JP2008047603A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１２と、基板１２の表面に形成された電気的接続部２０を有する配線パターン１８とを含む配線基板１０を用意する工程と、配線基板１０にバンプ３２を有する半導体チップ３０を搭載して、電気的接続部２０とバンプ３２とを対向させて電気的に接続する工程と、配線基板１０と半導体チップ３０との間に封止樹脂４０を形成する工程と、を含む。配線基板１０に半導体チップ３０を搭載する工程では、バンプ３２によって電気的接続部２０を基板１２に向かって押圧して、電気的接続部２０の一部を基板１２に埋め込み、基板１２が電気的接続部２０の側面２４の少なくとも基端部を覆うように基板１２を変形させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化の要請が高まっており、この要請に応えるため、外形の小さい半導体装置の開発が進んでいる。ところで、半導体装置の内部には、通常、複数の導電部材が配置されるが、半導体装置が小型化すると導電部材の間隔が狭くなることが予想される。
特開２００２−１９８３９５号公報

半導体装置内部の導電部材の間隔が狭い場合でも、当該複数の導電部材の間で電気的なショートが発生しにくい構造とすることができれば、半導体装置の信頼性を高めることができる。

本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。

（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
基板と、前記基板の表面に形成された電気的接続部を有する配線パターンとを含む配線基板を用意する工程と、
前記配線基板にバンプを有する半導体チップを搭載して、前記電気的接続部と前記バンプとを対向させて電気的に接続する工程と、
前記配線基板と前記半導体チップとの間に封止樹脂を形成する工程と、
を含み、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程では、
前記バンプによって前記電気的接続部を前記基板に向かって押圧して、前記電気的接続部の少なくとも一部を前記基板に埋め込み、前記基板が前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように前記基板を変形させる。

本発明によると、内部で電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造することができる。

（２）この半導体装置の製造方法において、
前記基板は、第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層上に形成された第２の樹脂層とを含み、
前記電気的接続部は、前記第２の樹脂層上に形成されており、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程では、
前記電気的接続部の底面が前記第１の樹脂層に接触するように前記電気的接続部を押圧し、かつ、前記第２の樹脂層が前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように、少なくとも前記第２の樹脂層を変形させてもよい。

（３）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂層は熱可塑性の材料で形成されており、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程では、
少なくとも前記第２の樹脂層を加熱して、前記配線基板に前記半導体チップを搭載してもよい。

これにより、効率よく半導体装置を製造することができる。

なお、第１の樹脂層は、熱可塑性を示さない材料で形成されていてもよい。これにより、第１の樹脂層で電気的接続部を支持することができるため、電気的接続部とバンプとを互いに押し付けることができ、両者を確実に電気的に接続することができる。

（４）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂層は、前記封止樹脂よりも、前記第１の樹脂層に対する密着性が高い材料で形成されていてもよい。

詳しくは、第２の樹脂層の第１の樹脂層に対する密着性は、封止樹脂の第１の樹脂層に対する密着性よりも高くてもよい。

これにより、さらに信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

（５）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂層は、前記第１の樹脂層と同系列の樹脂で形成されていてもよい。

（６）この半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とは、ポリアミック酸を形成するジアミンと酸無水物が同一の樹脂で形成されていてもよい。

（７）この半導体装置の製造方法において、
前記封止樹脂は、前記第２の樹脂層よりも弾性率が高くてもよい。

（８）本発明に係る半導体装置は、
ベース基板と、
前記ベース基板の表面に形成された電気的接続部を有する配線パターンと、
前記ベース基板の表面に、前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように形成された樹脂部と、
前記ベース基板上に配置された、バンプを有し、前記バンプが前記電気的接続部と対向して電気的に接続されている半導体チップと、
前記ベース基板と前記半導体チップとの間に設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記樹脂部は、前記封止樹脂よりも、前記ベース基板に対する密着性が高い材料で形成されている。

本発明によると、内部で電気的なショートが起こりにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

（９）この半導体装置において、
前記樹脂部は、前記ベース基板と同系列の樹脂で形成されていてもよい。

（１０）この半導体装置において、
前記封止樹脂は、前記樹脂部よりも弾性率が高くてもよい。

（１１）この半導体装置において、
前記ベース基板と前記樹脂部とは、ポリアミック酸を形成するジアミンと酸無水物が同一の樹脂で形成されていてもよい。

（１２）本発明に係る半導体装置は、
ベース基板と、
前記ベース基板に形成された、電気的接続部を有する配線パターンと、
バンプを有し、前記バンプが前記電気的接続部と対向して電気的に接続された半導体チップと、
前記ベース基板と前記半導体チップとの間に設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記ベース基板は、前記電気的接続部を支持する第１の部分と、前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆う、前記第１の部分と一体的に形成された第２の部分とを含む。

本発明によると、内部で電気的なショートが起こりにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

（１３）この半導体装置において、
前記封止樹脂は、前記ベース基板よりも弾性率が高くてもよい。

以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。

（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図６は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す配線基板１０を用意することを含む。なお、図１（Ａ）は配線基板１０の上視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のIB−IB線断面の一部拡大図である。以下、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）を参照しながら、配線基板１０の構成について説明する。

配線基板１０は、基板１２を含む。基板１２の材料は特に限定されるものではない。基板１２は、有機系の材料で構成されていてもよい。基板１２は、例えば、ポリイミド系、エポキシ系の樹脂材料や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）によって形成されていてもよい。ただし、基板１２として、無機系の材料の基板や、有機無機材料の複合基板を利用してもよい。また、基板１２は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。

基板１２は、組成の異なる複数の樹脂層を含んでいてもよい。基板１２は、例えば図１（Ｂ）に示すように、第１の樹脂層１４と、第１の樹脂層１４上に形成された第２の樹脂層１６とを含んでいてもよい。なお、本実施の形態では、第２の樹脂層１６は、後述する封止樹脂４０よりも、第１の樹脂層１４に対する密着性が高い材料で形成されている。すなわち、本実施の形態によると、第２の樹脂層１６の第１の樹脂層１４に対する密着性は、封止樹脂４０の第１の樹脂層１４に対する密着性よりも高い。第１及び第２の樹脂層１４，１６は、同系列の樹脂で形成されていてもよい。例えば、第１及び第２の樹脂層１４，１６は、ともに、ポリイミド系の樹脂で形成されていてもよい。あるいは、第１及び第２の樹脂層１４，１６は、ポリアミック酸を形成するジアミンと酸無水物が同一の樹脂で形成されていてもよい。また、本実施の形態では、第２の樹脂層１６は、熱可塑性の材料で形成されていてもよい。そして、第１の樹脂層１４は、熱を加えた時に、第２の樹脂層１６に比べて軟化しにくい材料（あるいは、軟化を始める温度が第２の樹脂層１６よりも高い材料）で形成されていてもよい。なお、本実施の形態では、第２の樹脂層１６は、第１の樹脂層１４の全面に形成されていてもよい。

配線基板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、配線パターン１８を有する。配線パターン１８の材料や構造は特に限定されるものではない。配線パターン１８は、単一の金属材料で構成されていてもよく、複数の金属が積層された構造をなしていてもよい。配線パターン１８は、例えば、銅によって形成されたコアパターンにスズあるいは金めっきがなされた構造をなしていてもよい。

配線パターン１８は、基板１２（第２の樹脂層１６）上に形成された電気的接続部２０を含む。電気的接続部２０は、配線パターン１８のうち、後述する半導体チップ３０のバンプ３２との電気的な接続に利用される部分である。すなわち、配線パターン１８のうち、バンプ３２と重複する領域（のみ）を指して、電気的接続部２０と称してもよい。電気的接続部２０は、底面２２と、側面２４と、上面２６とを含む。なお、電気的接続部２０の側面２４及び上面２６は、めっき層によって構成されていてもよい。また、電気的接続部２０の底面２２は、コアパターンによって構成されていてもよい。電気的接続部２０は、図１（Ｂ）に示すように、底面２２から上面２６に向けて幅が狭くなる構造をなしていてもよい。このとき、電気的接続部２０は、底面２２が上面２６よりも拡がった形状をなしていてもよい。

なお、配線基板１０は、図示しないレジスト層をさらに含んでいてもよい。該レジスト層は、配線パターン１８を部分的に覆うように形成されていてもよい。該ソルダレジストは、電気的接続部２０を露出させるように形成される。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０に半導体チップ３０を搭載することを含む。以下、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）を参照して、この工程について説明する。

はじめに、半導体チップ３０の構成について説明する。半導体チップ３０は、例えばシリコンチップであってもよい。半導体チップ３０は、図示しない集積回路を有する。集積回路の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。また、半導体チップ３０は複数のバンプ３２を有する。バンプ３２は、半導体チップ３０の内部と電気的に接続されていてもよい。バンプ３２は、集積回路と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路に電気的に接続されていない電極を含めて、バンプ３２と称してもよい。バンプ３２は、アルミニウム又は銅等の金属で形成された導電パッド上に形成された金属部材であってもよい。このとき、該導電パッドとバンプ３２とをあわせて、半導体チップ３０の電極と称してもよい。

本工程では、図２（Ａ）に示すように、電気的接続部２０とバンプ３２とが対向するように、配線基板１０と半導体チップ３０とを位置合わせする。例えば、図示しない支持具で配線基板１０を支持し、保持具でバンプ３２を保持して、電気的接続部２０とバンプ３２とが対向するように、配線基板１０と半導体チップ３０とを位置合わせしてもよい。なお、保持具及び支持具には、ヒータが内蔵されていてもよい。

そして、本工程では、図２（Ｂ）に示すように、配線基板１０と半導体チップ３０とを近接させて、電気的接続部２０とバンプ３２とを電気的に接続する。本実施の形態では、バンプ３２によって、電気的接続部２０を基板１２に向けて押圧する。これにより、電気的接続部２０の少なくとも一部を基板１２に埋め込み（押し込み）、また、基板１２が電気的接続部２０の側面２４の少なくとも基端部を覆うように基板１２を変形させる。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、本工程で、電気的接続部２０の底面２２が第１の樹脂層１４に接触するように、電気的接続部２０を押圧してもよい。そして、第２の樹脂層１６が電気的接続部２０の側面２４の少なくとも基端部を覆うように、少なくとも第２の樹脂層１６を変形させてもよい。

また、本工程では、配線２０の上端部が第２の樹脂層１６から突出するように、第２の樹脂層１６を変形させてもよい。すなわち、配線２０の高さは、第２の樹脂層１６よりも高くなっていてもよい。また、第２の樹脂層１６がバンプ３２に接触するように、第２の樹脂層１６を変形させてもよい。

なお、第２の樹脂層１６が熱可塑性の材料で形成されている場合、第２の樹脂層１６を加熱しながら、半導体チップ３０を配線基板１０に搭載してもよい。例えば、保持具に内蔵されたヒータで半導体チップ３０を加熱することで、間接的に第２の樹脂層１６を加熱し、軟化させてもよい。あるいは、支持具に内蔵されたヒータによって、配線基板１０（第２の樹脂層１６）を加熱してもよい。これにより、第２の樹脂層１６を容易に変形させることができるため、効率よく半導体装置を製造することができる。また、半導体チップ３０を加熱することによって、電気的接続部２０とバンプ３２とを、容易かつ確実に電気的に接続することができる。

なお、本実施の形態では、第１の樹脂層１４は、熱可塑性を示さない材料で形成されていてもよい。これにより、第１の樹脂層１４で電気的接続部２０を支持することができるため、電気的接続部２０とバンプ３２とに圧力をかけることができ、両者を確実に電気的に接続することが可能になる。例えば、基板１２を、第１の樹脂層１４が軟化しないように、かつ、第２の樹脂層１６が軟化するように加熱して、半導体チップ３０を搭載する工程を行ってもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図３に示すように、配線基板１０と半導体チップ３０との間に封止樹脂４０を形成することを含む。封止樹脂４０は、バンプ３２や、電気的接続部２０における第２の樹脂層１６からの露出部を封止するように形成してもよい。封止樹脂４０は、例えば、配線基板１０と半導体チップ３０との間にペースト状の樹脂材料を設け、これを硬化させることによって形成してもよい。

封止樹脂４０は、第２の樹脂層１６に対する密着性が、第１の樹脂層１４に対する密着性よりも高くなるように形成してもよい。すなわち、封止樹脂４０と第２の樹脂層１６との密着性と、封止樹脂４０と第１の樹脂層１４との密着性とを比較したときに、前者の方が高くなるように封止樹脂４０を形成してもよい。

封止樹脂４０は、また、第２の樹脂層１６よりも、弾性率が高くなるように形成してもよい。すなわち、封止樹脂４０は、第２の樹脂層１６よりも変形しにくく（硬く）なっていてもよい。あるいは、封止樹脂４０は、基板１２（第１及び第２の樹脂層１４，１６）よりも弾性率が高くなるように形成してもよい。封止樹脂４０として、例えばエポキシ系の樹脂材料を利用してもよい。

以上の工程によって、あるいは、基板１２を切断する工程や、検査工程などをさらに経て、図４に示す半導体装置１を製造することができる。なお、図４は、半導体装置１の概略図である。

半導体装置１は、第１の樹脂層１４を有する。第１の樹脂層１４は、ベース基板と称してもよい。半導体装置１は、配線パターン１８を有する。配線パターン１８は、第１の樹脂層１４の表面に形成された電気的接続部２０を有する。半導体装置１は、第２の樹脂層１６を有する。第２の樹脂層１６は、第１の樹脂層１４の表面に、電気的接続部２０の側面２４の少なくとも基端部を覆うように形成されている。第２の樹脂層１６は、樹脂部と称してもよい。半導体装置１は、第１の樹脂層１４と半導体チップ３０との間に設けられた封止樹脂４０を含む。そして、第２の樹脂層１６は、封止樹脂４０よりも、第１の樹脂層１４に対する密着性が高い材料で形成されている。言い換えると、第２の樹脂層１６と第１の樹脂層１４との密着性は、封止樹脂４０と第１の樹脂層１４との密着性よりも高い。なお、第１の樹脂層１４と第２の樹脂層１６とは、同系列の樹脂で形成されていてもよい。例えば、この２層の樹脂層は、ポリアミック酸を形成するジアミンと酸無水物が同一の樹脂で形成されていてもよい。

半導体装置１によると、１つの電気的接続部２０と他の導電部材（例えば他の電気的接続部）との間で電気的なショートが起きにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。以下、その効果について説明する。

半導体装置は、空気中の水分から隔離し保護する必要がある。特に、電気的接続部２０の周辺では、第１の樹脂層１４に応力が加えられる場合があり、剥離などにより空洞やすき間が発生する恐れがある。そして、この空洞内に存在する空気中の水分が２つ以上の導電部材に接触すれば、当該２つの導電部材の間で電気的なショートが起こる。逆に言うと、１つの導電部材に接触する水分が発生した場合であっても、この水分が他の導電部材に接触しなければ半導体装置の内部で電気的なショートが発生せず、半導体装置の信頼性を維持することができる。

ところで、半導体装置１は、電気的接続部２０の側面２４の少なくとも基端部を覆う第２の樹脂層１６を有する。そして、第２の樹脂層１６は、第１の樹脂層１４と密着性の高い材料で構成される。そのため、半導体装置１によると、第１の樹脂層１４と１つの電気的接続部２０との間で水分が発生した場合でも、当該水分が第１及び第２の樹脂層１４，１６の界面を流動することを防止することができ、当該水分が他の導電部材（他の電気的接続部２０）と接触することを防止することができる。すなわち、半導体装置１によると、１つの電気的接続部２０と他の導電部材（他の電気的接続部２０）との間で、電気的なショートが起こりにくくなる。このことから、本発明によると、内部で電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

なお、半導体装置の信頼性を高めるためには、封止樹脂は、弾性率が所定の値よりも高い材料で形成することが好ましい。しかし、弾性率の高い樹脂は、他の樹脂との密着性が低くなることがある。ところで半導体装置１によると、電気的接続部２０の側面２４の基端部は、第２の樹脂層１６に覆われる。そして、第２の樹脂層１６は、封止樹脂４０に較べて、第１の樹脂層１４に対する密着性が高い。すなわち、半導体装置１によると、第１の樹脂層１４に対する密着性に配慮することなく、封止樹脂４０の材料を選択することができる。そのため、半導体装置１によると、剛性に優れた、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

そして、上述した半導体装置の製造方法によると、信頼性の高い半導体装置１を、効率よく製造することができる。

図５及び図６には、半導体装置１を有する電子機器の一例として、ノート型パーソナルコンピュータ２０００と、携帯電話３０００とを示す。

（変形例）
以下、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）を参照しながら説明する。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７（Ａ）に示す、配線基板５０を用意することを含む。配線基板５０は、基板５２を有する。基板５２は、第１の樹脂層５４と、第１の樹脂層５４の表面に形成された第２の樹脂層５６とを含む。配線基板５０によると、１つの第１の樹脂層５４上には、複数の第２の樹脂層５６が配置される。また、配線基板５０は、複数の電気的接続部５８を含む。電気的接続部５８は、それぞれ、いずれかの第２の樹脂層５６上に形成されている。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７（Ｂ）に示すように、配線基板５０に半導体チップ３０を搭載することを含む。本工程では、バンプ３２によって、電気的接続部５８を基板５２に向かって押圧する。これにより、電気的接続部５８が第１の樹脂層５４に接触するように、かつ、第２の樹脂層５６が電気的接続部５８の側面の少なくとも基端部を覆うように、第２の樹脂層５６を変形させてもよい。また、電気的接続部５８の上端部が第２の樹脂層５６から突出するように、第２の樹脂層５６を変形させてもよい。すなわち、電気的接続部５８の高さは、第２の樹脂層５６よりも高くなっていてもよい。また、第２の樹脂層５６がバンプ３２に接触するように、第２の樹脂層１６を変形させてもよい（図示せず）。

そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７（Ｃ）に示すように、配線基板５０と半導体チップ３０との間に封止樹脂４２を形成することを含む。封止樹脂４２は、その一部が、第１の樹脂層５４に接触するように形成してもよい。

この方法によっても、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。

（第２の実施の形態）
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図８（Ａ）に示す、配線基板６０を用意することを含む。配線基板６０は、基板６２を含む。基板６２は、単一の樹脂層によって形成されていてもよい。配線基板６０は、また、基板６２上に形成された電気的接続部７０を含む。なお、電気的接続部７０は、底面７２と、側面７４と、上面７６とを含む。そして、配線基板６０によると、電気的接続部７０の底面７２は、上面７６よりも幅が狭くなっている。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図８（Ｂ）に示すように、配線基板６０に半導体チップ３０を搭載して、電気的接続部７０とバンプ３２とを電気的に接続することを含む。本工程では、バンプ３２によって、電気的接続部７０を基板６２に向けて押圧する。これにより、電気的接続部７０の少なくとも一部を基板６２に埋め込み（押し込み）、また、基板６２が電気的接続部７０の側面７４の少なくとも基端部を覆うように、基板６２を変形させる。すなわち、基板６２を変形させて、電気的接続部７０を支持する第１の部分６４と、電気的接続部７０の側面７４の少なくとも基端部を覆う第２の部分６６とを有するベース基板を形成してもよい。なお、第１及び第２の部分６４，６６は、一体的に形成されている。また、電気的接続部７６の上端部が第２の部分６６から突出するように、基板６２を変形させてもよい。また、第２の部分６６がバンプ３２に接触するように、基板６２を変形させてもよい（図示せず）。

そして、基板６２と半導体チップ３０との間に封止樹脂を形成する工程等をさらに経て、半導体装置を製造してもよい。

この方法によって製造された半導体装置は、基板６２を有する。基板６２を、ベース基板と称してもよい。半導体装置は、電気的接続部７０を含む配線パターンを有する。半導体装置は、バンプ３２を有し、バンプ３２が電気的接続部７０と対向して電気的に接続された半導体チップ３０を有する。半導体装置は、基板６２と半導体チップ３０との間に設けられた封止樹脂を有する。基板６２（ベース基板）は、電気的接続部７０を支持する第１の部分６４と、電気的接続部７０の側面の少なくとも基端部を覆う第２の部分６６とを含む。第１及び第２の部分６４，６６は、一体的に形成されている。

この半導体装置によると、電気的接続部７０を支持する第１の部分６４と、電気的接続部７０の側面７４の少なくとも基端部を覆う第２の部分６６とは、一体的に構成される。そのため、電気的接続部７０と基板６２（第１の部分６４）との間に水分が発生した場合でも、当該水分が第１及び第２の部分６４，６６の間を流動することを防止することができる。すなわち、この半導体装置によると、１つの電気的接続部７０の周囲に発生した水分が他の導電部材に接触しにくくなるため、電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、上述した信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造することができる。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、電気的接続部７０が、底面７２が上面７６よりも幅が狭い構造をなしている。この場合、電気的接続部７０を基板６２に埋め込む（沈み込ませる）工程を効率よく行うことができるため、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することが可能になる。

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図。 第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図。

符号の説明

１…半導体装置、 １０…配線基板、 １２…基板、 １４…第１の樹脂層、 １６…第２の樹脂層、 １８…配線パターン、 ２０…電気的接続部、 ２２…底面、 ２４…側面、 ２６…上面、 ３０…半導体チップ、 ３２…バンプ、 ４０…封止樹脂、 ４２…封止樹脂、 ５０…配線基板、 ５２…基板、 ５４…第１の樹脂層、 ５６…第２の樹脂層、 ５８…電気的接続部、 ６０…配線基板、 ６２…基板、 ６４…第１の部分、 ６６…第２の部分、 ７０…電気的接続部、 ７２…底面、 ７４…側面、 ７６…上面

Claims (13)

1. 基板と、前記基板の表面に形成された電気的接続部を有する配線パターンとを含む配線基板を用意する工程と、
   前記配線基板にバンプを有する半導体チップを搭載して、前記電気的接続部と前記バンプとを対向させて電気的に接続する工程と、
   前記配線基板と前記半導体チップとの間に封止樹脂を形成する工程と、
   を含み、
   前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程では、
   前記バンプによって前記電気的接続部を前記基板に向かって押圧して、前記電気的接続部の少なくとも一部を前記基板に埋め込み、前記基板が前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように前記基板を変形させる半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記基板は、第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層上に形成された第２の樹脂層とを含み、
   前記電気的接続部は、前記第２の樹脂層上に形成されており、
   前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程では、
   前記電気的接続部の底面が前記第１の樹脂層に接触するように前記電気的接続部を押圧し、かつ、前記第２の樹脂層が前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように、少なくとも前記第２の樹脂層を変形させる半導体装置の製造方法。
3. 請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第２の樹脂層は熱可塑性の材料で形成されており、
   前記配線基板に前記半導体チップを搭載する工程では、
   少なくとも前記第２の樹脂層を加熱して、前記配線基板に前記半導体チップを搭載する半導体装置の製造方法。
4. 請求項２又は請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第２の樹脂層は、前記封止樹脂よりも、前記第１の樹脂層に対する密着性が高い材料で形成されている半導体装置の製造方法。
5. 請求項２から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第２の樹脂層は、前記第１の樹脂層と同系列の樹脂で形成されている半導体装置の製造方法。
6. 請求項２から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とは、ポリアミック酸を形成するジアミンと酸無水物が同一の樹脂で形成されている半導体装置の製造方法。
7. 請求項２から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記封止樹脂は、前記第２の樹脂層よりも弾性率が高い半導体装置の製造方法。
8. ベース基板と、
   前記ベース基板の表面に形成された電気的接続部を有する配線パターンと、
   前記ベース基板の表面に、前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆うように形成された樹脂部と、
   前記ベース基板上に配置された、バンプを有し、前記バンプが前記電気的接続部と対向して電気的に接続されている半導体チップと、
   前記ベース基板と前記半導体チップとの間に設けられた封止樹脂と、
   を有し、
   前記樹脂部は、前記封止樹脂よりも、前記ベース基板に対する密着性が高い材料で形成されている半導体装置。
9. 請求項８記載の半導体装置において、
   前記樹脂部は、前記ベース基板と同系列の樹脂で形成されている半導体装置。
10. 請求項８又は請求項９記載の半導体装置において、
    前記封止樹脂は、前記樹脂部よりも弾性率が高い半導体装置。
11. 請求項８から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置において、
    前記ベース基板と前記樹脂部とは、ポリアミック酸を形成するジアミンと酸無水物が同一の樹脂で形成されている半導体装置。
12. ベース基板と、
    前記ベース基板に形成された、電気的接続部を有する配線パターンと、
    バンプを有し、前記バンプが前記電気的接続部と対向して電気的に接続された半導体チップと、
    前記ベース基板と前記半導体チップとの間に設けられた封止樹脂と、
    を有し、
    前記ベース基板は、前記電気的接続部を支持する第１の部分と、前記電気的接続部の側面の少なくとも基端部を覆う、前記第１の部分と一体的に形成された第２の部分とを含む半導体装置。
13. 請求項１２記載の半導体装置において、
    前記封止樹脂は、前記ベース基板よりも弾性率が高い半導体装置。

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