JPH10209086A - Breaking method for plate-shaped work and its equipment - Google Patents
Breaking method for plate-shaped work and its equipmentInfo
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- JPH10209086A JPH10209086A JP1347297A JP1347297A JPH10209086A JP H10209086 A JPH10209086 A JP H10209086A JP 1347297 A JP1347297 A JP 1347297A JP 1347297 A JP1347297 A JP 1347297A JP H10209086 A JPH10209086 A JP H10209086A
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
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- C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板やガラス
基板などの板状ワークの割断方法およびその装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for cutting a plate-like work such as a semiconductor substrate or a glass substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、商品の小型化要請に伴い半導体チ
ップの小型化が求められており、０．３ｍｍのチップも
見られるようになった。このようなチップを半導体基板
（半導体用ウエハー）から切り出すために従来より用い
られているダイシング装置は、たとえば図６に示したよ
うに、薄刃砥石１を、砥石ホルダー２を介してスピンド
ル３に取り付けたものであり、このダイシング装置に固
定した半導体基板４と砥石１とをＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に相
対運動させることにより、チップ５を切り離している。2. Description of the Related Art In recent years, there has been a demand for miniaturization of semiconductor chips along with a demand for miniaturization of products, and 0.3 mm chips have come to be seen. A dicing apparatus conventionally used for cutting such chips from a semiconductor substrate (semiconductor wafer) mounts a thin blade whetstone 1 on a spindle 3 via a whetstone holder 2 as shown in FIG. 6, for example. The chip 5 is separated by relatively moving the semiconductor substrate 4 and the grindstone 1 fixed to the dicing apparatus in the X, Y, and Z axis directions.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような切り出し方法では、半導体基板４が硬脆材料か
らなるものである場合などに、図７に示したように、切
断面にチッピング（ワレ，カケ）６が生じて実際の切断
幅Ｗが砥石幅Ｗ0 よりも広くなり、材料歩留りが悪くな
るだけでなく、長い加工時間を要するという問題があ
る。（７は半導体基板４を固定する粘着テープであ
る。） 半導体基板４の中でも上記問題が顕著なＧａＡｓ基板に
ついて説明すると、たとえば３インチ（約７６ｍｍ）四
方のＧａＡｓ基板から０．３ｍｍ四方のチップ５を砥石
幅Ｗ0 ０．０４ｍｍの砥石１により切り出す場合には、
縦横各１５０ライン（合計３００ライン）切断する必要
があり、切断のための砥石１の移動量（ワークサイズ＋
砥石サイズ）は１２５ｍｍとなる。したがって、砥石１
の移動速度を毎秒３ｍｍとした時には、約２１０分の加
工時間が必要である。However, according to the above-mentioned cutting method, when the semiconductor substrate 4 is made of a hard and brittle material, as shown in FIG. (Cut) 6, the actual cutting width W becomes wider than the grindstone width W 0 , resulting in a problem that not only the material yield is deteriorated but also a long processing time is required. (7 is an adhesive tape for fixing the semiconductor substrate 4). Among the semiconductor substrates 4, a GaAs substrate having the above problem is remarkable. For example, a GaAs substrate of 3 inches (about 76 mm) square to a chip 5 of 0.3 mm square is used. Is cut out by a grindstone 1 having a grindstone width W 0 0.04 mm,
It is necessary to cut 150 lines vertically and horizontally (300 lines in total), and the moving amount of the grindstone 1 for cutting (work size +
(Whetstone size) is 125 mm. Therefore, grinding wheel 1
When the moving speed is 3 mm per second, a processing time of about 210 minutes is required.
【０００４】そこで、加工時間を短縮するために砥石１
の移動速度を速くすることが考えられるが、この場合、
チッピング６が大きくなるので、切断幅Ｗを広く見積も
らねばならず、この例では切断幅Ｗが０．１ｍｍ必要で
あるため、材料歩留りは約６０％になってしまう。しか
し、ＧａＡｓ基板のように高価な半導体基板４は特に、
材料歩留りを高くすることが望まれる。Therefore, in order to shorten the processing time, the grinding wheel 1 is used.
Can be increased, but in this case,
Since the chipping 6 becomes large, the cutting width W must be widely estimated. In this example, the cutting width W is required to be 0.1 mm, so that the material yield is about 60%. However, an expensive semiconductor substrate 4 such as a GaAs substrate,
It is desired to increase the material yield.
【０００５】本発明は上記問題を解決するもので、半導
体チップなどを板状ワークより切り出すに際し、加工時
間を短縮できるとともに材料歩留りを向上できるように
することを目的とするものである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to reduce a processing time and improve a material yield when a semiconductor chip or the like is cut from a plate-like work.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の板状ワークの割断方法は、板状ワークの表
裏面の同一位置にスクライブ線を刻み、このスクライブ
線に沿って板状ワークを割断するようにしたものであ
る。In order to solve the above-mentioned problems, a method for cutting a plate-like work according to the present invention is to cut a scribe line at the same position on the front and back surfaces of the plate-like work, and to cut the plate along the scribe line. It is designed to cut a workpiece.
【０００７】好ましくは、硬脆材料からなる板状ワーク
に適用する。また本発明の板状ワークの割断装置は、板
状ワークの表面にスクライブ線を刻むスクライブ部を有
したスクライブ手段を、スクライブ部が互いに対向する
ように少なくとも一対配置したものである。[0007] Preferably, the present invention is applied to a plate-like work made of a hard and brittle material. In addition, the plate-like work cutting apparatus according to the present invention is such that at least one pair of scribe means having a scribe section for cutting a scribe line on the surface of the plate-like work is arranged so that the scribe sections face each other.
【０００８】好ましいスクライブ手段は、ＣＯ2 レーザ
やＹＡＧレーザなどのレーザビームを照射するレーザ照
射装置である。他の好ましいスクライブ手段は、スクラ
イブ部としてのスクライブチップと、前記スクライブチ
ップを保持するスクライバーホルダーと、前記スクライ
バーホルダーを介してスクライブチップを、対向するス
クライブ手段との間に配置される板状ワークに向けて所
定荷重で付勢する付勢手段と、前記スクライバーホルダ
ーを所定位置に移動させ、スクライブチップによる板状
ワークの切込みを所定量となす切込み量調節手段とを備
えたスクライバーユニットである。A preferred scribing means is a laser irradiation device for irradiating a laser beam such as a CO 2 laser or a YAG laser. Other preferred scribing means include a scribe tip as a scribe section, a scriber holder that holds the scribe tip, and a scribe tip via the scriber holder, and a plate-shaped work arranged between the opposing scribe means. The scriber unit includes a biasing unit for biasing the scriber holder toward a predetermined position, and a cutting amount adjusting unit for moving the scriber holder to a predetermined position to cut the plate-shaped work by the scribe tip into a predetermined amount.
【０００９】上記板状ワークの割断方法によれば、所定
深さのスクライブ線を刻みた板状ワーク表面に垂直方向
に作用する外力を加えることで、スクライブ線に沿って
板状ワークを割断することができ、このときの割断幅は
小さくなる。According to the above-described method for cutting a plate-shaped work, the plate-shaped work is cut along the scribe line by applying an external force acting in the vertical direction to the surface of the plate-shaped work on which the scribe line having a predetermined depth is cut. In this case, the cutting width becomes small.
【００１０】また上記板状ワークの割断装置によれば、
板状ワークの表裏面に同時にスクライブ線を刻むことが
でき、割断幅を小さくできるだけでなく、割断に要する
時間を短縮できる。[0010] According to the above-mentioned plate-shaped workpiece cutting device,
The scribe lines can be cut simultaneously on the front and back surfaces of the plate-like work, so that not only the cutting width can be reduced, but also the time required for cutting can be shortened.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づき説明する。図１〜図２において、割断装置１１
には、基板などのワーク１２の表面にスクライブ線を刻
むスクライブチップ１３を有したスクライブユニット１
４が、スクライブチップ１３が互いに対向するように一
対設けられている。スクライブユニット１４の下方に
は、ワーク１２を、スクライブチップ１３，１３間の間
隙に挿通可能な位置に保持するワークホルダー１５と、
ワークホルダー１５を載置して上下方向に移動する上下
ステージ１６と、上下ステージ１６を載置して水平方向
に移動する水平ステージ１７と、水平ステージ１７の移
動を案内するガイド１８とが設けられている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1 and FIG.
A scribe unit 1 having a scribe chip 13 for scribe lines on the surface of a work 12 such as a substrate.
4 are provided so that the scribe chips 13 face each other. Below the scribe unit 14, a work holder 15 for holding the work 12 at a position where the work 12 can be inserted into the gap between the scribe chips 13, 13;
An upper / lower stage 16 on which the work holder 15 is mounted and moved in the vertical direction, a horizontal stage 17 on which the upper and lower stages 16 are mounted and moved in the horizontal direction, and a guide 18 for guiding the movement of the horizontal stage 17 are provided. ing.
【００１２】各スクライブユニット１４において、スク
ライブチップ１３は、セラミックス，超硬又はダイヤモ
ンド等の硬脆材料により円板状に形成され、周縁部が研
磨されて断面六角形をなしており、ワーク１２の保持方
向に沿って設けられたスクライバーホルダー１９の一端
部に回転自在に軸支されている。ワーク１２に接するス
クライバーチップ１３の先端角は１３５°である。In each scribe unit 14, the scribe chip 13 is formed in a disk shape from a hard and brittle material such as ceramics, carbide or diamond, and the peripheral edge portion is polished to form a hexagonal cross section. It is rotatably supported at one end of a scriber holder 19 provided along the holding direction. The tip angle of the scriber tip 13 in contact with the work 12 is 135 °.
【００１３】スクライバーホルダー１９は、中央部を貫
通する軸部２０により支持台２１の上面に回転自在に支
承されており、一端部に、この一端部を対向するスクラ
イブユニット１４に接近する方向に付勢するバネ２２が
バネストッパー２３との間に設けられ、他端部に、支持
台２１の一側面に対して出退する調整ノブ２４が設けら
れている。支持台２１は水平方向に移動するＸ軸ステー
ジ２５に載置されていて、支持台２１の移動により、ス
クライブチップ１３が、対向するスクライブチップ１３
との間隙に挿通されるワーク１２に接離する。The scriber holder 19 is rotatably supported on an upper surface of a support base 21 by a shaft portion 20 penetrating a central portion. One end of the scriber holder 19 is attached to the scribe unit 14 in a direction approaching the opposing scribe unit 14. An urging spring 22 is provided between the spring 22 and a spring stopper 23, and an adjustment knob 24 is provided at the other end of the support knob 21 so as to move back and forth with respect to one side surface of the support base 21. The support base 21 is mounted on an X-axis stage 25 that moves in the horizontal direction.
And comes into contact with and separates from the work 12 inserted into the gap.
【００１４】なお、両スクライブユニット１４は、対向
するスクライバーチップ１３の外周縁どうしのズレが１
０μｍ以下となるように設置されている。上記したよう
な割断装置１１において、ワーク１２の表面にスクライ
ブ線を刻む際の動作を図３，図４，図５を交えて説明す
る。The two scribe units 14 have a difference of 1 between the outer peripheral edges of the opposing scriber chips 13.
The thickness is set to be 0 μm or less. The operation of cutting the scribe line on the surface of the work 12 in the cutting apparatus 11 as described above will be described with reference to FIGS.
【００１５】まず、各バネストッパー２３の位置を調節
することにより、バネ２２の変形量すなわち付勢力を設
定する。次に、調整ノブ２４を出退させてその端部を支
持台２１の一側面に当接させることにより、バネ２２の
付勢力を微調整する。付勢力設定値はワーク１２の材質
や厚みにより変更するが、厚み１ｍｍ以下のＳｉ、Ｇａ
Ａｓ等の半導体基板などでは２００ｇｆ以下が適切であ
る。付勢力を５００ｇｆ以上に設定すると、後述するス
クライブ線２６（図４）の周囲にクラックが生じやすく
なり、良好な割断面２７（図５）が得られない。また付
勢力が小さすぎるとスクライブ線２６に沿って割断でき
なくなる。First, the amount of deformation of the spring 22, that is, the urging force is set by adjusting the position of each spring stopper 23. Next, the urging force of the spring 22 is finely adjusted by moving the adjustment knob 24 back and forth so that the end thereof abuts against one side surface of the support base 21. The set value of the urging force is changed depending on the material and thickness of the work 12, but the Si or Ga having a thickness of 1 mm or less is used.
200 gf or less is appropriate for a semiconductor substrate such as As. If the urging force is set to 500 gf or more, cracks are likely to occur around the scribe line 26 (FIG. 4) described later, and a good fractured surface 27 (FIG. 5) cannot be obtained. On the other hand, if the urging force is too small, it will not be possible to cut along the scribe line 26.
【００１６】次に、Ｘ軸ステージ２５を移動させてスク
ライバーホルダー１９とスクライバーチップ１３とを所
定位置に配置することにより、スクライバーチップ１３
によるワーク１２の切込み量ｔを設定する。切込み量ｔ
は、０．１ｍｍ程度とする。この切込み量ｔと上記した
付勢力設定値は、対向する２つのスクライブユニット１
４において等しくするのが望ましい。Next, the X-axis stage 25 is moved to dispose the scriber holder 19 and the scriber tip 13 at predetermined positions.
The cutting amount t of the work 12 is set by the following. Cutting depth t
Is about 0.1 mm. The cutting amount t and the above-described biasing force set value are set between two opposing scribe units 1.
It is desirable to make equal at 4.
【００１７】以上の設定が終了した後、ガイド１８に沿
って水平ステージ１７を移動させることにより、ワーク
１２をスクライブユニット１４，１４間を毎秒２００ｍ
ｍで通過させる。これにより、ワーク１２の両側よりス
クライバーチップ１３，１３がはさみ込むように作用
し、各スクライバーチップ１３に接触したワーク１２の
表面に、クラック２８が生じ、非常に微小なキズが集積
して、スクライブ線２６として残る。加工中には図３に
示すように加工抵抗によってバネ２２が変形し、付勢力
が変化するが、加工性能に与える影響は小さい。After the above setting, the horizontal stage 17 is moved along the guide 18 to move the work 12 between the scribe units 14 and 200 m per second.
pass through m. As a result, the scriber chips 13 and 13 act so as to be sandwiched from both sides of the work 12, and cracks 28 are generated on the surface of the work 12 in contact with the scriber chips 13, and extremely minute flaws are accumulated and scribed. It remains as line 26. During the processing, the spring 22 is deformed by the processing resistance as shown in FIG. 3 and the biasing force changes, but the influence on the processing performance is small.
【００１８】次に、上下ステージ１６を移動させて、任
意の割断幅、すなわちスクライブ線２６の間隔となるよ
うに設定し、上記と同様の動作を繰り返して複数本のス
クライブ線２６を刻む。その後、ワーク１２の縦横を変
更し、同様にして複数本のスクライブ線２６を刻む。Next, the upper and lower stages 16 are moved to set an arbitrary cutting width, that is, an interval between the scribe lines 26, and a plurality of scribe lines 26 are cut by repeating the same operation as described above. Thereafter, the length and width of the work 12 are changed, and a plurality of scribe lines 26 are cut in the same manner.
【００１９】スクライブ線２６を刻み終えたら、図５に
示すように曲げ応力を加えることにより、スクライブ線
２６に沿って割断する。なお、この実施形態において
は、上記したようにスクライバーチップ１３，１３間の
ずれを小さくしているので、割断面２７は良好になり、
ワーク１２の表面に対する割断面２７の直角度も良好に
なる。割断面２７には、クラック２８の痕跡であるリブ
マーク２９が見られることがあるが、半導体基板などの
ワーク１２ではチッピングが生じないように小さい付勢
力が設定されるので、クラック２８が非常に短くなり、
明瞭なリブマーク２９は残らず、へき開した割断面２７
になることも多い。After the scribe line 26 has been cut, a bending stress is applied as shown in FIG. 5 to cut along the scribe line 26. In this embodiment, since the displacement between the scriber tips 13, 13 is reduced as described above, the fractured surface 27 becomes better,
The perpendicularity of the split section 27 to the surface of the work 12 is also improved. A rib mark 29 which is a trace of the crack 28 may be seen on the fractured surface 27. However, since a small urging force is set so that chipping does not occur in the work 12 such as a semiconductor substrate, the crack 28 is extremely short. Become
Clear rib mark 29 does not remain, and the cleaved cut surface 27
Often becomes.
【００２０】また、クラック２８の長さは、スクライバ
ーチップ１３に付与される付勢力により異なり、付勢力
が大きいときは、ワーク１２の厚み方向の中心で２つの
クラック２８が交差し、スクライブ線２６を刻むと同時
にワーク１２が割断される。しかし、複数本のスクライ
ブ線２６を刻んだ後で一度に割断する方が効率よく作業
できるので、通常はクラック２８が交差しない小さい付
勢力が設定される。The length of the crack 28 depends on the urging force applied to the scriber tip 13. When the urging force is large, the two cracks 28 intersect at the center of the work 12 in the thickness direction, and the scribe line 26 The work 12 is cleaved at the same time as. However, since it is more efficient to cut the plurality of scribe lines 26 at a time and then cut the scribe lines 26 at once, a small urging force that does not cause the cracks 28 to intersect is usually set.
【００２１】上記した実施形態では回転式の円板状スク
ライパーチップ１３を用いたが、ＣＯ2 レーザやＹＡＧ
レーザなどのレーザビームを用いてもよい。またスクラ
イブチップ１３は、上記した工具材料より形成したもの
に比べて精度の面で劣るが単粒ダイヤモンドを固定した
ものでもよく、スクライブチップ１３の先端形状は、外
周縁を通る仮想平面に対して非対称としても、２段の角
度を持たせてもよく、対象ワークによって変えればよ
い。[0021] While using the disc-shaped scribing par chip 13 of the rotary in the embodiment described above, CO 2 laser or YAG
A laser beam such as a laser may be used. Further, the scribe tip 13 is inferior in accuracy in comparison with the one formed from the above-mentioned tool material, but may be one in which a single diamond is fixed, and the tip shape of the scribe tip 13 is set with respect to a virtual plane passing through the outer peripheral edge. It may be asymmetric or have two angles, and may be changed depending on the target work.
【００２２】また付勢手段としてはバネを例示したが、
エアーシリンダーを用いてもよい。さらに、ワーク１２
の表裏面を交互にスクライブしても上記と同じ効果が得
られる。The biasing means is exemplified by a spring.
An air cylinder may be used. Further, the work 12
The same effect as above can be obtained by alternately scribing the front and back surfaces.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、板状ワー
クの表裏面の同一位置にスクライブ線を刻み、このスク
ライブ線に沿って板状ワークを割断するようにしたの
で、チッピング等を防止して割断幅を小さくでき、材料
歩留りが向上するとともに、高精度な割断加工が可能と
なる。As described above, according to the present invention, the scribe line is cut at the same position on the front and back surfaces of the plate-like work, and the plate-like work is cut along the scribe line. Prevention can reduce the cutting width, improve the material yield, and enable high-precision cutting.
【００２４】また、少なくとも一対のスクライブ手段を
対向して配置した装置構成としたので、板状ワークの表
裏面に同時にスクライブ線を刻むことができ、割断幅を
小さくできるだけでなく、高速割断が可能となる。Further, since the apparatus has at least a pair of scribe means arranged opposite to each other, scribe lines can be simultaneously cut on the front and back surfaces of the plate-like work, so that not only the cutting width can be reduced, but also high-speed cutting can be performed. Becomes
【図１】本発明の一実施形態における割断装置の平面
図。FIG. 1 is a plan view of a cutting device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示した割断装置に配置されたスクライブ
ユニットの平面図および側面図。FIG. 2 is a plan view and a side view of a scribe unit arranged in the cleaving device shown in FIG.
【図３】図１、図２に示したスクライブユニットに配置
されたスクライブチップの動作を表わす模式図。FIG. 3 is a schematic view showing the operation of a scribe chip arranged in the scribe unit shown in FIGS. 1 and 2;
【図４】同スクライブチップによる加工原理を示す模式
図。FIG. 4 is a schematic view showing a processing principle by the scribe tip.
【図５】同スクライブチップによる加工後の割断を表わ
す模式図。FIG. 5 is a schematic view showing a cut after processing by the scribe tip.
【図６】従来のダイシング装置を使った半導体基板のチ
ップの切り出し方法を示す説明図。FIG. 6 is an explanatory view showing a method for cutting out chips on a semiconductor substrate using a conventional dicing apparatus.
【図７】図６に示したダイシング装置の加工部の拡大
図。7 is an enlarged view of a processing section of the dicing apparatus shown in FIG.
11 割断装置 12 ワーク 13 スクライブチップ 14 スクライバーユニット 19 スクライバーホルダー 22 バネ 23 バネストッパー 25 Ｘ軸ステージ 26 スクライブ線 27 割断面 11 Cleaver 12 Work 13 Scribe tip 14 Scriber unit 19 Scriber holder 22 Spring 23 Banest topper 25 X-axis stage 26 Scribe line 27 Cross section
Claims (5)
イブ線を刻み、このスクライブ線に沿って板状ワークを
割断することを特徴とする板状ワークの割断方法。1. A method for cutting a plate-like work, wherein a scribe line is cut at the same position on the front and back surfaces of the plate-like work, and the plate-like work is cut along the scribe line.
ることを特徴とする請求項１記載の板状ワークの割断方
法。2. The method according to claim 1, wherein the plate-like work is a substrate made of a hard and brittle material.
スクライブ部を有したスクライブ手段を、スクライブ部
が互いに対向するように少なくとも一対配置したことを
特徴とする板状ワークの割断装置。3. A device for cutting a plate-shaped work, wherein at least one pair of scribe means having a scribe portion for cutting a scribe line on the surface of the plate-shaped work is arranged so that the scribe portions face each other.
Ｇレーザなどのレーザビームを照射するレーザ照射装置
であることを特徴とする請求項３記載の板状ワークの割
断装置。4. The scribing means is a CO 2 laser or YA.
4. The apparatus according to claim 3, wherein the apparatus is a laser irradiation apparatus that irradiates a laser beam such as a G laser.
のスクライブチップと、前記スクライブチップを保持す
るスクライバーホルダーと、前記スクライバーホルダー
を介してスクライブチップを、対向するスクライブ手段
との間に配置される板状ワークに向けて所定荷重で付勢
する付勢手段と、前記スクライバーホルダーを所定位置
に移動させ、スクライブチップによる板状ワークの切込
みを所定量となす切込み量調節手段とを備えたスクライ
バーユニットであることを特徴とする請求項３記載の板
状ワークの割断装置。5. A scriber as a scriber, a scriber holder for holding the scriber chip, and a plate-like member disposed between the scriber via the scriber holder and an opposing scriber. The scriber unit includes a biasing unit that biases the workpiece with a predetermined load, and a cutting amount adjusting unit that moves the scriber holder to a predetermined position and cuts a plate-shaped workpiece by a scribe tip into a predetermined amount. 4. The apparatus for cutting a plate-like workpiece according to claim 3, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1347297A JPH10209086A (en) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | Breaking method for plate-shaped work and its equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1347297A JPH10209086A (en) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | Breaking method for plate-shaped work and its equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209086A true JPH10209086A (en) | 1998-08-07 |
Family
ID=11834084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1347297A Pending JPH10209086A (en) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | Breaking method for plate-shaped work and its equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209086A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002057192A1 (en) * | 2001-01-17 | 2002-07-25 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Separator and separating system |
| WO2003002471A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd | Device and method for breaking fragile material substrate |
| WO2004007164A1 (en) | 2002-07-02 | 2004-01-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. | Pasted base board cutting system and base board cutting method |
| EP1179512A3 (en) * | 2000-08-11 | 2005-01-12 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Cutter wheel, apparatus and method for scribing brittle materials |
| WO2005087458A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Substrate dividing system, substrate manufacturing equipment, substrate scribing method and substrate dividing method |
| CN1293007C (en) * | 2003-05-20 | 2007-01-03 | 本田制锁有限公司 | Process and apparatus for cutting sheet glass |
| KR100786126B1 (en) | 2007-08-14 | 2007-12-18 | 주식회사 아바코 | Scribe method of cutting object by sustenance contactless flatness and scribe head apparatus of cutting object by sustenance contactless flatness |
| KR101317876B1 (en) * | 2010-12-13 | 2013-10-16 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Method for dividing bonded substrate |
| CN111916396A (en) * | 2020-07-31 | 2020-11-10 | 滁州惠科光电科技有限公司 | Cutting method of display panel, display panel and display device |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP1347297A patent/JPH10209086A/en active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1179512A3 (en) * | 2000-08-11 | 2005-01-12 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Cutter wheel, apparatus and method for scribing brittle materials |
| KR100780365B1 (en) * | 2000-08-11 | 2007-11-29 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | A cutter wheel for the substrate made of brittle materials and a scriber equipped with the same |
| US7699200B2 (en) | 2001-01-17 | 2010-04-20 | Mitsuboshi Diamond Industrial Col., Ltd. | Scribing and breaking apparatus and system therefor |
| WO2002057192A1 (en) * | 2001-01-17 | 2002-07-25 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Separator and separating system |
| US7131562B2 (en) | 2001-01-17 | 2006-11-07 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Scribing and breaking apparatus, system therefor, and scribing and breaking method |
| KR100748159B1 (en) | 2001-01-17 | 2007-08-09 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Scribing and breaking apparatus and system therefor |
| US8011546B2 (en) | 2001-01-17 | 2011-09-06 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Scribing and breaking apparatus and system therefor |
| WO2003002471A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd | Device and method for breaking fragile material substrate |
| KR100835622B1 (en) * | 2001-06-28 | 2008-06-09 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | A brake apparatus of the substrate made of brittle materials and method therefor |
| WO2004007164A1 (en) | 2002-07-02 | 2004-01-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. | Pasted base board cutting system and base board cutting method |
| JPWO2004007164A1 (en) * | 2002-07-02 | 2005-11-10 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Substrate cutting system and substrate cutting method for bonded substrates |
| CN1293007C (en) * | 2003-05-20 | 2007-01-03 | 本田制锁有限公司 | Process and apparatus for cutting sheet glass |
| WO2005087458A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Substrate dividing system, substrate manufacturing equipment, substrate scribing method and substrate dividing method |
| US7770500B2 (en) | 2004-03-15 | 2010-08-10 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Substrate dividing system, substrate manufacturing equipment, substrate scribing method and substrate dividing method |
| WO2009022865A3 (en) * | 2007-08-14 | 2009-04-23 | Avaco Co Ltd | Scribe apparatus and method thereof of cutting object by sustenance contactless flatness |
| KR100786126B1 (en) | 2007-08-14 | 2007-12-18 | 주식회사 아바코 | Scribe method of cutting object by sustenance contactless flatness and scribe head apparatus of cutting object by sustenance contactless flatness |
| KR101317876B1 (en) * | 2010-12-13 | 2013-10-16 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Method for dividing bonded substrate |
| CN111916396A (en) * | 2020-07-31 | 2020-11-10 | 滁州惠科光电科技有限公司 | Cutting method of display panel, display panel and display device |
| CN111916396B (en) * | 2020-07-31 | 2024-03-19 | 滁州惠科光电科技有限公司 | Cutting method of display panel, display panel and display device |
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