JP4774649B2 - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法に関し、特にオンチップレンズを備えた固体撮像素子、およびオンチップレンズを備えた固体撮像素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
固体撮像素子は、多数の光センサーを半導体基板上にたとえばマトリクス状に配列して構成され、撮影手段としてデジタルスチルカメラや、デジタルビデオカメラに広く用いられている。図6は従来のカラー固体撮像素子を示す部分断面側面図である。図6に示した固体撮像素子102は具体的にはCMOSイメージセンサーであり、シリコンによる半導体基板104の表面部に光センサー106がマトリクス状に配列され(図では1つの光センサーのみを示す)、各光センサー106の近傍には電荷転送ゲート108およびフローティングディフュージョン部110が形成されている。各光センサー106が受光して生成した信号電荷は電荷転送ゲート108によってフローティングディフュージョン部110へ供給され、このフローティングディフュージョン部110において電圧信号に変換される。光センサー106およびフローティングディフュージョン部110周辺の半導体基板表面部にはフィールド酸化膜111が形成され、各素子が分離されている。
【0003】
これら光センサー106や電荷転送ゲート108などの上には、表面が平坦化されたシリコンの酸化物による1層目の層間絶縁膜114が形成され、その上に、たとえばフローティングディフュージョン部110にコンタクトプラグ116により接続された1層目の配線118が形成されている。さらに、層間絶縁膜114および配線118の上には、同じく表面が平坦化されたシリコンの酸化物による2層目の層間絶縁膜120が形成され、その上に2層目の配線122形成されている。層間絶縁膜120および配線122の上にはさらに、表面が平坦化された、たとえばシリコンの酸化物による3層目の層間絶縁膜124が形成され、その上に最上層の配線126が形成されている。各層の配線は、コンタクトプラグにより適宜、接続され、本例では、配線118、122はコンタクトプラグ128により相互に接続されている。
【0004】
そして、最上層の配線126、および配線126の側部に露出している層間絶縁膜124の表面には、層間絶縁膜130が形成され、その上にパッシベーション膜132が形成されている。パッシベーション膜132は層間絶縁膜130を介さず直接、配線126などの表面に形成することも可能であるが、配線126がパッシベーション膜132により確実に覆われるようにするため、通常、層間絶縁膜130がまず形成され、その上にパッシベーション膜132が形成される。
【0005】
CMOSイメージセンサーではCMOSプロセスの特徴を活かして、単一のチップに、光センサー106や電荷転送ゲート108などから成るセンサー部とともに、増幅回路、サンプルホールド回路、タイミングジェネレーターなどが実装され、その結果、これらの回路間を接続すべく上述のような多層配線構造が用いられる。
【0006】
パッシベーション膜132の上には平坦化膜134が形成され、その上に各光センサー106ごとにカラーフィルター136が、さらにその上にオンチップレンズ138が形成されている。固体撮像素子102に入射した光はこのオンチップレンズ138により収束され、各光センサー106に入射する。このようなオンチップレンズ138を設けることにより、受光領域は光センサー106自体の受光部からオンチップレンズ138の開口部に拡大するため、固体撮像素子102の感度が大幅に向上する。
【0007】
オンチップレンズ138を効果的に作用させるためには、オンチップレンズ138に入射した光が光センサー106上に焦点を結ぶようにする必要がある。たとえば図6に示したようにオンチップレンズ138に入射した光140が、光センサー106の手前の箇所142に収束した場合には、光センサー106の受光面では光140は拡散してしまい、固体撮像素子102の感度が低下する。したがって、オンチップレンズ138の焦点距離を、光センサー106からオンチップレンズ138までの距離に正しく一致させなければならない。
【0008】
レンズを形成している材料の屈折率をn、レンズ表面の曲率半径をrとすると、レンズの焦点距離fは[数1]により表すことができる。したがって、オンチップレンズ138の焦点距離fを光センサー106からオンチップレンズ138までの距離に一致させるには、屈折率nおよび曲率半径rを適切に選定すればよい。
【0009】
[数1]f = nr/(n−1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、特にCMOSイメージセンサーの場合には、上述のように多層配線構造を採用していることから、オンチップレンズ138の位置が高く、光センサー106からオンチップレンズ138までの距離が長くなっている。したがって、オンチップレンズ138の焦点距離を長くすべくレンズ材料の屈折率や曲率半径が選定される。
【0011】
しかし、屈折率を優先してオンチップレンズ138のレンズ材料を選定した場合には、レンズ性能や加工のし易さなどが犠牲となる場合も起こり得る。また、曲率半径を大きくすることにも問題がある。すなわち、オンチップレンズ138は、薄膜をまず形成し、それをパターン化した後、リフローして表面が湾曲した形状を得るといった方法で作製される。そして、曲率半径の大きなレンズは、最初に形成する上記薄膜の厚みを薄くすることにより形成することができる。しかしながら、膜厚を薄くし過ぎると膜厚にムラが生じやすくなり、レンズ性能が低下するという問題が生じる。したがって、光センサー106からオンチップレンズ138までの距離が長い構造に対し、オンチップレンズ138の焦点距離を長くすることで対処するという方法は必ずしも得策とは言えず、光センサー106からオンチップレンズ138までの距離を短縮する方法が求められていた。
【0012】
さらに、固体撮像素子102に対して光が斜めに入射し、したがってオンチップレンズ138に対し光が斜めに入射した場合には、オンチップレンズ138を通過した後、光が収束する位置は、横方向に移動することになり、移動量が大きい場合には、光は光センサー106の受光面から外れた位置に収束してしまう場合も生じる。このような収束位置の移動は、光センサー106からオンチップレンズ138までの距離が長いほど大きく、そのため、斜め光に対しても充分な感度を備えた固体撮像素子102を実現する上でも、光センサー106からオンチップレンズ138までの距離をできるだけ短くすることが望ましい。
【0013】
そこで本発明の目的は、光センサーからオンチップレンズまでの距離を短縮してオンチップレンズに入射した光が光センサー上に正しく収束するように図った固体撮像素子、および同固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、半導体基板の表面部に形成されたフォトセンサーに入射光を収束させるオンチップレンズと、前記半導体基板の上に形成された表面が平坦な第1の層間絶縁膜と、同第1の層間絶縁膜の上に形成された最上層の配線と、同配線の側部を埋めるべく前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記配線と前記オンチップレンズとの間に形成されたパッシベーション膜とを備えた固体撮像素子であって、前記配線の表面に形成された、前記第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくい絶縁材料から成るバッファー層を含み、前記バッファー層は、前記配線と同一にパターン化されて当該配線上のみに形成され、前記第2の層間絶縁膜は、前記第1の層間絶縁膜と同一の材料から成ると共に当該第1の層間絶縁膜の上に直接形成され、前記第2の層間絶縁膜の表面の高さは、前記配線上の前記バッファー層の表面の高さに等しく、前記パッシベーション膜は、前記配線上の前記バッファー層の表面および前記第2の層間絶縁膜の表面に形成されていることを特徴とする。
【0015】
本発明の固体撮像素子では、最上層の配線の表面にバッファー層が設けられ、このバッファー層は、第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくい材料により形成されている。このような固体撮像素子は、バッファー層を介して上記配線の上に第2の層間絶縁膜の材料を堆積させた後、第2の層間絶縁膜の材料を研磨して表面を平坦化し、その上にパッシベーション膜を形成することにより製造できる。そして、第2の層間絶縁膜の材料を研磨する際、バッファー層の材料は第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくいので、研磨をバッファー層の表面で停止することができる。
【0016】
したがって、バッファー層を薄く形成しても研磨により配線にダメージを与えるといったことがなく、最上層の配線と、その上のパッシベーション膜との間には薄いバッファー層が介在するのみとできる。また、最上層の配線上のバッファー層の表面と第2の層間絶縁膜の表面とは同じ高さであって平坦であり、それらの上に形成されたパッシベーション膜の表面も平坦であるため、従来のようにパッシベーション膜の上に平坦化膜を形成する必要がない。その結果、本発明の固体撮像素子では、光センサーから対応するオンチップレンズまでの距離を従来より短縮することが可能となる。
【0017】
また、本発明は、半導体基板の表面部に形成されたフォトセンサーに入射光を収束させるオンチップレンズと、前記半導体基板の上に形成された表面が平坦な第1の層間絶縁膜と、同第1の層間絶縁膜の上に形成された最上層の配線と、同配線の側部を埋めるべく前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記配線と前記オンチップレンズとの間に形成されたパッシベーション膜とを備えた固体撮像素子を製造する方法であって、前記配線を前記第1の層間絶縁膜の上に形成した後、前記第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくい絶縁材料を全体に被着させてバッファー層を形成し、前記バッファー層の上に前記第2の層間絶縁膜の材料を堆積させ、前記配線上で前記バッファー層の表面が露出するまで前記第2の層間絶縁膜の材料を研磨し表面を平坦化して前記第2の層間絶縁膜を形成し、つづいて、露出した前記バッファー層および前記第2の層間絶縁膜の表面に前記パッシベーション膜を形成することを特徴とする。
【0018】
本発明の固体撮像素子の製造方法では、バッファー層を形成し、その上に第2の層間絶縁膜の材料を堆積させ同材料を研磨する際、バッファー層の材料は第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくいので、研磨をバッファー層の表面で停止することができる。したがって、バッファー層を薄く形成しても研磨により配線にダメージを与えるといったことがなく、最上層の配線と、その上のパッシベーション膜との間には薄いバッファー層が介在するのみとできる。また、第2の層間絶縁膜の材料を堆積させた後、表面全体を平坦化した上でパッシベーション膜を形成するので、パッシベーション膜の表面も平坦であり、従来のようにパッシベーション膜の上に平坦化膜を形成する必要がない。その結果、本発明の固体撮像素子の製造方法により、光センサーから対応するオンチップレンズまでの距離が従来より短い固体撮像素子を製造することが可能となる。
【0019】
また、本発明は、半導体基板の表面部に形成されたフォトセンサーに入射光を収束させるオンチップレンズと、前記半導体基板の上に形成された表面が平坦な第1の層間絶縁膜と、同第1の層間絶縁膜の上に形成された最上層の配線と、同配線の側部を埋めるべく前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記配線と前記オンチップレンズとの間に形成されたパッシベーション膜とを備えた固体撮像素子を製造する方法であって、前記配線の材料を前記第1の層間絶縁膜の上に成膜し、成膜した配線材料の膜の表面に、前記第2の層間絶縁膜より研磨されにくい絶縁材料を被着させてバッファー層を形成し、前記配線材料の膜を前記バッファー層とともにフォトリソグラフィーによりパターン化して前記最上層の配線を形成し、次に前記バッファー層および前記第1の層間絶縁膜の表面に当該第1の層間絶縁膜と同一の材料から成る前記第2の層間絶縁膜の材料を堆積させ、前記配線上で前記バッファー層の表面が露出するまで前記第2の層間絶縁膜の材料を研磨し平坦化して前記第2の層間絶縁膜を形成し、つづいて、露出した前記バッファー層および前記第2の層間絶縁膜の表面に前記パッシベーション膜を形成することを特徴とする。
【0020】
本発明の固体撮像素子の製造方法では、最上層の配線をパターン化し、第2の層間絶縁膜の材料を堆積させて、同材料を研磨する際、バッファー層の材料は第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくいので、研磨をバッファー層の表面で停止することができる。したがって、バッファー層を薄く形成しても研磨により配線にダメージを与えるといったことがなく、最上層の配線と、その上のパッシベーション膜との間には薄いバッファー層が介在するのみとできる。また、第2の層間絶縁膜の材料を堆積させた後、表面全体を平坦化した上でパッシベーション膜を形成するので、パッシベーション膜の表面も平坦であり、従来のようにパッシベーション膜の上に平坦化膜を形成する必要がない。その結果、本発明の固体撮像素子の製造方法により、光センサーから対応するオンチップレンズまでの距離が従来より短い固体撮像素子を製造することが可能となる。
【0021】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施の形態例としての固体撮像素子を示す部分断面側面図である。図中、図6と同一の要素には同一の符号が付されている。第1の実施の形態例の固体撮像素子2は、一例としてCMOSイメージセンサーであり、最上層の配線126以下では図6に示した従来の固体撮像素子と同一の構造を有し、また固体撮像素子2のオンチップレンズ138およびカラーフィルター136も従来の固体撮像素子と基本的に同様に形成されている。すなわち、半導体基板104の表面に光センサー106、電荷転送ゲート108、フローティングディフュージョン部110などが形成され、その上に層間絶縁膜114、120、124を介して配線118、122、126が積層されている。
【0022】
本実施の形態例の固体撮像素子2では、配線126の表面、側面、ならびに配線126側部の層間絶縁膜124の表面に、層間絶縁膜130の材料より研磨レートが低く研磨されにくい絶縁材料から成るバッファー層4が形成されている。層間絶縁膜130は例えばシリコンの酸化物により形成し、バッファー層4はシリコンの窒化物により形成することができる。
【0023】
本実施の形態例では、配線126の側部においてバッファー層4の上に形成された層間絶縁膜130の表面の高さは、配線126上のバッファー層4の表面の高さに一致しており、これら平坦化された配線126上のバッファー層4の表面および層間絶縁膜130の表面に、たとえばシリコンの窒化物から成るパッシベーション膜132が形成されている。
【0024】
このような固体撮像素子2は、バッファー層4を介して配線126の上に層間絶縁膜130の材料を堆積させた後、層間絶縁膜130の材料を研磨して表面を平坦化し、その上にパッシベーション膜132を形成することにより製造できる。そして、層間絶縁膜130の材料を研磨する際、バッファー層4の材料は層間絶縁膜130の材料より研磨されにくいので、研磨をバッファー層4の表面で停止することができる。
【0025】
したがって、バッファー層4を薄く形成しても研磨により配線126にダメージを与えるといったことがなく、最上層の配線126と、その上のパッシベーション膜132との間には薄いバッファー層4が介在するのみとできる。また、最上層の配線126上のバッファー層4の表面と層間絶縁膜130の表面とは同じ高さであって平坦であり、それらの上に形成されたパッシベーション膜132の表面も平坦であるため、従来のようにパッシベーション膜132の上に平坦化膜134(図6)を形成する必要がなく、パッシベーション膜132の上に直接カラーフィルター136を形成することができる。
【0026】
その結果、本実施の形態例の固体撮像素子2では、光センサー106から対応するオンチップレンズ138までの距離を従来より短縮することができる。したがって、オンチップレンズ138の材料を選定する際の自由度が高くなり、またオンチップレンズ138の曲率半径も特に大きくする必要がなくなる。さらに、斜めに入射する光に対しても充分な感度を確保することが可能となる。
【0027】
次に、本発明の第2の実施の形態例について説明する。図2は本発明の第2の実施の形態例を示す部分断面側面図である。図中、図1と同一の要素には同一の符号が付されている。図2に示した第2の実施の形態例の固体撮像素子6が、上記固体撮像素子2と異なるのは、配線126の側部、および配線126の側部における層間絶縁膜124の表面にはバッファー層4が形成されておらず、層間絶縁膜130が層間絶縁膜124の上に直接形成されている点である。
【0028】
この固体撮像素子6を製造する際にも、層間絶縁膜130の材料を堆積させた後の研磨において、研磨をバッファー層4の表面で停止することができるので、最上層の配線126と、その上のパッシベーション膜132との間には薄いバッファー層4が介在するのみとできる。
【0029】
また、最上層の配線126上のバッファー層4の表面と層間絶縁膜130の表面とは同じ高さであって平坦であり、パッシベーション膜132の表面も平坦となるので、従来のようにパッシベーション膜132の上に平坦化膜134(図6)を形成する必要がなく、パッシベーション膜132の上に直接カラーフィルター136を形成することができる。
【0030】
その結果、第2の実施の形態例の固体撮像素子6においても、光センサー106から対応するオンチップレンズ138までの距離を従来より短縮することができる。したがって、オンチップレンズ138の材料を選定する際の自由度が高くなり、またオンチップレンズ138の曲率半径も特に大きくする必要がなくなる。さらに、斜めに入射する光に対しても充分な感度を確保することが可能となる。
【0031】
次に、本発明の第3の実施の形態例について説明する。図3の(A)から(F)は、本発明の第3の実施の形態例としての固体撮像素子の製造方法による工程を部分的に示す半導体基板上部構造の部分断面側面図であり、一例として上記第1の実施の形態例における層間絶縁膜124より上側の構造を形成する工程を示している。
【0032】
図1に示したように、半導体基板104上に配線118、122を層間絶縁膜114、120、124により分離して順次積層した後、図3の(A)に示したように、最上層の配線126を層間絶縁膜124の上に形成し、つづいて、図3の(B)に示したように、層間絶縁膜130(図1)の材料より研磨されにくい絶縁材料、たとえばシリコンの窒化物を全体に被着させてバッファー層4を形成し、次に、図3の(C)に示したように、バッファー層4の上に層間絶縁膜130の材料8を配線126の厚みより厚く堆積させる。
【0033】
その後、図3の(D)に示したように、配線126上でバッファー層4の表面が露出するまで層間絶縁膜130の材料8をたとえばCMP(Chemical Mechanical Polishing)により研磨し表面を平坦化して層間絶縁膜130を形成する。そして、図3の(E)に示したように、露出したバッファー層4および層間絶縁膜130の表面にパッシベーション膜132を形成する。
【0034】
つづいて、図3の(F)に示したように、従来通りの方法によりパッシベーション膜132の上にカラーフィルター136を形成し、カラーフィルター136の上にオンチップレンズ138を形成する。このような固体撮像素子の製造方法では、バッファー層4を形成し、さらにその上に層間絶縁膜130の材料8を堆積させ同材料を研磨する際、バッファー層4の材料は層間絶縁膜130の材料8より研磨されにくいので、研磨をバッファー層4の表面で停止することができる。
【0035】
したがって、バッファー層4を薄く形成しても研磨により配線にダメージを与えるといったことがなく、最上層の配線126と、その上のパッシベーション膜132との間には薄いバッファー層4が介在するのみとできる。また、層間絶縁膜130の材料を堆積させた後、表面全体を平坦化した上でパッシベーション膜132を形成するので、パッシベーション膜132の表面も平坦であり、従来のようにパッシベーション膜132の上に平坦化膜134(図6)を形成する必要がない。
【0036】
その結果、第3の実施の形態例により、光センサーから対応するオンチップレンズ138までの距離が短い固体撮像素子を製造することができる。したがって、オンチップレンズ138の材料を選定する際の自由度が高くなり、またオンチップレンズ138の曲率半径も特に大きくする必要がなくなる。さらに、斜めに入射する光に対しても充分な感度を確保することが可能となる。
【0037】
次に、本発明の第4の実施の形態例について説明する。図4の(A)から(H)は、本発明の第4の実施の形態例としての固体撮像素子の製造方法による工程を部分的に示す半導体基板上部構造の部分断面側面図であり、一例として上記第2の実施の形態例における層間絶縁膜124より上側の構造を形成する工程を示している。
【0038】
図2に示したように、半導体基板104上に配線118、122を層間絶縁膜114、120、124により分離して順次積層した後、図4の(A)に示したように、配線126の材料10を層間絶縁膜124の上に成膜し、つづいて、図4の(B)に示したように、成膜した配線材料の膜10の表面に、層間絶縁膜130(図2)より研磨されにくい絶縁材料、たとえばシリコンの窒化膜を被着させてバッファー層4を形成する。その後、図4の(C)に示したように、配線材料の膜10をバッファー層4とともに、パターン化したフォトレジスト層12を用いたフォトリソグラフィーによりパターン化して、図4の(D)に示したように最上層の配線126を形成する。
【0039】
次に、図4の(E)に示したように、バッファー層4および層間絶縁膜124の表面に層間絶縁膜130の材料8を、配線126とバッファー層4の厚みを加えた厚みより厚く堆積させ、そして、図4の(F)に示したように、配線126上でバッファー層4の表面が露出するまで層間絶縁膜130の材料8を、たとえばCMPにより研磨し平坦化して層間絶縁膜130を形成する。
【0040】
その後、図4の(G)に示したように、露出したバッファー層4および層間絶縁膜130の表面にパッシベーション膜132を形成し、さらに図4の(H)に示したように、従来の方法によりカラーフィルター136およびオンチップレンズ138を順次形成する。
【0041】
このような固体撮像素子の製造方法では、最上層の配線126をパターン化し、層間絶縁膜130の材料8を堆積させて同材料8を研磨する際、バッファー層4の材料は層間絶縁膜124の材料より研磨されにくいので、研磨をバッファー層4の表面で停止することができる。
【0042】
したがって、バッファー層4を薄く形成しても研磨により配線にダメージを与えるといったことがなく、最上層の配線126と、その上のパッシベーション膜132との間には薄いバッファー層4が介在するのみとできる。また、層間絶縁膜130の材料を堆積させた後、表面全体を平坦化した上でパッシベーション膜132を形成するので、パッシベーション膜132の表面も平坦であり、従来のようにパッシベーション膜132の上に平坦化膜134(図6)を形成する必要がない。
【0043】
その結果、第4の実施の形態例の製造方法により、光センサーから対応するオンチップレンズ138までの距離が短い固体撮像素子を製造することができる。したがって、オンチップレンズ138の材料を選定する際の自由度が高くなり、またオンチップレンズ138の曲率半径も特に大きくする必要がなくなる。さらに、斜めに入射する光に対しても充分な感度を確保することが可能となる。
【0044】
また、この第4の実施の形態例の製造方法は、バッファー層4の被覆性が悪い場合にも、その影響を受けることなく層間絶縁膜130やバッファー層4を良好に形成することができる。バッファー層4の被覆性が悪い場合には、バッファー層4は図5に示したような状態となり、正常な場合の図3の(B)に比べて分かるように、配線126の側面や、層間絶縁膜124の表面において厚みが不均一となってしまう。このような状態では、層間絶縁膜130の材料をバッファー層4上に堆積させた際に、配線126の側部を層間絶縁膜130の材料によって確実に埋めることができず、不具合が生じる。しかし、第4の実施の形態例では、バッファー層4は、図4の(B)に示したように、平坦な配線材料の膜10の表面に形成すればよいため、バッファー層4の被覆性が悪くても図5に示したような問題は生じない。
【0045】
以上、本発明の実施の形態例について説明したが、本発明は無論これらの例に限定されるものではなく、種々の形態で実施することができる。たとえば、固体撮像素子としては、光センサーがたとえばマトリクス状に配列された2次元の固体撮像素子に限らず、光センサーが1列に配列されたリニアイメージセンサーであってもよく、その場合にも本発明を適用して上述のような効果を得ることができる。また、本実施の形態例では配線は3層に積層されているとしたが、配線が1層や2層である場合にも本発明は有効である。本発明はCMOSイメージセンサーに限らず、CCD構造の固体撮像素子に対しても無論有効である。バッファー層4、層間絶縁膜130などの上記材料は一例であり、上記以外の材料を用いて同様の効果を得ることも可能である。
【0046】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の固体撮像素子では、最上層の配線の表面にバッファー層が設けられ、このバッファー層は、第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくい材料により形成されている。このような固体撮像素子は、バッファー層を介して上記配線の上に第2の層間絶縁膜の材料を堆積させた後、第2の層間絶縁膜の材料を研磨して表面を平坦化し、その上にパッシベーション膜を形成することにより製造できる。そして、第2の層間絶縁膜の材料を研磨する際、バッファー層の材料は第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくいので、研磨をバッファー層の表面で停止することができる。
【0047】
したがって、バッファー層を薄く形成しても研磨により配線にダメージを与えるといったことがなく、最上層の配線と、その上のパッシベーション膜との間には薄いバッファー層が介在するのみとできる。また、最上層の配線上のバッファー層の表面と第2の層間絶縁膜の表面とは同じ高さであって平坦であり、それらの上に形成されたパッシベーション膜の表面も平坦であるため、従来のようにパッシベーション膜の上に平坦化膜を形成する必要がない。その結果、本発明の固体撮像素子では、光センサーから対応するオンチップレンズまでの距離を従来より短縮することが可能できる。したがって、オンチップレンズの材料を選定する際の自由度が高くなり、またオンチップレンズの曲率半径も特に大きくする必要がなくなる。さらに、斜めに入射する光に対しても充分な感度を確保することが可能となる。
【0048】
そして、本発明の固体撮像素子の製造方法では、バッファー層を形成し、その上に第2の層間絶縁膜の材料を堆積させ同材料を研磨する際、バッファー層の材料は第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくいので、研磨をバッファー層の表面で停止することができる。また、本発明の固体撮像素子の製造方法では、最上層の配線をパターン化し、第2の層間絶縁膜の材料を堆積させて、同材料を研磨する際、バッファー層の材料は第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくいので、研磨をバッファー層の表面で停止することができる。したがって、バッファー層を薄く形成しても研磨により配線にダメージを与えるといったことがなく、最上層の配線と、その上のパッシベーション膜との間には薄いバッファー層が介在するのみとできる。また、第2の層間絶縁膜の材料を堆積させた後、表面全体を平坦化した上でパッシベーション膜を形成するので、パッシベーション膜の表面も平坦であり、従来のようにパッシベーション膜の上に平坦化膜を形成する必要がない。その結果、本発明の固体撮像素子の製造方法により、光センサーから対応するオンチップレンズまでの距離が従来より短い固体撮像素子を製造することができる。したがって、オンチップレンズの材料を選定する際の自由度が高くなり、またオンチップレンズの曲率半径も特に大きくする必要がなくなる。さらに、斜めに入射する光に対しても充分な感度を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態例としての固体撮像素子を示す部分断面側面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態例を示す部分断面側面図である。
【図3】(A)から(F)は、本発明の第3の実施の形態例としての固体撮像素子の製造工方法による工程を部分的に示す半導体基板上部構造の部分断面側面図である。
【図4】(A)から(H)は、本発明の第4の実施の形態例としての固体撮像素子の製造方法による工程を部分的に示す半導体基板上部構造の部分断面側面図である。
【図5】被覆性の悪いバッファー層を示す部分断面側面図である。
【図6】従来のカラー固体撮像素子を示す部分断面側面図である。
【符号の説明】
2……固体撮像素子、4……バッファー層、6……固体撮像素子、8……材料、10……膜、12……フォトレジスト層、102……固体撮像素子、104……半導体基板、106……光センサー、108……電荷転送ゲート、110……フローティングディフュージョン部、112……周辺の半導体基板表面部にはフィールド酸化膜、114……層間絶縁膜、116……コンタクトプラグ、118……配線、120……層間絶縁膜、122……配線、124……層間絶縁膜、126……配線、128……コンタクトプラグ、130……層間絶縁膜、132……パッシベーション膜、134……平坦化膜、136……カラーフィルター、138……オンチップレンズ、140……光、142……箇所。
Claims (8)
- 半導体基板の表面部に形成されたフォトセンサーに入射光を収束させるオンチップレンズと、前記半導体基板の上に形成された表面が平坦な第1の層間絶縁膜と、同第1の層間絶縁膜の上に形成された最上層の配線と、同配線の側部を埋めるべく前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記配線と前記オンチップレンズとの間に形成されたパッシベーション膜とを備えた固体撮像素子であって、
前記配線の表面に形成された、前記第2の層間絶縁膜の材料より研磨されにくい絶縁材料から成るバッファー層を含み、
前記バッファー層は、前記配線と同一にパターン化されて当該配線上のみに形成され、
前記第2の層間絶縁膜は、前記第1の層間絶縁膜と同一の材料から成ると共に当該第1の層間絶縁膜の上に直接形成され、
前記第2の層間絶縁膜の表面の高さは、前記配線上の前記バッファー層の表面の高さに等しく、
前記パッシベーション膜は、前記配線上の前記バッファー層の表面および前記第2の層間絶縁膜の表面に形成されている
固体撮像素子。 - 前記第2の層間絶縁膜の材料はシリコンの酸化物から成り、前記バッファー層はシリコンの窒化物から成る
請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記半導体基板表面と前記配線との間に前記第1の層間絶縁膜および当該第1の層間絶縁膜より下に形成された第3の層間絶縁膜により分離して積層された1つまたは複数の配線が形成されている
請求項1または2記載の固体撮像素子。 - 前記第3の層間絶縁膜は、前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜と同一の材料から成る
請求項3記載の固体撮像素子。 - 半導体基板の表面部に形成されたフォトセンサーに入射光を収束させるオンチップレンズと、前記半導体基板の上に形成された表面が平坦な第1の層間絶縁膜と、同第1の層間絶縁膜の上に形成された最上層の配線と、同配線の側部を埋めるべく前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記配線と前記オンチップレンズとの間に形成されたパッシベーション膜とを備えた固体撮像素子を製造する方法であって、
前記配線の材料を前記第1の層間絶縁膜の上に成膜し、
成膜した配線材料の膜の表面に、前記第2の層間絶縁膜より研磨されにくい絶縁材料を被着させてバッファー層を形成し、
前記配線材料の膜を前記バッファー層とともにフォトリソグラフィーによりパターン化して前記最上層の配線を形成し、
次に前記バッファー層および前記第1の層間絶縁膜の表面に当該第1の層間絶縁膜と同一の材料から成る前記第2の層間絶縁膜の材料を堆積させ、
前記配線上で前記バッファー層の表面が露出するまで前記第2の層間絶縁膜の材料を研磨し平坦化して前記第2の層間絶縁膜を形成し、
つづいて、露出した前記バッファー層および前記第2の層間絶縁膜の表面に前記パッシベーション膜を形成する
固体撮像素子の製造方法。 - 前記第2の層間絶縁膜はシリコンの酸化物により形成し、前記バッファー層はシリコンの窒化物により形成する
請求項5記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記半導体基板の表面と前記配線との間に1つまたは複数の配線を前記第1の層間絶縁膜および当該第1の層間絶縁膜より下に形成された第3の層間絶縁膜により分離して積層する
請求項5または6に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記第3の層間絶縁膜は、前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜と同一の材料から成る
請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
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