DE102010049573B4 - Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements und Vielschichtbauelement - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements und Vielschichtbauelement Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010049573B4 DE102010049573B4 DE201010049573 DE102010049573A DE102010049573B4 DE 102010049573 B4 DE102010049573 B4 DE 102010049573B4 DE 201010049573 DE201010049573 DE 201010049573 DE 102010049573 A DE102010049573 A DE 102010049573A DE 102010049573 B4 DE102010049573 B4 DE 102010049573B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ceramic
- multilayer component
- metal paste
- layers
- internal electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3296—Lead oxides, plumbates or oxide forming salts thereof, e.g. silver plumbate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3409—Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
Abstract
Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements, bei dem abwechselnd Schichten aufweisend eine Keramikmasse und Schichten aufweisend eine Metallpaste übereinander zu einen Schichtstapel angeordnet werden, und der Schichtstapel zu keramischen Schichten (10) mit dazwischen angeordneten Innenelektroden (20) gesintert wird, wobei die Metallpaste einen Dotierstoff aufweist, der während des Sinterns die Keramikmasse dotiert, wobei eine Metallpaste ausgewählt wird, die Ag und/oder Cu aufweist, und weniger als 5 Gew.-% Pd enthält.
Description
- Vielschichtbauelemente, wie beispielsweise Vielschichtkondensatoren weisen elektromechanische Eigenschaften auf, die von dem mikrostrukturellen Aufbau der in dem Bauelement enthaltenen Keramik abhängen. Die Einstellung des mikrostrukturellen Aufbaus kann beispielsweise über die Bedingungen während des Sinterns erfolgen.
-
US 2005/0067744 A1 -
JP 2001-110233 A -
DE 10326041 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrisch-basierten, keramischen Materials auf PZT-Basis, bei dem nach dem Kalzinieren der Ausgangsverbindungen Lithium in ionischer Form zugegeben wird, um die Sintertemperatur um mindestens 100°C zu erniedrigen. Die Innenelektroden basieren auf AgPd-Legierungen oder Cu. -
JP 8-298018 A - Aufgabe zumindest einer Ausführungsform der Erfindung ist die Bereitstellung eines verbesserten Verfahrens zur Herstellung eines Vielschichtbauelements, mit dem elektromechanische Eigenschaften gezielt eingestellt werden können. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß dem Anspruch 1 gelöst.
- Aufgabe zumindest einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Bereitstellung eines Vielschichtbauelements mit gezielt einstellbaren elektromechanischen Eigenschaften. Diese Aufgabe wird durch ein Vielschichtbauelement gemäß Anspruch 6 gelöst.
- Weitere Ausführungsformen des Verfahrens und des Vielschichtbauelements sind Gegenstand abhängiger Ansprüche.
- Gemäß einer Ausführungsform wird ein Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements bereitgestellt, bei dem abwechselnd Schichten aufweisend eine Keramikmasse und Schichten aufweisend eine Metallpaste übereinander zu einem Schichtstapel angeordnet werden, und der Schichtstapel zu keramischen Schichten mit dazwischen angeordneten Innenelektroden gesintert wird. Die Metallpaste weist einen Dotierstoff auf, der während des Sinterns die Keramikmasse dotiert. Damit wird also ein Verfahren bereitgestellt, das es ermöglicht, durch in-situ Dotierung der keramikmasse durch den in der Metallpaste enthaltenen Dotierstoff elektromechanische Eigenschaften des Vielschichtbauelements einzustellen. Dabei geht der Dotierstoff während des Sinterns weitgehend oder vollständig in die Keramikmasse über, wo er in das Gitter der entstehenden Keramik eingebaut wird.
- Durch die Dotierung der Keramikmasse kann dabei die Mikrostruktur der Keramik eingestellt werden. Unter Mikrostruktur wird in diesem Zusammenhang beispielsweise die Korngröße, Korngrenzen und die Porosität der Keramik verstanden. Diese werden während des Verfahrens durch die in-situ Dotierung mit dem Datierstoff aus der Metallpaste eingestellt. Durch die gezielte Einstellung des mikrostrukturellen Aufbaus der Keramik können auch die elektromechanischen Eigenschaften des Vielschichtbauelements, wie beispielsweise die elektrische Kapazität sowie die Änderung des temperaturabhängigen Frequenzganges eingestellt werden.
- Einen weiteren Einfluss auf die Einstellung des mikrostrukturellen Aufbaus haben die Bedingungen während des Sinterns, also die Temperatur und die Atmosphäre.
- Dadurch, dass die Dotierung durch den Dotierstoff in der Metallpaste erfolgt, findet sie insbesondere an der Grenzfläche zwischen Metallpaste und Keramikmasse statt.
- Als Keramikmasse kann eine Keramikmasse ausgewählt werden, die BaTiO3 aufweist. Dabei kann es sich um eine MLCC-Keramik (MLCC = multilayer ceramic capacitor) handeln. BaTiO3 bildet das Grundgerüst, welches mit weiteren Zusatzstoffen versetzt sein kann. Beispiele für MLCC-Keramiken sind 25U, K7R oder X8R.
- Die Metallpaste weist Ag und/oder Cu auf. Weiterhin enthält die Metallpaste Pd mit einem Gehalt von weniger als 5 Gew-%.
- Damit wird eine Metallpaste zur Herstellung der Innenelektroden verwendet, die einen reduzierten Pd-Gehalt aufweist, was zu Kosteneinsparungen in der Herstellung führt, da weniger Edelmetall Pd eingesetzt werden kann. Durch den reduzierten Pd-Gehalt kann auch die Sintertemperatur in dem Verfahren gesenkt werden. Pd mit einem Schmelzpunkt von 1555°C gegenüber Ag mit einem Schmelzpunkt von 961°C erhöht die Sintertemperatur je höher der Gehalt von Pd in der Metallpaste ist. Somit ist ein reduzierter Gehalt von weniger als 5 Gew-% der Grund, dass eine niedrigere Sintertemperatur ausreichend ist, um eine Innenelektrode zu bilden.
- Durch die Dotierung der Keramikmasse kann durch das Verfahren trotz niedrigerer Sintertemperatur ein Vielschichtbauelement hergestellt werden, das gleiche oder verbesserte elektromechanische Eigenschaften aufweist, wie ein Vielschichtbauelement, das keine Dotierung der Keramik, aber einen höheren Pd-Gehalt in den Innenelektroden aufweist und daher bei höheren Temperaturen gesintert ist.
- Die Verwendung von Ag- oder Cu-Pasten mit niedrigem Pd-Gehalt von weniger als 5 Gew% als Metallpasten hat weiterhin den vorteilhaften Effekt, dass während des Sinterns schneller eine flüssige Phase entstehen kann, die die Diffusion des Dotierstoffs aus der Metallpaste in die Keramikmasse erleichtert. Damit kann die Bildung der Mikrostruktur der Keramikschicht effizient gesteuert werden.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird der Metallpaste ein Dotierstoff zugesetzt, der aus einer Gruppe ausgewählt ist, die BaTiO3, ZrTiO3 oder Kombinationen davon umfasst. Der Dotierstoff kann in der Metallpaste mit einem Gehalt von 1 bis 10 Gew-% vorhanden sein. Der Metallpaste wird also ein keramischer Dotierstoff zugesetzt. Dieser kann während der in-situ Dotierung der Keramikmasse eine Ti-Überschussdotierung in der entstehenden keramischen Schicht bewirken. Damit kann die Mikrostruktur der keramischen Schicht eingestellt und das Kornwachstum gezielt gesteuert werden, so dass beispielsweise eine homogene Korngröße entsteht.
- Die Einstellung der Mikrostruktur, also des Kerngefüges erfolgt bei herabgesetzter Sintertemperatur und reduziertem Pd-Gehalt in der Metallpaste. Sie wird durch die in situ-Dotierung der Keramikmasse mit BaTiO3, ZrTiO3 oder Kombinationen davon bewirkt. Das Korngefüge kann in einem Bereich von 1 bis 50 μm, bevorzugt in einem Bereich von 3 bis 7 μm, eingestellt werden. Daraus resultiert eine Variation an Barium- und Ti-Konzentrationen im Korn der Keramik von > 0,1 bis 100%, vorzugsweise 10 bis 90%, insbesondere 30 bis 70%. Durch den Ti-Überschuss in der dotierten, BaTiO3-basierten Keramik und durch das gezielt gesteuerte Kornwachstum kann die Stöchiometrie in der Keramikzusammensetzung effektiv geändert werden.
- Der Schichtstapel kann gemäß einer Ausführungsform bei einer Temperatur gesintert werden, die aus einem Bereich ausgewählt ist, der 950°C bis 1100°C, insbesondere 950°C bis 1050°C, umfasst. Damit wird die Sintertemperatur der herkömmlichen Verfahren von bis zu 1250°C auf den Bereich 950 bis 1050°C reduziert. Gleichzeitig kann die elektromechanische Eigenschaft des Vielschichtbauelements erhalten oder sogar verbessert werden. In einer Ausführungsform ist die Sintertemperatur in dem Verfahren kleiner als 1000°C. Die reduzierte Sintertemperatur kann durch den Gehalt an Pd in der Metallpaste von weniger als 5 Gew-% ermöglicht werden.
- Das Verfahren ist also kostenreduziert durch die Reduktion des Pd-Gehalts in der Metallpaste und die Herabsetzung der Sintertemperatur und gleichzeitig kann das Korngefüge in der Keramikschicht gezielt eingestellt werden. Durch die verringerte Sintertemperatur und die in-situ Dotierung der Keramikmasse werden auch die Prozesszeiten reduziert, was weiterhin zu einer Kostenreduzierung des Herstellungsverfahrens führt.
- Durch die Reduktion des Pd-Gehalts in der Metallpaste aufgrund der in-situ Dotierung der Keramikmasse kann weiterhin der Bestandteil an Flüssigphasenbildern in der Keramikmasse reduziert werden.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird ein Vielschichtbauelement bereitgestellt, das keramische Schichten und dazwischen angeordnete Innenelektroden umfasst, wobei die Innenelektroden Pd mit einem Gehalt von weniger als 5 Gew-% aufweisen. Dabei handelt es sich also um ein kostengünstig herstellbares Vielschichtbauelement, da das teure Pd nur zu einem sehr geringen Anteil in den Innenelektroden vorhanden ist. Ein solches Vielschichtbauelement kann durch ein Verfahren gemäß den obigen Ausführungen hergestellt werden.
- Die Innenelektroden des Vielschichtbauelements umfassen Ag, Cu und Kombinationen davon. Das Vielschichtbauelement kann also beispielsweise Ag- oder Cu-Innenelektroden aufweisen, die jeweils Pd mit einem Gehalt von weniger als 5 Gew% enthalten.
- Die keramischen Schichten weisen gemäß einer Ausführungsform eine Keramik auf, die BaTiO3 umfasst. Es können auch weitere Zusätze in der Keramik vorhanden sein. Dabei kann es sich beispielsweise um eine MLCC-Keramik handeln.
- Die Dorngröße der Keramik kann aus einem Bereich, der 1 μm bis 50 μm umfasst, ausgewählt sein. Beispielsweise kann die Korngröße eine Größe von 3 μm bis 7 μm aufweisen. Die Keramik kann weiterhin einen Ti-Überschuss enthalten, der durch eine Dotierung der keramischen Schicht mit BaTiO3, ZrTiO3 oder Kombinationen davon bewirkt wird. Der Ti-Überschuss bewirkt eine Mikrostruktur der keramischen Schicht, die zu den gewünschten elektromechanischen Eigenschaften des Bauelements führt. Beispielsweise kann die Dorngröße der Keramik gegenüber einer undatierten Keramik vergrößert sein.
- Die Innenelektroden in dem Vielschichtbauelement können gemäß einer Ausführungsform so angeordnet sein, dass jede zweite Innenelektrode auf der gleichen Seite des Bauelements mit einer Außenelektrode kontaktiert ist. Dadurch entstehen in dem Vielschichtbauelement, das einen Schichtstapel aus keramischen Schichten und dazwischen angeordneten Innenelektroden umfasst, aktive und inaktive Bereiche. Aktive Bereiche sind dort, wo alle benachbarten Innenelektrodenschichten überlappen. Unter einem inaktiven Bereich wird der Bereich verstanden, in dem sich nicht die benachbarten Innenelektroden überlappen, sondern nur jede zweite Innenelektrode sich gegenübersteht.
- Dadurch, dass das Vielschichtbauelement mittels einer in-situ Dotierung der Keramikmasse hergestellt ist, wird das Korngefüge an den Grenzflächen zwischen Innenelektroden und keramischen Schichten eingestellt. Das hat zur Folge, dass in dem inaktiven Bereich eine dichte Keramik vorliegt, während im aktiven Bereich eine Keramik mit vergrößerter Dorngröße vorliegt. Dies führt zu einer weiteren Verbesserung der elektromechanischen Eigenschaften des Vielschichtbauelements, da beispielsweise ein Feuchteeinfluss über den dichten, inaktiven Bereich vermieden werden kann. Eine dichte Keramik weist eine hohe Festigkeit auf, während die Keramik mit vergrößerter Korngröße geringe Festigkeit und effiziente elektromechanische Leistung aufweist.
- Bei dem Vielschichtbauelement kann es sich beispielsweise um einen Vielschichtkondensator handeln.
- Durch die Figuren und die Ausführungsbeispiele werden Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert.
-
1 schematische Seitenansicht eines Vielschichtkondensators, -
2a ) und b) grafische Darstellung von Kapazitätsmittelwerten in Abhängigkeit der Korngröße. - Es wird eine dotierte, BaTiO3-basierte Z5U-Keramik angegeben. Die Z5U-Masse enthält 26,9 Gew-% TiO2, 56,5 Gew-% BaO, 4,53 Gew-% ZrO2, 8,53 Gew-% PbO, 1,63 Gew-% Nb2O5, 1,23 Gew-% ZnO, 0,095 Gew-% MnO, 0,57 Gew-% Na2O und 200 ppm Bor. Die Gewichtsangaben sind jeweils mittels Röntgenfluoreszenzanalyse ermittelt.
- Ausführungsbeispiel 1 bezieht sich auf ein Vielschichtbauelement, das die oben beschriebene Z5U-Keramik, die mittels eines erfindungsgemäßen Verfahrens mit BaTiO3 dotiert ist, enthält. Als Metallpaste zur Herstellung der Innenelektroden wird gemäß dem Ausführungsbeispiel 1 eine Paste der folgenden Zusammensetzung gewählt: 61,2 Gew% Ag/Pd mit 75 Gew% Ag und 25 Gew%, 6,79 Gew-% BaTiO3, 1,93 Gew-% Ethylzellulose, 24,85 Gew-% Shellsol D70, 5,04 Gew-% Decanol und 0,2 Gew-% Dispergator (beispielsweise EFKA).
- Gemäß dem Ausführungsbeispiel 2, das die Z5U-Keramik mit einer BaTiO3- und einer ZrTiO3-Dotierung enthält, wird als Metallpaste zur Herstellung der Innenelektroden folgende Zusammensetzung gewählt; 61,2 Gew-% Ag/Pd, 5,09 Gew-% BaTiO3, 1,7 Gew-% ZrTiO3, 1,93 Gew-% Ethylzellulose, 24,85 Gew-% Shellsol D70, 5,04 Gew-% Decanol und 0,2 Gew-% Dispergator, beispielsweise EFKA.
- In beiden Ausführungsbeispielen werden Schichten enthaltend die Z5U-Masse und Schichten enthaltend die jeweilige Metallpaste übereinander angeordnet und bei 1090°C für 2,5 h gesintert. Die Messung der elektromechanischen Eigenschaften erfolgt bei einer Nennspannung von 50 V.
-
1 zeigt die schematische Seitenansicht eines Vielschichtbauelements, am Beispiel eines Vielschichtkondensators, der keramische Schichten und Innenelektroden gemäß den Ausführungsbeispielen1 oder2 enthalten kann. Das Bezugszeichen10 steht für die keramischen Schichten,20 bezeichnet die Innenelektroden. In dem Schichtstapel ist ein aktiver Bereich10a und ein inaktiver Bereich10b vorhanden. Der inaktive Bereich10b ist an den Rändern des Bauelements vorhanden, wo nur jede zweite Innenelektrode20 übereinander angeordnet ist. Der aktive Bereich10a , der sich mittig im Bauelement befindet, bezeichnet den Bereich, in den jede Innenelektrode20 überlappt. - Außerhalb des Schichtstapels sind auf sich gegenüberliegenden Seiten Außenelektroden
30 angeordnet. Jede zweite Innenelektrode20 ist auf einer Seite des Schichtstapels mit der gleichen Außenelektrode30 kontaktiert, die jeweils dazu versetzten Innenelektroden sind auf der gegenüberliegenden Seite mit der gleichen Außenelektrode30 kontaktiert. Die Außenelektroden30 können wiederum aus mehreren Elektroden zusammengesetzt sein. Beispielsweise kann eine Außenelektrode30 drei Teilschichten aufweisen, wovon die innerste, direkt auf dem Schichtstapel angeordnete Teilschicht eine Silber- oder Kupferelektrode sein kann, die mittlere Teilschicht eine Nickelelektrode sein kann und die äußerste Teilschicht eine Zinnelektrode sein kann. - Neben den Sinterbedingungen bei der Herstellung des Vielschichtbauelements und dem Korngefüge in den keramischen Schichten des Bauelements kann auch die Schichtdicke der keramischen Schichten einen Einfluss auf die Kapazität des Bauelements haben. Die Kapazität kann durch die Formel
C = ε0·εr·(n – 1)·A/d - Es wurden Rasterelektronikmikroskopaufnahmen (REM) der Vielschichtbauelemente gemäß den Ausführungsbeispielen 1 und 2 aufgenomen. Aufgrund der unterschiedlichen Dotierung sind bei gleicher Sintertemperatur und -dauer bei der Herstellung des Vielschichtbauelements unterschiedliche Korngefüge in den beiden Ausführungsbeispielen entstanden.
- Ist die Keramikschicht gemäß dem Ausführungsbeispiel 1 mit BaTiO3 dotiert, entstehen Korngrößen im Bereich von 2 bis 12 μm, der Mittelwert beträgt etwa 9 μm.
- Bei einer Metallpaste, die gemäß dem Ausführungsbeispiel 2 als Dotierstoffe BaTiO3 und ZrTiO3 enthält, entstehen Korngrößen in der Keramikschicht von 5 bis 20 μm und einem Mittelwert von 15 μm.
- Beide Mikrostrukturen der Ausführungsbeispiele 1 und 2 können mittels der in situ-Dotierung über die Metallpaste durch Sinterung bei 1090°C erhalten werden. Ohne diese Dotierungen wären zur Erhaltung der elektromechanischen Eigenschaften
100 bis 150°C höhere Sintertemperaturen beziehungsweise sehr lange Haltezeiten nötig. - Dass die gezielte Einstellung der Korngröße gleichzeitig eine gezielte Einstellung der erreichbaren Kapazität, und damit der elektromechanischen Eigenschaft des Vielschichtbauelements bewirkt, kann den
2a und2b entnommen werden. - Beide Figuren zeigen die graphische Darstellung von Messwerten der Kapazität C in μF (x-Achse) als prozentuale Verteilung in einer dotierten Keramik. Das größere Korn der keramischen Schichten gemäß dem Ausführungsbeispiel 2 führt zu einer Verschiebung des Kapazitätsmittelwerts um etwa 25% bei gleicher Streuung. Dies kann einem Vergleich der
2a und2b entnommen werden. In2a ist der Kapazitätsmittelwert bei zirka 1,4 μF, während er in2b bei etwa 1,8 μF liegt. Damit kann also gezeigt werden, dass durch die Einstellung der Korngröße der Keramikschicht die elektromechanische Eigenschaft des Bauelements beeinflusst werden kann und somit aufgrund der Dotierung eine Verschiebung der Kapazität zu höheren Werten bei gleicher Temperatur erreicht werden kann. - Die Erfindung ist nicht auf die oben genannten Ausführungsformen und -beispiele beschränkt. Vielmehr umfasst sie auch Kombinationen von Merkmalen, auch wenn sie nicht explizit in den Ansprüchen oder der Beschreibung erwähnt sind.
- Bezugszeichenliste
-
- 10
- keramische Schicht
- 10a
- aktiver Bereich
- 10b
- inaktiver Bereich
- 20
- Innenelektrode
- 30
- Außenelektrode
Claims (9)
- Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements, bei dem abwechselnd Schichten aufweisend eine Keramikmasse und Schichten aufweisend eine Metallpaste übereinander zu einen Schichtstapel angeordnet werden, und der Schichtstapel zu keramischen Schichten (
10 ) mit dazwischen angeordneten Innenelektroden (20 ) gesintert wird, wobei die Metallpaste einen Dotierstoff aufweist, der während des Sinterns die Keramikmasse dotiert, wobei eine Metallpaste ausgewählt wird, die Ag und/oder Cu aufweist, und weniger als 5 Gew.-% Pd enthält. - Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei eine Keramikmasse ausgewählt wird, die BaTiO3 aufweist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Metallpaste ein Dotierstoff zugesetzt wird, der aus einer Gruppe ausgewählt ist, die BaTiO3, ZrTiO3 und Kombinationen davon umfasst.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei durch die Dotierung der Keramikmasse die Mikrostruktur der keramischen Schichten (
10 ) eingestellt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schichtstapel bei einer Temperatur gesintert wird, die aus einem Bereich ausgewählt ist, der 950°C bis 1100°C umfasst.
- Vielschichtbauelement, hergestellt durch ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, aufweisend – keramische Schichten (
10 ), und – dazwischen angeordnete Innenelektroden (20 ), wobei die Innenelektroden (20 ) weniger als 5 Gew.-% Pd aufweisen, wobei die Innenelektroden (20 ) weiterhin Ag und/oder Cu umfassen. - Vielschichtbauelement nach Anspruch 6, wobei die keramischen Schichten (
10 ) eine Keramik aufweisen, die BaTiO3 umfasst. - Vielschichtbauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Keramik eine Korngröße aufweist, die aus einem Bereich von 1 μm bis 50 μm ausgewählt ist.
- Vielschichtbauelement nach einem der Ansprüche 7 oder 8, wobei die Keramik einen Ti-Überschuss aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201010049573 DE102010049573B4 (de) | 2010-10-26 | 2010-10-26 | Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements und Vielschichtbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201010049573 DE102010049573B4 (de) | 2010-10-26 | 2010-10-26 | Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements und Vielschichtbauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010049573A1 DE102010049573A1 (de) | 2012-04-26 |
DE102010049573B4 true DE102010049573B4 (de) | 2014-09-04 |
Family
ID=45923210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE201010049573 Active DE102010049573B4 (de) | 2010-10-26 | 2010-10-26 | Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements und Vielschichtbauelement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102010049573B4 (de) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08298018A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Kyocera Corp | 導電性ペースト |
JP2001110233A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Tdk Corp | 内部電極形成用の導電体ペースト並びに積層セラミック電子部品 |
DE10326041A1 (de) * | 2003-06-10 | 2004-12-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von PZT-basierten Keramiken mit niedriger Sintertemperatur |
US20050067744A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Tdk Corporation | Ceramic electronic element and method of making same |
-
2010
- 2010-10-26 DE DE201010049573 patent/DE102010049573B4/de active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08298018A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Kyocera Corp | 導電性ペースト |
JP2001110233A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Tdk Corp | 内部電極形成用の導電体ペースト並びに積層セラミック電子部品 |
DE10326041A1 (de) * | 2003-06-10 | 2004-12-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von PZT-basierten Keramiken mit niedriger Sintertemperatur |
US20050067744A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Tdk Corporation | Ceramic electronic element and method of making same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102010049573A1 (de) | 2012-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102005026731B4 (de) | Mehrschichtchipvaristor | |
DE112007002865B4 (de) | Dielektrische Keramik und diese verwendender Mehrschicht-Keramikkondensator | |
DE69913284T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und monolithischer keramischer Kondensator | |
DE60101641T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Oxiden mit Perowskitstruktur | |
DE4010827C2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
DE2701411C3 (de) | Dielektrische Keramikverbindung | |
DE19906582B4 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung, laminierter Keramikkondensator und Verfahren zur Herstellung des laminierten Keramikkondensators | |
EP3238218B1 (de) | Keramisches vielschichtbauelement und verfahren zur herstellung eines keramisches vielschichtbauelements | |
DE112007001335T5 (de) | Dielektrische Keramik, Keramikelektronikelement und Vielschicht-Keramikkondensator | |
DE112012001237T5 (de) | Dielektrische Keramik und laminierter Keramikkondensator | |
DE19622690B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Monolithischen Keramikkondensators | |
DE102008033664A1 (de) | Varistor | |
DE102008031663A1 (de) | Keramikverbindung für nichtlineare Widerstände, elektronisches Bauelement und Mehrschicht-Chip-Varistor | |
DE112014005611T5 (de) | Mehrschichtiger Keramikkondensator und Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Keramikkondensators | |
EP2517218B1 (de) | Varaktor und verfahren zur herstellung eines varaktors | |
DE4005505C2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
DE60128172T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung, elektronisches Gerät, und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0106401B1 (de) | Keramisches Dielektrikum auf Basis von Wismut enthaltendem BaTi03 | |
DE10120517A1 (de) | Elektrisches Vielschichtbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10040414B4 (de) | Dielelektrisches Keramikmaterial und elektrisches Bauelement | |
DE112015005617B4 (de) | Elektrisch leitfähiger Oxidsinterkörper, Element zur elektrischen Leitung, Gassensor, piezoelektrisches Element und Verfahren zur Herstellung des piezoelektrischen Elements | |
WO2000015575A1 (de) | Reduktionsstabile keramikmassen | |
DE102020108369A1 (de) | Dielektrischer film und elektronische komponente | |
DE102020108427A1 (de) | Dielektrischer film und elektronische komponente | |
DE112012004389T5 (de) | Laminatartiger Halbleiterkeramikkondensator mit Varistorfunktionalität und Verfahren zum Herstellen desselben |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: TDK ELECTRONICS AG, DE Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE |