JP4800605B2 - 静電破壊保護回路 - Google Patents
静電破壊保護回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4800605B2 JP4800605B2 JP2004330159A JP2004330159A JP4800605B2 JP 4800605 B2 JP4800605 B2 JP 4800605B2 JP 2004330159 A JP2004330159 A JP 2004330159A JP 2004330159 A JP2004330159 A JP 2004330159A JP 4800605 B2 JP4800605 B2 JP 4800605B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- transistor
- layer
- surge
- electrostatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0266—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
図1aは、本発明の一実施形態に係る半導体装置であるNMOSトランジスタ100の概略構造図である。ここで、NMOSトランジスタ100は、SOI基板上に形成されるFD型のNMOSトランジスタとし、後で説明するFD型のPMOSトランジスタ200と共に、例えば、半導体集積回路の出力回路を構成するものとする。なお、本実施形態で説明する構造は、部分空乏(PD:Partially Depleted)型のNMOSトランジスタに適用することも可能である。また、SOI基板を使用する代わりに、サファイアの表面に単結晶シリコン層を形成したSOS(Silicon on Sapphire)基板や、スピネルの表面に単結晶シリコン層を形成したSOS(Silicon on Spinel)基板を使用することも可能である。
図2aは、本発明の一実施形態に係る半導体装置であるPMOSトランジスタ200の概略構造図である。ここで、PMOSトランジスタ200は、SOI基板上に形成されるFD型のPMOSトランジスタとし、上述したFD型のNMOSトランジスタ100と共に、例えば、半導体集積回路の出力回路を構成するものとする。なお、本実施形態で説明する構造は、PD型のPMOSトランジスタに適用することも可能である。また、SOI基板を使用する代わりに、サファイアの表面に単結晶シリコン層を形成したSOS(Silicon on Sapphire)基板や、スピネルの表面に単結晶シリコン層を形成したSOS(Silicon on Spinel)基板を使用することも可能である。
図3は、NMOSトランジスタ100及びPMOSトランジスタ200からなる出力回路を有する静電破壊保護回路1000の構成図である。
Vg=(Vdd−Vss)×C1/(C1+C2) ・・・ (1)
となることは容易に分かる。通常の状態では、保護トランジスタ301はOFFでなければならないため、Vgが保護トランジスタ301の閾値電圧Vthよりも小さくなるように容量C1及びC2を設定する。なお、本実施形態における保護トランジスタ301はNMOSトランジスタであるが、PMOSトランジスタを使用することも可能である。
Vg’=(Vsa−Vss)×C1/(C1+C2) ・・・ (2)
となる。通常、SURGE−Aの電位は数100Vのオーダー(Vsa>>Vdd)であると考えられるので、式(1)及び(2)よりVg’>>Vgとなる。このゲート電圧Vg’は、保護トランジスタ301の閾値電圧Vthよりも大きいため、SURGE−Aが印可されることにより保護トランジスタ301がONする。保護トランジスタ301がONすると、Vdd配線400とVss配線500とが短絡し、SURGE−Aが低電位側の電圧源Vss(GND)へと流れることになる。つまり、正極性の静電気サージSURGE−Aが印可されると、図3の矢印Aで示す経路、すなわち、寄生ダイオード209→Vdd配線400→電源間保護回路300→Vss(GND)という経路を通してSURGE−Aが放電される。このように、SURGE−Aの放電経路に逆方向動作の寄生ダイオードが存在しないため、素子の静電破壊耐性が向上する。
Vg”=(Vdd−(−Vsb))×C1/(C1+C2) ・・・ (3)
となる。通常、SURGE−Bの電位は−数100Vのオーダーであると考えられるので、式(1)及び(3)よりVg”>>Vgとなる。このゲート電圧Vg”は、保護トランジスタ301の閾値電圧Vthよりも大きいため、SURGE−Bが印可されることにより保護トランジスタ301がONする。保護トランジスタ301がONすると、Vdd配線400とVss配線500とが短絡し、SURGE−Bが高電位側の電圧源Vddへと流れることになる。つまり、正極性の静電気サージSURGE−Bが印可されると、図3の矢印Bで示す経路、すなわち、寄生ダイオード109→Vss配線500→電源間保護回路300→Vddという経路を通してSURGE−Bが放電される。このように、SURGE−Bの放電経路に逆方向動作の寄生ダイオードが存在しないため、素子の静電破壊耐性が向上する。
本発明の一実施形態に係る半導体装置によれば、SOI基板に形成されるNMOSトランジスタ100のSOI層において、ドレイン領域(N+層104)及びソース領域(N+層105)と異なる極性の不純物領域(P+層107)をドレイン領域に隣接して形成し、その不純物領域とドレイン領域との間で単方向極性を持つ寄生ダイオード109を形成することにより、例えば、出力端子OUTに接続されたドレイン端子に印可された負極性(−)の静電気サージを容易に電圧源Vss(GND)に放電することができるようになる。また、SOI基板に形成されるPMOSトランジスタ200のSOI層において、ドレイン領域(P+層204)及びソース領域(P+層205)と異なる極性の不純物領域(N+層207)をドレイン領域に隣接して形成し、その不純物領域とドレイン領域との間で単方向極性を持つ寄生ダイオード209を形成することにより、例えば、出力端子OUTに接続されたドレイン端子に印可された正極性(+)の静電気サージを容易に電圧源Vddに放電することができるようになる。そして、NMOSトランジスタ100及びMOSトランジスタ200を出力回路として静電破壊保護回路1000を構成することにより、出力端子OUTに正負どちらの極性の静電気サージが印可されても、放電経路に逆方向動作の寄生ダイオードを含まないため、素子の静電破壊耐性を向上させることができる。
101・・・支持基板
102・・・埋め込み絶縁膜
103・・・フィールド絶縁膜
104、105・・・N+層
106・・・P層
107・・・P+層
108・・・ゲート
109・・・寄生ダイオード
200・・・NMOSトランジスタ
201・・・支持基板
202・・・埋め込み絶縁膜
203・・・フィールド絶縁膜
204、205・・・P+層
206・・・N層
207・・・N+層
208・・・ゲート
209・・・寄生ダイオード
300・・・電源間保護回路
301・・・保護トランジスタ
302、303・・・コンデンサ
400・・・Vdd配線
500・・・Vss配線
Claims (5)
- チャネル領域が完全に空乏化した状態で動作する完全空乏型SOI構造を有する半導体装置で構成される静電破壊保護回路であって、
出力信号を取り出す出力端子と、
高電位側の電圧源に接続される第1電源配線と、
低電位側の電圧源に接続される第2電源配線と、
前記出力端子と前記第1電源配線との間に接続され、該出力端子に印加される正極性の静電気サージに対して順方向動作し、該正極性の静電気サージを該第1電源配線に伝える第1寄生ダイオードが外側に隣接して設けられたP型電界効果トランジスタと、
前記出力端子と前記第2電源配線との間に接続され、該出力端子に印加される負極性の静電気サージに対して順方向動作し、該負極性の静電気サージを該第2電源配線に伝える第2寄生ダイオードが外側に隣接して設けられたN型電界効果トランジスタと、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間に接続される保護トランジスタと、前記保護トランジスタのゲートと前記第1電源配線との間に接続される第1コンデンサと、前記保護トランジスタのゲートと前記第2電源配線との間に接続される第2コンデンサとを有する電源間保護回路と、
を備えることを特徴とする静電破壊保護回路。 - 前記保護トランジスタは、前記第1電源配線に前記正極性の静電気サージが印加されると導通し、前記正極性の静電気サージを前記低電位側の電圧源に放電することを特徴とする、請求項1に記載の静電破壊保護回路。
- 前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサは、前記正極性の静電気サージが印加されない通常動作時において、前記保護トランジスタの前記ゲートへの印加電圧が前記保護トランジスタの閾値電圧よりも小さくなるように設定されることを特徴とする、請求項2に記載の静電破壊保護回路。
- 前記保護トランジスタは、前記第2電源配線に前記負極性の静電気サージが印加されると導通し、前記負極性の静電気サージを前記高電位側の電圧源に放電することを特徴とする、請求項1に記載の静電破壊保護回路。
- 前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサは、前記負極性の静電気サージが印加されない通常動作時において、前記保護トランジスタの前記ゲートへの印加電圧が前記保護トランジスタの閾値電圧よりも小さくなるように設定されることを特徴とする、請求項4に記載の静電破壊保護回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004330159A JP4800605B2 (ja) | 2004-11-15 | 2004-11-15 | 静電破壊保護回路 |
US11/164,205 US7675116B2 (en) | 2004-11-15 | 2005-11-14 | Semiconductor device with ESD protection function and ESD protection circuit |
US12/688,080 US8148782B2 (en) | 2004-11-15 | 2010-01-15 | Semiconductor device with ESD protection function and ESD protection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004330159A JP4800605B2 (ja) | 2004-11-15 | 2004-11-15 | 静電破壊保護回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006140371A JP2006140371A (ja) | 2006-06-01 |
JP4800605B2 true JP4800605B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=36567163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004330159A Expired - Fee Related JP4800605B2 (ja) | 2004-11-15 | 2004-11-15 | 静電破壊保護回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7675116B2 (ja) |
JP (1) | JP4800605B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7333312B2 (en) * | 2005-07-01 | 2008-02-19 | Altera Corporation | ESD device with low trigger voltage and low leakage |
DE102005039365B4 (de) * | 2005-08-19 | 2022-02-10 | Infineon Technologies Ag | Gate-gesteuertes Fin-Widerstandselement, welches als pinch - resistor arbeitet, zur Verwendung als ESD-Schutzelement in einem elektrischen Schaltkreis und Einrichtung zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen in einem elektrischen Schaltkreis |
DE102007063721B4 (de) | 2006-03-22 | 2014-05-08 | Denso Corporation | Schaltkreis mit einem Transistor und einer Ansteuerschaltung zur Ansteuerung des Transistors |
US8013393B2 (en) * | 2007-06-29 | 2011-09-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electrostatic discharge protection devices |
JP2009099679A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | Mosトランジスタ及びこれを用いた半導体集積回路装置 |
JP2009277963A (ja) | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US8461818B1 (en) * | 2010-01-19 | 2013-06-11 | Agilent Technologies, Inc. | Transient response device, having parallel connected diode and transistor, for improving transient response of power supply |
CN102779819B (zh) * | 2012-08-17 | 2014-12-03 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种基于部分耗尽型soi工艺的esd保护结构 |
CN103178058B (zh) * | 2013-03-29 | 2015-09-02 | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 | 一种基于pd soi的二极管辅助触发esd保护电路 |
KR102053348B1 (ko) * | 2013-09-05 | 2019-12-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
JP2018120955A (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2019054370A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR20190133964A (ko) | 2018-05-24 | 2019-12-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
US10840052B2 (en) * | 2018-06-22 | 2020-11-17 | International Business Machines Corporation | Planar gate-insulated vacuum channel transistor |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2969833B2 (ja) * | 1990-07-09 | 1999-11-02 | ソニー株式会社 | Mis型半導体装置 |
KR100307554B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-11-15 | 박종섭 | Esd 소자를 구비하는 반도체장치 |
JP3720999B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2005-11-30 | 沖電気工業株式会社 | 入力保護回路 |
JP3520804B2 (ja) * | 1999-04-23 | 2004-04-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置の試験方法 |
US6833590B2 (en) * | 2001-01-11 | 2004-12-21 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
JP2003209185A (ja) | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
US6642088B1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Silicon-controlled rectifier structures on silicon-on insulator with shallow trench isolation |
JP3526853B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2004-05-17 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の静電気破壊防止回路 |
US20050224883A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Circuit design for increasing charge device model immunity |
JP4942007B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2012-05-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路 |
-
2004
- 2004-11-15 JP JP2004330159A patent/JP4800605B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-11-14 US US11/164,205 patent/US7675116B2/en active Active
-
2010
- 2010-01-15 US US12/688,080 patent/US8148782B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060114628A1 (en) | 2006-06-01 |
US20100134938A1 (en) | 2010-06-03 |
US8148782B2 (en) | 2012-04-03 |
JP2006140371A (ja) | 2006-06-01 |
US7675116B2 (en) | 2010-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8148782B2 (en) | Semiconductor device with ESD protection function and ESD protection circuit | |
US8139331B2 (en) | Electrostatic discharge protection circuit | |
US7106562B2 (en) | Protection circuit section for semiconductor circuit system | |
US8675323B2 (en) | Method of manufacturing a package | |
US7643258B2 (en) | Methods and apparatus for electrostatic discharge protection in a semiconductor circuit | |
US7869175B2 (en) | Device for protecting semiconductor IC | |
KR102032334B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP2006013417A (ja) | 分離電源esd防止回路とその集積回路 | |
JP2011176031A (ja) | 半導体装置 | |
US8183637B2 (en) | Semiconductor device | |
TW548823B (en) | ESD protection device coupled between a first high power line and a second high power line | |
US7098522B2 (en) | High voltage device with ESD protection | |
US8405151B2 (en) | Protection circuit for semiconductor device | |
US20040240130A1 (en) | Semiconductor device having protection device for protecting internal device | |
JP2008071871A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2006019671A (ja) | 静電放電防護装置 | |
JP2008098587A (ja) | Esd保護回路 | |
JP2008192687A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2007227697A (ja) | 半導体装置および半導体集積装置 | |
JP2006332144A (ja) | 集積回路 | |
JP2011119415A (ja) | 半導体集積装置 | |
JP2021022687A (ja) | 静電気保護回路 | |
KR101279186B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP2014053497A (ja) | Esd保護回路 | |
JP2005260039A (ja) | 半導体集積回路装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070216 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070206 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070612 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081126 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101029 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110307 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110802 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110804 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |