JP4844735B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
基板と、前記基板の表面に形成された電気的接続部を有する配線パターンとを含む配線基板を用意する工程と、
前記配線基板にバンプを有する半導体チップを搭載して、前記電気的接続部と前記バンプとを対向させて電気的に接続する工程と、
前記配線基板と前記半導体チップとの間に封止樹脂を形成する工程と、
を含み、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程では、
前記バンプによって前記電気的接続部を前記基板に向かって押圧して、前記電気的接続部の少なくとも一部を前記基板に埋め込み、前記基板が前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように前記基板を変形させる。
前記基板は、第1の樹脂層と、前記第1の樹脂層上に形成された第2の樹脂層とを含み、
前記電気的接続部は、前記第2の樹脂層上に形成されており、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程では、
前記電気的接続部の底面が前記第1の樹脂層に接触するように前記電気的接続部を押圧し、かつ、前記第2の樹脂層が前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように、少なくとも前記第2の樹脂層を変形させてもよい。
前記第2の樹脂層は熱可塑性の材料で形成されており、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程では、
少なくとも前記第2の樹脂層を加熱して、前記配線基板に前記半導体チップを搭載してもよい。
前記第2の樹脂層は、前記封止樹脂よりも、前記第1の樹脂層に対する密着性が高い材料で形成されていてもよい。
前記第2の樹脂層は、前記第1の樹脂層と同系列の樹脂で形成されていてもよい。
前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層とは、ポリアミック酸を形成するジアミンと酸無水物が同一の樹脂で形成されていてもよい。
前記封止樹脂は、前記第2の樹脂層よりも弾性率が高くてもよい。
ベース基板と、
前記ベース基板の表面に形成された電気的接続部を有する配線パターンと、
前記ベース基板の表面に、前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように形成された樹脂部と、
前記ベース基板上に配置された、バンプを有し、前記バンプが前記電気的接続部と対向して電気的に接続されている半導体チップと、
前記ベース基板と前記半導体チップとの間に設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記樹脂部は、前記封止樹脂よりも、前記ベース基板に対する密着性が高い材料で形成されている。
前記樹脂部は、前記ベース基板と同系列の樹脂で形成されていてもよい。
前記封止樹脂は、前記樹脂部よりも弾性率が高くてもよい。
前記ベース基板と前記樹脂部とは、ポリアミック酸を形成するジアミンと酸無水物が同一の樹脂で形成されていてもよい。
ベース基板と、
前記ベース基板に形成された、電気的接続部を有する配線パターンと、
バンプを有し、前記バンプが前記電気的接続部と対向して電気的に接続された半導体チップと、
前記ベース基板と前記半導体チップとの間に設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記ベース基板は、前記電気的接続部を支持する第1の部分と、前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆う、前記第1の部分と一体的に形成された第2の部分とを含む。
前記封止樹脂は、前記ベース基板よりも弾性率が高くてもよい。
図1(A)〜図6は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
以下、第1の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について、図7(A)〜図7(C)を参照しながら説明する。
図8(A)及び図8(B)は、本発明を適用した第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
Claims (5)
- 基板と、前記基板の表面に形成された電気的接続部を有する配線パターンとを含む配線基板を用意する工程と、
前記配線基板にバンプを有する半導体チップを搭載して、前記電気的接続部と前記バンプとを対向させて電気的に接続する工程と、
前記配線基板と前記半導体チップとの間に封止樹脂を形成する工程と、
を含み、
前記基板は、第1の樹脂層と、前記第1の樹脂層上に形成された第2の樹脂層とを含み、前記電気的接続部は、前記第2の樹脂層上に形成されており、
前記第2の樹脂層は熱可塑性の材料で形成され、かつ、前記第1の樹脂層は前記第2の樹脂層よりも軟化しにくい材料で形成され、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程は、
前記バンプによって前記電気的接続部を前記基板に向かって押圧して、前記電気的接続部の少なくとも一部を前記基板に埋め込み、前記基板が前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように前記基板を変形させること、
前記電気的接続部の底面が前記第1の樹脂層に接触するように前記電気的接続部を押圧し、かつ、前記第2の樹脂層が前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように、少なくとも前記第2の樹脂層を変形させること、及び
少なくとも前記第2の樹脂層を加熱しながら、前記配線基板に前記半導体チップを搭載すること、を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記第2の樹脂層は、前記封止樹脂よりも、前記第1の樹脂層に対する密着性が高い材料で形成されている半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2において、
前記第2の樹脂層は、前記第1の樹脂層と同系列の樹脂で形成されている半導体装置の製造方法。 - 請求項1から3のいずれか1項において、
前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層とは、ポリアミック酸を形成するジアミンと酸無水物が同一の樹脂で形成されている半導体装置の製造方法。 - 請求項1から4のいずれか1項において、
前記封止樹脂は、前記第2の樹脂層よりも弾性率が高い半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006219506A JP4844735B2 (ja) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | 半導体装置の製造方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008047603A JP2008047603A (ja) | 2008-02-28 |
JP4844735B2 true JP4844735B2 (ja) | 2011-12-28 |
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JP (1) | JP4844735B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3883948B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2007-02-21 | 大日本印刷株式会社 | 多層配線基板およびフリップチップ方式の半導体パッケージ |
JP2004172597A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4492233B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-06-30 | 株式会社デンソー | 半導体チップの実装構造および半導体チップの実装方法 |
JP2005243899A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
JP4661122B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-03-30 | ソニー株式会社 | 部品実装配線基板および配線基板への部品の実装方法 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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