JP4790518B2 - 半導体記憶装置及び半導体記憶装置を備えた情報処理装置 - Google Patents

半導体記憶装置及び半導体記憶装置を備えた情報処理装置 Download PDF

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Description

本発明は、半導体記憶装置及び半導体記憶装置を備えた情報処理装置に関する。
ルータやロードバランサ等の通信機器は、万一の故障に備えて二重化(現用/待機)されている。そして、現用装置が故障した場合も待機装置が処理を継続できるように、現用装置と待機装置との間で引継ぎ情報を絶えず転送している。図1は、現用装置であるロードバランサAと待機装置であるロードバランサBとの間で、引継ぎ情報が転送されている様子を示した図である。図1では、二重化が行われているため、ロードバランサAが故障してもロードバランサBは引き続き処理を継続できる。引継ぎ情報とは、例えば、通信のセッション情報である。
図2は、引継ぎ情報であるセッション情報がロードバランサAからロードバランサBに転送される様子を示した図である。現用装置が故障した場合、現用装置と待機装置との間で転送が完了していない情報の通信は、継続できず途切れてしまう。図3では、引継ぎ情報の一部はロードバランサAからロードバランサBに転送され、引継ぎ情報の一部はロードバランサAからロードバランサBに転送されなかった様子を示している。すなわち、ロードバランサAの主記憶からロードバランサBの主記憶へ引継ぎ情報が転送された場合、図3のXの部分の情報が失われている。この場合、失われる情報は少ないことが望ましい。
特開平8−36501号公報 特許第3467750号公報 特開2002−342298号公報
図4に示すように、従来は、セッション情報の引継ぎ処理をオペレーティングシステム(OS)やアプリケーションが担当している。アプリケーションやオペレーティングシステム等のソフトウェアが、引継ぎ情報の転送を行う場合、処理が遅いという問題がある。また、本来の仕事(負荷分散等)からすれば、負荷を増やす処理ともなる。
引継ぎ情報のデータの流れを図5に示す。図5に示すように、引継ぎ情報は、現用装置のメモリ(Memory)1からシステム制御部(Chipset)2を通過し、NIC(Network Interface Card)3等のインターフェースカードを通じて外部に転送される。また、CPU
(Central Processing Unit)4を介さないNICによるDMA(Direct Memory Access
)転送では、メモリ1の書き換えが行われたことを認識することはできない。そのため、NIC3によるDMA転送では、機械的なコピー作業しかできないので、転送の無駄が多い。また、DMA転送では、システム資源(システムバス、メモリバス等)を使用する。さらに、コピー頻度を上げた場合、DMA転送を行っている間は、CPU4はメモリ1にアクセスできないため、本来のCPU4の仕事に影響する。
ハードウェア主導でデータ転送を行う場合、例えば、NIC3に転送すべきメモリ範囲を設定し、DMA転送を行う方法がある。図6は、DMA転送を行う場合の引継ぎ情報のデータの流れを示した図である。図6では、アドレスAからアドレスBのメモリ範囲をNIC3に設定している。この場合、アドレスAからアドレスBで指定される引継ぎ情報のデータがDMA転送される。この方法の場合、DMA転送を行うタイミングが問題となる。DMA転送を定期的に行えば、制御は簡単になる。しかし、システム資源を無駄に使用
することになる。また、メモリ1の書き換えが行われたか否かにかかわらずDMA転送を行うため、転送の無駄が多い。
また、例えば、システム制御部に転送すべきメモリ範囲を設定し、DMA転送を行う方法がある。この方法は、メモリ1への書き込み動作をスヌープして対象範囲をNIC3に転送する。図7は、システム制御部2に転送すべきメモリ範囲を設定し、DMA転送を行う場合の引継ぎ情報のデータの流れを示した図である。図7では、アドレスAからアドレスBのメモリ範囲をシステム制御部に設定している。この場合、システム制御部は、CPU4がメモリ1に対して書き込みを行ったアドレスをスヌープする。そして、スヌープしたアドレスがアドレスAからアドレスBの範囲内であれば、アドレスAからアドレスBで指定される引継ぎ情報のデータがDMA転送される。システム制御部2は、メモリバスを制御する。そのため、CPU4がメモリ1をアクセスしたアドレスのすべてをシステム制御部2は知ることができるので、高度な制御が可能となる。
しかし、CPU4のメモリ1に対するデータ書き込み動作がデータの変化(書き換え)を起こしているのかは判らない。そこで、メモリ1の書き換えが行われたかを判定するためには、比較用の別のメモリを用意するか、メモリ1の書き込み前にメモリ1からデータを読み出して比較する必要がある。この場合、物量の増大、メモリバスの無駄使いが生じる。また、進歩の激しいチップセット回りにこれらの機能を組み込むのは、実用面において難しい。
本発明は、ソフトウェアやシステム資源に依存せず、メモリの書き換え内容に基づいて不要なデータを転送しないことにより、高速な転送を目的とする。
本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を採用した。すなわち、本発明の情報処理装置は、複数の情報処理装置が互いに連携して、自装置が保持する情報と相手装置が保持する情報との整合を維持する情報システムを構成可能な1つの情報処理装置であって、所定量の情報を保持するメモリセル及び前記メモリセルが現在保持している情報と前記メモリセルに新たに書き込まれる情報とを比較する比較部を有する記憶部と、前記比較部によって現在保持している情報と新たに書き込まれる情報とが異なると判定されたメモリセルに新たに書き込まれた情報を抽出する抽出部と、前記抽出された情報を自装置と連携する相手装置に送信する送信部とを備える。本発明の情報処理装置によれば、メモリセルに新たに書き込まれた情報とメモリセルが現在保持している情報とが異なる場合に、その異なる情報を検出することができる。その結果、メモリセルに新たに書き込まれた情報のうち、メモリセルが現在保持している情報と異なる部分のみを相手装置に送信することが可能となる。
また、本発明の情報処理装置は、前記比較部が、前記メモリセルが現在保持している情報と前記メモリセルに新たに書き込まれる情報とが異なる場合、所定の信号を出力し、前記抽出部が、前記比較部によって現在保持している情報と新たに書き込まれる情報とが異なると判定されたメモリセルに新たに書き込まれた情報及び前記比較部によって現在保持している情報と新たに書き込まれた情報とが異ならないと判定されたメモリセルに新たに書き込まれた情報を含む複合情報を抽出し、前記所定の信号に基づいて前記複合情報を圧縮する圧縮部を更に備え、前記送信部が、前記圧縮された複合情報を前記相手装置に送信するものでもよい。本発明の情報処理装置によれば、圧縮された情報を相手装置に送信することにより、転送効率をより向上させることが可能となる。
また、本発明の情報処理装置は、前記相手装置が送信する圧縮された複合情報を受信する受信部を更に備え、前記圧縮部は、前記受信部が受信した圧縮された複合情報を復元す
るものでもよい。本発明の情報処理装置によれば、圧縮された情報を受信することにより、圧縮されていない情報を受信するよりも多くの情報を受信することが可能となる。
また、本発明の半導体記憶装置は、複数のビット線と複数のワード線とが、それぞれ異なる位置で交差して配線され、その各交点にメモリセルが配置され、前記ビット線とワード線の両方が指定されることによって、選択されたメモリセルに対して情報の書き込みが行われる半導体記憶装置であって、前記メモリセルが現在保持している情報と前記メモリセルに新たに書き込まれる情報とを比較する比較部を備え、前記比較部は、前記メモリセルが現在保持している情報と前記メモリセルに新たに書き込まれる情報とが異なる場合、所定の信号を出力する。本発明の半導体記憶装置によれば、メモリセルに新たに書き込まれる情報が、メモリセルが現在保持している情報と異なる場合に、その異なる情報を検出することが可能となる。
また、本発明の半導体記憶装置は、前記メモリセルが、互いに極性の異なる第1種類の情報または第2種類の情報を保持する容量部と、情報を入出力するビット線への前記容量部の接続を制御するカラムスイッチ部とを備え、前記比較部が、前記容量部に保持された情報が第1種類であり、かつ、前記ビット線に入力される情報が第1種類の場合に、第3種類の情報を出力し、一方、前記容量部に保持された情報が第1種類であり、かつ、前記ビット線に入力される情報が第2種類の場合に、第3種類の情報とは異なる第4種類の情報を出力し、第1種類の情報から第2種類の情報への変化を検出する第1変化検出部と、前記容量部に保持された情報が第2種類であり、かつ、前記ビット線に入力される情報が第2種類の場合に、第3種類の情報を出力し、一方、前記容量部に保持された情報が第2種類であり、かつ、前記ビット線に入力される情報が第1種類の場合に、第3種類の情報とは異なる第4種類の情報を出力し、第2種類の情報から第1種類の情報への変化を検出する第2変化検出部と、を備えるものでもよい。
また、本発明は、コンピュータその他の装置、機械等が上記いずれかの処理を実行する方法であってもよい。
本発明によれば、ソフトウェアやシステム資源に依存せず、メモリの書き換え内容に基づいて不要なデータを転送しないことにより、高速な転送が可能となる。
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態(以下、実施形態という)に係る半導体記憶装置及び半導体記憶装置を備えた情報処理装置について説明する。以下の実施形態の構成は例示であり、本発明は実施形態の構成に限定されない。
図8は、本実施形態の概要を示した図である。図8に示すように、メモリ1に記録されたデータに関し、転送対象となる部分について転送処理を行い、転送対象とならない部分については転送処理を行わない。図9は、転送対象となるデータについて現用装置であるロードバランサAから待機装置であるロードバランサBに転送処理が行われる様子を示した図である。転送対象となるデータのみを転送すれば、不必要な転送を軽減することができ、高速な転送処理が可能となる。
図10は、本実施形態のメモリ部5のブロック図である。本実施形態におけるメモリ部5には、メモリ部5内のアドレス指定に使用するアドレス線、CPUからの制御信号をメモリ部5に伝える制御信号線及びCPUとメモリ部5との間のデータの送受信に使用するデータ線が接続されている。
図11は、本実施形態の情報処理装置の機能ブロック図である。図11に示すように、情報処理装置は、データの書き込み及び読み出しを行うメモリ部5、メモリ部5に書き換えが発生したことを判定する比較器6、転送範囲をチェックするフィルタ部7、対象データを格納するバッファ部8、対象データを圧縮・復元する圧縮復元部9及び対象データを送信する転送部10を備える。本実施形態の情報処理装置は、転送インターフェースを介してデータの送受信を行う。また、本実施形態による情報処理装置は、転送インターフェースを内部に備える構成であってもよい。
次に、本実施形態の情報処理装置の動作について説明する。まず、送り側の動作、すなわち、本実施形態の情報処理装置を備える現用装置Aの動作について説明する。現用装置Aが備えるCPUは、メモリ部5に対して書き込みを行う(S01)。比較器6は、書き込みデータと書き込みが行われる前の元データとの間に変更があるかを判定する(S02)。
フィルタ部7は、書き込みデータが転送対象であるかを判定する(S03)。すなわち、フィルタ部7は、メモリ部5の所定のアドレスに対して、書き込みデータが書き込まれたか否かを判定する。そして、フィルタ部7は、メモリ部5の所定のアドレスに対して書き込まれたデータを転送対象データとする。また、フィルタ7部は、書き込みデータがメモリ部5に書き込まれているデータと同一であるか否かを判定する。そして、書き込みデータがメモリ部5に書き込まれているデータと同一である場合、フィルタ部7は、メモリ部5に書き込まれているデータと同一である書き込みデータを転送対象データから除外する。
フィルタ部7は、転送対象データのみをバッファ部8に格納する(S04)。圧縮復元部9は、バッファ部8に格納されたデータを圧縮する(S05)。転送部10は、転送インターフェースを介して、圧縮されたデータを送信する(S06)。
次に、受け側の動作、すなわち、本実施形態の情報処理装置を備える待機装置Bの動作について説明する。転送部10は、転送インターフェースを介して、圧縮されたデータを受信する(S07)。圧縮復元部9は、圧縮されたデータを復元する(S08)。圧縮復元部9は、復元したデータをバッファ部8に格納する(S09)。フィルタ部7は、バッファ部8に格納されたデータをメモリ部5に書き込む(S10)。
図12は、一般的なDRAM(Dynamic Random Access Memory)の例を示した図である。図12に示すように、アドレス線を介してアドレスが制御回路(Control Circuitry)
11に入力され、信号線を介して制御信号が制御回路11に入力される。また、図12に示すように、データ線を介してデータの入出力が行われる。
図13は、本実施形態の情報処理装置の構成図である。図13に示すように、本実施形態の情報処理装置は、メモリ部5、フィルタ部7、バッファ部8、圧縮復元部9及び転送部10から構成される。
半導体記憶装置であるメモリ部5は、比較器6、制御回路11、word線20、bit線21及びChange線22から構成される。図13に示すように、word線20とbit線21とが交差して配線されている。そして、word線20とbit線21との交差上に比較器6が設けられている。また、比較器6とフィルタ部7との間にはChange線22が設けられている。フィルタ部7、バッファ部8、圧縮復元部9及び転送部10は、制御回路11とバスを介して接続されている。また、図13においては省略しているが、比較器6及びChange線22は、すべてのword線20とbit線21との交差上に設けられている。
図14は、一般的なDRAMのメモリセルの構成図である。図14に示すようにword線20とbit線21とが交差して配線されている。また、word線20にはトランジスタ23が接続されている。トランジスタ23のソース電極またはドレイン電極はコンデンサ24と接続されている。また、トランジスタ23のソース電極またはドレイン電極は、bit線21と接続されている。コンデンサ24は、接地されている。bit線21には、columnスイッチ25が設けられている。また、図14においては、センスアンプ(Sense Amplifier)部及びプリチャージ(precharge)部は省略している。
図15は、一般的なDRAMのメモリセルへの書き込み動作の説明図である。まず、メモリセルに“1”という情報を記憶させる場合の動作について説明する。bit線21に書き込みデータを載せる(1)。すなわち、bit線21をHighの信号レベルに駆動する。
次に、word線20を駆動する(2)。すなわち、word線20をHighの信号レベルに駆動する。word線20をHighの信号レベルに駆動した場合、トランジスタ23にはHighの電圧が加わる。トランジスタ23にHighの電圧が加わると、トランジスタ23のソース電極とドレイン電極との間は電流が流れる。
そして、columnスイッチ25を閉じる(3)。その結果、bit線21のデータがコンデンサ24に記憶される(4)。すなわち、書き込みデータ“1”に対応する電荷がコンデンサ24に蓄積される。
次に、メモリセルに“0”という情報を書き込む場合の動作について説明する。まず、bit線21に書き込みデータを載せる(1)。すなわち、bit線21をLowの信号レベルに駆動する。次に、word線20を駆動する(2)。すなわち、word線20をHighの信号レベルに駆動する。word線20をHighの信号レベルに駆動した場合、トランジスタ23にはHighの電圧が加わる。トランジスタ23にHighの電圧が加わると、トランジスタ23のソース電極とドレイン電極との間は電流が流れる。
そして、columnスイッチ25を閉じる(3)。コンデンサ24に書き込みデータ“1”に対応する電荷が蓄積されている場合、コンデンサ24の電荷は放出される。その結果、メモリセルに“0”という情報が書き込まれる。また、すでにメモリセルに“0”という情報が書き込まれている場合、コンデンサ24の電荷の放出は発生しない。すなわち、メモリセルに書き込まれた“0”という情報に変化はない。
図16は、本実施形態のメモリセルの構成図である。図16に示すようにword線20とbit線21とが交差して配線されている。また、word線20にはトランジスタ23が接続されている。トランジスタ23には、例えばnMOSトランジスタを使用することができる。
トランジスタ23にはコンデンサ24が接続されている。また、トランジスタ23は、bit線21と接続されている。コンデンサ24は、接地されている。bit線21とトランジスタ23との間には、columnスイッチ25が設けられている。図16に示すように、本実施形態のメモリセルには比較器6が設けられている。比較器6は、bit線21に接続されている。また、比較器6は、トランジスタ23とコンデンサ24とを接続する信号線26に接続されている。
図16に示すように、比較器6は、トランジスタ29、トランジスタ30、トランジスタ31及びトランジスタ32により構成されている。トランジスタ29及びトランジスタ
30には、例えば、nMOSトランジスタを使用することができる。トランジスタ31及びトランジスタ32には、例えば、pMOSトランジスタを使用することができる。また、図16においては、センスアンプ(Sense Amplifier)部及びプリチャージ(Precharge)部は省略している。
トランジスタ29及びトランジスタ31は、Change線22に接続されている。トランジスタ30及びトランジスタ32は、bit線21に接続されている。トランジスタ29とChange線22とを接続する信号線27には、抵抗を介して電源(Vcc)が接続されている。また、トランジスタ31とChange線22とを接続する信号線28には、抵抗を介して電源(Vcc)が接続されている。そのため、トランジスタ29、トランジスタ30のいずれかがオフで、かつ、トランジスタ31、トランジスタ32のいずれかがオフの場合には、Change線22は、Highにプルアップされる。
また、トランジスタ29とトランジスタ30とは接続されている。さらに、トランジスタ30は、接地されている。トランジスタ31は、Change線22と接続されている。また、トランジスタ31とトランジスタ32とは接続されている。さらに、トランジスタ32は、接地されている。
比較器6は、コンデンサ24に記憶されているデータとbit線21に出力されたデータを比較する。比較器6は、コンデンサ24に記憶されているデータとbit線21に出力されたデータが一致している場合、Change線22に信号を出力する。
トランジスタ29のゲート電極にHighの電圧が加えられた場合、トランジスタ29のソース電極とドレイン電極との間は導通状態となる。トランジスタ30のゲート電極にHighの電圧が加えられた場合、トランジスタ30のソース電極とドレイン電極との間は導通状態となる。トランジスタ29のゲート電極にHighの電圧が加えられ、トランジスタ30のゲート電極にHighの電圧が加えられた場合、Change線22は接地された状態となる。すなわち、Change線22は、トランジスタ29及びトランジスタ30を介してLowになる。
トランジスタ29のゲート電極にHighの電圧が加えられ、トランジスタ30のゲート電極にLowの電圧が加えられた場合、Change線22は接地された状態にならない。また、トランジスタ29のゲート電極にLowの電圧が加えられ、トランジスタ30のゲート電極にHighの電圧が加えられた場合、Change線22は接地された状態にならない。
トランジスタ31のゲート電極にLowの電圧が加えられた場合、トランジスタ31のソース電極とドレイン電極との間は導通状態となる。トランジスタ32のゲート電極にLowの電圧が加えられた場合、トランジスタ32のソース電極とドレイン電極との間は導通状態となる。トランジスタ31のゲート電極にLowの電圧が加えられ、トランジスタ32のゲート電極にLowの電圧が加えられた場合、Change線22は接地された状態となる。すなわち、Change線22は、トランジスタ31及びトランジスタ32を介してLowになる。
トランジスタ31のゲート電極にHighの電圧が加えられ、トランジスタ32のゲート電極にLowの電圧が加えられた場合、Change線22は接地された状態にならない。また、トランジスタ31のゲート電極にLowの電圧が加えられ、トランジスタ32のゲート電極にHighの電圧が加えられた場合、Change線22は接地された状態にならない。
本実施形態の比較器6は、メモリセルに書き込まれているデータと、メモリセルへの書き込みデータを比較する。そして、メモリセルに書き込まれているデータとメモリセルへの書き込みデータとが一致しない場合、比較器6は、Change線22にLowの電流を流す。その結果、Change線22に接続されているフィルタ部7は、メモリセルに書き込まれているデータと書き込みデータとが一致しているか否かを認識することができる。
本実施形態のメモリ部5は複数のbit線21を備えているので、図16に示す比較器6を各bit線21に設けている。すなわち、メモリ部5に配列されたメモリセルすべてに比較器6を設けた構成となる。
図17は、本実施形態のメモリセルへの書き込み動作の説明図である。まず、メモリセルに“1”というデータを記憶させる場合の動作について説明する。bit線21に書き込みデータを出力する(1)。すなわち、bit線21をHighの信号レベルに駆動する。図17に示すように、本実施形態のメモリセルにおいて、columnスイッチ25は、bit線21とトランジスタ23との間に設けられている。したがって、書き込みデータは、bit線21全体に伝播し、メモリセル内の比較器6にも伝わる。bit線21がHighの信号レベルに駆動されている場合、トランジスタ30及びトランジスタ32には、Highの電圧が加わる。
また、コンデンサ24に記憶されている情報は常時比較器6に伝わる。この場合、コンデンサ24に蓄積されている電荷に応じて、High又はLowの電圧がトランジスタ29及びトランジスタ31に加わる。すでに、メモリセルに“1”というデータが記憶されている場合、トランジスタ29及びトランジスタ31にHighの電圧が加わる。すでに、メモリセルに“0”というデータが記憶されている場合、トランジスタ29及びトランジスタ31にLowの電圧が加わる。
メモリセルに記憶されているデータ及びbit線21に出力したデータが比較器6に伝わった場合、比較器6はメモリセルに記憶されているデータとbit線21に出力したデータとの比較結果をChange線22に出力する(2)。
次に、word線20を駆動する(3)。すなわち、word線20をHighの信号レベルに駆動する。word線20をHighの信号レベルに駆動した場合、トランジスタ23にはHighの電圧が加わる。トランジスタ23にHighの電圧が加わると、トランジスタのソース電極とドレイン電極との間は電流が流れる。
そして、columnスイッチ25を閉じる(4)。その結果、bit線21のデータがコンデンサ24に記憶される(5)。すなわち、書き込みデータ“1”に対応する電荷がコンデンサ24に蓄積される。この場合、コンデンサ24に書き込みデータ“1”に対応する電荷が蓄積されている場合、コンデンサ24に蓄積される電荷に変化はない。すなわち、メモリセルに書き込まれた“1”というデータに変化はない。
次に、メモリセルに“0”というデータを記憶させる場合の動作について説明する。まず、bit線21に書き込みデータを出力する(1)。すなわち、bit線21をLowの信号レベルに駆動する。この場合、書き込みデータは、bit線21全体に伝播し、メモリセル内の比較器6にも伝わる。bit線21がLowの信号レベルに駆動されている場合、トランジスタ30及びトランジスタ32には、Lowの電圧が加わる。
また、コンデンサ24に記憶されている情報は常時比較器6に伝わる。この場合、コンデンサ24に蓄積されている電荷に応じて、High又はLowの電圧がトランジスタ2
9及びトランジスタ31に加わる。すでに、メモリセルに“1”というデータが記憶されている場合、トランジスタ29及びトランジスタ31にHighの電圧が加わる。すでに、メモリセルに“0”というデータが記憶されている場合、トランジスタ29及びトランジスタ31にLowの電圧が加わる。
メモリセルに記憶されているデータ及びbit線21に出力したデータが比較器6に伝わった場合、比較器6はメモリセルに記憶されているデータとbit線21に出力したデータとの比較結果をChange線22に出力する(2)。
次に、word線20を駆動する(3)。すなわち、word線20をLowの信号レベルに駆動する。word線20をHighの信号レベルに駆動した場合、トランジスタ23にはHighの電圧が加わる。トランジスタ23にHighの電圧が加わると、トランジスタのソース電極とドレイン電極との間は電流が流れる。
そして、columnスイッチ25を閉じる(4)。コンデンサ24に書き込みデータ“1”に対応する電荷が蓄積されている場合、コンデンサ24の電荷は放出される(6)。その結果、メモリセルに“0”というデータが書き込まれる。また、すでにメモリセルに“0”というデータが書き込まれている場合、コンデンサ24の電荷の放出は発生しない。すなわち、メモリセルに書き込まれた“0”というデータに変化はない。
以上により、本実施形態のメモリ部5は、メモリセルに書き込まれているデータと、メモリセルへの書き込みデータを比較することができる。さらに、本実施形態のメモリ部5は、メモリセルに書き込まれているデータと、メモリセルへの書き込みデータとが一致しない場合、所定の信号を出力する。その結果、メモリセルに書き込まれているデータとメモリセルへの書き込みデータとが一致しないことを、フィルタ部8に認識させることができる。
また、本実施形態のメモリ部5によれば、メモリセルに書き込みデータが書き込まれる前に、メモリセルに書き込まれているデータと、メモリセルへの書き込みデータとが一致するか否かを検出することができる。すなわち、
図18は、フィルタ部7及びバッファ部8の説明図である。図16及び図17で示したbit線21及びChange線22がすべて集約されている。図18に示すように、図16及び図17で示したbit線21は、複数本がまとまり、バッファ部8と接続されている。また、図18に示すように、図16及び図17で示したChange線22は、複数本がまとまり、Change回路33を介してフィルタ部7及びバッファ部8と接続されている。
図18に示すChange回路33は、OR回路である。したがって、複数本がまとまったChange線22のすべてにLowの電流が流れた場合、“0”というデータがChange回路33を介してフィルタ部7及びバッファ部8に入力される。一方、複数本がまとまったChange線22のうちの少なくとも1本にHighの電流が流れた場合、“1”というデータがChange回路33を介してフィルタ部7及びバッファ部8に入力される。本実施形態では、Change線22は、8本単位でまとまり、Change回路33を介してフィルタ部7及びバッファ部8と接続されている。そのため、8ビットのデータごとに書き換えの有無を検出することができる。ただし、本実施形態は例示であって、Change線22をまとめる本数は変更可能である。
図18の信号線33を介して、制御回路11からフィルタ部7及びバッファ部8にはAddressが入力される。Addressは、メモリ部5に割り当てられた番地である。Addressは、8バイトごとに異なる値が割り当てられている。そのため、書き込
みデータは、バイト単位で制御される。本実施形態では、変化を管理する単位をバイト単位とし、ワードを8バイトとしている。
フィルタ部7の動作について説明する。フィルタ部7は、書き込みデータが転送対象かどうかのチェックを行う。転送対象かどうかのチェックは、アドレス範囲指定、ページ単位等に基づいて行われる。
また、フィルタ部7は、メモリ部5に対する書き込み動作があっても、全く変化がない場合は転送対象から外す。すなわち、メモリ部5に対する書き込み動作を監視し、メモリ部5に同一のデータが書き込まれた場合は、そのデータを転送対象から除外する。例えば、メモリ部5が“00000000”というデータを記憶している場合に、メモリ部5に書き込まれた“00000000”というデータは、転送対象から除外される。
フィルタ部7は、メモリ部5に書き込まれたデータが転送対象である場合、転送対象であるデータをバッファ部8に書き込む。フィルタ部7は、その他、バッファ部8全体の制御(読み出し側との調整等)を行う。本実施形態において、例えばデュアルポートSRAMをバッファ部8として使用することができる。
図19は、バッファ部8の使用例を示した図である。図19に示すように、バッファ部8は、Address、ByteMark、Byte0、Byte1、Byte2、Byte3、Byte4、Byte5、Byte6及びByte7の各フィールドを有している。
ByteMarkは、元データに対して書き換えが行われたかを示すフラグである。元データとは、書き込みデータがメモリセルに書き込まれる前のメモリ部5に記憶されていたデータをいう。
ByteMarkは、8ビットで構成されている。ByteMarkの先頭(図19で示すByteMarkフィールドの0の値)には、図18に示すChangeB0回路から出力された“0”又は“1”の値が格納される。ByteMarkの2番目(図19で示すByteMarkフィールドの1の値)には、図18に示すChangeB1回路から出力された“0”又は“1”の値が格納される。ByteMarkの3番目から7番目(図19で示すByteMarkフィールドの2から6の値)には、図18では省略されているChangeB2回路、ChangeB3回路、ChangeB4回路、ChangeB5回路、ChangeB6回路のそれぞれから出力された“0”又は“1”の値が順番に格納される。ByteMarkの8番目(図19で示すByteMarkフィールドの7の値)には、図18に示すChangeB7回路から出力された“0”又は“1”の値が格納される。
このように、ByteMarkには、図18に示すChangeB0回路からChangeB7回路が出力する“0”又は“1”の値が格納される。
Byte0からByte7までの各フィールドには、書き込みデータが記憶される。図18のByte0からByte7が図19のByte0からByte7の各フィールドと対応している。
図20を参照して、本実施形態におけるバッファ部8への書き込み動作を説明する。バッファ部8への書き込み動作は、フィルタ部7が実行する。
例えば、メモリ部5のAddressFからLまでを転送対象とするように、制御回路
11に設定する。この場合、AddressFからLまでの転送対象情報は、制御回路11からフィルタ部7に伝わる。また、メモリ部5のAddressFからLまでを転送対象とするように、フィルタ部7に設定してもよい。
メモリ部5に対してデータの書き込みを行う場合、CPUは、AddressA,B,C,…L,X,Y,Zの順番に書き込みデータをメモリ部5に書き込む。AddressA,B,Cは、転送対象外である。そのため、フィルタ部7は、AddressA,B,Cの書き込みデータについては、バッファ部8への格納を行わない。AddressF,F+1,F+2,…L−2,L−1,Lは、転送対象である。そのため、フィルタ部7は、元データと書き込みデータとの比較を行う。
本実施形態では、Change線22の8本が集約され、Change回路33を介してフィルタ部7に入力される。したがって、元データと書き込みデータとの比較は、2進数で8ビットごとに行われる。
図20に示すように、AddressFの元データは、“89DE67AA9078FEDC”であり、書き込みデータは、“CCEF56781290ACDE”である。AddressFの元データの先頭の“8”は、2進数で4ビットのデータとなる。また、AddressFの元データの左から2番目の“9”は、2進数で4ビットのデータとなる。したがって、フィルタ部7は、AddressFの元データの“89”、“DE”、“67”、“AA”、“90”、“78”、“FE”、“DC”ごとに書き込みデータとの比較を行う。
AddressFの元データとAddressFの書き込みデータとは、すべての箇所が書き換わっている。AddressFは転送対象であるので、フィルタ部7は、バッファ部8のAddressフィールドに“F”を格納し、ByteMarkフィールドに“11111111”を格納する。また、AddressFは転送対象であるので、フィルタ部7は、バッファ部8のDataフィールドに書き込みデータ“CCEF56781290ACDE”を格納する。
また、図20に示すように、AddressF+1の元データは、“990087DEEF332190”であり、AddressF+1の書き込みデータは、“99AC87DEEF332190”である。AddressF+1の元データとAddressFの書き込みデータとは、AddressF+1の元データの左から3番目の“A”と4番目の“C”の箇所が書き換わっている。したがって、フィルタ部7は、バッファ部8のByteMarkフィールドに“01000000”の値を格納する。そして、AddressF+1は、転送対象であるので、フィルタ部7は、バッファ部8のDataフィールドに書き込みデータ“990087DEEF332190”を格納する。
また、図20に示すように、AddressLの元データは、“0000000000000800”であり、AddressLの書き込みデータは、“0000000000000800”である。AddressLの元データとAddressLの書き込みデータとは、書き換わっている箇所がない。すなわち、元データに対して同一のデータが書き込みデータとして書き込まれている。この場合、フィルタ部7は、AddressLの書き込みデータを転送対象から除外する。すなわち、元データに対して同一の書き込みデータが書き込まれた場合、フィルタ部7は、その書き込みデータについてバッファ部8への格納を行わない。
AddressX,Y,Zは、転送対象外であり、フィルタ部7は、バッファ部8への格納を行わない。
このように、フィルタ部7は、書き込みデータが転送対象であるかを判定し、転送対象となる書き込みデータをバッファ部8に格納する。また、フィルタ部7は、元データと書き込みデータとの相違点を示すデータであるByteMarkをバッファ部8に格納する。
図21は、本実施形態による圧縮の動作例の説明図である。図21は、圧縮復元部9が、バッファ部8に格納されたAddressF,F+1,F+2,…,L−2,L−1についての各Dataを圧縮する例を示している。
図21に示すように、圧縮後のアドレス部及びバイトマーク部は、固定長とし、データ部は可変長としている。データ部を可変長とすることにより、データ部を元データと書き込みデータとが異なる部分のみのデータとすることができる。
AddressFの場合、アドレス部は、“F”となり、バイトマーク部は、“FF”となる。図20に示したように、AddressFの元データと書き込みデータとは、すべての部分が異なっている。この場合、データ部は、“CCEF56781290ACDE”となる。圧縮復元部9は、バッファ部8に格納されている“F”、“11111111”、“CCEF56781290ACDE”のデータを、“F”、“FF”、“CCEF56781290ACDE”というデータにして転送部10に渡す。
また、AddressF+1の場合、アドレス部は、“F+1”となり、バイトマーク部は、“40”となる。図20に示したように、AddressF+1の元データと書き込みデータとは、元データの“00”の部分と書き込みデータの“AC”の部分とが異なっている。そのため、データ部は、“AC”となる。圧縮復元部9は、バッファ部8に格納されている“F+1”、“01000000”、“99AC87DEEF332190”のデータを、“F+1”、“40”、“AC”というデータにして転送部10に渡す。
このように、圧縮復元部9が、元データと書き込みデータとが異なる部分のみを変換して、転送部10に渡すことにより、送信データの圧縮が可能となる。
受け側の情報処理装置が圧縮された送信データを復元する場合、圧縮復元部9は、バイトマーク部のビット数からデータ長を判別する。例えば、アドレス部が“F”であり、バイトマーク部が“FF”であるデータ部は、“CCEF56781290ACDE”である。この場合、圧縮復元部9は、送信データに含まれる“CCEF56781290ACDE”を抽出して、バッファ部8のDataフィールドに格納する。また、圧縮復元部9は、送信データに含まれるアドレス部の“F”を、バッファ部8のAddressフィールドに格納する。さらに、圧縮復元部9は、送信データに含まれるバイトマーク部の“FF”を、バッファ部8のByteMarkフィールドに“11111111”として格納する。この場合、バイトマーク部の“FF”は、2進数で“11111111”であるので、圧縮復元部9は、データ部のデータ長を判別できる。
また、例えば、アドレス部が“F+1”であり、バイトマーク部が“40”であるデータ部は、“AC”である。この場合、圧縮復元部9は、送信データに含まれる“AC”を抽出して、バッファ部8のDataフィールドに格納する。また、圧縮復元部9は、送信データに含まれるアドレス部の“F+1”を、バッファ部8のAddressフィールドに格納する。さらに、圧縮復元部9は、送信データに含まれるバイトマーク部の“40”を、バッファ部8のByteMarkフィールドに“01000000”として格納する。この場合、バイトマーク部の“40”は、2進数で“01000000”であるので、圧縮復元部9は、データ部のデータ長を判別できる。
このように、圧縮復元部9は、バイトマーク部を参照して、元データと書き込みデータとが異なる部分を判別することができる。そして、圧縮復元部9は、送信データから元データと書き込みデータとが異なる部分のみを抽出することができる。その結果、圧縮復元部9は、元データと書き込みデータとが異なる部分のみをバッファ部8に格納することができる。
図22は、転送部10のブロック図である。転送部10は、送信部及び受信部から構成される。送信部は、送信バッファ41、フレーム制御部41及び送信回路42から構成される。受信部は、受信バッファ43、フレーム制御部44及び送信回路45から構成される。例えば、転送部10は、NIC3等のネットワークインターフェースカードにより実現が可能である。
受け側の情報処理装置が送信データをメモリ部5に書き込む場合、バッファ部8に格納されたデータをフィルタ部7がメモリ部5に書き込む。送り側の情報処理装置のメモリ部5において書き換わった部分のみが受け側の情報処理装置のバッファ部8に格納されている。したがって、受け側の情報処理装置のバッファ部8に格納されているデータのみをメモリ部5に書き込めばよい。
本実施形態によれば、送り側の情報処理装置は、メモリ部5において書き換えが行われたデータのみを受け側の情報処理装置に送信することができる。また、本実施形態によれば、受け側の情報処理装置が、送り側の情報処理装置から受け取ったデータをメモリ部5に書き込むことにより、送り側の情報処理装置のメモリ部5において書き換えが行われたデータのみを受け側の情報処理装置のメモリ部5に反映させることができる。
現用装置であるロードバランサAと待機装置であるロードバランサBとの間で、引継ぎ情報が転送されている様子を示した図である。 引継ぎ情報であるセッション情報がロードバランサAからロードバランサBに転送される様子を示した図である。 引継ぎ情報の一部はロードバランサAからロードバランサBに転送され、引継ぎ情報の一部はロードバランサAからロードバランサBに転送されなかった様子を示した図である。 従来のセッション情報の引継ぎ処理の説明図である。 従来の引継ぎ情報のデータの流れを示した図である。 DMA転送を行う場合の引継ぎ情報のデータの流れを示した図である。 システム制御部に転送すべきメモリ範囲を設定し、DMA転送を行う場合の引継ぎ情報のデータの流れを示した図である。 本実施形態の概要を示した図である。 転送対象データについてロードバランサAからロードバランサBに転送処理が行われる様子を示した図である。 本実施形態のメモリ部5のブロック図である。 本実施形態の情報処理装置の機能ブロック図である。 一般的なDRAMの例を示した図である。 本実施形態の情報処理装置の構成図である。 一般的なDRAMのメモリセルの構成図である。 一般的なDRAMのメモリセルへの書き込み動作の説明図である。 本実施形態のメモリセルの構成図である。 本実施形態のメモリセルへの書き込み動作の説明図である。 フィルタ部7及びバッファ部8の説明図である。 バッファ部8の使用例を示した図である。 本実施形態におけるバッファ部8への書き込み動作の説明図である。 本実施形態による圧縮の動作例の説明図である。 転送部10のブロック図である。
符号の説明
A ロードバランサ
B ロードバランサ
1 メモリ(Memory)
2 システム制御部(Chipset)
3 NIC(Network Interface Card)
4 CPU(Central Processing Unit)
5 メモリ部
6 比較部
7 フィルタ部
8 バッファ部
9 圧縮復元部
10 転送部
11 制御回路
20 word線
21 bit線
22 Change線
23 トランジスタ
24 コンデンサ
25 columnスイッチ
26 信号線
27 信号線
28 信号線
29 トランジスタ
30 トランジスタ
31 トランジスタ
32 トランジスタ
40 送信バッファ
41 フレーム制御部
42 送信回路
43 受信バッファ
44 フレーム制御部
45 受信回路

Claims (5)

  1. 複数の情報処理装置が互いに連携して、自装置が保持する情報と相手装置が保持する情報との整合を維持する情報システムを構成可能な1つの情報処理装置であって、
    所定量の情報を保持するメモリセル及び前記メモリセルが現在保持している第1の情報と前記メモリセルに新たに書き込まれる第2の情報とを比較し、前記第1の情報と前記第2の情報とが異なる場合、第1の信号を出力し、前記第1の情報と前記第2の情報とが異ならない場合、前記第1の信号とは異なる第2の信号を出力する比較部を有する記憶部と、
    前記第1の信号及び前記第2の信号に基づいて前記第1の情報及び前記第2の情報を含む複合情報を抽出し、前記複合情報を格納部に格納する抽出部と、
    前記格納部に格納された前記複合情報を前記第1の情報と前記第2の情報とが異なる部分の情報に変換することによって前記複合情報を圧縮するとともに、前記第1の情報と前記第2の情報とが異なる部分を判別するためのフラグを作成する圧縮部と、
    前記圧縮された複合情報及び前記フラグを自装置と連携する相手装置に送信する送信部と
    を備える情報処理装置。
  2. 前記相手装置が送信する圧縮された複合情報及びフラグを受信する受信部を更に備え、
    前記圧縮部は、前記受信部が受信したフラグに基づいて、前記受信部が受信した圧縮された複合情報を復元する請求項に記載の情報処理装置。
  3. 前記記憶部は、複数のビット線と複数のワード線とが、それぞれ異なる位置で交差して配線され、その各交点にメモリセルが配置され、前記ビット線とワード線の両方が指定されることによって、選択されたメモリセルに対して情報の書き込みが行われる、請求項1又は2に記載の情報処理装置。
  4. 前記メモリセルは、
    互いに極性の異なる第1種類の情報または第2種類の情報を保持する容量部と、
    情報を入出力するビット線への前記容量部の接続を制御するカラムスイッチ部とを備え、
    前記比較部は、
    前記容量部に保持された情報が第1種類であり、かつ、前記ビット線に入力される情報が第1種類の場合に、前記第1の信号を出力し、一方、前記容量部に保持された情報が第1種類であり、かつ、前記ビット線に入力される情報が第2種類の場合に、前記第2の信号を出力し、第1種類の情報から第2種類の情報への変化を検出する第1変化検出部と、
    前記容量部に保持された情報が第2種類であり、かつ、前記ビット線に入力される情報が第2種類の場合に、前記第1の信号を出力し、一方、前記容量部に保持された情報が第2種類であり、かつ、前記ビット線に入力される情報が第1種類の場合に、前記第2の信号を出力し、第2種類の情報から第1種類の情報への変化を検出する第2変化検出部と、を備える請求項に記載の情報処理装置
  5. 前記第1変化検出部は、
    前記容量部と接続されたゲート電極を有する第1のトランジスタと、
    前記ビット線と接続されたゲート電極を有する第2のトランジスタと、を含み、
    前記第2変化検出部は、
    前記容量部と接続されたゲート電極を有する第3のトランジスタと、
    前記ビット線と接続されたゲート電極を有する第4のトランジスタと、を含む請求項4に記載の情報処理装置。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8099570B2 (en) * 2008-02-22 2012-01-17 International Business Machines Corporation Methods, systems, and computer program products for dynamic selective memory mirroring

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01175029A (ja) * 1987-12-29 1989-07-11 Nec Corp 機能記憶回路
US6212089B1 (en) * 1996-03-19 2001-04-03 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device and defect remedying method thereof
JPH06202894A (ja) * 1992-09-28 1994-07-22 Nec Corp 共有メモリ制御回路
JP2531919B2 (ja) * 1993-03-01 1996-09-04 株式会社東芝 二重化された処理装置間の同期状態維持方法
JPH0836501A (ja) 1994-07-25 1996-02-06 Fujitsu Ltd データ整合方法
JPH08115228A (ja) * 1994-10-18 1996-05-07 Fuji Xerox Co Ltd 情報処理システム
TW318933B (en) * 1996-03-08 1997-11-01 Hitachi Ltd Semiconductor IC device having a memory and a logic circuit implemented with a single chip
JP3467750B2 (ja) 1997-01-17 2003-11-17 日本電信電話株式会社 分散オブジェクト処理システム
US6199140B1 (en) * 1997-10-30 2001-03-06 Netlogic Microsystems, Inc. Multiport content addressable memory device and timing signals
JP2000148588A (ja) * 1998-11-06 2000-05-30 Nec Corp アドレス変換テーブル付きメモリ
US6483732B2 (en) * 2000-12-13 2002-11-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Relational content addressable memory
JP2002216481A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2002342298A (ja) 2001-05-11 2002-11-29 Fujitsu Ltd クライアント・サーバ型情報処理システム及び並列ロード・バランス方式
US6678799B2 (en) * 2001-10-18 2004-01-13 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Aggregation of cache-updates in a multi-processor, shared-memory system
US6867989B1 (en) * 2002-07-29 2005-03-15 Netlogic Microsystems, Inc. Auto read content addressable memory cell and array
US6798688B2 (en) * 2002-11-29 2004-09-28 International Business Machines Corp. Storage array such as a SRAM with reduced power requirements
US6975526B2 (en) * 2002-12-30 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Detecting “almost match” in a CAM
CA2452251C (en) * 2003-12-04 2010-02-09 Timothy R. Jewell Data backup system and method
JP4492302B2 (ja) * 2004-10-29 2010-06-30 沖電気工業株式会社 Ip−pbxシステムおよびその呼制御サーバ間のデータ更新方法

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