JP4847513B2 - Breaking method for brittle material substrate - Google Patents
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Description
本発明は、ガラス、半導体ウエハ、セラミックス等の脆性材料基板を分断するために用いる脆性材料基板のブレイク方法に関するものである。 The present invention relates to a method for breaking a brittle material substrate used for dividing a brittle material substrate such as glass, a semiconductor wafer, and ceramics.
図1はガラス板1に対しガラスカッターホイール2を用いてスクライブするときの状態を示している。このスクライブにより、ガラス板1の表面にスクライブラインSが形成される。図中、円の領域における拡大断面を下図に示している。Bがこのスクライブにより形成された垂直方向のクラックの深さを示している。
FIG. 1 shows a state in which a
図2は一般に用いられている従来のブレイク装置の概略を示している。このブレイク装置では、裏面にスクライブラインSが形成されたガラス板1をマットMを挟んでテーブル3上にセットする。ガラス板1の上方には、ブレイクバー4が位置している。このブレイクバー4は棒状の金属材料4aの下面に断面がV字状をなす硬質ゴム4bが接合されたものであり、図示しない駆動機構によってガラス板1に対して平行に保持され、且つ上下動自在にされている。そしてブレイクバー4の硬質ゴム4bの下端部をガラス板1を介してスクライブラインSに合致するようにしてガラス板1の上方から押圧する。こうすればガラス板1はマットM上でわずかに撓むことにより、垂直方向のクラックがガラス板表面まで到達して、スクライブラインSに沿ってガラス板1が分断される。
FIG. 2 shows an outline of a conventional break device generally used. In this breaking apparatus, a
図3は特許文献1に開示された他のブレイク法を示している。2分したテーブル3a,3bは互いにギャップを隔てて設置される。ガラス板1は、上表面に形成したスクライブラインSがギャップ部に位置するように両テーブル3a,3bにまたがって吸引固定されている。そして、一方のテーブル3aを下方のギャップと平行な回転中心軸Oに沿って矢印方向にわずかに回転させることで、ガラス板1を撓ませて分断する。両テーブル3a,3bを同時に回転させることでガラス板1を分断することもできる。又一方のテーブル3aを回転させると同時に、テーブル3bから離すことにより、切断面に損傷が起こらないように分断することもできる。
しかるに前述の図1の下図に示したように、スクライブラインの深さは一様でなく、Da,Dbのごとく、深い個所が存在する。このDa,Dbに対応するスクライブ個所をSa,Sbで示している。このガラス板1を上記の手法で分断するとき、ガラス板1に対して一様な分断力が加わったとしても、ガラス板1の分断が一様に進行するのではなく、Sa,Sbで示した個所で先にガラス板の分断が完了する。即ちこの位置でガラス板1の下面まで垂直クラックが到達し、その後は、Sa,Sbの個所を起点としてスクライブ方向にガラス板1の分断が進行する。
However, as shown in the lower diagram of FIG. 1 described above, the depth of the scribe line is not uniform, and there are deep portions such as Da and Db. The scribe locations corresponding to Da and Db are indicated by Sa and Sb. When the
従って従来の分断方法では、スクライブラインの複数の個所が起点となってガラス板1の分断が進行するため、その結果、分断面は屏風状になったり湾曲することがあって、商品価値が低下するという欠点があった。
Therefore, in the conventional dividing method, since the
またスクライブ時の発塵を防止できることから、レーザビームを用いたレーザスクライブも検討されている。レーザスクライブでは、ガラス板にレーザビームを照射しつつ移動し、これに追随して冷媒によるスポット冷却を行う。こうしてガラス板の熱歪みを利用することにより、ガラス板に細いスクライブラインを形成する。このスクライブラインは細く目に見えないため、このスクライブ法はブラインドスクライブとも呼ばれる。しかるにブラインドスクライブされたガラス板に対して、従来のブレイク装置にて分断を行う場合、ブラインドスクライブの結果生じたクラックの深さが浅いため大きな分断力が必要となる。そのため装置が大きくなったり、完全に分断できないといった問題があった。 Laser scribing using a laser beam has also been studied because dust generation during scribing can be prevented. In laser scribing, a glass plate is moved while being irradiated with a laser beam, and spot cooling with a coolant is performed following this movement. Thus, a thin scribe line is formed on the glass plate by utilizing the thermal strain of the glass plate. Since this scribe line is thin and invisible, this scribe method is also called blind scribe. However, when a glass plate that has been blind scribed is divided by a conventional break device, a large breaking force is required because the depth of the crack generated as a result of the blind scribe is shallow. For this reason, there is a problem that the apparatus becomes large or cannot be completely divided.
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたものであって、種々の形状の脆性材料基板に対して基板に加える分断力を小さくでき、一様な分断面が得られる脆性材料基板のブレイク方法を実現することを目的とする。 The present invention has been made in view of such conventional problems, and is a brittle material that can reduce the breaking force applied to the substrate of various shapes of the brittle material substrate and obtain a uniform sectional surface. It aims at realizing the breaking method of a board | substrate.
本発明による脆性材料基板のブレイク方法は、2枚の脆性材料基板を貼り合わせたマザー貼合基板を分断し、これより小形状の貼合基板を複数枚得る脆性材料基板のブレイク方法であって、前記マザー貼合基板の一方の基板表面の所定位置に第1のスクライブ装置を用いてスクライブラインS1を形成する工程(1)と、前記マザー貼合基板の他方の基板表面であって、前記スクライブラインS1と同一方向に第2のスクライブ装置を用いてスクライブラインS2を形成する工程(2)と、両面にスクライブラインS1、S2が形成された前記マザー貼合基板を前記スクライブラインS1,S2を境としてブレイク装置の2つのテーブルに固定し、前記2つのテーブルのうちの一方を第1の回動軸を中心に回動させると共に、前記2つのテーブルのうちの他方を、前記マザー貼合基板の厚み方向において前記マザー貼合基板を挟んで前記第1の回動軸と反対側に位置する第2の回動軸を中心に回動させることにより、前記スクライブラインS1、S2に引張応力又は剪断応力を印加し、前記マザー貼合基板を複数枚に分断する工程(3)と、を有し、前記第1,第2の回動軸は前記マザー貼合基板の面から見てスクライブラインS1,S2に対して夫々−α、+αの開き角を有することを特徴とするものである。 The method for breaking a brittle material substrate according to the present invention is a method for breaking a brittle material substrate by dividing a mother bonded substrate obtained by bonding two brittle material substrates and obtaining a plurality of smaller bonded substrates. A step (1) of forming a scribe line S1 using a first scribe device at a predetermined position on one substrate surface of the mother bonded substrate, and the other substrate surface of the mother bonded substrate, The step (2) of forming the scribe line S2 using the second scribe device in the same direction as the scribe line S1, and the mother bonding substrate on which the scribe lines S1, S2 are formed on both sides are referred to as the scribe lines S1, S2. Is fixed to the two tables of the breaking device, and one of the two tables is rotated about the first rotation axis, and the two tables are rotated. Rotating the other of the first and second rotation shafts on the opposite side of the first rotation shaft across the mother bonding substrate in the thickness direction of the mother bonding substrate. The step (3) of applying tensile stress or shear stress to the scribe lines S1, S2 and dividing the mother bonded substrate into a plurality of sheets , wherein the first and second rotating shafts are It has an opening angle of −α and + α with respect to the scribe lines S1 and S2 when viewed from the surface of the mother bonded substrate .
ここで、前記工程(1)と前記工程(2)の間に、前記マザー貼合基板のスクライブ面を反転させる反転装置を設けてもよい。 Here, you may provide the inversion apparatus which inverts the scribe surface of the said mother bonding board | substrate between the said process (1) and the said process (2).
本発明による脆性材料基板のブレイク方法は、スクライブラインが未形成の第1の脆性材料基板とスクライブラインS2が予め形成された第2の脆性材料基板とを貼り合わせたマザー貼合基板を分断し、これより小形状の貼合基板を複数枚得る脆性材料基板のブレイク方法であって、前記第1の脆性材料基板の表面であって、前記スクライブラインS2と同一方向にスクライブ装置を用いてスクライブラインS1を形成する工程(1)と、両面にスクライブラインS1、S2が形成された前記マザー貼合基板を前記スクライブラインS1,S2を境としてブレイク装置の2つのテーブルに固定し、前記2つのテーブルのうちの一方を第1の回動軸を中心に回動させると共に、前記2つのテーブルのうちの他方を、前記マザー貼合基板の厚み方向において前記マザー貼合基板を挟んで前記第1の回動軸と反対側に位置する第2の回動軸を中心に回動させることにより、前記スクライブラインS1、S2に引張応力又は剪断応力を印加し、前記マザー貼合基板を複数枚に分断する工程(2)と、を有し、前記第1,第2の回動軸は前記マザー貼合基板の面から見てスクライブラインS1,S2に対して夫々−α、+αの開き角を有することを特徴とするものである。 The method for breaking a brittle material substrate according to the present invention divides a mother bonded substrate obtained by bonding a first brittle material substrate in which a scribe line is not formed and a second brittle material substrate in which a scribe line S2 is formed in advance. A brittle material substrate breaking method for obtaining a plurality of bonded substrates having a smaller shape than the above, which is a surface of the first brittle material substrate and is scribed using a scribe device in the same direction as the scribe line S2. The step (1) of forming the line S1, and the mother bonded substrate having the scribe lines S1 and S2 formed on both sides thereof are fixed to the two tables of the breaking device with the scribe lines S1 and S2 as a boundary. One of the tables is rotated about the first rotation axis, and the other of the two tables is rotated on the mother bonding substrate. In this case, tensile stress or shear stress is applied to the scribe lines S1 and S2 by rotating around the second rotating shaft located on the opposite side of the first rotating shaft across the mother bonding substrate. Applying and dividing the mother bonding substrate into a plurality of sheets (2), and the first and second rotating shafts are scribe lines S1 and S2 as viewed from the surface of the mother bonding substrate. In contrast, it has an opening angle of -α and + α , respectively.
本発明による脆性材料基板のブレイク方法は、スクライブラインが未形成の第1の脆性材料基板と第2の脆性材料基板とを貼り合わせたマザー貼合基板を分断し、これより小形状の貼合基板を複数枚得る脆性材料基板のブレイク方法であって、前記第1及び第2の脆性材料基板の表面であって、両面スクライブ装置を用いてスクライブラインS1、S2を同時に形成する工程(1)と、両面にスクライブラインS1、S2が形成された前記マザー貼合基板を前記スクライブラインS1,S2を境としてブレイク装置の2つのテーブルに固定し、前記2つのテーブルのうちの一方を第1の回動軸を中心に回動させると共に、前記2つのテーブルのうちの他方を、前記マザー貼合基板の厚み方向において前記マザー貼合基板を挟んで前記第1の回動軸と反対側に位置する第2の回動軸を中心に回動させることにより、前記スクライブラインS1、S2に引張応力又は剪断応力を印加し、前記マザー貼合基板を複数枚に分断する工程(2)と、を有し、前記第1,第2の回動軸は前記マザー貼合基板の面から見てスクライブラインS1,S2に対して夫々−α、+αの開き角を有することを特徴とするものである。 In the method for breaking a brittle material substrate according to the present invention, a mother bonded substrate in which a first brittle material substrate and a second brittle material substrate in which a scribe line is not formed is divided, and a smaller size is bonded thereto. A method of breaking a brittle material substrate for obtaining a plurality of substrates, the step of simultaneously forming scribe lines S1 and S2 on the surfaces of the first and second brittle material substrates using a double-sided scribing device (1) And the mother bonded substrate having the scribe lines S1 and S2 formed on both sides thereof is fixed to the two tables of the breaking device with the scribe lines S1 and S2 as a boundary, and one of the two tables is fixed to the first table. While rotating around the rotation axis, the other of the two tables is moved in the thickness direction of the mother bonding substrate with the mother bonding substrate sandwiched between the first rotation. A step of applying tensile stress or shear stress to the scribe lines S1 and S2 by turning about a second turning shaft located on the opposite side of the shaft, and dividing the mother bonding substrate into a plurality of pieces. (2), and the first and second rotating shafts have an opening angle of −α and + α with respect to the scribe lines S1 and S2, respectively, when viewed from the surface of the mother bonded substrate. It is a feature.
ここで、前記工程(1)の両面スクライブ装置は、前記マザー貼合基板を固定し、前記第1及び第2の脆性材料基板の表面に対して超硬合金製又はダイヤモンド製のホイールカッタを用いてスクライブしてもよい。 Here, the double-sided scribing device of the step (1) uses the wheel cutter made of cemented carbide or diamond on the surface of the first and second brittle material substrates to fix the mother bonded substrate. You may scribe.
ここで、前記工程(1)の両面スクライブ装置は、前記マザー貼合基板を固定し、前記第1及び第2の脆性材料基板の表面に対してレーザビームによる加熱と冷媒による局部冷却とを行うことによりブラインドスクライブしてもよい。 Here, the double-sided scribing device in the step (1) fixes the mother bonded substrate, and performs heating with a laser beam and local cooling with a coolant on the surfaces of the first and second brittle material substrates. You may do a blind scribe.
以上説明したように本願の脆性材料基板のブレイク方法によれば、スクライブ済みの基板に対し、基板の分断時にスクライブ線の一端に分断力が作用する機構としたため、基板の分断状態はその一端側から他端側へと順に進展してゆくようになり、基板が分断された端面をきれいにできる。又作用させる分断力は、従来のブレイク法に比べて格段に小さくなり、ブレイク装置本体を小型化することができる。 As described above, according to the break method of the brittle material substrate of the present application, since the dividing force is applied to one end of the scribe line when the substrate is divided, the substrate is divided at one end side. It progresses in order from the other side to the other end side, and the end face where the substrate is divided can be cleaned. Further, the breaking force to be applied is much smaller than that of the conventional break method, and the break device body can be downsized.
また本願の脆性材料基板のブレイク方法によれば、1枚の液晶マザーガラス基板から、複数枚の液晶ガラス基板に分断する工程において、基板を反転させることなく一回の工程で液晶マザーガラス基板の両面を分断することができる。このため基板分断のための反転工程が削減される。 Moreover, according to the breaking method of the brittle material substrate of the present application, in the step of dividing one liquid crystal mother glass substrate into a plurality of liquid crystal glass substrates, the liquid crystal mother glass substrate is formed in one step without inverting the substrate. Both sides can be divided. For this reason, the inversion process for board | substrate parting is reduced.
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1におけるブレイク方法について、図面を参照しつつ説明する。図4は実施の形態1におけるブレイク方法に用いるブレイク装置10の全体構成を示す外観斜視図である。このブレイク装置10は片傾動分断機と呼ぶ。分断の対象となる基板Gは、ガラス板等の脆性材料基板である。
(Embodiment 1)
The breaking method in
ここで説明の都合上、空間座標(x,y,z)を用い、ブレイク装置10の設置床面と平行なテーブル基準面を(x,y,z0 )とし、設置床面と鉛直な方向をz軸とし、基板Gの分断方向(ブレイク方向)をy軸とする。ブレイク装置10は−x軸方向にスライド可能なスライドテーブル11と、y軸と平行な回転軸を中心に傾動可能であり、且つx軸方向にスライド調整可能な傾動テーブル12を有している。
Here, for convenience of explanation, spatial coordinates (x, y, z) are used, a table reference plane parallel to the installation floor surface of the
図5はブレイク装置10の左側ユニット10Aと右側ユニット10Bとが分離された状態を示す斜視図である。ブレイク装置10全体が図4のベース17に取り付けられるものとすると、左側ユニット10Aは図4に示したような基板Gにおいて、スクライブラインSより左側(−x軸方向)に設置される機構部を指し、右側ユニット10Bは基板GのスクライブラインSより右側(+x軸方向)に設置される機構部を指す。
FIG. 5 is a perspective view showing a state in which the left unit 10A and the right unit 10B of the breaking
また切断すべき基板Gを載置して保持するために、第1の製品テーブル13がスライドテーブル11に固定され、第2の製品テーブル14が傾動テーブル12に固定されている。また第1の製品テーブル13の上部に第1の製品クランプユニット15が取り付けられ、第2の製品テーブル14の上部に第2の製品クランプユニット16が取り付けられる。基板GのスクライブラインSをy軸と平行にし、スクライブラインSを中心に基板の−x軸側(左側)の領域を基板左部GLと呼び、+x軸側(右側)の領域を基板右部GRと呼ぶ。第1の製品クランプユニット15は基板左部GLの右端部を強固に押圧して基板を固定し、第2の製品クランプユニット16は基板右部GRの左端部を強固に押圧して基板を固定するものである。
Further, in order to place and hold the substrate G to be cut, the first product table 13 is fixed to the slide table 11, and the second product table 14 is fixed to the tilting table 12. A first
左側ユニット10Aにはスライド機構11aが設けられる。スライド機構11aはスライドテーブル11を−x軸方向に付勢するもので、付勢力を与える弾性部材、例えばエアシリンダ、バネ等が設けられる。これに加えてスライド機構11aにはスライド範囲を規制するストッパーや、スライド速度を規制するダンパ等が設けられる(図示せず)。 The left unit 10A is provided with a slide mechanism 11a. The slide mechanism 11a biases the slide table 11 in the -x-axis direction, and is provided with an elastic member that applies a biasing force, such as an air cylinder or a spring. In addition, the slide mechanism 11a is provided with a stopper for regulating the slide range, a damper for regulating the slide speed, and the like (not shown).
右側ユニット10Bは支柱である一対の水平保持ブロック上部18と一対の水平保持ブロック下部19とにより保持される。水平保持ブロック下部19はベース17に固定され、水平保持ブロック上部18は傾動テーブル12を回動自在に保持する。水平保持ブロック上部18と水平保持ブロック下部19との間に図示しないスライドユニットが設けられ、水平保持ブロック上部18がx軸方向にスライド調整できるようになっている。そして+y軸側、及び−y軸側の水平保持ブロック上部18には傾動軸18aが設けられ、傾動テーブル12、第2の製品テーブル14、及び第2の製品クランプユニット16が傾動軸18aを回動軸として傾斜可能なように保持されている。傾動軸18aは例えば水平ブロック上部18に軸受ハウジングを設け、このハウジングに圧入されたボールベアリングで保持される。ここで水平保持ブロック上部18及び傾動軸18aを傾動機構という。
The
第1の製品クランプユニット15は、基板左部GLを固定し、基板のスクライブラインに剪断応力及び曲げ応力を集中させるものである。第1の製品クランプユニット15には、基板GのスクライブラインS付近を押圧する第1のクランプバー15aが設けられている。この第1のクランプバー15aの先端は第1の製品テーブル13の右側エッジに位置し、z軸方向に微動可能である。同様に第2の製品クランプユニット16は、基板右部GRを固定し、基板のスクライブラインに剪断応力及び曲げ応力を集中させるものである。第2の製品クランプユニット16には、基板GのスクライブラインS付近を押圧する第2のクランプバー16aが設けられている。第2のクランプバー16aの先端は第2の製品テーブル14の左側エッジに位置し、z軸方向に微動可能である。
The first
図6は第1,第2の製品テーブル13,14との位置関係を示す平面図である。第1のクランプバー15aを含む第1の製品クランプユニット15の主軸は角度−αだけ+y軸側が開くように傾斜して取り付けられている。また第2のクランプバー16aを含む第2の製品クランプユニット16の主軸も角度+αだけ+y軸側が開くように傾斜して取り付けられている。このため製品テーブル13,14の間にギャップが形成される。
FIG. 6 is a plan view showing the positional relationship with the first and second product tables 13 and 14. The main shaft of the first
図6に示すように第1の製品テーブル13は、回動軸13aを中心にCCW方向に微小角だけ(x,y)平面内でスライドテーブル11上で回動調整できる。第2の製品テーブル14も、回動軸14aを中心にCW方向に微小角だけ(x,y)平面内で傾動テーブル12上で回動調整できる。第1の製品テーブル13の4隅には、回動軸13aから見て接線方向に長径となるねじ孔13b〜13eが設けられている。同様に、第2の製品テーブル14の4隅には、回動軸14aから見て接線方向に長径となるねじ孔14b〜14eが設けられている。従って回動軸13aを中心に第1の製品テーブル13を角度−αだけ回動させ、その位置でねじ孔13b〜13eのボルトをスライドテーブル11に締め付ける。こうすれば第1の製品テーブル13は第1のクランプバー15aと共に、図6の2点鎖線で示す位置から実線で示す位置に固定できる。第2の製品テーブル14についても同様である。このような角度調整により、第1のクランプバー15aと第2のクランプバー16aの開口角を2αに設定できる。 As shown in FIG. 6, the first product table 13 can be rotationally adjusted on the slide table 11 within a (x, y) plane by a small angle in the CCW direction around the rotational axis 13a. The second product table 14 can also be rotationally adjusted on the tilting table 12 within the (x, y) plane by a minute angle in the CW direction around the rotational axis 14a. At the four corners of the first product table 13, screw holes 13b to 13e having a long diameter in the tangential direction when viewed from the rotation shaft 13a are provided. Similarly, screw holes 14b to 14e having a long diameter in the tangential direction when viewed from the rotation shaft 14a are provided at the four corners of the second product table 14. Accordingly, the first product table 13 is rotated by an angle −α around the rotation shaft 13a, and the bolts of the screw holes 13b to 13e are tightened to the slide table 11 at the position. In this way, the first product table 13 can be fixed together with the first clamp bar 15a from the position indicated by the two-dot chain line in FIG. 6 to the position indicated by the solid line. The same applies to the second product table 14. By such an angle adjustment, the opening angle of the first clamp bar 15a and the second clamp bar 16a can be set to 2α.
基板Gの保持方法として、真空吸着、その他の手段により製品テーブルに固定することができる。基板がガラスであり、その表面に樹脂が成膜されている場合は、静電吸着によっても固定することができる。 As a method for holding the substrate G, it can be fixed to the product table by vacuum suction or other means. When the substrate is made of glass and a resin film is formed on the surface thereof, it can be fixed also by electrostatic adsorption.
傾動テーブル12の傾動機構について説明する。図4及び図5に示すように、水平保持ブロック上部18の傾動軸18aは、これを回転軸として水平保持ブロック下部19を除く右側ユニット10B全体をCW方向又はCCW方向に回動可能にする。図7は傾動軸18aの取り付け位置を示すブレイク装置の要部断面図である。傾動機構を介して傾動テーブル12を回動させるために、回動制御部20が設けられる。回動制御部20はモータの回転力又は流体シリンダを用いて傾動テーブル12を所定角だけ回動するものであってもよく、アームやリンクを介して手動で傾動テーブル12を回動するものであってもよい。また傾動テーブル12は回動を開始するのと同時に+x方向に移動するようになっている。
A tilt mechanism of the tilt table 12 will be described. As shown in FIGS. 4 and 5, the tilting shaft 18 a of the horizontal holding block
ブレイク装置の初期設定で、第1の製品テーブル13と第2の製品テーブル14とが、1枚の基板Gに対して同一の載置面を持つよう位置決めされているとする。傾動軸18aは、テーブルに載置された基板Gの上面及び下面から見て、中央の位置にくるよう高さが調整される。 It is assumed that the first product table 13 and the second product table 14 are positioned so as to have the same placement surface with respect to one substrate G in the initial setting of the breaking device. The height of the tilting shaft 18a is adjusted so that the tilting shaft 18a comes to the center when viewed from the upper and lower surfaces of the substrate G placed on the table.
基板Gの厚みを2d0 とする。第1の製品テーブル13の載置面は(x,y,−d0 )となり、傾動軸18aの位置は(0,y,0)となる。傾動軸18aの位置は基板Gの厚みや材料に応じて調整可能である。また第1の製品テーブル13の右エッジと、第2の製品テーブル14の左エッジとの間隙を2gとすると、第1のクランプバー15aの基板Gに対する押圧位置と、第2のクランプバー16aの基板Gに対する押圧位置との間隙は図7に示す程度とし、最も接近する部分の押圧位置の間隔は2gと同程度が望ましい。尚、傾動軸18aは基板Gのスクライブラインと平行で、基板の厚み範囲内に位置することが望ましい。 The thickness of the substrate G and 2d 0. The mounting surface of the first product table 13 is (x, y, −d 0 ), and the position of the tilt shaft 18a is (0, y, 0). The position of the tilt shaft 18a can be adjusted according to the thickness and material of the substrate G. If the gap between the right edge of the first product table 13 and the left edge of the second product table 14 is 2 g, the pressing position of the first clamp bar 15a against the substrate G and the second clamp bar 16a The gap between the pressing position with respect to the substrate G is set to the extent shown in FIG. 7, and the interval between the pressing positions of the closest portions is preferably about the same as 2 g. The tilting axis 18a is preferably parallel to the scribe line of the substrate G and positioned within the thickness range of the substrate.
次にこのような機構を持つブレイク装置の動作について説明する。基板Gは液晶パネルに用いられる合わせガラス基板とし、図8(a)に示すように各種の電極が内側に形成された上基板G1(厚み0.7mm)及び下基板G2(厚み0.7mm)と、これらの間隙(0.1mm)に液晶セルが封入されたものとする。この場合の基板の厚み2d0 は1.50mmとなる。また図8(a)に示すように上基板G1の上面、及び下基板G2の下面には夫々スクライブラインS1、S2が(x,y)平面から見て同一位置に予め形成されている。スクライブラインS1、S2の形成方法は従来例と同一であり、剪断応力又は引張応力が高い部分がガラス基板のブレイクポイントとなる。 Next, the operation of the break device having such a mechanism will be described. The substrate G is a laminated glass substrate used for a liquid crystal panel. As shown in FIG. 8A, an upper substrate G1 (thickness 0.7 mm) and a lower substrate G2 (thickness 0.7 mm) on which various electrodes are formed. It is assumed that the liquid crystal cell is sealed in the gap (0.1 mm). In this case, the thickness 2d 0 of the substrate is 1.50 mm. As shown in FIG. 8A, scribe lines S1 and S2 are formed in advance on the upper surface of the upper substrate G1 and the lower surface of the lower substrate G2, respectively, at the same position when viewed from the (x, y) plane. The method of forming the scribe lines S1 and S2 is the same as that of the conventional example, and a portion having a high shear stress or tensile stress is a break point of the glass substrate.
図9はスクライブラインSを中心とするブレイク装置の部分拡大断面図である。また図10は2点鎖線で示すスクライブラインSを中心とするブレイク装置の要部平面図である。ここでは基板Gの分断後の位置を実線を用いて示している。傾動軸18aの位置(x,y,z)を(0,y,0)とする。図10に示すように分割後の基板左部GLにおいて、図8のスクライブラインS2の+y軸側の終点をPLとし、−y軸側の終点をQLとする。また基板左部GLが第1の製品テーブル13の右エッジと接するラインの+y軸側の終点をPL’とし、−y軸側の終点をQL’とする。また分割後の基板右部GRにおいて、スクライブラインS2の+y軸側の終点をPRとし、−y軸側の終点をQRとする。また基板右部GRが第2の製品テーブル14の左エッジと接するラインの+y軸側の終点をPR’とし、−y軸側の終点をQR’とする。なお、基板Gが分割切断される前では、PRはPLと一致し、QRはQLと一致する。 FIG. 9 is a partially enlarged cross-sectional view of the breaking device with the scribe line S as the center. FIG. 10 is a plan view of an essential part of the breaking device centered on the scribe line S indicated by a two-dot chain line. Here, the position after the division of the substrate G is shown using a solid line. The position (x, y, z) of the tilt axis 18a is assumed to be (0, y, 0). As shown in FIG. 10, in the divided substrate left part GL, the end point on the + y-axis side of the scribe line S2 in FIG. 8 is PL, and the end point on the −y-axis side is QL. Further, the end point on the + y axis side of the line in which the substrate left portion GL is in contact with the right edge of the first product table 13 is PL ′, and the end point on the −y axis side is QL ′. In the divided substrate right part GR, the end point on the + y axis side of the scribe line S2 is set as PR, and the end point on the −y axis side is set as QR. The end point on the + y-axis side of the line where the substrate right portion GR is in contact with the left edge of the second product table 14 is PR ′, and the end point on the −y-axis side is QR ′. Before the substrate G is divided and cut, PR coincides with PL and QR coincides with QL.
図9(a)に示すように第2の製品テーブル14をCCW方向に角度θだけ傾斜させると、点PR' の位置は(x1 ,y1 ,z1 )から(x2 ,y2 ,z2 )に移動する。ここで各座標値は以下のようになる。
x1 =g2
y1 =y1
z1 =−d0
x2=d0 sin θ+g2 cos θ
y2=y1
z2=d0 (1−cos θ)+g2 sin θ−d0
When the second product table 14 is tilted in the CCW direction by an angle θ as shown in FIG. 9A, the position of the point PR ′ is changed from (x 1 , y 1 , z 1 ) to (x 2 , y 2 , Move to z 2 ). Here, each coordinate value is as follows.
x 1 = g 2
y 1 = y 1
z 1 = −d 0
x 2 = d 0 sin θ + g 2 cos θ
y 2 = y 1
z 2 = d 0 (1−cos θ) + g 2 sin θ−d 0
第2のクランプバー16aの押圧力により、基板右部GRの点PR’(x2 ,y2 ,z2 )の部分が第2の製品テーブル14に対する不動点になるとすると、基板右部GRの点PRに位置するブレイク部分に対して前記の不動点PR’から剪断力と引張力が働く。 If the portion of the point PR ′ (x 2 , y 2 , z 2 ) of the substrate right part GR becomes a fixed point with respect to the second product table 14 due to the pressing force of the second clamp bar 16a, A shearing force and a tensile force are applied to the break portion located at the point PR from the fixed point PR ′.
このような剪断力と引張力は図9(b)の点QRにも同様に働く。しかし点PR' から見たスクライブラインS2の位置と、点QR' から見たスクライブラインS2の位置とは図9及び図10に示すように異なり、−y軸の方(手前)が+y軸の方(向かい側)に比較して剪断応力と引張応力とが大きくなる。これはガラス素材のヤング率が両者の部分で同一であっても、回転移動しない基板左部GLに対する基板右部GRの片端支持の先端部は、図9(a)の場合より図9(b)の方が短い。このため、図9(b)に示す片端支持の先端部の方が図9(a)の場合より剪断応力が緩和されにくくなる。このため点QR,QLがブレイクポイントとなり、下基板G2が分断される。次に第2の製品テーブル14をCW方向に傾動させると、CCW方向の傾動の場合と同様に上基板G1のスクライブラインS1に剪断応力と引張応力が加わり、上基板G1が分断される。基板Gの分断時にはスライド機構11aにより基板左部GLに対して−x軸方向の付勢力が作用し、また傾動テーブル12が回動を開始すると同時に+x方向に移動すると共に、基板左部GLの分断面である右エッジ部が−x軸方向に後退し、基板右部GRの左エッジ部と接触しなくなる。このためガラス基板の分断面に傷が付かず、滑らかな分断面が得られる。 Such a shearing force and a tensile force are similarly applied to the point QR in FIG. 9B. However, the position of the scribe line S2 viewed from the point PR ′ and the position of the scribe line S2 viewed from the point QR ′ are different as shown in FIG. 9 and FIG. 10, and the −y axis is closer to the + y axis. Compared to the other side (opposite side), the shear stress and the tensile stress are increased. Even if the Young's modulus of the glass material is the same in both portions, the tip end portion of the one end support of the substrate right portion GR with respect to the substrate left portion GL that does not rotate and move is shown in FIG. ) Is shorter. For this reason, the shear stress is less likely to be relaxed at the tip of the one-end support shown in FIG. 9B than in the case of FIG. Therefore, the points QR and QL become break points, and the lower substrate G2 is divided. Next, when the second product table 14 is tilted in the CW direction, as in the case of tilting in the CCW direction, shear stress and tensile stress are applied to the scribe line S1 of the upper substrate G1, and the upper substrate G1 is divided. When the substrate G is divided, an urging force in the −x-axis direction is applied to the substrate left portion GL by the slide mechanism 11a, and at the same time the tilting table 12 starts to rotate, the slide table 11a moves in the + x direction. The right edge portion, which is a divided section, retreats in the −x-axis direction and does not contact the left edge portion of the substrate right portion GR. For this reason, the dividing surface of a glass substrate is not damaged, and a smooth dividing surface is obtained.
基板Gの分断後、点PRの位置は(x3 ,y3 ,z3 )から(x4 ,y4 ,z4 )に移動する。ここで各座標値は次のようになる。
x3 =0
y3 =y3
z3 =−d0
x4 =d0 sin θ
y4 =y3
z4 =d0 (1−cos θ)−d0
この場合の水平移動量x4 −x3 を計算すると、θ=3°の場合、0.039mmとなる。
After dividing the substrate G, the position of the point PR moves from (x 3 , y 3 , z 3 ) to (x 4 , y 4 , z 4 ). Here, each coordinate value is as follows.
x 3 = 0
y 3 = y 3
z 3 = −d 0
x 4 = d 0 sin θ
y 4 = y 3
z 4 = d 0 (1-cos θ) −d 0
When the horizontal movement amount x 4 −x 3 in this case is calculated, it becomes 0.039 mm when θ = 3 °.
図8(b)は基板右部GRがCCW方向に回動し、図8(c)は基板右部GRがCW方向に回動する場合の基板変形のプロフィールと、切断面の後退の様子を示している。 FIG. 8B shows the substrate deformation profile when the substrate right portion GR rotates in the CCW direction, and FIG. 8C shows the substrate deformation profile when the substrate right portion GR rotates in the CW direction. Show.
スクライブラインSで左右に分割された基板は、第1のクランプバー15a、第2のクランプバー16aを基板Gから解除することにより、基板GR、GLを製品テーブルから外すことができる。x軸方向に帯状となる1枚の基板を多数個に分割する場合、基板Gの所定箇所にスクライブラインを夫々設ける。そして基板Gをx方向に所定ピッチだけ搬送し、製品クランプユニットをセットし、その都度傾動テーブル12を傾斜させる。このような操作を繰り返すことにより、1枚のマザー基板から複数枚の基板を製造することができる。 The substrates divided into the left and right by the scribe line S can be removed from the product table by releasing the first clamp bar 15a and the second clamp bar 16a from the substrate G. In the case where a single substrate having a strip shape in the x-axis direction is divided into a large number, a scribe line is provided at a predetermined position of the substrate G. Then, the substrate G is conveyed by a predetermined pitch in the x direction, the product clamp unit is set, and the tilting table 12 is tilted each time. By repeating such an operation, a plurality of substrates can be manufactured from one mother substrate.
次に本実施の形態におけるブレイク方法に用いるブレイク装置30について、図面を参照しつつ説明する。図11は、ブレイク装置30の全体構成を示す外観斜視図である。このブレイク装置30は両傾動分断機と呼ぶ。ここでも説明の都合上、ブレイク装置30の設置床面と平行なテーブル基準面を(x,y)とし、設置床面と垂直な方向をz軸とし、基板のブレイク方向をy軸とする。このブレイク装置30はy軸と平行な回転軸を持ち、傾動可能な第1,第2の傾動テーブル31,32を有している。
Next, the breaking
図12はブレイク装置30の左側ユニット30Aと右側ユニット30Bとが分離した状態を示す斜視図である。ブレイク装置30全体は保持ブロック38,39を介して図11に示すベース37に取り付けられる。第1の製品テーブル33は第1の傾動テーブル31に固定され、第2の製品テーブル34は第2の傾動テーブル32に固定される。またブレイク装置10と同様に、第1の製品テーブル33の上部に第1の製品クランプユニット35が取り付けられ、第2の製品テーブル34の上部に第2の製品クランプユニット36が取り付けられる。これらのクランプユニットの機能もブレイク装置10と同様であるので、機構の説明を省略する。
FIG. 12 is a perspective view showing a state in which the left unit 30A and the right unit 30B of the breaking
第1の傾動テーブル31、第1の製品テーブル33、及び第1の製品クランプユニット35は、支柱である第1の保持ブロック38に保持される。第2の傾動テーブル32、第2の製品テーブル34、及び第2の製品クランプユニット36は、支柱である第2の保持ブロック39に保持される。図11に示すように、第2の保持ブロック39の支柱間隔は、第1の保持ブロック38の支柱間隔より広く、正規の位置(動作位置)に左側ユニット30Aと右側ユニット30Bとがベース37に取り付けられたとき、全ての支柱が概ねy軸上に揃う位置にある。
The 1st tilting table 31, the 1st product table 33, and the 1st
第1の保持ブロック38の傾動軸を38aとし、第2の保持ブロック39の傾動軸39aとすると、図13に示すように傾動軸38aと傾動軸39aとはブレイク装置の基準位置(x0 ,y,z0 )から見てz軸方向に略対称でスクライブラインS1、S2近傍の位置とする。尚、基準位置(x0 ,y,z0 )はブレイク装置10と同様に、基板GのスクライブラインS1、S2の中間位置(0,y,0)とする。基板Gの厚みの中心位置をz=0とした場合、傾動軸38aのz軸上の位置d1 は、0mm≦d1 ≦20mmであることが望ましく、傾動軸39aの位置−d2 は、−20mm≦−d2 ≦0mmであることが望ましい。
Assuming that the tilting axis of the
第1のクランプバー35aと第2のクランプバー36aの取り付け位置はブレイク装置10の場合と同一である。第1の保持アーム38bは第1の傾動軸38aを中心に回動自在となり、第1の傾動テーブル31を任意の角度で保持する。ここで第1の保持アーム38b及び第1の傾動軸38aを第1の傾動機構という。同様に第2の保持アーム39bは第2の傾動軸39aを中心に回動自在となり、第2の傾動テーブル32を任意の角度で保持する。第2の保持アーム39b及び第2の傾動軸39aを第2の傾動機構という。
The attachment positions of the first clamp bar 35a and the second clamp bar 36a are the same as those of the
回動制御部40はモータの回転力又は流体シリンダを用いて第1の傾動テーブル31及び第2の傾動テーブル32を所定角だけ回動するものであってもよく、アームやリンクを介して手動で傾動テーブル12を回動するものであってもよい。第1の保持アーム38b及び第2の保持アーム39bは回動制御部40の初期設定により、基板Gの切断前には第1の傾動テーブル31と第2の傾動テーブル32を(x,y)面に平行、即ち水平に保持する。
The
ここでも第1のクランプバー35aを含む第1の製品クランプユニット35の主軸は角度−αだけ+y軸側が開くように傾斜して取り付けられ、第2のクランプバー36aを含む第2の製品クランプユニット36の主軸も角度+αだけ+y軸側が開くように傾斜して取り付けられる。
Again, the main axis of the first
基板Gの厚みを2d0 とし、ここでも例として液晶パネルに用いられる合わせガラス基板を切断する場合を考える。第1の製品テーブル33の載置面を(x,y,−d0 )とすると、傾動軸38aの位置は図13に示すように(0,y,+d1 )となる。この位置も基板の厚みや材料に応じて調整可能である。傾動軸39aの位置は(0,y,−d2 )となる。この位置も調整可能である。尚、傾動軸38a,39aは基板の中心位置から対称な位置、即ちd1 =d2 であることが好ましい。 Let us consider a case where the thickness of the substrate G is 2d0 and a laminated glass substrate used in a liquid crystal panel is cut here as an example. If the mounting surface of the first product table 33 is (x, y, −d 0 ), the position of the tilting shaft 38a is (0, y, + d 1 ) as shown in FIG. This position can also be adjusted according to the thickness and material of the substrate. Position of the tilting axis 39a becomes (0, y, -d 2) . This position can also be adjusted. The tilt axes 38a and 39a are preferably symmetric from the center position of the substrate, that is, d 1 = d 2 .
また第1の製品テーブル33の右エッジと、第2の製品テーブル34の左エッジとの間隙を2gとすると、第1のクランプバー35aの基板Gに対する押圧位置と、第2のクランプバー36aの基板Gに対する押圧位置とは図13に示すように各エッジに近接させ、最も接近する部分の押圧位置の間隔は2gと同程度が好ましい。 If the gap between the right edge of the first product table 33 and the left edge of the second product table 34 is 2 g, the pressing position of the first clamp bar 35a against the substrate G and the second clamp bar 36a The pressing position with respect to the substrate G is preferably close to each edge as shown in FIG. 13, and the distance between the pressing positions of the closest portions is preferably about 2 g.
このような機構を持つブレイク装置30の動作について説明する。図14はスクライブラインSを中心とするブレイク装置の部分拡大断面図である。またスクライブラインSを中心とするブレイク装置の要部平面図として図10を用いる。前述したように第1の傾動軸38aの位置は(0,y,+d1 )となり、第2の傾動軸39aの位置は(0,y,−d2 )となる。
The operation of the
図14(a)は図10のPR点及びPL点付近の断面図である。ここでは第1の製品テーブル33と第2の製品テーブル34のエッジ間隔は2g2 である。図14(b)は図10のQR点及びQL点付近の断面図である。ここでは第1の製品テーブル33と第2の製品テーブル34のエッジ間隔は2g1 (g1 <g2 )である。図14に示すように最初に第2の製品テーブル34をCW方向に角度θだけ傾斜させ、次に第1の製品テーブル33をCW方向に角度θだけ傾斜させるものとする。ブレイク装置10と同様にして基板右部GRの第2の製品テーブル34に対する押圧点をPR' とする。この点PR’は基板GをスクライブラインSに沿って分断するとき、剪断応力を与える力点として考えることができる。
FIG. 14A is a cross-sectional view near the PR point and the PL point in FIG. Here, the edge interval between the first product table 33 and the second product table 34 is 2 g 2 . FIG. 14B is a cross-sectional view around the QR point and the QL point in FIG. Here, the edge interval between the first product table 33 and the second product table 34 is 2 g 1 (g 1 <g 2 ). As shown in FIG. 14, first, the second product table 34 is tilted in the CW direction by an angle θ, and then the first product table 33 is tilted in the CW direction by an angle θ. Similarly to the
最初に第2の製品テーブル34をCW方向に角度θだけ回動させた場合を考える。PR' の位置は、(x5 ,y5 ,z5 )から(x6 ,y6 ,z6 )に移動する。ここで各座標値は次のようになる。
x5 =g2
y5 =y5
z5 =−d0
x6 =(d2 −d0 )sin θ+g2cos θ
y6 =y5
z6 =−(d2 −d0 )(1−cos θ)−g2sin θ−d0
このように基板右部GRの(x6 ,y6 ,z6 )の部分が第2の製品テーブル34に対する不動点となり、基板右部GRの点PRに位置するブレイク部分に対して前記の不動点から剪断力と引張力が働く。
First, consider a case where the second product table 34 is rotated by an angle θ in the CW direction. The position of PR ′ moves from (x 5 , y 5 , z 5 ) to (x 6 , y 6 , z 6 ). Here, each coordinate value is as follows.
x 5 = g 2
y 5 = y 5
z 5 = −d 0
x 6 = (d 2 −d 0 ) sin θ + g 2 cos θ
y 6 = y 5
z 6 = − (d 2 −d 0 ) (1−cos θ) −g 2 sin θ−d 0
As described above, the (x 6 , y 6 , z 6 ) portion of the substrate right portion GR becomes a fixed point with respect to the second product table 34, and the fixed portion is fixed with respect to the break portion located at the point PR of the substrate right portion GR. Shear force and tensile force work from the point.
このような剪断力と引張力は図14(b)に示す点QRにも働く。しかし点PR' から見たスクライブラインS2までの距離と、点QR' から見たスクライブラインS2までの距離とは図10に示すように異なり、QRの方がPRに比較して剪断応力と引張応力が大きくなる。これはガラス素材のヤング率が両者の部分で同一であっても、基板左部GLに対する基板右部GRの片端支持の先端部の剪断応力、引張応力、曲げ応力がQRの値より小さくなる。これは、その片端支持の先端長が図14(a)に示すように長いため、弾性変形によって応力が緩和されるからである。このため応力の高い点QRがブレイクポイントとなり、上基板G1が分断される。 Such shearing force and tensile force also act on the point QR shown in FIG. However, the distance from the point PR ′ to the scribe line S2 and the distance from the point QR ′ to the scribe line S2 are different as shown in FIG. Stress increases. Even if the Young's modulus of the glass material is the same in both portions, the shear stress, the tensile stress, and the bending stress at the tip end portion of the one end support of the substrate right portion GR with respect to the substrate left portion GL are smaller than the QR value. This is because the stress is relieved by elastic deformation because the tip length of the one-end support is long as shown in FIG. For this reason, the point QR with high stress becomes a break point, and the upper substrate G1 is divided.
次に第1の製品テーブル33をCW方向に角度θだけ傾動させると、スクライブラインS2に剪断応力と引張応力が加わり、下基板G2が分断される。この場合、前記と同様のことが基板左部GLのPL点及びQL点について生じる。このように両製品テーブルの回動により、スクライブラインSを中心に+x軸方向と、−x軸方向に引張応力が働き、かつ、+z軸方向と、−z軸方向に剪断応力が働くので、基板Gを容易に分断することができる。分断時には基板左部GLと基板右部GRとが互いに離れる。この場合も分断面である右エッジ部は、基板右部GRの左エッジ部と接触しない。このためガラス基板の分断面に傷が付かず、滑らかな分断面が得られる。 Next, when the first product table 33 is tilted in the CW direction by an angle θ, shear stress and tensile stress are applied to the scribe line S2, and the lower substrate G2 is divided. In this case, the same thing as described above occurs at the PL point and the QL point of the substrate left portion GL. By rotating both product tables in this way, tensile stress acts in the + x axis direction and −x axis direction around the scribe line S, and shear stress acts in the + z axis direction and the −z axis direction. The substrate G can be easily divided. At the time of division, the substrate left portion GL and the substrate right portion GR are separated from each other. Also in this case, the right edge portion, which is a divided section, does not contact the left edge portion of the substrate right portion GR. For this reason, the dividing surface of a glass substrate is not damaged, and a smooth dividing surface is obtained.
点PRの水平移動量を計算すると(d0 +d2 )sin θとなり、d2 =5.0mm、d0 =0.75mm、θ=3°の場合は0.300mmとなり、ブレイク装置10における水平移動量0.039mmより遥かに大きな値が得られる。また点PRの鉛直方向の移動量を計算すると、(d0 +d2 )(1−cos θ) になり、上記の数値を代入すると、垂直移動量は0.0079mmとなる。この値はスクライブラインSにおける剪断力に寄与する。 When the amount of horizontal movement of the point PR is calculated, it becomes (d 0 + d 2 ) sin θ, and when d 2 = 5.0 mm, d 0 = 0.75 mm, and θ = 3 °, it becomes 0.300 mm. A value much larger than the moving amount of 0.039 mm is obtained. When the amount of movement of the point PR in the vertical direction is calculated, it becomes (d 0 + d 2 ) (1−cos θ), and when the above numerical value is substituted, the amount of vertical movement is 0.0079 mm. This value contributes to the shearing force in the scribe line S.
スクライブラインSで左右に分割された基板は、第1のクランプバー35a、第2のクランプバー36aの押圧を解除することにより、製品テーブルから外すことができる。尚、第1の傾動テーブル31と第2の傾動テーブル32を交互に同じ角度θだけ傾斜させるとしたが、傾斜角度は各傾動テーブルで異なってもよく、いずれの傾動テーブルを先に傾動させるかは、基板Gの分断特性に影響しない。 The board | substrate divided | segmented right and left by the scribe line S can be removed from a product table by canceling | releasing the press of the 1st clamp bar 35a and the 2nd clamp bar 36a. Although the first tilt table 31 and the second tilt table 32 are alternately tilted by the same angle θ, the tilt angle may be different for each tilt table, and which tilt table is tilted first. Does not affect the dividing characteristics of the substrate G.
以上のようにいずれのブレイク装置によっても、基板Gの手前の端面側が分断の開始点となり、手前から奥へと順に分断が進展してゆく。このブレイク装置では、基板の分断の開始点が1点のため、基板に作用させる力の大きさは、従来のブレイク法と比べると格段に低くできる。また分断端面はきれいに仕上がり、従来技術で述べたような分断端面の不具合は発生しない。またレーザスクライブ装置にてスクライブした基板に対しても同じように分断できる。本実施の形態におけるブレイク装置では、各保持ブロックの取付位置や高さ等を容易に変更でき、製品テーブルの回転量や開き角2αを随意に設定できるため、設計の自由度が高くなる。以上の説明において、液晶パネルに用いられる合わせガラスの基板に形成されているスクライブラインS1,S2が(x,y)平面から見て同一の位置である場合を説明したが、S1とS2の位置は液晶パネルの端子の形成などのために数mm離れていても、本ブレイク装置を用いて不都合がなく分断できる。 As described above, in any of the break devices, the front end face side of the substrate G becomes the starting point of the division, and the division progresses in order from the front to the back. In this break apparatus, since the starting point of dividing the substrate is one point, the magnitude of the force applied to the substrate can be significantly reduced as compared with the conventional break method. Moreover, the cut end face is finished finely, and the defect of the cut end face as described in the prior art does not occur. Moreover, it can cut | disconnect similarly about the board | substrate scribed with the laser scribing apparatus. In the break device in the present embodiment, the mounting position and height of each holding block can be easily changed, and the rotation amount and the opening angle 2α of the product table can be arbitrarily set, so that the degree of freedom in design is increased. In the above description, the case where the scribe lines S1 and S2 formed on the laminated glass substrate used in the liquid crystal panel are at the same position when viewed from the (x, y) plane has been described. The positions of S1 and S2 Can be divided without any inconvenience using this break device even if they are several millimeters apart due to the formation of terminals of the liquid crystal panel.
また本実施の形態におけるブレイク装置は、合わせガラスだけではなく、単板のガラスは勿論のこと、半導体ウェハ、セラミック基板等、脆性材料基板を分断することができる。特に液晶パネルのように合わせガラス基板の場合、交互のブレイク動作で上下のガラス板を交互に分断することができ、しかも基板を反転する工程も不要なため、作業効率を大幅に向上させることができる。本発明のブレイク装置は、レーザなどの加熱手段を用いて脆性材料基板を加熱し、脆性材料基板に発生した熱歪を利用してスクライブラインを形成した脆性材料基板の分断にも適用できる。 The break device in this embodiment can cut not only laminated glass but also a brittle material substrate such as a semiconductor wafer and a ceramic substrate as well as a single glass plate. In particular, in the case of a laminated glass substrate such as a liquid crystal panel, the upper and lower glass plates can be alternately divided by an alternating break operation, and the process of reversing the substrate is not required, so that the work efficiency can be greatly improved. it can. The break device of the present invention can also be applied to the division of a brittle material substrate in which a brittle material substrate is heated using a heating means such as a laser and a scribe line is formed using thermal strain generated in the brittle material substrate.
次に本実施の形態におけるブレイク方法について説明する。本実施の形態における脆性材料基板のブレイク方法とは、前述した基板Gとして1枚の液晶マザーガラス基板120を所定形状に分断し、複数の液晶ガラス基板121を得るための製造方法とする。1枚の液晶マザーガラス基板120から、駆動信号によって画素単位で画像又は文字を表示する液晶パネルを得るためには、各種の製造工程が必要である。
Next, a break method in the present embodiment will be described. The breaking method of the brittle material substrate in the present embodiment is a manufacturing method for obtaining a plurality of liquid
TFT、走査電極、信号電極、画素電極を含む基板をTFT基板(AM基板ともいう)と呼び、カラーフィルタを含む基板を対向基板と呼ぶと、液晶パネルは前記のTFT基板と対向基板とが貼り合わされ、これらの両基板に液晶が充填された段階のものをいう。そして前記の液晶マザーガラス基板120とは、分断前のTFT基板(マザーTFT基板という)と、分断前の対向基板(マザー対向基板という)とを貼り合わせた段階の基板(マザー貼合基板)をいう。従って分断された貼り合わせ基板が液晶ガラス基板121(貼合基板)となる。そして液晶ガラス基板121に液晶が充填され、液晶の注入口が封止され、基板エッジの電極にフラットケーブルが接続可能な状態が液晶パネルである。
A substrate including a TFT, a scanning electrode, a signal electrode, and a pixel electrode is referred to as a TFT substrate (also referred to as an AM substrate), and a substrate including a color filter is referred to as a counter substrate. These are the ones in which these two substrates are filled with liquid crystal. The liquid crystal
前記の液晶パネルの製造工程における本実施の形態におけるブレイク方法の位置づけを明確にするために更に説明を加える。1枚の液晶マザーガラス基板120から、複数枚の液晶ガラス基板121を得るには、複数種類の分断工程が必要である。これは基板のスクライブライン又は分断面が液晶パネルのどの部分に位置するかによって区別される。例えば(A)多面取りの大判貼り合わせ基板である液晶マザーガラス基板120を、所定形状の個々の液晶ガラス基板121に分割する工程、(B)多面取りのまま液晶注入口を露出するための分断工程、(C)電極部分を取り出すための分断工程等がその例である。前記の各工程の順序はここでは予め決めておく必要はないが、少なくとも(A)、(B)の工程が本実施の形態に組み入れられるものとする。また(A)の工程においても、スクライブラインSが液晶マザーガラス基板120に格子状(クロススクライブともいう)に形成される限り、複数回の分断工程を必要とする。
Further explanation will be added in order to clarify the position of the breaking method in the present embodiment in the manufacturing process of the liquid crystal panel. In order to obtain a plurality of liquid
図15はこのような分断工程を含む液晶マザーガラス基板120のブレイク方法を示している。このブレイク方法は、(1)カセットローダ、(2)第1の基板搬送装置、(3)第1のスクライブ装置、(4)第2のスクライブ装置、(5)第2の基板搬送装置、(6)第1のブレイク装置、(7)第2のブレイク装置を含み、これらの装置を経由して複数枚の液晶ガラス基板121が製造される。このため、このような分断工程を液晶マザーガラス基板自動分断ラインという。
FIG. 15 shows a breaking method of the liquid crystal
図15において、カセットローダ122は多数枚の液晶マザーガラス基板120をカセットに収納して保持するものである。給材ロボットR1はカセットローダ122のカセットから液晶マザーガラス基板120を取り出し、第1の基板搬送装置123に移送するものである。第1の基板搬送装置123は給材ロボットR1から供給された液晶マザーガラス基板120をテーブルの定位置に位置決めするものである。この位置決めは液晶マザーガラス基板120の互いに直交する端面を位置決めピンに押圧することにより行われる。
In FIG. 15, a
搬送ロボットR2はテーブルに載置された液晶マザーガラス基板120を第1のスクライブ装置124の所定位置に搬送するものである。液晶マザーガラス基板120のうちマザーTFT基板を120aとし、マザー対向基板を120bとする。また基板の加工面をブレイク装置10,30と同様に(x,y)面と平行な面とする。第1のスクライブ装置124は例えばマザー対向基板120bのx軸又はy軸方向に平行となるよう、スクライブラインS1を夫々形成するもので、ここでは従来例で説明したようなスクライブ方法が用いられる。
The transport robot R <b> 2 transports the liquid crystal
搬送ロボットR3は第1のスクライブ装置124からスクライブラインS1が形成された液晶マザーガラス基板120を取り出し、上面と下面を反転させて搬送ロボットR4に与えるものである。搬送ロボットR4は反転された液晶マザーガラス基板120を第2のスクライブ装置125の所定位置に搬送するものである。第2のスクライブ装置125はマザーTFT基板120aのx軸又はy軸方向に平行となるよう、スクライブラインS2を夫々形成するものである。これらのスクライブラインS1、S2の位置及びその長さ(描画データ)は、図示しない制御用CPUによって制御される。
The transfer robot R3 takes out the liquid crystal
両面にスクライブラインが形成された液晶マザーガラス基板120は、搬送ロボットR5により第2の基板搬送装置126まで移送される。第2の基板搬送装置126は搬送ロボットR5から供給された液晶マザーガラス基板120を定位置に位置決めするものである。搬送ロボットR6は第2の基板搬送装置126に載置された液晶マザーガラス基板120を第1のブレイク装置127の定位置に移送するものである。
The liquid crystal
第1のブレイク装置127及び第2のブレイク装置128は、ブレイク装置10又は30と同様であるので、構造説明は省略する。第1のブレイク装置127は、第1のテーブル127a及び第2のテーブル127bに跨がって載置される液晶マザーガラス基板120の上面を押圧して固定し、一方のテーブルを図4に示すように+z方向及び−z方向に回動するか、又は図11に示すように両方のテーブルを同じ方向に同時に回動することにより、液晶マザーガラス基板120を短冊状に分断するものである。
Since the
搬送ロボットR7は、短冊状に分断された液晶マザーガラス基板120をテーブル127bから取り出し、第2のブレイク装置128の定位置、即ち2つのテーブル128a、128bに跨がるように位置決めして載置するものである。第2のブレイク装置128は液晶マザーガラス基板120を分断する。ここで得られた基板は所定形状の液晶ガラス基板121となる。これらの液晶ガラス基板121は搬送ロボットR8により第3の基板搬送装置129により移送され、更に次の液晶パネルの製造工程に持ち込まれる。
The transport robot R7 takes out the liquid crystal
以上の工程を有する本実施の形態のブレイク方法について、従来のブレイク方法と比較して説明する。図16は従来のブレイク装置を用いて液晶マザーガラス基板120を分断する場合の工程図である。また図17は、本実施の形態におけるブレイク装置を用いて液晶マザーガラス基板120を分断する場合の工程図である。但し、図16は分断工程が1つの場合を示しているので、図15の分断工程数と合致しない。
The breaking method of the present embodiment having the above steps will be described in comparison with a conventional breaking method. FIG. 16 is a process diagram when the liquid crystal
従来のブレイク装置は、図2に示す方法によれば、ガラス板1の一方の面にスクライブラインSを形成し、ガラス板1の他方の面にブレイクバー4を押し当て、ガラス板1を撓ませることによりガラス板1を分断させていた。また図3に示す方法によれば、スクライブラインSが形成された部分に引張応力が働くようにガラス板1を撓ませてガラス板1を分断していた。このようなブレイク装置を用いると、貼り合わせガラス基板の分断では図16の(b)〜(g)で示す工程が必要となる。
In the conventional break device, according to the method shown in FIG. 2, the scribe line S is formed on one surface of the
即ち図16の(a)に示す液晶マザーガラス基板120のマザーTFT基板120aを上にし、スクライブ装置を用いて(b)のようにマザーTFT基板120aにスクライブラインS1を入れる。次に(c)のように液晶マザーガラス基板120を反転装置を用いて反転させる。そして(d)のようにマザー対向基板120bにブレイクバーを押圧させて、マザーTFT基板120aに垂直クラックを進展させてマザーTFT基板120aを分断する。次に液晶マザーガラス基板120を保持し、スクライブ装置を用いて(e)のようにマザー対向基板120bにスクライブラインS2を入れる。そして再度液晶マザーガラス基板120を反転装置を用いて(f)のように反転させる。次に(g)のようにマザーTFT基板120aにブレイクバーを押圧させて、マザー対向基板120bに垂直クラックを進展させる。次に液晶マザーガラス基板120を左右に離すと(h)のように液晶マザーガラス基板120を複数の液晶ガラス基板121に分断できる。しかしこの方法では、基板の反転工程を2回必要とする。
That is, the mother TFT substrate 120a of the liquid crystal
しかし、本実施の形態におけるブレイク装置10又は30を用いると、液晶マザーガラス基板120に対して図17の(b)〜(f)で示す工程で済む。即ち図17の(a)に示す液晶マザーガラス基板120のマザー対向基板120bを上にし、図15の第1のスクライブ装置124を用いて(b)のようにマザー対向基板120bにスクライブラインS1を入れる。次に(c)のように反転装置を用いて液晶マザーガラス基板120を反転させる。そして(d)のように第2のスクライブ装置125を用いてマザーTFT基板120aにスクライブラインS2を入れる。
However, when the
そして両面にスクライブラインが入った液晶マザーガラス基板120を図15の第1のブレイク装置127にセットし、一方のテーブルを上側及び下側に回動させると、(e)及び(f)に示すようにマザーTFT基板120a及びマザー対向基板120bには、垂直クラックが夫々基板の厚み方向に進展し、夫々の基板を貫く。こうして所謂クラックが生じる。そして液晶マザーガラス基板120を左右に分離すると、(g)のように分断された液晶ガラス基板121が得られる。この方法によれば、基板の反転工程は1回ですむ。
Then, when the liquid crystal
以上の工程は、液晶マザーガラス基板120を例えば短冊状に分断する場合である。図15で説明したように、液晶マザーガラス基板120に対して格子状にスクライブラインを形成し、更に小寸法の形状の液晶ガラス基板121に分断する場合、図16と図17の工程差は更に大きくなり、本実施の形態によるブレイク方法では、基板の分断面の滑らかさに加えて、基板の反転工程を省くことができるという効果が得られる。
The above process is a case where the liquid crystal
(実施の形態2)
次に本発明の実施の形態2におけるブレイク方法について説明する。本実施の形態における脆性材料基板のブレイク方法とは、図18に示すような液晶マザーガラス基板130を複数の液晶ガラス基板131に分断する方法である。TFT、走査電極、信号電極、画素電極を含むマザー基板をマザーTFT基板と呼び、カラーフィルタを含むマザー基板をマザー対向基板と呼ぶ。この液晶マザーガラス基板130は、スクライブラインが未形成の第1の脆性材料基板であるマザー対向基板130bと、スクライブラインS2が予め形成された第2の脆性材料基板であるマザーTFT基板130aとを、シール剤132で貼り合わせた基板をいう。
(Embodiment 2)
Next, the breaking method in
図19はこのような液晶マザーガラス基板130のブレイク方法を示した液晶マザーガラス基板自動分断ラインの構成図である。このブレイク方法は、(1)カセットローダ、(2)第1の基板搬送装置、(3)スクライブ装置、(4)第1のブレイク装置、(5)第2の基板搬送装置、(6)第2のブレイク装置、(7)第3の基板搬送装置を含み、これらの装置を経由して複数枚の液晶ガラス基板131が製造される。
FIG. 19 is a configuration diagram of a liquid crystal mother glass substrate automatic dividing line showing such a breaking method of the liquid crystal
図19において、(1)のカセットローダ133は多数枚の液晶マザーガラス基板130をカセットに収納して保持するものである。給材ロボットR1はカセットローダ133のカセットから液晶マザーガラス基板130を取り出し、(2)に示す第1の基板搬送装置134に移送するものである。第1の基板搬送装置134は移送された液晶マザーガラス基板130をテーブルの定位置に位置決めするものである。
In FIG. 19, a
搬送ロボットR2はテーブルに載置された液晶マザーガラス基板130を(3)のスクライブ装置135の所定位置に搬送するものである。このスクライブ装置135は図18に示すマザー対向基板130bの上面にスクライブラインS1を形成するものである。
The transport robot R2 transports the liquid crystal
搬送ロボットR3はスクライブラインS1が形成された液晶マザーガラス基板130をスクライブ装置135から取り出し、(4)の第1のブレイク装置136の定位置に移送するものである。第1のブレイク装置136は、実施の形態1で説明したブレイク装置10又は30が適用される。図19は、実施の形態1におけるブレイク装置10又は30を用いた場合を示しており、第1のテーブル136a及び第2のテーブル136bに跨がって載置される液晶マザーガラス基板130の上面を押圧して固定し、一方のテーブルを回動、又は両方のテーブルを同時に回動することにより、液晶マザーガラス基板130を短冊状に分断するものである。
The transfer robot R3 takes out the liquid crystal
搬送ロボットR4は、短冊状に分断された液晶マザーガラス基板130を取り出し、(5)の第2の基板搬送装置137のテーブルに載置するものである。搬送ロボットR5は短冊状に分断された液晶マザーガラス基板130を、(6)の第2のブレイク装置138の定位置に移送するものである。第2のブレイク装置138は液晶マザーガラス基板130を規定形状に分断し、複数の液晶ガラス基板131を得るものである。分断された液晶ガラス基板131は搬送ロボットR6により第3の基板搬送装置139により移送され、更に次の液晶パネルの製造工程に持ち込まれる。
The transfer robot R4 takes out the liquid crystal
このようなブレイク方法では、液晶マザーガラス基板130の反転装置も必要とせず、図19の(3)で示すようにスクライブ装置も1台で済む。
Such a break method does not require a reversing device for the liquid crystal
(実施の形態3)
次に本発明の実施の形態3におけるブレイク方法について説明する。本実施の形態における脆性材料基板のブレイク方法とは、両面スクライブ装置を用いることを特徴とする。また本実施の形態の液晶マザーガラス基板140は、実施の形態2のマザーガラス基板130と異なり、マザーTFTガラス基板にもマザー対向基板にも、スクライブラインSが予め形成されていないものとする。
(Embodiment 3)
Next, the breaking method in
図20はこのような液晶マザーガラス基板140のブレイク方法を示す液晶マザーガラス基板自動分断ラインの構成図である。このブレイク方法は、(1)のカセットローダ142、(2)の第1の基板搬送装置143、(3)の第1の両面スクライブ装置144、(4)の第2の基板搬送装置147、(5)の第1のブレイク装置148、(6)の第3の基板搬送装置149、(7)の第2の両面スクライブ装置150、(8)の第4の基板搬送装置153、(9)の第2のブレイク装置154、(10)の第5の基板搬送装置155を含み、これらの装置を経由して複数枚の液晶ガラス基板141が製造される。
FIG. 20 is a configuration diagram of a liquid crystal mother glass substrate automatic cutting line showing such a breaking method of the liquid crystal
給材ロボットR1、搬送ロボットR2〜R7、基板搬送装置143、147、149、153、155については、実施の形態1、2に示すものと機能が同一であるため説明を省略する。
The material supply robot R1, the transfer robots R2 to R7, and the
第1の両面スクライブ装置144は、複数のテーブル145a及び145bと、この装置の中央に設けられたスクライブヘッドマウント146aと、スクライブヘッドマウント146aに移動自在に保持された上下のスクライブヘッド146bとを有している。液晶マザーガラス基板140がテーブル145aによりスクライブヘッドマウント146aの部分に移送されたとき、液晶マザーガラス基板140の上下両面の一部が加工領域に入るようブリッジ状態に保持される。スクライブヘッド146bがこのブリッジ部分を走査することにより、上下両面のスクライブを行う。
The first double-
スクライブ装置として従来例で説明したように、超硬金属製やダイヤモンド製のホイールカッタを用いたものと、レーザ光によるレーザスクライブを用いたものがある。ホイールカッタ方式のものは、2つのホイールカッタが同期して液晶マザーガラス基板140の両面を圧接して回転移動(転動)することにより、スクライブラインS1とS2とを同時に形成する。またレーザスクライブ方式のものは、2本のビームスポットを液晶マザーガラス基板140の両面に照射させながら走査し、この照射部分に追随して冷媒を用いたスポット冷却を行う。こうしてガラス素材の熱歪みを利用したブラインドスクライブを行う。第2の両面スクライブ装置150の構造も第1の両面スクライブ装置144と同様である。
As described in the prior art, there are a scribing device using a hard metal or diamond wheel cutter and a device using laser scribing by laser light. In the wheel cutter type, the scribe lines S1 and S2 are simultaneously formed by the two wheel cutters synchronously rotating and rolling (rolling) while pressing both surfaces of the liquid crystal
第1のブレイク装置148及び第2のブレイク装置154は、液晶マザーガラス基板140の両面に形成されたスクライブラインSが分断面になるよう基板を分断する装置である。実施の形態1で説明したように、左右のテーブルをそのギャップが非平行となるように保持し、左右のテーブルの少なくとも一方を回動させる方式のものがある。図20ではこの方式のブレイク装置を用いるものとし、第1のブレイク装置148においては、テーブル148a、148bのギャップを非平行になるよう図示した。第2のブレイク装置154についてもテーブル154a、154bのギャップを非平行にしている。
The
第1のブレイク装置148及び第2のブレイク装置154として、他の方式を用いたものがある。これは液晶マザーガラス基板140を載置して固定する2つのテーブルの内、一方のテーブルを図示しないパラレルリンク機構を用いて保持する。そして基板の分断時にスクライブラインから離れた位置の軸を回転軸としてこのテーブルを回動することにより分断する方式のものである。この方式の場合は図20に示すテーブル148a、148bのギャップ、及びテーブル154a、154bのギャップは平行になる。
Some of the
このように本実施の形態のブレイク方法によれば、液晶マザーガラス基板140の上下面を反転させる工程を必要とせず、基板の反転装置を設置する必要が無く、液晶マザーガラス基板分断ラインの設置面積を小さくできる。
As described above, according to the breaking method of the present embodiment, there is no need to invert the upper and lower surfaces of the liquid crystal
G 基板
GL 基板左部
GR 基板右部
G1 上基板
G2 下基板
H ガラス板
S,S1,S2 スクライブライン
L1,L2,L3 回転軸
10,30, 50,80,90 ブレイク装置
10A,30A 左側ユニット
10B,30B 右側ユニット
13,14,33,34 製品テーブル
13a,14a 回動軸
13b〜13e,14a〜14e ねじ孔
11 スライドテーブル
12,31,32 傾動テーブル
15a,16a,35a,36a クランプバー
15,16,35,36 製品クランプユニット
11a スライド機構
17 ベース
18 水平保持ブロック上部
19 水平保持ブロック下部
18a,38a,39a 傾動軸
20,40 回動制御部
38b,39b 保持アーム
38,39 保持ブロック
120,130,140 液晶マザーガラス基板
120a,130a マザーTFT基板
120b,130b マザー対向基板
121,131,141 液晶ガラス基板
122,133,142 カセットローダ
123,134,143 第1の基板搬送装置
124 第1のスクライブ装置
125 第2のスクライブ装置
126,137 第2の基板搬送装置
127,136,148 第1のブレイク装置
127a,127b,128a,128b,136a,136b,145a,145b,148a,148b,151a,151b テーブル
128,138,154 第2のブレイク装置
129,139,149 第3の基板搬送装置
132 シール剤
144 第1の両面スクライブ装置
146a スクライブマウントヘッド
146b スクライブヘッド
150 第2の両面スクライブ装置
153 第4の基板搬送装置
155 第5の基板搬送装置
R1 給材ロボット
R2〜R8 搬送ロボット
G substrate GL substrate left portion GR substrate right portion G1 upper substrate G2 lower substrate H glass plate S, S1, S2 scribe line L1, L2, L3 rotating shaft 10, 30, 50, 80, 90 break device 10A, 30A left unit 10B , 30B Right unit 13, 14, 33, 34 Product table 13a, 14a Rotating shaft 13b-13e, 14a-14e Screw hole 11 Slide table 12, 31, 32 Tilt table 15a, 16a, 35a, 36a Clamp bar 15, 16 , 35, 36 Product clamp unit 11a Slide mechanism 17 Base 18 Horizontal holding block upper part 19 Horizontal holding block lower part 18a, 38a, 39a Tilt axis 20, 40 Rotation control part 38b, 39b Holding arm 38, 39 Holding block 120, 130, 140 Liquid Crystal Mother Gala Substrate 120a, 130a Mother TFT substrate 120b, 130b Mother counter substrate 121, 131, 141 Liquid crystal glass substrate 122, 133, 142 Cassette loader 123, 134, 143 First substrate transfer device 124 First scribe device 125 Second Scribing device 126, 137 Second substrate transport device 127, 136, 148 First break device 127a, 127b, 128a, 128b, 136a, 136b, 145a, 145b, 148a, 148b, 151a, 151b Table 128, 138, 154 Second break device 129, 139, 149 Third substrate transport device 132 Sealant 144 First double-side scribe device 146a Scribe mount head 146b Scribe head 150 Second double-side scribe device 153 Fourth substrate transfer device 155 Fifth substrate transfer device R1 Feeding robot R2-R8 Transfer robot
Claims (6)
前記マザー貼合基板の一方の基板表面の所定位置に第1のスクライブ装置を用いてスクライブラインS1を形成する工程(1)と、
前記マザー貼合基板の他方の基板表面であって、前記スクライブラインS1と同一方向に第2のスクライブ装置を用いてスクライブラインS2を形成する工程(2)と、
両面にスクライブラインS1、S2が形成された前記マザー貼合基板を前記スクライブラインS1,S2を境としてブレイク装置の2つのテーブルに固定し、前記2つのテーブルのうちの一方を第1の回動軸を中心に回動させると共に、前記2つのテーブルのうちの他方を、前記マザー貼合基板の厚み方向において前記マザー貼合基板を挟んで前記第1の回動軸と反対側に位置する第2の回動軸を中心に回動させることにより、前記スクライブラインS1、S2に引張応力又は剪断応力を印加し、前記マザー貼合基板を複数枚に分断する工程(3)と、を有し、
前記第1,第2の回動軸は前記マザー貼合基板の面から見てスクライブラインS1,S2に対して夫々−α、+αの開き角を有することを特徴とする脆性材料基板のブレイク方法。 A method for breaking a brittle material substrate, in which a mother bonded substrate obtained by bonding two brittle material substrates is divided, and a plurality of smaller bonded substrates are obtained.
A step (1) of forming a scribe line S1 using a first scribe device at a predetermined position on one surface of the mother bonded substrate;
Step (2) of forming the scribe line S2 on the other substrate surface of the mother bonded substrate using a second scribe device in the same direction as the scribe line S1;
The mother bonded substrate having the scribe lines S1 and S2 formed on both sides is fixed to two tables of the breaking device with the scribe lines S1 and S2 as a boundary, and one of the two tables is first rotated. And rotating the other one of the two tables on the opposite side of the first rotation shaft across the mother bonding substrate in the thickness direction of the mother bonding substrate. by rotating around a second rotation axis, the scribing line S1, by applying a tensile or shear stress in S2, has a step (3) for dividing the mother laminated substrate on a plurality ,
The brittle material substrate breaking method , wherein the first and second rotation axes have opening angles of -α and + α with respect to the scribe lines S1 and S2, respectively, when viewed from the surface of the mother bonded substrate. .
前記第1の脆性材料基板の表面であって、前記スクライブラインS2と同一方向にスクライブ装置を用いてスクライブラインS1を形成する工程(1)と、
両面にスクライブラインS1、S2が形成された前記マザー貼合基板を前記スクライブラインS1,S2を境としてブレイク装置の2つのテーブルに固定し、前記2つのテーブルのうちの一方を第1の回動軸を中心に回動させると共に、前記2つのテーブルのうちの他方を、前記マザー貼合基板の厚み方向において前記マザー貼合基板を挟んで前記第1の回動軸と反対側に位置する第2の回動軸を中心に回動させることにより、前記スクライブラインS1、S2に引張応力又は剪断応力を印加し、前記マザー貼合基板を複数枚に分断する工程(2)と、を有し、
前記第1,第2の回動軸は前記マザー貼合基板の面から見てスクライブラインS1,S2に対して夫々−α、+αの開き角を有することを特徴とする脆性材料基板のブレイク方法。 A mother bonded substrate obtained by bonding a first brittle material substrate in which a scribe line is not formed and a second brittle material substrate in which a scribe line S2 is formed in advance is divided, and a plurality of bonded substrates having a smaller shape are divided. A method of breaking a brittle material substrate to be obtained,
Forming a scribe line S1 on the surface of the first brittle material substrate using a scribe device in the same direction as the scribe line S2,
The mother bonded substrate having the scribe lines S1 and S2 formed on both sides is fixed to two tables of the breaking device with the scribe lines S1 and S2 as a boundary, and one of the two tables is first rotated. And rotating the other one of the two tables on the opposite side of the first rotation shaft across the mother bonding substrate in the thickness direction of the mother bonding substrate. by rotating around a second rotation axis, the scribing line S1, by applying a tensile or shear stress in S2, has a step (2) for dividing the mother laminated substrate on a plurality ,
The brittle material substrate breaking method , wherein the first and second rotation axes have opening angles of -α and + α with respect to the scribe lines S1 and S2, respectively, when viewed from the surface of the mother bonded substrate. .
前記第1及び第2の脆性材料基板の表面であって、両面スクライブ装置を用いてスクライブラインS1、S2を同時に形成する工程(1)と、
両面にスクライブラインS1、S2が形成された前記マザー貼合基板を前記スクライブラインS1,S2を境としてブレイク装置の2つのテーブルに固定し、前記2つのテーブルのうちの一方を第1の回動軸を中心に回動させると共に、前記2つのテーブルのうちの他方を、前記マザー貼合基板の厚み方向において前記マザー貼合基板を挟んで前記第1の回動軸と反対側に位置する第2の回動軸を中心に回動させることにより、前記スクライブラインS1、S2に引張応力又は剪断応力を印加し、前記マザー貼合基板を複数枚に分断する工程(2)と、を有し、
前記第1,第2の回動軸は前記マザー貼合基板の面から見てスクライブラインS1,S2に対して夫々−α、+αの開き角を有することを特徴とする脆性材料基板のブレイク方法。 Method for breaking a brittle material substrate by dividing a mother bonded substrate obtained by bonding a first brittle material substrate and a second brittle material substrate in which a scribe line is not formed, and obtaining a plurality of smaller bonded substrates Because
A step (1) of simultaneously forming scribe lines S1, S2 on the surfaces of the first and second brittle material substrates using a double-sided scribe device;
The mother bonded substrate having the scribe lines S1 and S2 formed on both sides is fixed to two tables of the breaking device with the scribe lines S1 and S2 as a boundary, and one of the two tables is first rotated. And rotating the other one of the two tables on the opposite side of the first rotation shaft across the mother bonding substrate in the thickness direction of the mother bonding substrate. by rotating around a second rotation axis, the scribing line S1, by applying a tensile or shear stress in S2, has a step (2) for dividing the mother laminated substrate on a plurality ,
The brittle material substrate breaking method , wherein the first and second rotation axes have opening angles of -α and + α with respect to the scribe lines S1 and S2, respectively, when viewed from the surface of the mother bonded substrate. .
前記マザー貼合基板を固定し、前記第1及び第2の脆性材料基板の表面に対して超硬金属製又はダイヤモンド製のホイールカッタを用いてスクライブするものであることを特徴とする請求項4記載の脆性材料基板のブレイク方法。 The double-sided scribing device in the step (1) is
The said mother bonding board | substrate is fixed and it scribes using the wheel cutter made from a cemented carbide metal or a diamond with respect to the surface of the said 1st and 2nd brittle material board | substrate. Breaking method of brittle material substrate as described.
前記マザー貼合基板を固定し、前記第1及び第2の脆性材料基板の表面に対してレーザビームによる加熱と冷媒による局部冷却とを行うことによりブラインドスクライブするものであることを特徴とする請求項4記載の脆性材料基板のブレイク方法。 The double-sided scribing device in the step (1) is
The mother bonding substrate is fixed, and the surface of the first and second brittle material substrates is subjected to blind scribing by heating with a laser beam and local cooling with a coolant. Item 5. A method for breaking a brittle material substrate according to Item 4.
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