することにより安価で、構造
欠陥，静電容量の低下等のない品質的に良好な積層セラ
ミック電子部品を得ることができる。
れば、ニッケル粉末を主成分とし、平均粒径が最大でも
０．１μmの誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０ｗ
ｔ%含有し、また、平均粒径がプラズマ処理により最大
でも０．１μmに微紛化された誘電体層と同じ組成物の
共材を５〜３０ｗｔ%含有した導電体ペーストで内部電
極を誘電体層と交互に形成することにより安価で、構造
欠陥，静電容量の低下等のない品質的に良好な積層セラ
ミック電子部品を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 由利 俊一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 丸野 哲司 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 増田 淳 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC04 AC09 AE01 AE02 AE03 AF00 AF06 AH01 AH05 AH06 AH09 AJ01 5E082 AA01 AB03 BC14 BC33 BC38 EE04 EE22 EE23 EE35 FG06 FG26 FG27 FG54 GG10 GG11 GG26 GG28 JJ03 JJ05 JJ12 JJ21 JJ23 LL02 MM22 MM24 PP03 PP09 5G301 DA10 DA32 DD01
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体層と交互に複数積層させて積層チ
ップ素体を構成する内部電極形成用の導電体ペーストで
あって、ニッケル粉末を主成分とし、平均粒径が最大で
も０．１μmの誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０
ｗｔ%添加してなることを特徴とする内部電極形成用の
導電体ペースト。 - 【請求項２】 ニッケル粉末を主成分とし、平均粒径が
プラズマ処理により最大でも０．１μmに微紛化された
誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０ｗｔ%添加して
なることを特徴とする請求項1に記載の内部電極形成用
の導電体ペースト。 - 【請求項３】 内部電極と誘電体層とを交互に複数積層
させて積層チップ素体を形成し、その積層チップ素体を
部品本体として構成される積層セラミック電子部品であ
って、ニッケル粉末を主成分とし、平均粒径が最大でも
０．１μmの誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０ｗ
ｔ%含有した導電体ペーストにより内部電極を形成して
なることを特徴とする積層セラミック電子部品。 - 【請求項４】 ニッケル粉末を主成分とし、平均粒径が
プラズマ処理により最大でも０．１μmに微紛化された
誘電体層と同じ組成物の共材を５〜３０ｗｔ%含有した
導電体ペーストにより内部電極を形成してなることを特
徴とする請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP29192199A JP2001110233A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 内部電極形成用の導電体ペースト並びに積層セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29192199A JP2001110233A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 内部電極形成用の導電体ペースト並びに積層セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110233A true JP2001110233A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17775199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29192199A Pending JP2001110233A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 内部電極形成用の導電体ペースト並びに積層セラミック電子部品 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110233A (ja) |
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