JP4859089B2 - 抽出光学系、光ピックアップ装置及び光ディスク装置 - Google Patents

Description

本発明は、抽出光学系、光ピックアップ装置及び光ディスク装置に係り、さらに詳しくは、信号光成分と迷光成分とが混在する光束から信号光成分を抽出する抽出光学系、該抽出光学系を有する光ピックアップ装置、及び該光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置に関する。

近年、デジタル技術の進歩及びデータ圧縮技術の向上に伴い、音楽、映画、写真及びコンピュータソフトなどの情報（以下「コンテンツ」ともいう）を記録するための媒体として、ＤＶＤ（digital versatile disc）などの光ディスクが注目されるようになり、その低価格化とともに、光ディスクを情報記録の対象媒体とする光ディスク装置が普及するようになった。

ところで、コンテンツの情報量は、年々増加する傾向にあり、光ディスクの記録容量の更なる増加が期待されている。そこで、光ディスクの記録容量を増加させる手段の一つとして、記録層の多層化が考えられ、複数の記録層を有する光ディスク（以下「多層ディスク」ともいう）及び該多層ディスクをアクセス対象とする光ディスク装置の開発が盛んに行われている。

多層ディスクでは、記録層と記録層との間隔が広いと、球面収差の影響により選択された記録層からの信号が劣化するおそれがあるため、記録層と記録層との間隔を狭くする傾向にある。しかしながら、記録層と記録層との間隔が狭くなると、いわゆる層間クロストークにより、多層ディスクからの戻り光束には、目的とする記録層での反射光（以下「信号光」ともいう）だけでなく、目的とする記録層以外の記録層での反射光（以下「迷光」ともいう）も高いレベルで含まれることとなり、再生信号のＳ／Ｎ比が低下するおそれがあった。

そこで、多層ディスクを再生するときに、層間クロストークを低減させる装置が提案された（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、特許文献１に開示されている装置では、検出器に入射する迷光成分を更に減少させるには、ピンホールの径を更に小さくする必要があるため、検出器に入射する信号光成分も更に減少するという不都合があった。

特許第２６２４２５５号公報

本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、信号光成分と迷光成分とが混在する光束から信号光成分を効率良く抽出することができる抽出光学系を提供することにある。

また、本発明の第２の目的は、複数の記録層を有する光ディスクから所望の信号を精度良く取得することができる光ピックアップ装置を提供することにある。

また、本発明の第３の目的は、複数の記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことができる光ディスク装置を提供することにある。

本発明は、第１の観点からすると、信号光成分と迷光成分とが混在する光束から前記信号光成分を抽出する抽出光学系であって、前記光束の光路上に配置され、前記光束を集光する集光光学素子と；前記集光光学素子と、前記集光光学素子で集光された前記信号光成分の第１の集光位置よりも前記集光光学素子側にある前記迷光成分であって最も第１の集光位置に対して遠い位置に集光する迷光成分の第２の集光位置と、の間に配置され、その光軸に直交する分割線の一側にある領域に入射した光束の偏光方向を９０°変更する第１の変更光学素子と；前記集光光学素子で集光された前記信号光成分の第１の集光位置よりも前記集光光学素子側にある前記迷光成分であって、最も第１の集光位置に対して近い位置に集光する迷光成分の第３の集光位置と、前記第１の集光位置との間に配置され、前記第１の集光位置よりも前記集光光学素子側に集光する迷光成分を反射あるいは吸収する第１の分離素子と；前記第１の集光位置と、前記第１の集光位置よりも前記集光光学素子から遠い位置に集光する迷光成分であって最も第１の集光位置に対して近い位置に集光する迷光成分の第４の集光位置と、の間に配置され、前記第１の分離素子を透過した迷光成分を反射あるいは吸収する第２の分離素子と；前記第１の集光位置よりも前記集光光学素子から遠い位置に集光する迷光成分であって最も第１の集光位置に対して遠い位置に集光する迷光成分の第５の集光位置よりも前記集光光学素子の光軸方向に関して前記集光光学素子から離れた位置に配置され、その光軸に直交する分割線の前記一側と反対の他側にある領域に入射した光束の偏光方向を９０°変更する第２の変更光学素子と；を備える抽出光学系である。

これによれば、信号光成分の偏光状態と迷光成分の偏光状態との違いを利用して信号光成分を抽出しているため、信号光成分と迷光成分とが混在する光束から信号光成分を効率良く抽出することが可能となる。

この場合において、前記第１の変更光学素子は、前記一側にある領域に入射した光束に１／２波長の光学的位相差を付与し、前記第２の変更光学素子は、前記他側にある領域に入射した光束に１／２波長の光学的位相差を付与することとすることができる。

上記各抽出光学系において、前記第１の分離素子と前記第２の分離素子は、屈折率が１よりも大きな透明部材を介して一体化されていることとすることができる。

上記各抽出光学系において、前記第２の集光位置と前記第５の集光位置との間に配置された屈折率が１よりも大きな透明部材を更に備えることとすることができる。

上記各抽出光学系において、前記第１の変更光学素子と、前記第１の分離素子と、前記第２の分離素子と、前記第２の変更光学素子とは、屈折率が１よりも大きな透明部材をそれぞれ介して一体化されていることとすることができる。

上記各抽出光学系において、前記第１の分離素子及び前記第２の分離素子のそれぞれは、前記集光光学素子の光軸に対して傾斜していることとすることができる。

上記各抽出光学系において、前記第１の変更光学素子は第１のプリズムの斜面上に設けられ、前記第１の分離素子は第２のプリズムの斜面上に設けられ、前記第２の分離素子は第３のプリズムの斜面上に設けられ、前記第２の変更光学素子は第４のプリズムの斜面上に設けられていることとすることができる。

この場合において、前記第１〜第４のプリズムは、それぞれ一体化されていることとすることができる。

本発明は、第２の観点からすると、複数の記録層を有する光ディスクに光束を照射し、前記光ディスクからの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、光源と；前記光源から出射された光束を前記複数の記録層のうちアクセス対象の記録層に集光する対物レンズと、前記光ディスクで反射され前記対物レンズを介した戻り光束の光路上に配置され、前記アクセス対象の記録層で反射された反射光を信号光とし、前記複数の記録層のうち前記アクセス対象の記録層以外の記録層で反射された反射光を迷光とし、前記戻り光束から前記信号光を抽出する本発明の抽出光学系と、を含む光学系と；前記抽出光学系で抽出された前記信号光を受光し、受光量に応じた信号を生成する光検出器と；を備える光ピックアップ装置である。

これによれば、抽出光学系により、戻り光束に含まれる信号光の偏光状態と迷光の偏光状態とが互いに異なる偏光状態となるように、信号光及び迷光の少なくともいずれかの偏光状態が変更され、戻り光束から信号光が抽出される。そして、光検出器により、抽出光学系で抽出された信号光が受光され、受光量に応じた信号が生成される。すなわち、信号光のみが光検出器に入射される。従って、複数の記録層を有する光ディスクから所望の信号を精度良く取得することが可能となる。

この場合において、前記抽出光学系を構成する、第１の変更光学素子及び第２の変更光学素子における分割線は、それぞれトラッキング方向に対応する方向に延びていることとすることができる。

本発明は、第３の観点からすると、複数の記録層を有する光ディスクに対して、情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも再生が可能な光ディスク装置であって、本発明の光ピックアップ装置と；前記光ピックアップ装置を構成する光検出器の出力信号を用いて、前記光ディスクに記録されている情報の再生を行なう処理装置と；を備える光ディスク装置である。

これによれば、本発明の光ピックアップ装置を備えているため、複数の記録層を有する光ディスクから所望の信号を精度良く取得することができ、その結果として、複数の記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。

以下、本発明の一実施形態を図１〜図１１に基づいて説明する。図１には、本発明の一実施形態に係る光ディスク装置２０の概略構成が示されている。

この図１に示される光ディスク装置２０は、光ディスク１５を回転駆動するためのスピンドルモータ２２、光ピックアップ装置２３、該光ピックアップ装置２３をスレッジ方向に駆動するためのシークモータ２１、レーザ制御回路２４、エンコーダ２５、駆動制御回路２６、再生信号処理回路２８、バッファＲＡＭ３４、バッファマネージャ３７、インターフェース３８、フラッシュメモリ３９、ＣＰＵ４０及びＲＡＭ４１などを備えている。なお、図１における矢印は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。また、本実施形態では、光ディスク装置２０は多層ディスクに対応しているものとする。

前記光ディスク１５は、一例として図２に示されるように、光束の入射側から順に、基板Ｍ0、記録層Ｌ0、中間層ＭＬ、記録層Ｌ1、基板Ｍ1を有している。また、記録層Ｌ0と中間層ＭＬとの間には金や誘電体などで形成された半透明膜ＭＢ0があり、記録層Ｌ1と基板Ｍ1との間にはアルミニウムなどで形成された反射膜ＭＢ1がある。中間層ＭＬには、照射される光束に対して透過率が高く、基板の屈折率に近い屈折率を有する紫外線硬化型の樹脂材料が用いられている。すなわち、光ディスク１５は片面２層ディスクである。なお、各記録層にはスパイラル状又は同心円状の案内用の溝を有するトラックが、それぞれ形成されている。そして、光ディスク１５は、記録層Ｌ0が記録層Ｌ1よりも光ピックアップ装置２３に近くなるように光ディスク装置２０にセットされる。そこで、光ディスク１５に入射した光束の一部は半透明膜ＭＢ0で反射され、残りは半透明膜ＭＢ0を透過する。そして、半透明膜ＭＢ0を透過した光束は反射膜ＭＢ1で反射される。ここでは、一例として、光ディスク１５はＤＶＤ系の情報記録媒体であるものとする。

前記光ピックアップ装置２３は、光ディスク１５の２つの記録層のうちアクセス対象の記録層（以下「対象記録層」と略述する）にレーザ光を照射するとともに、光ディスク１５からの反射光を受光するための装置である。この光ピックアップ装置２３は、一例として図３に示されるように、光源ユニット５１、カップリングレンズ５２、偏光ビームスプリッタ５４、１／４波長板５５、対物レンズ６０、抽出光学系としての偏光光学系７０、集光レンズ５８、光検出器としての受光器ＰＤ、及び対物レンズ６０を駆動するための駆動系（フォーカシングアクチュエータＡＣ及びトラッキングアクチュエータ（図示省略））などを備えている。

上記光源ユニット５１は、光ディスク１５に対応する波長が約６６０ｎｍのレーザ光を発光する光源としての半導体レーザＬＤを含んで構成されている。なお、本実施形態では、光源ユニット５１から出射されるレーザ光の最大強度出射方向を＋Ｘ方向とする。また、一例として光源ユニット５１からは偏光ビームスプリッタ５４の入射面に平行な偏光（Ｐ偏光）の光束が出射されるものとする。

この光源ユニット５１の＋Ｘ側には、前記カップリングレンズ５２が配置され、光源ユニット５１から出射された光束を略平行光とする。

前記偏光ビームスプリッタ５４は、カップリングレンズ５２の＋Ｘ側に配置されている。この偏光ビームスプリッタ５４は、入射する光束の偏光状態に応じてその反射率が異なっている。ここでは、偏光ビームスプリッタ５４は、一例としてＰ偏光に対する反射率が小さく、Ｓ偏光に対する反射率が大きくなるように設定されている。すなわち、光源ユニット５１から出射された光束の大部分は、偏光ビームスプリッタ５４を透過することができる。この偏光ビームスプリッタ５４の＋Ｘ側には、前記１／４波長板５５が配置されている。

この１／４波長板５５は、入射した光束に１／４波長の光学的位相差を付与する。１／４波長板５５の＋Ｘ側には、前記対物レンズ６０が配置され、１／４波長板５５を透過した光束を対象記録層に集光する。

前記偏光光学系７０は、偏光ビームスプリッタ５４の−Ｚ側に配置され、偏光ビームスプリッタ５４で反射された戻り光束に含まれる対象記録層からの反射光を選択的に透過させる。この偏光光学系７０の構成については後述する。

前記検出レンズ５８は、偏光光学系７０の−Ｚ側に配置され、偏光光学系７０を透過した戻り光束を受光器５９の受光面に集光する。この受光器５９は、再生信号処理回路２８にてＲＦ信号、ウォブル信号及びサーボ信号などを検出するのに適切な信号（光電変換信号）を生成するための複数の受光素子（又は受光領域）を含んで構成されている。

前記フォーカシングアクチュエータＡＣは、対物レンズ６０の光軸方向であるフォーカス方向に対物レンズ６０を微少駆動するためのアクチュエータである。ここでは、便宜上、対象記録層が記録層Ｌ0のときのフォーカス方向に関する対物レンズ６０の最適位置を「第１レンズ位置」といい、対象記録層が記録層Ｌ1のときのフォーカス方向に関する対物レンズ６０の最適位置を「第２レンズ位置」ということとする。なお、対物レンズ６０が第２レンズ位置にあるときには、第１レンズ位置にあるときよりも、対物レンズ６０と光ディスク１５との間隔は狭くなる（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）。

前記トラッキングアクチュエータ（図示省略）は、トラッキング方向に対物レンズ６０を微少駆動するためのアクチュエータである。

ここで、光ディスク１５からの戻り光束について図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を用いて説明する。

対象記録層が記録層Ｌ0のときには、一例として図４（Ａ）に示されるように、対物レンズ６０は前記第１レンズ位置に位置決めされる。これにより、光源ユニット５１から出射された光束は、対物レンズ６０によって記録層Ｌ0に集光される。そして、半透過膜ＭＢ0で反射された光束は信号光として対物レンズ６０に入射する。一方、半透過膜ＭＢ0を透過した光束は前記金属反射膜ＭＢ1で反射され、迷光として対物レンズ６０に入射する。

対象記録層が記録層Ｌ1のときには、一例として図４（Ｂ）に示されるように、対物レンズ６０は前記第２レンズ位置に位置決めされる。これにより、光源ユニット５１から出射された光束は、対物レンズ６０によって記録層Ｌ1に集光される。そして、金属反射膜ＭＢ1で反射された光束は信号光として対物レンズ６０に入射する。一方、半透過膜ＭＢ0で反射された光束は迷光として対物レンズ６０に入射する。

すなわち、対象記録層がいずれの記録層であっても、戻り光束には半透過膜ＭＢ0で反射された光束（以下「第１反射光」ともいう）と金属反射膜ＭＢ1で反射された光束（以下「第２反射光」ともいう）とが含まれることとなる。ここでは、対象記録層が記録層Ｌ0のときには、第１反射光が信号光であり、第２反射光が迷光である。一方、対象記録層が記録層Ｌ1のときには、第２反射光が信号光であり、第１反射光が迷光である。迷光成分は再生信号処理回路２８で各種信号を検出する際にＳ/Ｎ比を低下させる要因となるため、戻り光束に含まれる信号光成分と迷光成分とを抽出する必要がある。

ここで、偏光光学系７０の構成について説明する。本実施形態では、一例として図３に示されるように、集光光学素子としてのレンズ６１、２つの１／２波長板（６２ａ、６２ｂ）、及び２つの偏光光学素子（６４ａ、６４ｂ）を備えている。

レンズ６１は、偏光ビームスプリッタ５４の−Ｚ側に配置され、偏光ビームスプリッタ５４で反射された戻り光束を集光する。ところで、半透過膜ＭＢ0と金属反射膜ＭＢ1とは、フォーカス方向に関して互いに離れているために、レンズ６１を透過した第１反射光束の集光位置と第２反射光束の集光位置とは一致せずに、レンズ６１の光軸方向に関して互いに離れることとなる。

本実施形態では、一例として図４（Ｂ）に示されるように、対象の記録層が記録層Ｌ１のときに、記録層Ｌ１で反射した光が信号光となり、対物レンズ６０との距離に関して、対象の記録層Ｌ１よりも近い位置にある記録層Ｌ０で反射した光が迷光になる。このとき、偏光光学系７０では、図５（Ａ）に示されるように、レンズ６１を透過した迷光は、第１反射光束となり集光位置ｆ _＋１ に集光する。また、信号光は第２反射光束となり集光位置ｆ _０ に集光する。また、一例として図４（Ａ）に示されるように、対象の記録層が記録層Ｌ０のときに、記録層Ｌ０で反射した光が信号光となり、対物レンズ６０との距離に関して、対象の記録層Ｌ０よりも遠い位置にある記録層Ｌ１で反射した光が迷光になる。このとき、偏光光学系７０では、図５（Ｂ）に示されるように、レンズ６１を透過した信号光は、第１反射光束となり集光位置ｆ_０ に集光する。また、迷光は第２反射光束となり集光位置ｆ _−１ に集光する。さらに、以下では、レンズ６１の光軸の＋Ｘ側を領域１、−Ｘ側を領域２ともいう。

第１の変更光学素子としての前記１／２波長板６２ａは、レンズ６１の−Ｚ側であって、レンズ６１と集光位置ｆ₊₁との間に配置されている（図５（Ａ）参照）。この１／２波長板６２ａは、一例として図６（Ａ）に示されるように、Ｙ軸方向に延びる分割線６２３によって２つの領域（６２１、６２２）に分割されている。ここでは、分割線６２３の＋Ｘ側を領域６２１、分割線６２３の−Ｘ側を領域６２２とする。領域６２１は入射光束をそのまま透過させ、領域６２２は入射光束に１／２波長の光学的位相差を与える。なお、対物レンズ６０がトラッキング方向にシフトすると、１／２波長板６２ａに入射する戻り光束は、トラッキング方向に対応する方向（ここではＹ軸方向）にシフトする。

第１の分離素子としての前記偏光光学素子６４ａは、集光位置ｆ₊₁と集光位置ｆ₀との間に配置されている（図５（Ａ）参照）。この偏光光学素子６４ａは、一例として図７（Ａ）に示されるように、Ｙ軸方向に延びる分割線６４３によって２つの領域（６４１、６４２）に分割されている。ここでは、分割線６４３の＋Ｘ側を領域６４１、分割線６４３の−Ｘ側を領域６４２とする。領域６４１はＳ偏光を透過させ、Ｐ偏光を反射あるいは吸収する。領域６４２はＰ偏光を透過させ、Ｓ偏光を反射あるいは吸収する。なお、対物レンズ６０がトラッキング方向にシフトすると、偏光光学素子６４ａに入射する戻り光束は、トラッキング方向に対応する方向にシフトする。

第２の分離素子としての前記偏光光学素子６４ｂは、集光位置ｆ₀と集光位置ｆ_-1との間に配置されている（図５（Ｂ）参照）。この偏光光学素子６４ａは、一例として図７（Ｂ）に示されるように、Ｙ軸方向に延びる分割線６４７によって２つの領域（６４５、６４６）に分割されている。ここでは、分割線６４７の＋Ｘ側を領域６４５、分割線６４７の−Ｘ側を領域６４６とする。領域６４５はＰ偏光を透過させ、Ｓ偏光を反射あるいは吸収する。領域６４６はＳ偏光を透過させ、Ｐ偏光を反射あるいは吸収する。なお、対物レンズ６０がトラッキング方向にシフトすると、偏光光学素子６４ｂに入射する戻り光束は、トラッキング方向に対応する方向にシフトする。

第２の変更光学素子としての前記１／２波長板６２ｂは、偏光光学素子６４ｂと検出レンズ５８との間に配置されている（図５（Ｂ）参照）。この１／２波長板６２ｂは、一例として図６（Ｂ）に示されるように、Ｙ軸方向に延びる分割線６２７によって２つの領域（６２５、６２６）に分割されている。ここでは、分割線６２７の＋Ｘ側を領域６２５、分割線６２７の−Ｘ側を領域６２６とする。領域６２５は入射光束に１／２波長の光学的位相差を与え、領域６２６は入射光束を透過させる。この場合も、対物レンズ６０がトラッキング方向にシフトすると、１／２波長板６２ｂに入射する戻り光束は、トラッキング方向に対応する方向にシフトする。

１／２波長板６２ａ、６２ｂとしては、ツイストネマティック型液晶、サブ波長格子、及びフォトニック結晶などを用いることができる。

上記のように構成される光ピックアップ装置２３の作用を図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図８を用いて説明する。ここでは、便宜上、レンズ６１の光軸方向に関して、レンズ６１と１／２波長板６２ａとの間の光路をＡ、１／２波長板６２ａと集光位置ｆ₊₁との間の光路をＢ、集光位置ｆ₊₁と偏光光学素子６４ａとの間の光路をＣ、偏光光学素子６４ａと集光位置ｆ₀との間の光路をＤ、集光位置ｆ₀と偏光光学素子６４ｂとの間の光路をＥ、偏光光学素子６４ｂと１／２波長板６２ｂとの間の光路をＦ、１／２波長板６２ｂと検出レンズ５８との間の光路をＧとする。

光源ユニット５１から出射された直線偏光（ここではＰ偏光）の光束は、カップリングレンズ５２で略平行光となり、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。この光束の大部分は偏光ビームスプリッタ５４をそのまま透過し、１／４波長板５５で円偏光とされ、対物レンズ６０を介して光ディスク１５の対象記録層に微小スポットとして集光される。光ディスク１５からの反射光（信号光＋迷光）は、往路とは反対回りの円偏光となり、戻り光束として対物レンズ６０で再び略平行光とされ、１／４波長板５５で往路と直交した直線偏光（ここではＳ偏光）とされる。そして、この戻り光束は偏光ビームスプリッタ５４に入射する。偏光ビームスプリッタ５４で−Ｚ方向に反射された戻り光束は、レンズ６１で集光される。

《対象記録層がＬ０の場合》
レンズ６１を透過した戻り光束は、１／２波長板６２ａに入射する。レンズ６１と１／２波長板６２ａとの間の光路Ａでは、信号光及び迷光はいずれもＳ偏光である。１／２波長板６２ａでは、領域６２１に入射した光束はそのまま透過し、領域６２２に入射した光束は１／２波長の光学的位相差が与えられる。これにより、光路Ｂの領域１では、信号光及び迷光はいずれもＳ偏光であり、光路Ｂの領域２では、信号光及び迷光はいずれもＰ偏光となる。また、光路Ｃの領域１では、信号光及び迷光はいずれもＳ偏光のままであり、光路Ｃの領域２では、信号光及び迷光はいずれもＰ偏光のままである。

１／２波長板６２ａを透過した戻り光束は、偏光光学素子６４ａに入射する。領域６４１に入射した信号光及び迷光はいずれもＳ偏光であるため、それぞれ領域６４１を透過する。領域６４２に入射した信号光及び迷光はいずれもＰ偏光であるため、それぞれ領域６４２を透過する。そこで、光路Ｄの領域１では、信号光及び迷光はいずれもＳ偏光のままであり、光路Ｄの領域２では、信号光及び迷光はいずれもＰ偏光のままである。そして、光路Ｅの領域１では、迷光はＳ偏光のままであるが、信号光はＰ偏光となる。また、光路Ｅの領域２では、迷光はＰ偏光のままであるが、信号光はＳ偏光となる。

偏光光学素子６４ａを透過した戻り光束は、偏光光学素子６４ｂに入射する。領域６４５に入射した迷光はＳ偏光であるため、領域６４５で反射あるいは吸収される。領域６４５に入射した信号光はＰ偏光であるため、領域６４５を透過する。領域６４６に入射した迷光はＰ偏光であるため、領域６４６で反射あるいは吸収される。領域６４６に入射した信号光はＳ偏光であるため、領域６４６を透過する。そこで、光路Ｆの領域１では、戻り光束はＰ偏光の信号光のみとなり、光路Ｆの領域２では、戻り光束はＳ偏光の信号光のみとなる。これにより、光路Ｆにおける光束は信号光のみとなる。すなわち、戻り光束に含まれる信号光と迷光がそれぞれ抽出される。

偏光光学素子６４ｂを透過した戻り光束は、１／２波長板６２ｂに入射する。１／２波長板６２ｂでは、領域６２５に入射した光束は１／２波長の光学的位相差が与えられ、領域６２６に入射した光束はそのまま透過する。これにより、光路Ｇの領域１では、信号光はＳ偏光となり、光路Ｇの領域２では、信号光はＳ偏光のままである。

《対象記録層がＬ１の場合》
レンズ６１を透過した戻り光束は、１／２波長板６２ａに入射する。レンズ６１と１／２波長板６２ａとの間の光路Ａでは、信号光及び迷光はいずれもＳ偏光である。１／２波長板６２ａでは、領域６２１に入射した光束はそのまま透過し、領域６２２に入射した光束は１／２波長の光学的位相差が与えられる。これにより、光路Ｂの領域１では、信号光及び迷光はいずれもＳ偏光であり、光路Ｂの領域２では、信号光及び迷光はいずれもＰ偏光となる。また、光路Ｃの領域１では、信号光はＳ偏光のままであるが、迷光はＰ偏光となる。光路Ｃの領域２では、信号光はＰ偏光のままであるが、迷光はＳ偏光となる。

１／２波長板６２ａを透過した戻り光束は、偏光光学素子６４ａに入射する。領域６４１に入射した信号光はＳ偏光であるため領域６４２を透過するが、領域６４１に入射した迷光はＰ偏光であるため、領域６４１で反射あるいは吸収される。領域６４２に入射した信号光はＰ偏光であるため領域６４２を透過するが、領域６４２に入射した迷光はＳ偏光であるため、領域６４２で反射あるいは吸収される。そこで、光路Ｄの領域１では、戻り光束はＳ偏光の信号光のみとなり、光路Ｄの領域２では、戻り光束はＰ偏光の信号光のみとなる。これにより、光路Ｄにおける光束は信号光のみとなる。すなわち、戻り光束に含まれる信号光と迷光がそれぞれ抽出される。

光路Ｅの領域１では、信号光はＰ偏光となる。また、光路Ｅの領域２では、信号光はＳ偏光となる。

偏光光学素子６４ａを透過した戻り光束は、偏光光学素子６４ｂに入射する。領域６４５に入射した信号光はＰ偏光であるため、領域６４５を透過する。領域６４６に入射した信号光はＳ偏光であるため、領域６４６を透過する。

偏光光学素子６４ｂを透過した戻り光束は、１／２波長板６２ｂに入射する。１／２波長板６２ｂでは、領域６２５に入射した光束は１／２波長の光学的位相差が与えられ、領域６２６に入射した光束はそのまま透過する。これにより、光路Ｇの領域１では、信号光はＳ偏光となり、光路Ｇの領域２では、信号光はＳ偏光のままである。

１／２波長板６２ｂを透過した戻り光束は、検出レンズ５８を介して受光器ＰＤで受光される。受光器ＰＤでは受光素子（又は受光領域）毎に光電変換され、各光電変換信号はそれぞれ再生信号処理回路２８に出力される。ここでは、戻り光束に含まれる信号光のみが受光器ＰＤで受光されるため、Ｓ／Ｎ比の高い光電変換信号が出力されることとなる。

図１に戻り、前記再生信号処理回路２８は、前記受光器ＰＤの出力信号（複数の光電変換信号）に基づいて、サーボ信号（フォーカスエラー信号やトラックエラー信号など）、アドレス情報、同期情報及びＲＦ信号などを取得する。ここでは、受光器ＰＤからＳ／Ｎ比の高い光電変換信号が出力されるため、サーボ信号、アドレス情報、同期情報及びＲＦ信号などを精度良く取得することができる。例えば、図９（Ａ）に示されるように、フォーカスエラー信号のリニア部が従来（例えば図１０（Ａ）参照）よりも長くなり、位置ずれ量を精度良く検出することができる。なお、図９（Ａ）及び図１０（Ａ）の縦軸は規格化されており、例えば、受光器がトラッキング方向に対応する方向の分割線によって２つの受光領域に分割され、各受光領域の出力信号をＳａ、Ｓｂとすると、図９（Ａ）及び図１０（Ａ）の縦軸は（Ｓａ−Ｓｂ）／（Ｓａ＋Ｓｂ）である。また、一例として図９（Ｂ）に示されるように、ＲＦ信号が含まれる和信号（複数の光電変換信号を加算した信号）についても、従来（例えば図１０（Ｂ）参照）よりも安定しているため、ＲＦ信号を精度良く取得することができる。なお、図９（Ｂ）及び図１０（Ｂ）の縦軸は正規化されており、和信号の最大値を１としている。また、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、中間層ＭＬの厚さが約９μｍであり、対物レンズのＮＡが約０．６５、レーザ光の波長が約６６０ｎｍのときのデータである。

ここで得られたサーボ信号は前記駆動制御回路２６に出力され、アドレス情報はＣＰＵ４０に出力され、同期信号はエンコーダ２５や駆動制御回路２６などに出力される。さらに、再生信号処理回路２８は、ＲＦ信号に対して復号処理及び誤り検出処理などを行い、誤りが検出されたときには誤り訂正処理を行った後、再生データとして前記バッファマネージャ３７を介して前記バッファＲＡＭ３４に格納する。また、再生データに含まれるアドレス情報はＣＰＵ４０に出力される。

前記駆動制御回路２６は、再生信号処理回路２８からのトラックエラー信号に基づいて、トラッキング方向に関する対物レンズ６０の位置ずれを補正するための前記トラッキングアクチュエータの駆動信号を生成する。また、駆動制御回路２６は、再生信号処理回路２８からのフォーカスエラー信号に基づいて、対物レンズ６０のフォーカスずれを補正するための前記フォーカシングアクチュエータＡＣの駆動信号を生成する。ここで生成された各アクチュエータの駆動信号は光ピックアップ装置２３に出力される。これにより、トラッキング制御及びフォーカス制御が行われる。さらに、駆動制御回路２６は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、シークモータ２１を駆動するための駆動信号、及びスピンドルモータ２２を駆動するための駆動信号を生成する。各モータの駆動信号は、それぞれシークモータ２１及びスピンドルモータ２２に出力される。

前記バッファＲＡＭ３４には、光ディスク１５に記録するデータ（記録用データ）、及び光ディスク１５から再生したデータ（再生データ）などが一時的に格納される。このバッファＲＡＭ３４へのデータの入出力は、前記バッファマネージャ３７によって管理されている。

前記エンコーダ２５は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、バッファＲＡＭ３４に蓄積されている記録用データをバッファマネージャ３７を介して取り出し、データの変調及びエラー訂正コードの付加などを行ない、光ディスク１５への書き込み信号を生成する。ここで生成された書き込み信号はレーザ制御回路２４に出力される。

前記レーザ制御回路２４は、前記半導体レーザＬＤの発光パワーを制御する。例えば記録の際には、前記書き込み信号、記録条件、及び半導体レーザＬＤの発光特性などに基づいて、半導体レーザＬＤの駆動信号がレーザ制御回路２４にて生成される。

前記インターフェース３８は、上位装置９０（例えば、パソコン）との双方向の通信インターフェースであり、ＡＴＡＰＩ（AT Attachment Packet Interface）、ＳＣＳＩ（Small Computer System Interface）及びＵＳＢ（Universal Serial Bus）などの標準インターフェースに準拠している。

前記フラッシュメモリ３９には、ＣＰＵ４０にて解読可能なコードで記述された各種プログラム、記録パワーや記録ストラテジ情報を含む記録条件、及び半導体レーザＬＤの発光特性などが格納されている。

前記ＣＰＵ４０は、フラッシュメモリ３９に格納されている上記プログラムに従って前記各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータなどをＲＡＭ４１及びバッファＲＡＭ３４に保存する。

次に、上位装置９０からアクセス要求があったときの、光ディスク装置２０における処理について図１１を用いて簡単に説明する。図１１のフローチャートは、ＣＰＵ４０によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。

上位装置９０から記録要求コマンド又は再生要求コマンド（以下、「要求コマンド」と総称する）を受信すると、図１１のフローチャートに対応するプログラムの先頭アドレスがＣＰＵ４０のプログラムカウンタにセットされ、処理がスタートする。

最初のステップ４０１では、所定の線速度（又は角速度）で光ディスク１５が回転するように駆動制御回路２６に指示するとともに、上位装置９０から要求コマンドを受信した旨を再生信号処理回路２８に通知する。

次のステップ４０３では、要求コマンドから指定アドレスを抽出し、その指定アドレスから、対象記録層が記録層Ｌ0であるか記録層Ｌ1であるかを特定する。

次のステップ４０５では、特定された対象記録層に関する情報を駆動制御回路２６などに通知する。

次のステップ４０９では、指定アドレスに対応する目標位置近傍に光スポットが形成されるように、駆動制御回路２６に指示する。これにより、シーク動作が行なわれる。なお、シーク動作が不要であれば、ここでの処理はスキップされる。

次のステップ４１１では、要求コマンドに応じて記録又は再生を許可する。

次のステップ４１３では、記録又は再生が完了したか否かを判断する。完了していなければ、ここでの判断は否定され、所定時間経過後に再度判断する。完了していれば、ここでの判断は肯定され、処理を終了する。

以上の説明から明らかなように、本実施形態に係る光ディスク装置２０では、再生信号処理回路２８と、ＣＰＵ４０及び該ＣＰＵ４０によって実行されるプログラムとによって、処理装置が構成されている。なお、ＣＰＵ４０によるプログラムに従う処理の少なくとも一部をハードウェアによって構成することとしても良いし、あるいは全てをハードウェアによって構成することとしても良い。

以上説明したように、本実施形態に係る光ピックアップ装置２３によると、光源ユニット５１から出射された直線偏光（ここではＰ偏光）の光束は、カップリングレンズ５２、偏光ビームスプリッタ５４、１／４波長板５５、及び対物レンズ６０を介して光ディスク１５の対象記録層に微小スポットとして集光される。光ディスク１５からの戻り光束（信号光＋迷光）は、往路と直交した直線偏光（ここではＳ偏光）となって偏光ビームスプリッタ５４に入射する。偏光ビームスプリッタ５４で−Ｚ方向に反射された戻り光束は、レンズ６１（集光光学素子）で収束光となり、１／２波長板６２ａ（第１の変更光学素子）に入射する。１／２波長板６２ａでは、領域６２１に入射した光束を透過させ、領域６２２に入射した光束に１／２波長の光学的位相差を与える。１／２波長板６２ａを透過した戻り光束は、偏光光学素子６４ａ（第１の分離素子）の領域６４１でＳ偏光が透過し、領域６４２でＰ偏光が透過する。偏光光学素子６４ａを透過した戻り光束は、偏光光学素子６４ｂ（第２の分離素子）の領域６４５でＰ偏光が透過し、領域６４６でＳ偏光が透過する。偏光光学素子６４ｂを透過した戻り光束は、１／２波長板６２ｂ（第２の変更光学素子）に入射する。１／２波長板６２ｂでは、領域６２５に入射した光束に１／２波長の光学的位相差を与え、領域６２６に入射した光束を透過させる。これにより、１／２波長板６２ｂを透過した戻り光束は、信号光のみとなる。すなわち、戻り光束に含まれる信号光と迷光がそれぞれ抽出される。そして、１／２波長板６２ｂを透過した戻り光束は、検出レンズ５８を介して受光器ＰＤで受光される。この場合には、戻り光束に含まれる信号光のみが受光器ＰＤで受光されるため、Ｓ／Ｎ比の高い光電変換信号が出力されることとなる。従って、複数の記録層を有する光ディスクから所望の信号を精度良く取得することが可能となる。

また、本実施形態によると、各１／２波長板及び各偏光光学素子の分割線がトラッキング方向に対応する方向と一致しているため、対物レンズ６０がトラッキング方向にシフトしても、信号光と迷光とを精度良く分離することができる。

また、本実施形態に係る光ディスク装置２０によると、Ｓ／Ｎ比の高いサーボ信号及びＲＦ信号が光ピックアップ装置２３から出力されるため、複数の記録層を有する光ディスクへのアクセスを精度良く安定して行うことが可能となる。

なお、上記実施形態では、偏光光学素子６４ｂでは、領域６４５はＰ偏光を透過させ、Ｓ偏光を反射あるいは吸収し、領域６４６はＳ偏光を透過させ、Ｐ偏光を反射あるいは吸収する場合について説明したが、反対に、領域６４５がＳ偏光を透過させ、Ｐ偏光を反射あるいは吸収し、領域６４６がＰ偏光を透過させ、Ｓ偏光を反射あるいは吸収しても良い。この場合には、受光器ＰＤで受光される光束はＰ偏光となる。

また、上記実施形態において、各１／２波長板及び各偏光光学素子の特性が領域１と領域２とで上記説明と逆であっても良い。要するに、信号光の偏光状態と迷光の偏光状態とが互いに異なる偏光状態となるように、信号光及び迷光の少なくともいずれかの偏光状態を変更し、信号光と迷光とが抽出できれば良い。

また、上記実施形態において、一例として図１２に示されるように、偏光光学素子６４ａと偏光光学素子６４ｂを、屈折率が１を超える透明部材ＴＢを介して一体化しても良い。これにより、製造時に分割線６４３と分割線６４７とを容易に対向させることができる。そして、各偏光光学素子の位置決めが容易となる。すなわち、組み立て工程及び調整工程を簡略化することが可能となる。なお、この場合には、各偏光光学素子は、透明部材ＴＢ上に形成する必要があるため、形成が容易なサブ波長格子やフォトニック結晶を用いるのが好ましい。

また、上記実施形態において、一例として図１３に示されるように、各偏光光学素子を、屈折率が１を超える透明部材ＴＢを介して一体化するとともに、集光位置ｆ₊₁と偏光光学素子６４ａとの間及び偏光光学素子６４ｂと集光位置ｆ_-1との間にも透明部材ＴＢを配置しても良い。これにより、集光位置ｆ₊₁と集光位置ｆ₀との間隔、及び集光位置ｆ₀と集光位置ｆ_-1との間隔がいずれも上記実施形態の場合よりも長くなり、各偏光光学素子に入射する戻り光束のビーム径が拡大する。そこで、例えば、光ディスク１５の中間層ＭＬの厚さが薄い場合であっても、各偏光光学素子における分割線の位置合わせ精度の許容誤差を大きくすることができる。すなわち、組み立て工程及び調整工程を簡略化することが可能となる。なお、一例として透明部材ＴＢの屈折率が１．４６の場合についての、ビーム径と中間層ＭＬの厚さとの関係が図１４に示されている。

また、上記実施形態において、一例として図１５に示されるように、屈折率が１を超える透明部材ＴＢを介して各１／２波長板と各偏光光学素子とを一体化しても良い。これにより、位置決めが容易となり、組み立て工程及び調整工程を簡略化することが可能となる。

また、上記実施形態において、各１／２波長板及び各偏光光学素子が、それぞれ個別のプリズム上に形成されていても良い。そして、一例として図１６に示されるように、各プリズムを一体化しても良い。これにより、それぞれの位置決めが容易となり、組み立て工程及び調整工程を簡略化することが可能となる。この場合には、例えば誘電体多層膜を用いて各１／２波長板及び各偏光光学素子をプリズム上に形成することができる。

また、上記実施形態において、一例として図１７に示されるように、各偏光光学素子がそれぞれ傾斜しても良い。これにより、各偏光光学素子を透過した戻り光束に非点収差を付与することができ、フォーカスエラー検出に非点収差法を用いる場合には、非点収差を付与するためのレンズ（例えばシリンドリカルレンズ）が不要となる。すなわち、部品点数を削減することが可能となる。この場合に、一例として図１８に示されるように、更に各偏光光学素子を透明部材ＴＢを介して一体化しても良い。これにより、位置決めが容易となり、更に組み立て工程及び調整工程を簡略化することが可能となる。

また、上記実施形態では、対物レンズが無限系であるものとして説明したが、これに限らず、有限系であっても良い。この場合であっても、上記実施形態と同じ構成で信号光を効率良く抽出することができる。

また、上記実施形態では、情報の記録及び再生が可能な光ディスク装置について説明したが、これに限らず、情報の記録、再生及び消去のうち、少なくとも情報の再生が可能な光ディスク装置であれば良い。

また、上記実施形態では、光ディスクが２つの記録層を有する場合について説明したが、これに限らず、３つ以上の記録層を有していてもよい。この場合に、対象記録層よりも対物レンズ６０から遠い位置にある記録層による迷光の集光点の中で、最も対象の記録層に近い記録層で反射した迷光の集光点をｆ ₊₁ とすると、対物レンズ６０から遠い位置にあり、かつ対象の記録層から遠い記録層で反射した戻り光は、最も対象の記録層に近い記録層で反射した迷光と同様に偏光状態が変わるため、領域６４１、あるいは領域６４２で反射あるいは吸収される。同様に、対象記録層よりも対物レンズ６０から近い位置にある記録層による迷光の集光点の中で、最も対象の記録層に近い記録層で反射した迷光の集光点をｆ _-1 とすると、対物レンズ６０から近い位置にあり、かつ対象の記録層から遠い記録層で反射した戻り光は、最も対象の記録層に近い記録層で反射した迷光と同様に偏光状態が変わるため、領域６４１、あるいは領域６４２で反射あるいは吸収される。例えば対象記録層が２つの記録層に挟まれていると、戻り光束には、信号光の集光位置よりも手前で集光する迷光と、信号光の集光位置よりも遠方で集光する迷光とが含まれることとなる。この場合であっても、信号光を抽出することができる。また、上記実施形態では、光ディスクがＤＶＤ系の場合について説明したが、これに限らず、光ディスクがＣＤ系、及び波長が４０５ｎｍの光束に対応した次世代の情報記録媒体であっても良い。

また、上記実施形態では、光ピックアップ装置が１つの半導体レーザを備える場合について説明したが、これに限らず、例えば互いに異なる波長の光束を発光する複数の半導体レーザを備えていても良い。この場合に、例えば波長が約４０５ｎｍの光束を発光する半導体レーザ、波長が約６６０ｎｍの光束を発光する半導体レーザ及び波長が約７８０ｎｍの光束を発光する半導体レーザの少なくとも１つを含んでいても良い。すなわち、光ディスク装置が互いに異なる規格に準拠した複数種類の光ディスクに対応する光ディスク装置であっても良い。この場合に、少なくともいずれかの光ディスクが複数の記録層を有する光ディスクであっても良い。

以上説明したように、本発明の抽出光学系によれば、信号光成分と迷光成分とが混在する光束から信号光成分を効率良く抽出するのに適している。本発明の光ピックアップ装置によれば、複数の記録層を有する光ディスクから所望の信号を精度良く取得するのに適している。また、本発明の光ディスク装置によれば、複数の記録層を有する光ディスクへのアクセスを精度良く安定して行うのに適している。

本発明の一実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図１における光ディスクの構造を説明するための図である。 図１における光ピックアップ装置を説明するための図である。 図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、それぞれ信号光及び迷光を説明するための図である。 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、それぞれ図３における偏光光学系の作用を説明するための図である。 図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、それぞれ図３における１／４波長板６２を説明するための図である。 図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、それぞれ図３における１／４波長板６３を説明するための図である。 図３における偏光光学系の作用を説明するための図である。 図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、それぞれ図１における再生信号処理回路で取得されるフォーカスエラー信号及び和信号を説明するための図である。 図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、それぞれ従来取得されていたフォーカスエラー信号及び和信号を説明するための図である。 上位装置からアクセス要求を受信したときの光ディスク装置での処理を説明するためのフローチャートである。 図３における偏光光学系の変形例１を説明するための図である。 図３における偏光光学系の変形例２を説明するための図である。 図１３の偏光光学系におけるビーム径と光ディスクの中間層の厚さとの関係を説明するための図である。 図３における偏光光学系の変形例３を説明するための図である。 図３における偏光光学系の変形例４を説明するための図である。 図３における偏光光学系の変形例５を説明するための図である。 図３における偏光光学系の変形例６を説明するための図である。

符号の説明

１５…光ディスク、２０…光ディスク装置、２３…光ピックアップ装置、２８…再生信号処理回路（処理装置の一部）、４０…ＣＰＵ（処理装置の一部）、５２…カップリングレンズ（光学系の一部）、５４…偏光ビームスプリッタ（光学系の一部）、５５…１／４波長板（光学系の一部）、５８…集光レンズ（光学系の一部）、６０…対物レンズ、６１…レンズ（集光光学素子）、６２ａ…１／２波長板（第１の変更光学素子）、６２３…分割線、６２ｂ…１／２波長板（第２の変更光学素子）、６２７…分割線、６４ａ…偏光光学素子（第１の分離素子）、６４３…分割線、６４ｂ…偏光光学素子（第２の分離素子）、６４７…分割線、７０…偏光光学系（抽出光学系）、Ｌ0…記録層（複数の記録層の一部）、Ｌ1…記録層（複数の記録層の一部）、ＬＤ…半導体レーザ（光源）、ＰＤ…受光器（光検出器）、ＴＢ…透明部材。

Claims (11)

1. 信号光成分と迷光成分とが混在する光束から前記信号光成分を抽出する抽出光学系であって、
   前記光束の光路上に配置され、前記光束を集光する集光光学素子と；
   前記集光光学素子と、前記集光光学素子で集光された前記信号光成分の第１の集光位置よりも前記集光光学素子側にある前記迷光成分であって最も第１の集光位置に対して遠い位置に集光する迷光成分の第２の集光位置と、の間に配置され、その光軸に直交する分割線の一側にある領域に入射した光束の偏光方向を９０°変更する第１の変更光学素子と；
   前記集光光学素子で集光された前記信号光成分の第１の集光位置よりも前記集光光学素子側にある前記迷光成分であって、最も第１の集光位置に対して近い位置に集光する迷光成分の第３の集光位置と、前記第１の集光位置との間に配置され、前記第１の集光位置よりも前記集光光学素子側に集光する迷光成分を反射あるいは吸収する第１の分離素子と；
   前記第１の集光位置と、前記第１の集光位置よりも前記集光光学素子から遠い位置に集光する迷光成分であって最も第１の集光位置に対して近い位置に集光する迷光成分の第４の集光位置と、の間に配置され、前記第１の分離素子を透過した迷光成分を反射あるいは吸収する第２の分離素子と；
   前記第１の集光位置よりも前記集光光学素子から遠い位置に集光する迷光成分であって最も第１の集光位置に対して遠い位置に集光する迷光成分の第５の集光位置よりも前記集光光学素子の光軸方向に関して前記集光光学素子から離れた位置に配置され、その光軸に直交する分割線の前記一側と反対の他側にある領域に入射した光束の偏光方向を９０°変更する第２の変更光学素子と；を備える抽出光学系。
2. 前記第１の変更光学素子は、前記一側にある領域に入射した光束に１／２波長の光学的位相差を付与し、
   前記第２の変更光学素子は、前記他側にある領域に入射した光束に１／２波長の光学的位相差を付与することを特徴とする請求項１に記載の抽出光学系。
3. 前記第１の分離素子と前記第２の分離素子は、屈折率が１よりも大きな透明部材を介して一体化されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の抽出光学系。
4. 前記第２の集光位置と前記第５の集光位置との間に配置された屈折率が１よりも大きな透明部材を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の抽出光学系。
5. 前記第１の変更光学素子と、前記第１の分離素子と、前記第２の分離素子と、前記第２の変更光学素子とは、屈折率が１よりも大きな透明部材をそれぞれ介して一体化されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の抽出光学系。
6. 前記第１の分離素子及び前記第２の分離素子のそれぞれは、前記集光光学素子の光軸に対して傾斜していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の抽出光学系。
7. 前記第１の変更光学素子は第１のプリズムの斜面上に設けられ、前記第１の分離素子は第２のプリズムの斜面上に設けられ、前記第２の分離素子は第３のプリズムの斜面上に設けられ、前記第２の変更光学素子は第４のプリズムの斜面上に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の抽出光学系。
8. 前記第１〜第４のプリズムは、それぞれ一体化されていることを特徴とする請求項７に記載の抽出光学系。
9. 複数の記録層を有する光ディスクに光束を照射し、前記光ディスクからの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、
   光源と；
   前記光源から出射された光束を前記複数の記録層のうちアクセス対象の記録層に集光する対物レンズと、前記光ディスクで反射され前記対物レンズを介した戻り光束の光路上に配置され、前記アクセス対象の記録層で反射された反射光を信号光とし、前記複数の記録層のうち前記アクセス対象の記録層以外の記録層で反射された反射光を迷光とし、前記戻り光束から前記信号光を抽出する請求項１〜８のいずれか一項に記載の抽出光学系と、を含む光学系と；
   前記抽出光学系で抽出された前記信号光を受光し、受光量に応じた信号を生成する光検出器と；を備える光ピックアップ装置。
10. 前記抽出光学系を構成する、第１の変更光学素子及び第２の変更光学素子における分割線は、それぞれトラッキング方向に対応する方向に延びていることを特徴とする請求項９に記載の光ピックアップ装置。
11. 複数の記録層を有する光ディスクに対して、情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも再生が可能な光ディスク装置であって、
    請求項９又は１０に記載の光ピックアップ装置と；
    前記光ピックアップ装置を構成する光検出器の出力信号を用いて、前記光ディスクに記録されている情報の再生を行なう処理装置と；を備える光ディスク装置。