JP4806520B2 - 半導体記憶装置及びメモリシステム - Google Patents
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Description
また、チップ制御回路105は、コマンド信号CMDによるアクセス要求(データ読み出し・書き込み)とリフレッシュ要求とのアービトレーション(調停処理)を行う。このアービトレーションでは、先に発生した要求が優先して処理される。
データ信号制御回路107は、外部コマンドに応じて行われるリード動作及びライト動作におけるメモリ内部と外部との間でのデータ信号の授受を制御する。
図18、図19に示したようにして、従来の擬似SRAMではデータ読み出し動作及びデータ書き込み動作等が行われていた。
また、処理回路による外部アクセス要求に係る情報のデコード結果を保持するレジスタを設けるようにした場合には、外部アクセス要求に係る動作を処理回路とアレイ制御回路とによるパイプライン動作により実行することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態による半導体記憶装置1の構成例を示すブロック図である。
半導体記憶装置1は、擬似SRAMであり、リフレッシュタイマー2、チップ制御回路3、アドレスデコーダ4、データ信号制御回路5、アレイ制御回路6、メモリセルアレイ7、及びインタフェース回路8を有する。
具体的には、チップ制御回路3は、インタフェース回路8を介して外部からのコマンド信号(外部コマンド)CMD及びリフレッシュ信号(コマンド)REFEが供給される。そして、チップ制御回路3は、図示しないデコーダによりそれらをデコードし、デコード結果に基づいてアレイ制御回路6に制御信号を出力する。
なお、パイプライン実行制御部10については後述する。
このチップ制御回路3とアドレスデコーダ4とで、本発明における処理回路が構成される。
アレイ制御回路6は、チップ制御回路3から供給される制御信号及びアドレスデコーダ4から供給される選択アドレス信号に基づいて、メモリセルアレイ7内のメモリセルに係るデータ読み出し(リード)動作、データ書き込み(ライト)動作、及びリフレッシュ動作を実行する。
また、メモリセルアレイ7は、ビット線に対応して設けられたセンスアンプを有する。
パイプライン実行制御部10は、NAND(否定論理積演算)回路31、32、33、38、NOR(否定論理和演算)回路39、インバータ30、36、37、及びPチャネル型トランジスタ34とNチャネル型トランジスタ35とからなるトランスファゲート40を有する。また、図3において、CMDAは、単独で入力された通常のコマンド及び本実施形態の特徴であるパイプライン動作(後述する)において先行するコマンドであり、CMDB(P)は、先行するコマンドに続くパイプライン動作に係るコマンドである。また、CE、/CEはコマンド信号の1つであるチップイネーブル信号である(/は負論理信号であることを示す。以下についても同様。)。
レジスタ回路51は、インバータ52、55、56、及びPチャネル型トランジスタ53とNチャネル型トランジスタ54とからなるトランスファゲート57を有する。
図5において、ブロック選択指示回路61、ワード線(WL)選択指示回路62、センスアンプ(SA)選択指示回路63、コラム線(CL)選択指示回路64、及びアンプ(AMP)活性指示回路65は、それぞれ対応するブロック選択回路66、ワード線選択回路67、センスアンプ活性化回路68、コラム線選択回路69、及びアンプ活性制御回路70の動作タイミングを制御する。
なお、データ読み出し(リード)動作、データ書き込み(ライト)動作、及びリフレッシュ動作の何れも実行されていない場合には、ビット線トランスファー信号線BT0、BT1及びプリチャージ信号線BRSは活性化されており、“H”である。したがって、プリチャージ回路82、83内のトランジスタNT3〜NT5、NT13〜NT15、及びトランジスタNT6、NT7、NT16、NT17が導通し、ビット線BL、/BLの電位は等しい電位となっている。
なお、メモリセル81へのデータ書き込み動作は、従来と同様であり、その説明は省略する。
図7(A)は、図1に示した半導体記憶装置1にてリフレッシュ動作を実行させるために供給されるコマンド信号CMD及びリフレッシュ信号REFEの駆動波形を示している。半導体記憶装置1がリフレッシュ信号REFEを入力するための専用端子(専用ピン)を備えている場合には、図7(A)に示すように、コマンド信号CMD(/CE、/ADV、/OE、/WE)のすべてを不活性化した状態(“H”)で、リフレッシュ信号REFEをパルス状に“L”に変化させることにより、半導体記憶装置1にてリフレッシュ動作が実行される。
データ読み出し動作を行うリードコマンドRDは、信号/CE及び/OEが“L”、かつ信号/WE及びREFEが“H”である。データ書き込み動作を行うライトコマンドWRは、信号/CE及び/WEが“L”、かつ信号/OE及びREFEが“H”である。
リフレッシュ動作を行うリフレッシュコマンドREFは、信号REFEのみが“L”で他の信号/CE、/OE及び/WEが“H”である。なお、信号/CE、REFEが“H”のときは、待機状態(非動作状態)であるスタンバイ状態となる。
リードコマンドRD及びライトコマンドWRは、信号REFEがないだけで図8(A)に示した例と同様である。また、信号/CEが“H”のときは、待機状態(非動作状態)であるスタンバイ状態となる。
リフレッシュコマンドREFは、信号/OE及び/WEが“H”の状態で、信号/CEをパルス状に“L”にする。
図9は、第1の実施形態による半導体記憶装置の動作例を示すタイミングチャートである。図9においては、半導体記憶装置1を動作状態にするチップイネーブル信号/CE、アドレス信号ADDが有効であることを示すアドレスバリッド信号/ADV、アウトプットイネーブル信号/OE、及びライトイネーブル信号/WEをコマンド信号CMDとして用い、さらにリフレッシュ信号REFEを用いる半導体記憶装置1が、パイプライン動作によりリフレッシュ動作REF−データ読み出し動作RD(A)−データ読み出し動作RD(B)を実行する場合を一例として示している。なお、図9において、コア動作とは、メモリセルアレイ7の選択動作(アレイ制御回路6がメモリセルアレイ7に対して実行する動作)であり、Peri動作とは、アレイ制御回路6及びメモリセルアレイ7を除く回路2〜5、8が実行する動作である。
時刻T12において、リフレッシュ信号REFEが“H”に変化するとともに、メモリセルアレイ7ではリフレッシュコア動作が実行される。
その後、アドレスバリッド信号/ADVが“H”に変化する。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図11は、本発明の第2の実施形態による半導体記憶装置201の基本構成を示す図である。この図11において、図1に示したブロック等と同一の機能を有するブロック等には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
半導体記憶装置201は、擬似SRAMであり、チップ制御回路202、アドレスデコーダ203、リフレッシュアドレス制御回路204、データ信号制御回路5、アレイ制御回路6、メモリセルアレイ7、及びインタフェース回路205を有する。
チップ制御回路202は、図12(A)に示すようにコマンドデコーダ211を有する。コマンドデコーダ211は、コマンド信号CMD及びアドレス信号ADDが入力され、それらをデコードする。さらに、コマンドデコーダ211は、デコード結果に応じて、実行コマンドEXC又はリフレッシュコマンドREFCを出力する。リフレッシュコマンドREFCは、上述したように所定のアドレス信号ADDとコマンド信号CMDとの組み合わせである場合に出力される。
アドレスデコーダ203は、バッファ221とセレクタ222を有する。セレクタ222は、外部からのアドレス信号ADDに基づくアドレスEXA及びリフレッシュアドレスREFAが入力され、リフレッシュコマンドREFCに応じてアドレスEXA又はREFAを選択的にバッファ221に出力する。例えば、セレクタ222は、リフレッシュコマンドREFCが“H”である場合にはアドレスREFAを出力し、リフレッシュコマンドREFCが“L”である場合にはアドレスEXAを出力する。さらに、バッファ221に入力されたアドレスがアドレスデコーダ203より出力される。
リフレッシュアドレス制御回路204は、図14(A)に示すようにカウンタ231及びリフレッシュアドレス決定部232を有する。カウンタ231は、リフレッシュコマンドREFC’が入力される度にカウンタ値CNTをインクリメントし(デクリメントでも良い)、カウンタ値CNTをリフレッシュアドレス決定部232に出力する。リフレッシュアドレス決定部232は、供給されるカウンタ値CNTに基づいてリフレッシュアドレスREFAを決定し出力する。
図15において、241はバンクAに係る回路であり、メモリセルアレイ7におけるバンクA243とそれを制御するための制御回路242を含む。244はバンクBに係る回路であり、メモリセルアレイ7におけるバンクB246とそれを制御するための制御回路245及びデータ信号制御回路247を含む。また、248はインタフェース回路である。なお、制御回路242、245は、1つのブロックとしてそれぞれ示しているが、図11に示したチップ制御回路202、アドレスデコーダ203、リフレッシュアドレス制御回路204等の機能を有している。
どのバンクに対してリフレッシュ動作を行うかにかかわらず、リフレッシュコマンドの場合には、信号/CE及び/OEが“L”、かつ信号/WEが“H”である。リフレッシュ動作を行うバンクの指定は、アドレス信号ADDの一部(図16においては、ビットA0〜A2に対応するアドレス信号ADD)を使用して行う。
本発明の諸態様を付記として以下に示す。
上記メモリセルに記憶されているデータを保持するためのリフレッシュ動作を要求するリフレッシュ要求信号を外部に出力するリフレッシュ要求回路と、
外部から供給される上記メモリセルアレイに対する外部アクセス要求に係る情報をデコードし、デコード結果に基づいて、上記メモリセルアレイにて実行する動作を指示する処理回路と、
上記処理回路からの指示に基づいて、上記メモリセルアレイに対する動作を実行するアレイ制御回路とを備え、
上記外部アクセス要求には、上記リフレッシュ要求信号に対する応答のリフレッシュ実行要求を含むことを特徴とする半導体記憶装置。
(付記2)上記リフレッシュ要求回路は、タイマー機能を有し、一定期間が経過する度に上記リフレッシュ要求信号を外部に出力することを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記3)上記リフレッシュ実行要求は、個別信号線による信号を用いることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記4)上記リフレッシュ実行要求は、特定のコマンドを用いることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記5)上記処理回路による外部アクセス要求に係る情報のデコード結果を保持するレジスタをさらに備えることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記6)上記処理回路は、上記メモリセルアレイにて第1の外部アクセス要求に対応する動作の実行中に第2の外部アクセス要求を受けた場合には、当該第2の外部アクセス要求に係る情報のデコード結果を上記レジスタに保持し、上記第1の外部アクセス要求に対応する動作が終了した後、上記レジスタに保持されているデコード結果に基づいて、上記メモリセルアレイにて実行する動作を指示することを特徴とする付記5記載の半導体記憶装置。
(付記7)上記メモリセルアレイにて上記第1の外部アクセス要求に対応する動作が終了した後、上記第2の外部アクセス要求に対応する動作の実行を指示するパイプライン実行制御回路をさらに備えることを特徴とする付記6記載の半導体記憶装置。
(付記8)上記レジスタは、上記外部アクセス要求に係るコマンド情報のデコード結果を保持するコマンドレジスタと、アドレス情報のデコード結果を保持するアドレスレジスタとを有することを特徴とする付記5記載の半導体記憶装置。
(付記9)上記外部アクセス要求に係る動作を上記処理回路と上記アレイ制御回路とによるパイプライン動作により実行することを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記10)付記1記載の半導体記憶装置と、
上記外部アクセス要求に係る情報を出力する制御装置とを備え、
上記制御装置は、上記リフレッシュ要求信号を受信し、応答として上記リフレッシュ実行要求を出力することを特徴とするメモリシステム。
(付記11)上記制御装置は、上記リフレッシュ要求信号を受信してから一定期間内に上記リフレッシュ実行要求を出力することを特徴とする付記10記載のメモリシステム。
(付記12)上記制御装置は、上記メモリセルに対するデータの読み出し又は書き込みに係るアクセス要求と、上記リフレッシュ実行要求との調停処理を行い、調停結果に基づいて外部アクセス要求を出力することを特徴とする付記10記載のメモリシステム。
(付記13)データを記憶する複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイと、
外部から供給される上記メモリセルアレイに対する外部アクセス要求に係るコマンド情報及びアドレス情報をデコードし、デコード結果に基づいて上記メモリセルアレイにて実行する動作を指示する処理回路と、
上記処理回路からの指示に基づいて、上記メモリセルアレイに対する動作を実行するアレイ制御回路とを備え、
上記処理回路は、上記外部アクセス要求に係るコマンド情報及びアドレス情報が所定の組み合わせである場合には、上記メモリセルに記憶されているデータを保持するためのリフレッシュ動作を上記メモリセルアレイにて実行するよう指示することを特徴とする半導体記憶装置。
(付記14)上記リフレッシュ動作を実行するアドレスを制御するアドレス制御回路をさらに備え、
上記アドレス制御回路は、上記外部アクセス要求に係るコマンド情報及びアドレス情報が所定の組み合わせである場合に値が所定値毎に変化するカウンタを有し、当該カウンタ値に基づいて上記リフレッシュ動作を実行するアドレスを決定することを特徴とする付記13記載の半導体記憶装置。
(付記15)上記メモリセルアレイは、複数のバンクで構成され、
上記各バンク毎に上記処理回路及びアレイ制御回路を備え、独立して制御可能にしたことを特徴とする付記13記載の半導体記憶装置。
2 リフレッシュタイマー
3 チップ制御回路
4 アドレスデコーダ
5 データ信号制御回路
6 アレイ制御回路
7 メモリセルアレイ
8 インタフェース回路
10 パイプライン実行制御部
12 コマンドレジスタ
13 アドレスレジスタ
CLK クロック信号
CMD コマンド信号
REFR リフレッシュ投入要求信号
REFE リフレッシュ信号
ADD アドレス信号
DQ データ信号
Claims (5)
- データを記憶する複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイと、
上記メモリセルに記憶されているデータを保持するためのリフレッシュ動作を要求するリフレッシュ要求信号を外部に出力するリフレッシュ要求回路と、
外部から供給される上記メモリセルアレイに対する外部アクセス要求に係る情報をデコードし、デコード結果に基づいて、上記メモリセルアレイにて実行する動作を指示する処理回路と、
上記処理回路からの指示に基づいて、上記メモリセルアレイに対する動作を実行するアレイ制御回路とを備え、
上記外部アクセス要求には、上記リフレッシュ要求信号に対する応答のリフレッシュ実行要求を含み、
上記リフレッシュ実行要求と、上記リフレッシュ実行要求以外の上記外部アクセス要求に係る動作を、上記処理回路と上記アレイ制御回路とによるパイプライン動作により実行し、
上記処理回路による外部アクセス要求に係る情報のデコード結果を保持するレジスタをさらに備え、
上記処理回路は、上記メモリセルアレイにて第1の外部アクセス要求に対応する動作の実行中に第2の外部アクセス要求を受けた場合には、当該第2の外部アクセス要求に係る情報のデコード結果を上記レジスタに保持し、上記第1の外部アクセス要求に対応する動作が終了した後、上記レジスタに保持されているデコード結果に基づいて、上記メモリセルアレイにて実行する動作を指示し、チップイネーブル信号が第1の状態であるときに、上記リフレッシュ実行要求以外の上記外部アクセス要求に対応する動作を上記メモリセルアレイで実行する動作を指示し、上記チップイネーブル信号が上記第1の状態から第2の状態に切り替わると、実行中の上記リフレッシュ実行要求以外の上記外部アクセス要求に対応する動作の終了を指示することを特徴とする半導体記憶装置。 - 上記リフレッシュ要求回路は、タイマー機能を有し、一定期間が経過する度に上記リフレッシュ要求信号を外部に出力することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 上記リフレッシュ実行要求は、個別信号線による信号を用いることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。
- 上記リフレッシュ実行要求は、特定のコマンドを用いることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。
- 請求項1記載の半導体記憶装置と、
上記外部アクセス要求に係る情報を出力する制御装置とを備え、
上記制御装置は、上記リフレッシュ要求信号を受信し、応答として上記リフレッシュ実行要求を出力することを特徴とするメモリシステム。
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