JP2970595B2 - Ｂｇａ型半導体装置 - Google Patents
Ｂｇａ型半導体装置Info
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
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- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
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- H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップとキ
ャリアテープとを積層し、ほとんど半導体チップ程度の
大きさで使用できるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型
半導体装置に関する。
ャリアテープとを積層し、ほとんど半導体チップ程度の
大きさで使用できるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の高密度実装化が進めら
れ、半導体装置の多ピン狭ピッチ化および小型化が求め
られている。この種の半導体装置の例として、特開平７
−３２１１５７号公報および特開平８−１０２４７４号
公報に記載されているような、半導体チップに接着剤付
きの可撓性フィルムを貼り合わせた、半導体チップサイ
ズと同等もしくはわずかに大きいサイズのパッケージ
（ＣＳＰともいう）がある。
れ、半導体装置の多ピン狭ピッチ化および小型化が求め
られている。この種の半導体装置の例として、特開平７
−３２１１５７号公報および特開平８−１０２４７４号
公報に記載されているような、半導体チップに接着剤付
きの可撓性フィルムを貼り合わせた、半導体チップサイ
ズと同等もしくはわずかに大きいサイズのパッケージ
（ＣＳＰともいう）がある。
【０００３】以下に、図７〜９を参照してこの半導体装
置について説明する。図７は、従来の半導体装置の断面
図である。図８は、図７に示した半導体装置に用いられ
るキャリアテープの平面図であり、図９は図８に示した
キャリアテープのＡ−Ａ線断面図である。
置について説明する。図７は、従来の半導体装置の断面
図である。図８は、図７に示した半導体装置に用いられ
るキャリアテープの平面図であり、図９は図８に示した
キャリアテープのＡ−Ａ線断面図である。
【０００４】図７に示すように、この半導体装置はＢＧ
Ａ型半導体装置であり、表面にアルミニウム等の電極１
０２が設けられた半導体チップ１０１と、半導体チップ
１０１の電極１０２が設けられた面に貼り付けられた、
可撓性を有するフィルムであるキャリアテープ１０４
と、半導体装置を実装用基板に実装するためにキャリア
テープ１０４に形成された半田ボール１０６とで構成さ
れる。
Ａ型半導体装置であり、表面にアルミニウム等の電極１
０２が設けられた半導体チップ１０１と、半導体チップ
１０１の電極１０２が設けられた面に貼り付けられた、
可撓性を有するフィルムであるキャリアテープ１０４
と、半導体装置を実装用基板に実装するためにキャリア
テープ１０４に形成された半田ボール１０６とで構成さ
れる。
【０００５】キャリアテープ１０４は、図８に示すよう
に、複数の外部接続用パッド１１２がマトリックス状に
配列されるとともに、外部接続用パッド１１２が配列さ
れた領域の外側には半導体チップ１０１の電極１０２と
の接続のための複数のインナーリード１１０が設けられ
ている。外部接続用パッド１１２とインナーリード１１
０とは、外部接続用引き回し配線１１１によって接続さ
れている。
に、複数の外部接続用パッド１１２がマトリックス状に
配列されるとともに、外部接続用パッド１１２が配列さ
れた領域の外側には半導体チップ１０１の電極１０２と
の接続のための複数のインナーリード１１０が設けられ
ている。外部接続用パッド１１２とインナーリード１１
０とは、外部接続用引き回し配線１１１によって接続さ
れている。
【０００６】また、図９に示すように、キャリアテープ
１０４は、それぞれ絶縁性材料からなる接着剤１０７、
基材１０８およびカバーコート１０９が積層された構造
となっている。接着剤１０７は、キャリアテープ１０４
を半導体チップ１０１に貼り付けるための層である。基
材１０８は、キャリアテープ１０４のベースとなる層で
あり、ポリイミドなどが用いられる。上述したインナー
リード１１０、外部接続用引き回し配線１１１および外
部接続用パッド１１２は、この基材１０８上に形成され
る。カバーコート１０９は、外部接続用引き回し配線１
１１が露出しないようにするために外部接続用引き回し
配線１１１を覆って基材１０８に形成された層である。
図７に示すように、半田ボール１０６は、外部接続用パ
ッド１１２上に形成される。
１０４は、それぞれ絶縁性材料からなる接着剤１０７、
基材１０８およびカバーコート１０９が積層された構造
となっている。接着剤１０７は、キャリアテープ１０４
を半導体チップ１０１に貼り付けるための層である。基
材１０８は、キャリアテープ１０４のベースとなる層で
あり、ポリイミドなどが用いられる。上述したインナー
リード１１０、外部接続用引き回し配線１１１および外
部接続用パッド１１２は、この基材１０８上に形成され
る。カバーコート１０９は、外部接続用引き回し配線１
１１が露出しないようにするために外部接続用引き回し
配線１１１を覆って基材１０８に形成された層である。
図７に示すように、半田ボール１０６は、外部接続用パ
ッド１１２上に形成される。
【０００７】次に、上述した半導体装置の製造工程につ
いて、図１０（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
いて、図１０（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【０００８】まず、図１０（ａ）に示すように、半導体
チップ１０１の電極１０２が設けられた面にキャリアテ
ープ１０４を載置した状態で、ボンディングツール１１
７を用いて、電極１０２とインナーリード１１０とを接
続する。次いで、図１０（ｂ）に示すように、熱圧着ヘ
ッド１１８を用い、半導体チップ１とキャリアテープ１
０４とを熱圧着することにより、半導体チップ１０１と
キャリアテープ１０４とを貼り合わせる。その後、図１
０（ｃ）に示すように、キャリアテープ１０４の外部接
続用パッド１１２上に半田ボール１０６を形成する。半
田ボール１０６の形成方法としては、半田打ち抜き法に
より外部接続用パッド１１２に半田を転写し、加熱を行
って半田ボール１０６を形成する方法や、半田ボール１
０６を外部接続用パッド１１２に直接乗せ、加熱して形
成する方法がある。最後に、キャリアテープ１０４を半
導体チップ１０１の外形に沿って切断し、図７に示した
ような半導体装置とする。
チップ１０１の電極１０２が設けられた面にキャリアテ
ープ１０４を載置した状態で、ボンディングツール１１
７を用いて、電極１０２とインナーリード１１０とを接
続する。次いで、図１０（ｂ）に示すように、熱圧着ヘ
ッド１１８を用い、半導体チップ１とキャリアテープ１
０４とを熱圧着することにより、半導体チップ１０１と
キャリアテープ１０４とを貼り合わせる。その後、図１
０（ｃ）に示すように、キャリアテープ１０４の外部接
続用パッド１１２上に半田ボール１０６を形成する。半
田ボール１０６の形成方法としては、半田打ち抜き法に
より外部接続用パッド１１２に半田を転写し、加熱を行
って半田ボール１０６を形成する方法や、半田ボール１
０６を外部接続用パッド１１２に直接乗せ、加熱して形
成する方法がある。最後に、キャリアテープ１０４を半
導体チップ１０１の外形に沿って切断し、図７に示した
ような半導体装置とする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置では、ＣＳＰの特徴である小型化の
利点を生かすためのキャリアテープは、半導体チップに
搭載される領域内に、外部接続用パッドとインナーリー
ドとの接続のための引き回し配線、さらには、引き回し
配線や外部接続用パッドにメッキ処理を行う場合に必要
となるメッキ用引き出し配線が必要となる。そのため、
半導体チップの電極数の増加に伴ってこれらの配線の数
も多くなり、自ずから外部接続用パッドの直径の大きさ
も制限される。これにより半田ボールも直径が制限さ
れ、小さなものとなってしまう。
た従来の半導体装置では、ＣＳＰの特徴である小型化の
利点を生かすためのキャリアテープは、半導体チップに
搭載される領域内に、外部接続用パッドとインナーリー
ドとの接続のための引き回し配線、さらには、引き回し
配線や外部接続用パッドにメッキ処理を行う場合に必要
となるメッキ用引き出し配線が必要となる。そのため、
半導体チップの電極数の増加に伴ってこれらの配線の数
も多くなり、自ずから外部接続用パッドの直径の大きさ
も制限される。これにより半田ボールも直径が制限さ
れ、小さなものとなってしまう。
【００１０】半田ボールの直径が小さくなると、半導体
装置を実装用基板に実装したときの接続強度が低いもの
となり、実装後に熱応力等の外部ストレスを受けた場合
に、外部接続用パッドと半田ボールとの界面でクラック
が発生し、電気的にオープンとなってしまうことがあ
る。また、実装の熱応力を緩和するために、半導体装置
と実装用基板との間に液状の樹脂を充填するが、半田ボ
ールの直径が小さくなるほど、半導体装置と実装用基板
との隙間が小さくなり、樹脂の充填が困難になる。さら
に、外部接続用パッドに半田ボールを形成する際、半田
ボールの直径が小さくなるほど、半田ボールが形成され
ない確率が高くなってしまう。
装置を実装用基板に実装したときの接続強度が低いもの
となり、実装後に熱応力等の外部ストレスを受けた場合
に、外部接続用パッドと半田ボールとの界面でクラック
が発生し、電気的にオープンとなってしまうことがあ
る。また、実装の熱応力を緩和するために、半導体装置
と実装用基板との間に液状の樹脂を充填するが、半田ボ
ールの直径が小さくなるほど、半導体装置と実装用基板
との隙間が小さくなり、樹脂の充填が困難になる。さら
に、外部接続用パッドに半田ボールを形成する際、半田
ボールの直径が小さくなるほど、半田ボールが形成され
ない確率が高くなってしまう。
【００１１】そこで本発明は、キャリアテープに設けら
れる配線の制約を受けにくくし、より大きな半田ボール
が形成可能なＢＧＡ型半導体装置を提供することを目的
とする。
れる配線の制約を受けにくくし、より大きな半田ボール
が形成可能なＢＧＡ型半導体装置を提供することを目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の第１のＢＧＡ型半導体装置は、表面に電極が設
けられた半導体チップと、前記半導体チップの表面に固
着され、前記電極と接続されるインナーリード、外部接
続用パッド、及び前記インナーリードと前記外部接続用
パッドとを接続する外部接続用引き回し配線が形成され
た基材上に、前記外部配線接続用引き回し配線を覆い且
つ前記外部接続用パッドを露出させる穴が形成されたカ
バーコートが積層されたキャリアテープと、前記カバー
コートの表面の前記穴の周囲に形成され、前記穴の内径
よりも大きな外径を有する拡張電極と、前記拡張電極上
に形成され、前記外部接続用パッドと接続された導電性
ボールとを有する。
本発明の第１のＢＧＡ型半導体装置は、表面に電極が設
けられた半導体チップと、前記半導体チップの表面に固
着され、前記電極と接続されるインナーリード、外部接
続用パッド、及び前記インナーリードと前記外部接続用
パッドとを接続する外部接続用引き回し配線が形成され
た基材上に、前記外部配線接続用引き回し配線を覆い且
つ前記外部接続用パッドを露出させる穴が形成されたカ
バーコートが積層されたキャリアテープと、前記カバー
コートの表面の前記穴の周囲に形成され、前記穴の内径
よりも大きな外径を有する拡張電極と、前記拡張電極上
に形成され、前記外部接続用パッドと接続された導電性
ボールとを有する。
【００１３】上記の発明のＢＧＡ型半導体装置では、半
導体チップの電極は、キャリアテープ内の外部接続用引
き回し配線を介して外部接続用パッドと接続される。キ
ャリアテープのカバーコートには、外部接続用パッドを
露出させる穴が形成されており、この穴の部分に、ＢＧ
Ａ型半導体装置を基板に実装させるための導電性ボール
を形成して、外部接続用パッドと導電性ボールとを接続
する。ここで、カバーコートの表面には、上記穴の周囲
に、穴の内径よりも大きな外径を有する拡張電極が形成
され、この拡張電極上に導電性ボールが形成されるの
で、導電性ボールの大きさは、外部接続用パッドや穴の
大きさに拘らず、拡張電極の外径によって決定される。
従って、外部接続用引き回し配線の制約を受けずに、よ
り大きな導電性ボールが形成される。上記拡張電極は、
外部接続用パッドと接触し且つ穴を塞いでカバーコート
の表面に形成されたものであってもよく、このように構
成することにより、外部接続用パッドと拡張電極とが直
接接触するため、拡張電極上に形成される導電性ボール
と外部接続用パッドとの接続がより確実なものとなる。
導体チップの電極は、キャリアテープ内の外部接続用引
き回し配線を介して外部接続用パッドと接続される。キ
ャリアテープのカバーコートには、外部接続用パッドを
露出させる穴が形成されており、この穴の部分に、ＢＧ
Ａ型半導体装置を基板に実装させるための導電性ボール
を形成して、外部接続用パッドと導電性ボールとを接続
する。ここで、カバーコートの表面には、上記穴の周囲
に、穴の内径よりも大きな外径を有する拡張電極が形成
され、この拡張電極上に導電性ボールが形成されるの
で、導電性ボールの大きさは、外部接続用パッドや穴の
大きさに拘らず、拡張電極の外径によって決定される。
従って、外部接続用引き回し配線の制約を受けずに、よ
り大きな導電性ボールが形成される。上記拡張電極は、
外部接続用パッドと接触し且つ穴を塞いでカバーコート
の表面に形成されたものであってもよく、このように構
成することにより、外部接続用パッドと拡張電極とが直
接接触するため、拡張電極上に形成される導電性ボール
と外部接続用パッドとの接続がより確実なものとなる。
【００１４】また、本発明の第２のＢＧＡ型半導体装置
は、表面に電極が設けられた半導体チップと、前記半導
体チップの表面に固着され、前記電極と接続されるイン
ナーリード、外部接続用パッド、及び前記インナーリー
ドと前記外部接続用パッドとを接続する外部接続用引き
回し配線が形成された基材上に、前記外部配線接続用引
き回し配線を覆い且つ前記外部接続用パッドを露出させ
る穴が形成されたカバーコートが積層されたキャリアテ
ープと、前記キャリアテープの表面に固着され、前記穴
に対応する位置にスルーホールが形成されたパッド拡張
用テープと、前記パッド拡張用テープの表面の前記スル
ーホールの周囲に形成され、前記スルーホールの内径よ
りも大きな外径を有する拡張電極と、前記拡張電極上に
形成され、前記外部接続用パッドと接続された導電性ボ
ールとを有する。
は、表面に電極が設けられた半導体チップと、前記半導
体チップの表面に固着され、前記電極と接続されるイン
ナーリード、外部接続用パッド、及び前記インナーリー
ドと前記外部接続用パッドとを接続する外部接続用引き
回し配線が形成された基材上に、前記外部配線接続用引
き回し配線を覆い且つ前記外部接続用パッドを露出させ
る穴が形成されたカバーコートが積層されたキャリアテ
ープと、前記キャリアテープの表面に固着され、前記穴
に対応する位置にスルーホールが形成されたパッド拡張
用テープと、前記パッド拡張用テープの表面の前記スル
ーホールの周囲に形成され、前記スルーホールの内径よ
りも大きな外径を有する拡張電極と、前記拡張電極上に
形成され、前記外部接続用パッドと接続された導電性ボ
ールとを有する。
【００１５】上記の第２の発明は、第１の発明に対して
キャリアテープの表面にパッド拡張用テープを固着した
ものであり、さらに、拡張電極をキャリアテープの表面
でなくパッド拡張用テープの表面に形成している。この
ようにパッド拡張用テープを設けても、第１の発明と同
様に、外部接続用引き回し配線の制約を受けずに、より
大きな導電性ボールが形成される。また、この場合、パ
ッド拡張用テープを、基材層と、パッド拡張用テープを
キャリアテープに固着させるための接着剤層との２層構
造とし、拡張電極を、基材層におけるスルーホールの内
周面、および基材層の表面および裏面のスルーホールの
周囲に形成してもよい。これにより、外部接続用パッド
と拡張電極との距離が小さくなり、導電性ボールを形成
する際の導電性ボールと外部接続用パッドとの接続が安
定する。
キャリアテープの表面にパッド拡張用テープを固着した
ものであり、さらに、拡張電極をキャリアテープの表面
でなくパッド拡張用テープの表面に形成している。この
ようにパッド拡張用テープを設けても、第１の発明と同
様に、外部接続用引き回し配線の制約を受けずに、より
大きな導電性ボールが形成される。また、この場合、パ
ッド拡張用テープを、基材層と、パッド拡張用テープを
キャリアテープに固着させるための接着剤層との２層構
造とし、拡張電極を、基材層におけるスルーホールの内
周面、および基材層の表面および裏面のスルーホールの
周囲に形成してもよい。これにより、外部接続用パッド
と拡張電極との距離が小さくなり、導電性ボールを形成
する際の導電性ボールと外部接続用パッドとの接続が安
定する。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１７】（第１の実施形態）図１は、本発明のＢＧ
Ａ型半導体装置の第１の実施形態の断面図である。
Ａ型半導体装置の第１の実施形態の断面図である。
【００１８】図１に示すように、本実施形態のＢＧＡ型
半導体装置は、表面にアルミニウム等の電極２が設けら
れた半導体チップ１と、半導体チップ１の電極２が設け
られた面に貼り付けられたキャリアテープ４と、キャリ
アテープ４の表面に貼り付けられたパッド拡張用テープ
５と、この半導体装置を実装用基板に実装するためにパ
ッド拡張用テープ５に形成された導電性ボールである半
田ボール６とで構成される。半導体チップ１の表面に
は、電極２が設けられた部分を除いて、半導体チップ１
の表面の保護のための保護膜３が設けられている。
半導体装置は、表面にアルミニウム等の電極２が設けら
れた半導体チップ１と、半導体チップ１の電極２が設け
られた面に貼り付けられたキャリアテープ４と、キャリ
アテープ４の表面に貼り付けられたパッド拡張用テープ
５と、この半導体装置を実装用基板に実装するためにパ
ッド拡張用テープ５に形成された導電性ボールである半
田ボール６とで構成される。半導体チップ１の表面に
は、電極２が設けられた部分を除いて、半導体チップ１
の表面の保護のための保護膜３が設けられている。
【００１９】キャリアテープ４は、図８および図９を用
いて説明した従来のキャリアテープと同様の、接着剤７
と、基材８と、カバーコート９との３層構造のテープで
あり、電極２と接続されるインナーリード１０と、半田
ボール６と接続される外部接続用パッド１２と、インナ
ーリード１０と外部接続用パッド１２とを接続する外部
接続用引き回し配線１１とを有する。これらインナーリ
ード１０、外部接続用引き出し配線１１および外部接続
用パッド１２は基材８上に形成され、インナーリード１
０および外部接続用パッド１２のみが、カバーコート９
から露出している。インナーリード１０は、電極２と対
応する位置に設けられ、外部接続用パッド１２は、マト
リックス状に配列される。
いて説明した従来のキャリアテープと同様の、接着剤７
と、基材８と、カバーコート９との３層構造のテープで
あり、電極２と接続されるインナーリード１０と、半田
ボール６と接続される外部接続用パッド１２と、インナ
ーリード１０と外部接続用パッド１２とを接続する外部
接続用引き回し配線１１とを有する。これらインナーリ
ード１０、外部接続用引き出し配線１１および外部接続
用パッド１２は基材８上に形成され、インナーリード１
０および外部接続用パッド１２のみが、カバーコート９
から露出している。インナーリード１０は、電極２と対
応する位置に設けられ、外部接続用パッド１２は、マト
リックス状に配列される。
【００２０】ここで、パッド拡張用テープ５について、
図２および図３を参照しながら説明する。図２は、図１
に示したＢＧＡ型半導体装置に用いられるパッド拡張用
テープの平面図であり、図３は、図２に示したパッド拡
張用テープのＢ−Ｂ線断面図である。
図２および図３を参照しながら説明する。図２は、図１
に示したＢＧＡ型半導体装置に用いられるパッド拡張用
テープの平面図であり、図３は、図２に示したパッド拡
張用テープのＢ−Ｂ線断面図である。
【００２１】パッド拡張用テープ５はキャリアテープ４
と同様の形態のテープであり、絶縁性および可撓性を有
する基材１４と、熱可塑性または熱硬化性の接着剤１３
との２層構造となっている。この接着剤１３により、パ
ッド拡張用テープ５は、キャリアテープ４に貼り付けら
れる。パッド拡張用テープ５の貼り付けは、熱圧着法に
より行われる。
と同様の形態のテープであり、絶縁性および可撓性を有
する基材１４と、熱可塑性または熱硬化性の接着剤１３
との２層構造となっている。この接着剤１３により、パ
ッド拡張用テープ５は、キャリアテープ４に貼り付けら
れる。パッド拡張用テープ５の貼り付けは、熱圧着法に
より行われる。
【００２２】パッド拡張用テープ５には、半導体チップ
１の電極２に対応する位置に、電極２とインナーリード
１０との接続の際に使用されるボンディングツール１７
（図４（ａ）参照）のためのスルーホール５ｂが形成さ
れている。さらに、パッド拡張用テープ５には、キャリ
アテープ４の外部接続用パッド１２と対応する位置に、
半田ボール６と外部接続用パッド１２との接続のための
スルーホール５ａが形成されている。
１の電極２に対応する位置に、電極２とインナーリード
１０との接続の際に使用されるボンディングツール１７
（図４（ａ）参照）のためのスルーホール５ｂが形成さ
れている。さらに、パッド拡張用テープ５には、キャリ
アテープ４の外部接続用パッド１２と対応する位置に、
半田ボール６と外部接続用パッド１２との接続のための
スルーホール５ａが形成されている。
【００２３】パッド拡張用テープ５の基材１４の表面の
外部接続用パッド１２と対応するスルーホール５ａの周
囲、および基材部分におけるスルーホール５ａの内周面
には、金または銅などからなる導電性を有する拡張電極
１５が形成されている。拡張電極１５の外径はスルーホ
ール５ａの内径よりも大きい。半田ボール６は拡張電極
１５上に形成され、スルーホール５ａ内を満たして外部
接続用パッド１２と接続される。
外部接続用パッド１２と対応するスルーホール５ａの周
囲、および基材部分におけるスルーホール５ａの内周面
には、金または銅などからなる導電性を有する拡張電極
１５が形成されている。拡張電極１５の外径はスルーホ
ール５ａの内径よりも大きい。半田ボール６は拡張電極
１５上に形成され、スルーホール５ａ内を満たして外部
接続用パッド１２と接続される。
【００２４】以上説明したように、拡張電極１５を有す
るパッド拡張用テープ５をキャリアテープ４の表面に貼
り付け、拡張電極１５上に半田ボール６を形成すること
で、半導体チップ１の電極２の数が多くなるのに伴って
キャリアテープ４における外部接続用引き回し配線１１
の数が増え、外部接続用パッド１２の大きさが制限され
るような場合であっても、半田ボール６の形成に際して
はそのような制限を受けることはない。
るパッド拡張用テープ５をキャリアテープ４の表面に貼
り付け、拡張電極１５上に半田ボール６を形成すること
で、半導体チップ１の電極２の数が多くなるのに伴って
キャリアテープ４における外部接続用引き回し配線１１
の数が増え、外部接続用パッド１２の大きさが制限され
るような場合であっても、半田ボール６の形成に際して
はそのような制限を受けることはない。
【００２５】従って、外部接続用パッド１２の配列ピッ
チに応じて、より大きな半田ボール６を形成することが
できるようになる。その結果、半導体装置を実装用基板
に実装したときの、半田ボール６と実装用基板との接続
強度を十分に保つことができ、熱応力などの外部ストレ
スに強い信頼性の高い半導体装置を達成できる。また、
実装後の熱応力を緩和するために半導体装置と実装用基
板との間に液状の樹脂を充填する際にも、半導体装置と
実装用基板との隙間を大きく保てるので、樹脂の充填性
も良好となる。
チに応じて、より大きな半田ボール６を形成することが
できるようになる。その結果、半導体装置を実装用基板
に実装したときの、半田ボール６と実装用基板との接続
強度を十分に保つことができ、熱応力などの外部ストレ
スに強い信頼性の高い半導体装置を達成できる。また、
実装後の熱応力を緩和するために半導体装置と実装用基
板との間に液状の樹脂を充填する際にも、半導体装置と
実装用基板との隙間を大きく保てるので、樹脂の充填性
も良好となる。
【００２６】次に、本実施形態の半導体装置の製造工程
について、図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
について、図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００２７】予め、キャリアテープ４とパッド拡張用テ
ープ５とを熱圧着により貼り合わせた一体テープ構造１
６を作っておき、図４（ａ）に示すように、半導体チッ
プ１の電極２が設けられた面に一体テープ構造１６を載
置した状態で、ボンディングツール１７を用いて、電極
２とインナーリード１０とを接続する。
ープ５とを熱圧着により貼り合わせた一体テープ構造１
６を作っておき、図４（ａ）に示すように、半導体チッ
プ１の電極２が設けられた面に一体テープ構造１６を載
置した状態で、ボンディングツール１７を用いて、電極
２とインナーリード１０とを接続する。
【００２８】次いで、図４（ｂ）に示すように、熱圧着
ヘッド１８を用い、半導体チップ１とキャリアテープ４
とを熱圧着することにより、半導体チップ１とキャリア
テープ４とを貼り合わせる。
ヘッド１８を用い、半導体チップ１とキャリアテープ４
とを熱圧着することにより、半導体チップ１とキャリア
テープ４とを貼り合わせる。
【００２９】その後、図４（ｃ）に示すように、パッド
拡張用テープ５の拡張電極１５上に、スルーホール５ａ
を覆って半田ボール６を形成する。半田ボール６は、ス
ルーホール５ａの直径よりも大きな外径を有する拡張電
極１５上に形成されるので、スルーホール５ａが小さい
場合であっても半田ボール６を良好に形成することがで
きる。半田ボール６の形成方法としては、半田打ち抜き
法により拡張電極１５に半田を転写し、加熱を行って半
田ボール６を形成する方法を用いてもよいし、半田ボー
ル６を拡張電極１５に直接乗せ、加熱して形成する方法
を用いてもよい。
拡張用テープ５の拡張電極１５上に、スルーホール５ａ
を覆って半田ボール６を形成する。半田ボール６は、ス
ルーホール５ａの直径よりも大きな外径を有する拡張電
極１５上に形成されるので、スルーホール５ａが小さい
場合であっても半田ボール６を良好に形成することがで
きる。半田ボール６の形成方法としては、半田打ち抜き
法により拡張電極１５に半田を転写し、加熱を行って半
田ボール６を形成する方法を用いてもよいし、半田ボー
ル６を拡張電極１５に直接乗せ、加熱して形成する方法
を用いてもよい。
【００３０】最後に、一体テープ構造１６を半導体チッ
プ１の外形に沿って切断し、図１に示したような、半導
体チップ１と同等もしくは僅かに大きいサイズの半導体
装置とする。
プ１の外形に沿って切断し、図１に示したような、半導
体チップ１と同等もしくは僅かに大きいサイズの半導体
装置とする。
【００３１】（第２の実施形態）図５は、本発明のＢＧ
Ａ型半導体装置の第２の実施形態の断面図である。
Ａ型半導体装置の第２の実施形態の断面図である。
【００３２】本実施形態では、拡張電極３５が、パッド
拡張用テープ２５の基材３４の表面および基材部分にお
けるスルーホール２５ａの内周面だけでなく、接着剤３
３が設けられている面にも、基材３４の表面と同様に形
成されている。接着剤３３は、基材３４に拡張用電極３
５を形成した後、基材３４の裏面に設けられる。
拡張用テープ２５の基材３４の表面および基材部分にお
けるスルーホール２５ａの内周面だけでなく、接着剤３
３が設けられている面にも、基材３４の表面と同様に形
成されている。接着剤３３は、基材３４に拡張用電極３
５を形成した後、基材３４の裏面に設けられる。
【００３３】その他の、半導体チップ２１およびキャリ
アテープ２４の構造、さらにはパッド拡張用テープ２５
とキャリアテープ２４と半導体チップ２１との貼り合せ
手順や、電極２２とインナーリード３０との接続方法
や、拡張電極３５への半田ボール２６の形成方法は第１
の実施形態と同様でよいので、それらの説明は省略す
る。
アテープ２４の構造、さらにはパッド拡張用テープ２５
とキャリアテープ２４と半導体チップ２１との貼り合せ
手順や、電極２２とインナーリード３０との接続方法
や、拡張電極３５への半田ボール２６の形成方法は第１
の実施形態と同様でよいので、それらの説明は省略す
る。
【００３４】このように拡張電極３５を設けることで、
拡張電極３５と外部接続用パッド３２との距離が小さく
なるため、半田ボール２６の形成時に、スルーホール２
５ａの内部での半田の濡れ性が向上する。その結果、第
１の実施形態と比較して、半田ボール２６を形成する際
に半田が外部接続用パッド３２まで到達し易くなり、半
田ボール２６と外部接続用パッド３２との接続がより安
定する。
拡張電極３５と外部接続用パッド３２との距離が小さく
なるため、半田ボール２６の形成時に、スルーホール２
５ａの内部での半田の濡れ性が向上する。その結果、第
１の実施形態と比較して、半田ボール２６を形成する際
に半田が外部接続用パッド３２まで到達し易くなり、半
田ボール２６と外部接続用パッド３２との接続がより安
定する。
【００３５】（第３の実施形態）図６は、本発明のＢＧ
Ａ型半導体装置の第３の実施形態の断面図である。
Ａ型半導体装置の第３の実施形態の断面図である。
【００３６】本実施形態では、上述した２つの実施形態
で用いたようなパッド拡張用テープは用いず、キャリア
テープ４４に直接、拡張電極５５を形成している。拡張
電極５５は、キャリアテープ４４の外部接続用パッド５
２を露出させる穴を塞ぎ、かつ、外部接続用パッド５２
と接触して形成される。半田ボール４６は、拡張電極５
５上に形成される。拡張電極５５の直径は、上記の外部
接続用パッド５２を露出させる穴の内径よりも大きい。
拡張電極５５は、例えばアディティブ法により形成する
ことができる。
で用いたようなパッド拡張用テープは用いず、キャリア
テープ４４に直接、拡張電極５５を形成している。拡張
電極５５は、キャリアテープ４４の外部接続用パッド５
２を露出させる穴を塞ぎ、かつ、外部接続用パッド５２
と接触して形成される。半田ボール４６は、拡張電極５
５上に形成される。拡張電極５５の直径は、上記の外部
接続用パッド５２を露出させる穴の内径よりも大きい。
拡張電極５５は、例えばアディティブ法により形成する
ことができる。
【００３７】その他の、半導体チップ４１およびキャリ
アテープ４４の構造や、キャリアテープ４４と半導体チ
ップ４１との貼り合せ手順や、電極４２とインナーリー
ド５０との接続方法や、拡張電極５５への半田ボール４
６の形成方法は第１の実施形態と同様でよいので、それ
らの説明は省略する。
アテープ４４の構造や、キャリアテープ４４と半導体チ
ップ４１との貼り合せ手順や、電極４２とインナーリー
ド５０との接続方法や、拡張電極５５への半田ボール４
６の形成方法は第１の実施形態と同様でよいので、それ
らの説明は省略する。
【００３８】このように、拡張電極５５をキャリアテー
プ４４に直接設けることで、上述した第１および第２の
実施形態と比較して、構造が簡単になる。また、拡張電
極５５は外部接続用パッド５２と接触しており、そのよ
うな拡張電極５５上に半田ボール４６が形成されるの
で、半田ボール４６と外部接続用パッド５２との接続が
さらに確実なものとなる。
プ４４に直接設けることで、上述した第１および第２の
実施形態と比較して、構造が簡単になる。また、拡張電
極５５は外部接続用パッド５２と接触しており、そのよ
うな拡張電極５５上に半田ボール４６が形成されるの
で、半田ボール４６と外部接続用パッド５２との接続が
さらに確実なものとなる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＢＧＡ型半
導体装置は、半導体チップの電極と接続されるインナー
リード、外部接続用引き回し配線、および外部接続用パ
ッドが設けられたキャリアテープの表面に直接、または
キャリアテープ上に固着されたパッド拡張用テープの表
面に拡張電極が形成されているので、より大きな導電性
ボールを形成することができる。その結果、ＢＧＡ半導
体装置を基板に実装した状態での、導電性ボールと基板
との接続強度を十分に保つことができる。また、実装後
の熱応力を緩和するために半導体装置と基板との間に液
状の樹脂を充填する場合にも、充填性が良好なものとす
ることができる。
導体装置は、半導体チップの電極と接続されるインナー
リード、外部接続用引き回し配線、および外部接続用パ
ッドが設けられたキャリアテープの表面に直接、または
キャリアテープ上に固着されたパッド拡張用テープの表
面に拡張電極が形成されているので、より大きな導電性
ボールを形成することができる。その結果、ＢＧＡ半導
体装置を基板に実装した状態での、導電性ボールと基板
との接続強度を十分に保つことができる。また、実装後
の熱応力を緩和するために半導体装置と基板との間に液
状の樹脂を充填する場合にも、充填性が良好なものとす
ることができる。
【００４０】特に、拡張電極をキャリアテープに形成す
る場合、外部接続用パッドと接続し且つカバーコートに
形成された穴を塞いで拡張電極を形成することで、導電
性ボールとパッドとの接続をさらに確実なものとするこ
とができる。また、パッド拡張用テープがキャリアテー
プの表面に固着された構成の場合、拡張電極を、拡張用
テープの基材層におけるスルーホールの内周面、および
基材層の表面および裏面のスルーホールの周囲に形成す
ることで、導電性ボールを形成する際の導電性ボールと
パッドとの接続を安定させることができる。
る場合、外部接続用パッドと接続し且つカバーコートに
形成された穴を塞いで拡張電極を形成することで、導電
性ボールとパッドとの接続をさらに確実なものとするこ
とができる。また、パッド拡張用テープがキャリアテー
プの表面に固着された構成の場合、拡張電極を、拡張用
テープの基材層におけるスルーホールの内周面、および
基材層の表面および裏面のスルーホールの周囲に形成す
ることで、導電性ボールを形成する際の導電性ボールと
パッドとの接続を安定させることができる。
【図１】本発明のＢＧＡ型半導体装置の第１の実施形態
の断面図である。
の断面図である。
【図２】図１に示したＢＧＡ型半導体装置に用いられる
パッド拡張用テープの平面図である。
パッド拡張用テープの平面図である。
【図３】図２に示したパッド拡張用テープのＢ−Ｂ線断
面図である。
面図である。
【図４】図１に示した半導体装置の製造工程を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図５】本発明のＢＧＡ型半導体装置の第２の実施形態
の断面図である。
の断面図である。
【図６】本発明のＢＧＡ型半導体装置の第３の実施形態
の断面図である。
の断面図である。
【図７】従来の半導体装置の断面図である。
【図８】図７に示した半導体装置に用いられるキャリア
テープの平面図である。
テープの平面図である。
【図９】図８に示したキャリアテープのＡ−Ａ線断面図
である。
である。
【図１０】図７に示した半導体装置の製造工程を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
１，２１，４１ 半導体チップ ２，２２，４２ 電極 ３ 保護膜 ４，２４，４４ キャリアテープ ５，２５ パッド拡張用テープ ５ａ，５ｂ，２５ａ スルーホール ６，２６，４６ 半田ボール ７，１３，３３ 接着剤 ８，１４，３４ 基材 ９ カバーコート １０，３０，５０ インナーリード １１ 外部接続用引き回し配線 １２，３２，５２ 外部接続用パッド １５，３５ 拡張電極 １６ 一体テープ構造 １７ ボンディングツール １８ 熱圧着ヘッド
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に電極が設けられた半導体チップ
と、 前記半導体チップの表面に固着され、前記電極と接続さ
れるインナーリード、外部接続用パッド、及び前記イン
ナーリードと前記外部接続用パッドとを接続する外部接
続用引き回し配線が形成された基材上に、前記外部配線
接続用引き回し配線を覆い且つ前記外部接続用パッドを
露出させる穴が形成されたカバーコートが積層されたキ
ャリアテープと、 前記カバーコートの表面の前記穴の周囲に形成され、前
記穴の内径よりも大きな外径を有する拡張電極と、 前記拡張電極上に形成され、前記外部接続用パッドと接
続された導電性ボールとを有するＢＧＡ型半導体装置。 - 【請求項２】 前記拡張電極は、前記外部接続用パッド
と接触し且つ前記穴を塞いで前記カバーコートの表面に
形成されている請求項１に記載のＢＧＡ型半導体装置。 - 【請求項３】 表面に電極が設けられた半導体チップ
と、 前記半導体チップの表面に固着され、前記電極と接続さ
れるインナーリード、外部接続用パッド、及び前記イン
ナーリードと前記外部接続用パッドとを接続する外部接
続用引き回し配線が形成された基材上に、前記外部配線
接続用引き回し配線を覆い且つ前記外部接続用パッドを
露出させる穴が形成されたカバーコートが積層されたキ
ャリアテープと、 前記キャリアテープの表面に固着され、前記穴に対応す
る位置にスルーホールが形成されたパッド拡張用テープ
と、 前記パッド拡張用テープの表面の前記スルーホールの周
囲に形成され、前記スルーホールの内径よりも大きな外
径を有する拡張電極と、 前記拡張電極上に形成され、前記外部接続用パッドと接
続された導電性ボールとを有するＢＧＡ型半導体装置。 - 【請求項４】 前記パッド拡張用テープは、基材層と、
前記パッド拡張用テープを前記キャリアテープに固着さ
せるための接着剤層との２層構造であり、前記拡張電極
は、前記基材層における前記スルーホールの内周面、お
よび前記基材層の表面および裏面の前記スルーホールの
周囲に形成されている請求項３に記載のＢＧＡ型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14958597A JP2970595B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Ｂｇａ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14958597A JP2970595B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Ｂｇａ型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340969A JPH10340969A (ja) | 1998-12-22 |
| JP2970595B2 true JP2970595B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=15478426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14958597A Expired - Fee Related JP2970595B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Ｂｇａ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2970595B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308220A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Nec Corp | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| KR100462372B1 (ko) * | 2001-02-07 | 2004-12-17 | 주식회사 칩팩코리아 | 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP14958597A patent/JP2970595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10340969A (ja) | 1998-12-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |